JP2013236246A - 半導体装置、及びそのデータ転送方法 - Google Patents

半導体装置、及びそのデータ転送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013236246A
JP2013236246A JP2012107383A JP2012107383A JP2013236246A JP 2013236246 A JP2013236246 A JP 2013236246A JP 2012107383 A JP2012107383 A JP 2012107383A JP 2012107383 A JP2012107383 A JP 2012107383A JP 2013236246 A JP2013236246 A JP 2013236246A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
clock
signal line
clock signal
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2012107383A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Kuboyama
賢一 久保山
Yasuaki Hoshino
靖陽 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Electronics Corp filed Critical Renesas Electronics Corp
Priority to JP2012107383A priority Critical patent/JP2013236246A/ja
Publication of JP2013236246A publication Critical patent/JP2013236246A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Dc Digital Transmission (AREA)

Abstract

【課題】データ転送を確実に行うことができる半導体装置、及びその制御方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態にかかる半導体装置は、メモリ10と、メモリ10へのデータの書き込み、又はメモリ10からのデータの読み出しを制御するメモリコントローラ30と、隣接する信号線41が異なる位相のクロック信号に応じてデータを伝送する複数の信号線41と、第1のクロック信号を伝送する第1のクロック配線42aと、第1のクロック信号と異なる位相の第2のクロック信号を伝送する第2のクロック配線42bと、第1のクロック信号に応じて動作し、複数の信号線41に含まれる第1の信号線41aにデータを送信するフリップフロップ15aと、第2のクロック信号に応じて動作し、第1の信号線で伝送されたデータを受信するフリップフロップ36aと、を備えたものである。
【選択図】図5

Description

本発明は半導体装置、及びデータ転送方法に関し、例えば、回路間でデータを転送する半導体装置、及びデータ転送方法に関する。
メモリチップとメモリコントローラーチップ間等のデータ転送では、高データ転送レートを要求される。このため、より高速DDR(Double Date Rate)動作でかつパラレルデータ転送数が飛躍的に増加する。従って、データ転送時のパッケージ配線のクロストークが無視できないことと、同時動作電源ノイズおよびEMI抑制が必要となる。特許文献1の半導体装置のノイズ低減装置では、隣接する配線において出力位相をずらすために、クロック位相調整回路、又は遅延回路が設けられている。特許文献1の図1、又は2では、フリップフロップのそれぞれに対してクロック位相調整回路、又は遅延回路が設けられている。
特開2003−8424号公報
特許文献1には、出力バッファから出力されたデータを受信する側の構成については開示されていない。従って、受信側でデータを確実に受信することができないおそれがある。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
一実施の形態によれば、送信側のラッチ回路と受信側のラッチ回路とで、クロック信号の位相を変えている。
上記一実施の形態によれば、データの送受信を確実に行うことができる。
実施の形態にかかる半導体装置の構成を模式的に示すブロック図である。 実施の形態1にかかるパッケージ基板の構成を示す図である。 データの位相シフトを示すタイミングチャートである。 パッケージ基板上の配線の断面構造を示す図である。 実施の形態1にかかる半導体装置の接続構造の図である。 実施の形態1にかかるデータ転送方法を示すタイミングチャートである。 隣接する信号線を同位相にした時のデータを示すタイミングチャートである。 隣接する信号線で位相をずらした時のデータを示すタイミングチャートである。 複数の信号線を同位相にした時と、位相をずらした時の発生ノイズを比較する図である。 実施の形態2にかかる半導体装置の接続構造の図である。 信号線及びクロック配線の接続例1の構成を模式的に示す図である。 信号線及びクロック配線の接続例2の構成を模式的に示す図である。 信号線及びクロック配線の接続例3の構成を模式的に示す図である。
本実施の形態にかかる半導体装置の全体構成について、図1を用いて説明する。図1は、半導体装置の構成を示すブロック図である。半導体装置は、パッケージ基板40と、外部回路50とを備えている。パッケージ基板40は、メモリ10と、メモリコントローラ30とを搭載するプリント配線基板である。メモリコントローラ30は、メモリ10へのデータの書き込みと、メモリ10からのデータの読み出しを制御する。メモリコントローラ30は、メモリ10を制御するための半導体チップであり、読み出し、又は書き込みのコマンドを送信する。さらには、読み出し、又は書き込みのアドレスを指定する。また、パッケージ基板40は、メモリ10とメモリコントローラ30とを接続するための配線等が形成された配線基板である。
メモリ10は、データを記憶するメモリセル11と、メモリセル11の周辺回路12とを備えた半導体チップである。周辺回路12は、メモリセル11に記憶されているデータの読み出し、及び、メモリセル11へのデータの書き込みを制御する。さらに、外部回路50は、パッケージ基板40と接続されている。従って、外部回路50とパッケージ基板40との間のデータ転送が行われる。データ転送には、クロック信号が用いられる。2つの回路間には、データを一時的に保持するラッチ回路が設けられている。
ここで、本実施の形態にかかるデータの転送方法は、メモリセル11と周辺回路12間のデータ転送、メモリ10とメモリコントローラ30間のデータ転送、メモリコントローラ30と外部回路50間のデータ転送のいずれにも適用可能である。すなわち、本実施の形態にかかるデータの転送方法は、2つの回路間のデータ転送に適用される。特に、本実施の形態にかかるデータの転送方法は、伝送距離が長く、クロストークやEMIノイズが発生しやすいチップ−チップ間のデータ転送に有効である。
以下の説明においては、メモリ10とメモリコントローラ30との間のデータ転送を例として説明する。従って、パッケージ基板40が本実施の形態にかかる半導体装置となっている。もちろん、本実施の形態にかかるデータ転送方法は、後述する例に限られるものではない。例えば、メモリセル11と周辺回路12とのデータ転送に本実施の形態にかかるデータ転送を用いた場合、メモリ10が本実施の形態にかかる半導体装置となる。
実施の形態1.
