JP2013238651A - 分極反転素子の製造方法、導波路型波長変換素子の製造方法および導波路型波長変換素子 - Google Patents
分極反転素子の製造方法、導波路型波長変換素子の製造方法および導波路型波長変換素子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】分極反転素子の製造方法は以下の工程を備えている。強誘電体結晶基板1の一方面1aに櫛歯電極2が形成される。強誘電体結晶基板1の一方面1aと対向する他方面1bにイオン伝導性酸化物膜3が形成される。イオン伝導性酸化物膜3上に平面電極4が形成される。イオン伝導性酸化物膜3を介在して櫛歯電極2と平面電極4との間に電圧が印加されて、櫛歯電極2の真下の強誘電体結晶基板1の部分に一方面1aから他方面1bに渡って複数の分極反転領域5が形成される。
【選択図】図6
Description
(実施の形態1)
最初に、本発明の実施の形態1の分極反転素子の製造方法について説明する。
図8を参照して、本実施の形態における比較例の分極反転素子の製造方法は、本実施の形態の分極反転素子の製造方法と対比して、イオン伝導性酸化物膜が形成されない点で主に異なっている。
本発明の実施の形態2は、実施の形態1と比較して、強誘電体結晶基板の厚さ寸法が異なっている。なお、実施の形態1と同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。このことは以下の実施の形態について同様である。
本発明の実施の形態3は、実施の形態1と比較して、分極反転パターンに2つの異なる周期パターンが混在している点で主に異なっている。
本実施の形態の導波路型波長変換素子の製造方法について説明する。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Claims (10)
- 強誘電体結晶基板の一方面に櫛歯電極を形成する工程と、
前記強誘電体結晶基板の前記一方面と対向する他方面にイオン伝導性酸化物膜を形成する工程と、
前記イオン伝導性酸化物膜上に平面電極を形成する工程と、
前記イオン伝導性酸化物膜を介在して前記櫛歯電極と前記平面電極との間に電圧を印加して、前記櫛歯電極の真下の前記強誘電体結晶基板の部分に前記一方面から前記他方面に渡って複数の分極反転領域を形成する工程とを備えた、分極反転素子の製造方法。 - 前記イオン伝導性酸化物膜がホウケイ酸ガラスおよびソーダ石灰ガラスのいずれかである、請求項1に記載の分極反転素子の製造方法。
- 前記イオン伝導性酸化物膜がリン酸リチウム、チタン酸リチウム、リン酸チタン酸リチウム、マンガン酸リチウムおよびコバルト酸リチウムのいずれかである、請求項1に記載の分極反転素子の製造方法。
- 前記イオン伝導性酸化物膜が、アルカリ金属酸化物を質量比で1%以上含む、請求項1〜3のいずれかに記載の分極反転素子の製造方法。
- 前記強誘電体結晶基板が、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウムおよびチタン酸リン酸カリウムのいずれかを含む単結晶および多結晶のいずれかである、請求項1〜4のいずれかに記載の分極反転素子の製造方法。
- 前記強誘電体結晶基板が、添加物としてマグネシウム、亜鉛、鉄およびチタンよりなる群から選ばれる1種以上の元素を含む、請求項1〜5のいずれかに記載の分極反転素子の製造方法。
- 前記強誘電体結晶基板が、3mm以上10mm以下の厚みを有している、請求項1〜6のいずれかに記載の分極反転素子の製造方法。
- 前記複数の分極反転領域は、第1〜第4の分極反転領域を含み、
前記第1および第2の分極反転領域の間隔は、前記第3および第4の分極反転領域の間隔と異なっている、請求項1〜7のいずれかに記載の分極反転素子の製造方法。 - 強誘電体結晶基板の一方面に櫛歯電極を形成する工程と、
前記強誘電体結晶基板の前記一方面と対向する他方面にイオン伝導性酸化物膜を形成する工程と、
前記イオン伝導性酸化物膜上に平面電極を形成する工程と、
前記イオン伝導性酸化物膜を介在して前記櫛歯電極と前記平面電極との間に電圧を印加して、前記櫛歯電極の真下の前記強誘電体結晶基板の部分に前記一方面から前記他方面に渡って複数の分極反転領域を形成する工程と、
前記分極反転領域が形成された後に前記櫛歯電極および前記平面電極を除去する工程と、
前記平面電極が除去された前記イオン伝導性酸化物膜上に支持基板を接合する工程と、
前記櫛歯電極が除去された前記強誘電体結晶基板の前記一方面を研磨する工程と、
前記研磨された一方面上に上部クラッド層を形成する工程とを備えた、導波路型波長変換素子の製造方法。 - 複数の分極反転領域を有する強誘電体結晶基板と、
前記強誘電体結晶基板の一方面上に設けられた上部クラッド層と、
上部クラッド層との間で強誘電体結晶基板を挟み込むように一方面と対向する他方面上に設けられた下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に設けられた支持基板とを備え、
前記下部クラッド層はイオン伝導性酸化物膜である、導波路型波長変換素子。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
WO2020208877A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光位相変調器、および光位相変調方法 |
WO2020209049A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | パナソニック株式会社 | 光デバイス、およびその製造方法 |
CN112195520A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-08 | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 | 铌酸锂薄膜超晶格的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005148202A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | National Institute For Materials Science | 格子点の秩序性制御による分極反転法および光波長変換素子 |
JP2007173769A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Nichia Chem Ind Ltd | レーザ装置 |
JP2010204505A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Ngk Insulators Ltd | 波長変換素子およびその製造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005148202A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | National Institute For Materials Science | 格子点の秩序性制御による分極反転法および光波長変換素子 |
JP2007173769A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Nichia Chem Ind Ltd | レーザ装置 |
JP2010204505A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Ngk Insulators Ltd | 波長変換素子およびその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020208877A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光位相変調器、および光位相変調方法 |
WO2020209049A1 (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | パナソニック株式会社 | 光デバイス、およびその製造方法 |
CN112195520A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-08 | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 | 铌酸锂薄膜超晶格的制备方法 |
CN112195520B (zh) * | 2020-09-30 | 2022-03-08 | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 | 铌酸锂薄膜超晶格的制备方法 |
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