JP2013243322A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】主成分がSiO2である透明板ガラスを基板111とし、基板111の一面に反射防止膜113が形成され、対向する一面に下地膜112が形成され、下地膜112の上に透明導電膜12が形成され、透明導電膜12の上に光電変換ユニット3および裏面電極4が形成される太陽電池の製造方法であって、反射防止膜113は、透光性微粒子、透光性バインダおよび有機溶媒を含む塗布液を雰囲気湿度45%RH以上の環境下で透明板ガラス基板111上に塗布することにより形成され、かつ透明板ガラス基板111の反射防止膜113塗布面の表面組成におけるSn成分が0.2重量%以下である。
【選択図】図1
Description
装置:ファイ社 Quantum2000
X線強度:AlKα/15kV・25W
X線ビーム径:100μmφ
パスエネルギー:187.85eV(ワイド)、46.95eV(ナロー)
分光光度計(島津製作所社製 SolidSpec−3700)を用いて、透過率の測定を行った。
X線光電子分光法(XPS)を用いて分析した。分析元素はC,O,Na,Mg,Al,Si,Ca,Feとし、これら元素の合計に対する各元素の比率を測定した。測定深さは約5nmである。なお、分析装置および条件は次の通りである。
装置:ファイ社 Quantum2000
X線強度:AlKα/15kV・25W
X線ビーム径:100μmφ
パスエネルギー:187.85eV(ワイド)、46.95eV(ナロー)
JIS K7204に記載の摩耗輪による摩耗試験方法に準じて評価した。具体的には、CS10Fの回転ホイールを9.8NでAR膜または下地膜に押し付け、72rpm(60Hz)でAR膜付き透明板ガラス基板を回転させて、膜が完全に剥がれるまでの回転数を測定した。この時の回転数が200回転以上でも膜剥がれが生じない場合に太陽電池の実用上の品質として好ましいと判断した。
本発明の実施例1として、透明板ガラス基板のエア面組成が表1、スズバス面組成が表2である、厚み3.2mm、サイズ1400mm×1100mmの透明板ガラス基板111のエア面側に、AR膜113を形成した。
比較例1として、実施例1と同様の透明板ガラス基板のスズバス面にAR膜を形成した。実施例1と同様にセリコ洗浄を行い、エアカットにて乾燥を行った後、引き上げ速度0.2m/分、湿度52.0RH%、温度22.1℃の雰囲気でディッピングコーティング法により、AR膜と下地膜の塗布操作を行った。次に得られた上記機能性膜付き透明板ガラス基板のエア面側に、実施例1と同様の酸化亜鉛系膜、光電変換ユニット、裏面電極を形成した。
比較例2として、実施例1と同様の透明板ガラス基板のスズバス面にAR膜を形成した。実施例1と同様にセリコ洗浄を行い、エアカットにて乾燥を行った後、引き上げ速度0.2m/分、湿度43.0RH%、温度22.9℃の雰囲気でディッピングコーティング法により、AR膜と下地膜の塗布操作を行った。次に得られた上記機能性膜付き透明板ガラス基板のエア面側に実施例1と同様の酸化亜鉛系膜、光電変換ユニット、裏面電極を形成した。
112 下地膜
113 AR膜
12 透明導電膜
2 前方光電変換ユニット
3 後方光電変換ユニット
4 裏面電極
5 太陽電池
Claims (10)
- 主成分がSiO2である透明板ガラスを基板とし、基板の一面に反射防止膜が形成され、対向する一面に下地膜が形成され、下地膜の上に透明導電膜が形成され、透明導電膜の上に光電変換ユニットおよび裏面電極が形成される太陽電池の製造方法であって、
前記反射防止膜は、透光性微粒子、透光性バインダおよび有機溶媒を含む塗布液を雰囲気湿度45%RH以上の環境下で透明板ガラス基板上に塗布することにより形成され、かつ透明板ガラス基板の反射防止膜塗布面の表面組成におけるSn成分が0.2重量%以下であることを特徴とする、太陽電池の製造方法。 - 前記透明板ガラス基板のサイズが900mm×900mm以上であることを特徴とする、請求項1記載の太陽電池の製造方法。
- 前記透明板ガラス基板がフロート方式で製造されたものであり、反射防止膜塗布面がエア面であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記透明導電膜が酸化亜鉛系透明導電膜であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記光電変換ユニットが、光電変換層としてアモルファスシリコン、結晶質シリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、アモルファスゲルマニウム、結晶質ゲルマニウムから選択される少なくとも1種を含んで構成されることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記反射防止膜および下地膜はディッピング法で形成され、反射防止膜および下地膜を同一組成、同時形成することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記塗布液が、コロイダルシリカ、アルコキシシラン、酸、水、アルコールを含む、請求項1乃至6のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記コロイダルシリカの平均粒子径が50〜200nmであることを特徴とする、請求項7記載の太陽電池の製造方法。
- 前記アルコキシシランがテトラエトキシシランの4〜6量体のオリゴマーであることを特徴とする、請求項7記載の太陽電池の製造方法。
- 反射防止膜および下地膜が200℃以下の温度で焼成して形成されることを特徴とする、請求項1乃至9のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2016115927A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-23 | 旭化成株式会社 | 太陽電池用コーティング膜 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS623046A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化珪素被膜の形成方法 |
JP2002270866A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP2006206400A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法、およびその方法により製造されたガラス基板 |
JP2007059484A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
WO2009142156A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置用基板とそれを含む薄膜光電変換装置、並びに薄膜光電変換装置用基板の製造方法 |
JP2010186854A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
JP2011108753A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Kaneka Corp | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
JP2011162379A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Asahi Glass Co Ltd | 高透過ガラス板およびその製造方法 |
WO2011155614A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | 旭硝子株式会社 | 透光性積層体およびそれを用いた太陽電池モジュール |
-
2012
- 2012-05-23 JP JP2012117110A patent/JP2013243322A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS623046A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化珪素被膜の形成方法 |
JP2002270866A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP2006206400A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法、およびその方法により製造されたガラス基板 |
JP2007059484A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
WO2009142156A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置用基板とそれを含む薄膜光電変換装置、並びに薄膜光電変換装置用基板の製造方法 |
JP2010186854A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
JP2011108753A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Kaneka Corp | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
JP2011162379A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Asahi Glass Co Ltd | 高透過ガラス板およびその製造方法 |
WO2011155614A1 (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-15 | 旭硝子株式会社 | 透光性積層体およびそれを用いた太陽電池モジュール |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016115927A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-23 | 旭化成株式会社 | 太陽電池用コーティング膜 |
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