実施の形態1にかかる、メモリ10とメモリコントローラ30との間のデータ転送について、図2を用いて説明する。図2は、メモリ10とメモリコントローラ30との間の配線構成を模式的に示した図である。ここでは、メモリ10からメモリコントローラ30にデータを転送する例を説明する。従って、メモリ10側を送信側とし、メモリコントローラ30を受信側として説明する。
パッケージ基板40は、メモリ10とメモリコントローラ30とを搭載している。そして、パッケージ基板40には、メモリ10とメモリコントローラ30とを接続するための信号線41a〜41dが設けられている。チップ−チップ間でデータを送受信する際には、データDQを保持するためのクロック信号QKが必要となる。また、ここでは、4つの位相の異なるクロック信号QKを用いている。ここで、0°のクロック信号をクロック信号QKA0とし、45°のクロック信号QKをQKA45とし、90°のクロック信号をQKA90とし、135°のクロック信号をQKA135とする。
クロック信号QKはある単位のデータDQ毎に具備される信号となる。ここでは、複数の信号線41が、クロック信号に応じて、第1の信号線群46と第2の信号線群47とに分けられている。第1の信号線群46では、クロック信号QKA0、QKA45、QKA90、QKA135に基づいてデータが送信される。図2では、メモリ10において、例えばクロック信号QKA0をn+1本のDQ[n:0]A0の取り込み用クロック信号として使用している。同様にクロック信号QKA[0/45/90/135]のそれぞれがデータDQ[n:0][A][0/45/90/135]信号に対応することになる。従って、第1の信号線群46は、4×(n+1)本の信号線41を有している。
さらに、第2の信号線群47に含まれる信号線41に用いられるクロック信号をクロック信号QKB0、QKB45、QKB90、QKB135として示しいている。同様にQKB[0/45/90/135]信号のそれぞれがDQ[n:0][B][0/45/90/135]信号に対応することになる。第2の信号線群47も、4×(n+1)本の信号線41を有している。
パッケージ基板40上には、動作タイミングが異なる4種類の信号線41が設けられている。ここで、クロック信号QKA0に対応する信号線を信号線41aとする。信号線41aのデータは、クロック信号QKA0に応じたタイミングでメモリコントローラ30に伝送される。同様に、クロック信号QKA90に対応する信号線を信号線41bとする。クロック信号QKA90に対応する信号線を信号線41cとする。クロック信号QKA135に対応する信号線を信号線41dとする。信号線41a〜41dは、データを並列に伝送する。第1の信号線群46は、(n+1)本の信号線41aを有している。同様に、第1の信号線群46に含まれる、信号線41b、41c、41dの数もそれぞれ(n+1)本となる。第2の信号線群47に含まれる信号線41についても同様となる。
なお、以下の説明において、4つの信号線41a〜41dを識別しない場合は、信号線41とする。また、図においては、4つの信号線41a〜41dの線種が異なっている。信号線41a〜41dは、一定の間隔を隔てて、隣接配置されている。
パッケージ基板40上の信号線41に関して物理的に隣り合う信号線の位相をシフトしている。すなわち、隣り合う信号線41のデータDQはそれぞれ45°毎にシフトしたクロック信号によって取り込まれるものとなっている。そして、第2の信号線群47において、信号線41a、信号線41b、信号線41c、及び信号線41dの順番で繰り返し配置されている構成となっている。よって、信号線41bは、信号線41aと信号線41cの間に配置される。同様に、信号線41dは、信号線41cと信号線41aと間に配置される。パッケージ基板40上の配線に関して、データDQ[n:0][A/B][0/45/90/135]を伝送する隣り合う信号線41の位相をシフトしている。
例えば、45°ずつ位相がずれたデータDQのタイミングチャートは、図3に示すようになっている。ここで、図4にパッケージ基板40における配線構造を模式的に示す。図4は、パッケージ基板40における信号線41の構造を示す断面図である。図4に示すように信号線41a〜信号線41dは、隣接して配置されている。パッケージ基板40上において、信号線41a〜信号線41dは平行に配置されている。
パッケージ基板40のグランド面との間には、寄生容量やインダクタンスが生じる。さらに、隣接する信号線41間にも寄生容量やインダクタンスが生じる。このような寄生容量やインダクスタンスは、ノイズ、クロストーク、信号遅延の原因となる。本実施の形態では、このように寄生容量やインダクスタンスが発生する環境においても、確実にデータを送受信することができる。この点について、以下に説明する。
次に、図5を用いて、信号線とクロック配線の配線構成を説明する。図5、メモリ10とメモリコントローラ30のインターフェース部分を模式的に示す図である。図5では、データDQ[35:0][A][0/45/90/135]とクロック信号QK[A][0/45/90/135]の一部を示している。なお、第2の信号線群47については、以下の説明と同様であるため、説明を省略する。
上記したように、クロック信号QKA0、QKA45、QKA90、QKA135と、を用いている。ここで、パッケージ基板40上において、クロック信号QKA0を伝送するクロック配線をクロック配線42aとする。同様に、クロック信号QKA45を伝送するクロック配線をクロック配線42bとし、クロック信号QKA90を伝送するクロック配線をクロック配線42cとし、クロック信号QKA135を伝送するクロック配線をクロック配線42dとする。
なお、以下の説明において、4つのクロック配線42a〜42dを識別しない場合は、クロック配線42とし、他の構成要素においても同様とする。図3においても、位相の異なる4種類のクロック配線42a〜42dが異なる線種で示されている。以下の説明では、メモリ10に記憶されているデータをメモリコントローラ30が読み出す時の処理について説明する。もちろんメモリ10にデータを書き込むときの処理についても、同様に処理することができる。
メモリ10は、PLL回路13と、記憶部&論理制御部14とを備えている。記憶部&論理制御部14は、図1で示したメモリセル11及び周辺回路12に相当する。例えば、記憶部がメモリセル11に対応し、論理制御部14が周辺回路12に対応する。
メモリコントローラ30は、クロック発生回路31と、記憶部&論理制御部34とを備えている。記憶部&論理制御部34も、記憶部&論理制御部14と同様に、メモリセル、及び周辺回路として機能する。例えば、メモリコントローラ30の記憶部&論理制御部34が読み出しアドレスを指定すると、記憶部&論理制御部14からデータが読み出される。このように、記憶部&論理制御部14と記憶部&論理制御部34は、データの書き込み、及び読み出しを行うためのアドレス指定等を制御する。記憶部&論理制御部14と記憶部&論理制御部34はリード又はライトのコマンドを伝送する。
クロック発生回路31は、オシレータ等を備えており、所定の周期の基準クロック信号を発生する。なお、本実施の形態では、クロック発生回路31をメモリコントローラ30に配置したが、外部のクロック発生回路で発生した基準クロックを用いてもよい。クロック発生回路31は基準クロック信号を、パッケージ基板40上の基準クロック配線43を介して、PLL(Phase Locked Loop)回路13に出力する。PLL回路13は、基準クロック信号に基づいて、4種類のクロック信号QKAをそれぞれ出力する。また、記憶部&論理制御部34は、メモリ10から転送されたデータを一斉に取り込むラッチ回路34aを有している。1つの基準クロックからクロック信号を生成することで、適切な位相とすることができる。
PLL回路13は、基準クロック信号を遅延などさせて、45°毎にずれたクロック信号QKA0、QKA45、QKA90、QKA135を生成する。メモリ10内において、クロック信号QKA0を伝送する配線をクロック信号線17aとする。クロック信号線17aは、複数のフリップフロップ15aに接続されている。同様に、メモリ10内において、クロック信号QKA45を伝送する配線をクロック信号線17bとし、クロック信号QKA90を伝送する配線をクロック信号線17cとし、クロック信号QKA135を伝送する配線をクロック信号線17dとする。クロック信号線17aのそれぞれは複数のフリップフロップ15、及びに入力される。
まず、メモリ10から伝送されるデータDQについて説明する。メモリ10には、フリップフロップ15a〜15dと、出力バッファ16a〜16dと、フリップフロップ15aと出力バッファ16aは、信号線41aに対応している。すなわち、フリップフロップ15aは、出力バッファ16aを介して、信号線41aに接続されている。なお、ここでは、信号線41aの本数を36として、データDQ[35:0][A][0]としている。信号線41aのそれぞれの構成については同様である。すなわち、データDQ[35:0][A][0]は、それぞれ同様のタイミングで送受信される。
同様に、フリップフロップ15bと出力バッファ16bは、信号線41bに対応している。フリップフロップ15cと出力バッファ16cは、信号線41cに対応している。フリップフロップ15dと出力バッファ16dは、信号線41dに対応している。クロック信号線17との接続以外については、信号線41b〜信号線41dの接続構成は同じである。すなわち、データDQ[35:0][A][45]は、それぞれ同様のタイミングで送受信される。データDQ[35:0][A][90]は、それぞれ同様のタイミングで送受信され、データDQ[35:0][A][135]は、それぞれ同様のタイミングで送受信される。以下の説明では、データDQ35A[0/45/90/135]について説明するが、他の0〜34についても同様である。
フリップフロップ15a〜15dは、信号線41を伝送するデータDQ35A[0/45/90/135]を保持するラッチ回路である。記憶部&論理制御部14は、データDQ35A[0/45/90/135]の値に応じたレベルの信号をフリップフロップ15a〜15dに出力する。したがって、フリップフロップ15a〜15dのデータ入力端子は、読み出したデータDQ35A[0/45/90/135]の値に応じて、ハイレベル又はローレベルになる。
フリップフロップ15a〜15dはそれぞれクロック信号線17a〜17dに接続されている。フリップフロップ15a〜15dは、クロック信号線17a〜17dを伝送するクロック信号QKに応じて動作する。例えば、フリップフロップ15aは、クロック信号QKA0に結合されており、クロック信号QKA0に応じて動作する。すなわち、クロック信号QKA0の立ち上がり、及び立下りのタイミングで、フリップフロップ15aの出力レベルが切り替わる。そして、フリップフロップ15aから出力されたデータDQ35A0は、出力バッファ16aに入力される。出力バッファ16aは、データDQ35A0の信号を増幅して、パッケージ基板40上の信号線41aに出力する。
フリップフロップ15bは、クロック信号QKA45に応じて動作する。フリップフロップ15cは、クロック信号QKA90に応じて動作する。フリップフロップ15dは、クロック信号QKA135に応じて動作する。フリップフロップ15b〜フリップフロップ15dの動作は、フリップフロップ15aと同様であるが、クロック信号QKAの位相が異なっている。出力バッファ16b〜出力バッファ16dは、それぞれ、データDQ35A45、データDQ35A90、データDQ35A135の信号を増幅して、パッケージ基板40上の信号線41b〜41dに出力する。
このように、物理的に隣接する信号線41のクロック信号QKAの位相がずれている。従って、着目する信号線41(例えば、信号線41b)のデータが遷移する時間に隣接する信号線(信号線41aと信号線41c)が電源レベルかグランドレベルになっている。このために、着目する信号線41に隣接する信号線41がシールド配線として寄与する。よって、クロストークによる劣化が抑制できる。加えて、多相でデータ転送できるため特に電流消費の大きい出力バッファの動作タイミングを特定の単位でシフトすることが出来る。よって、ノイズピークを分散化することが可能になる。さらに、出力バッファの動作タイミングをシフトすることができるため、消費電流ピークを抑制することができる。
また、本実施の形態では、メモリ10をDDRメモリとしている。従って、クロック信号QKAのライズエッジとフォールエッジの両方に応じて、フリップフロップ15の出力レベルが切り替わるように、データ転送が行われる。
次に、メモリ10からメモリコントローラ30へのクロック信号の伝送について説明する。メモリ10は、フリップフロップ18a〜18dと、出力バッファ19a〜19dとを備えている。フリップフロップ18a〜18dの入力端子には、電源やグランド等からハイレベル、あるいはローレベルの信号が入力されている。フリップフロップ18a〜18dは、クロック信号QKAが入力されている。例えば、フリップフロップ18aは、クロック信号QKA0が入力されており、クロック信号QKA0の立ち上がり及び立下りに応じて動作する。これにより、フリップフロップ18aは、クロック信号QK0を出力する。フリップフロップ18aから出力されたクロック信号QKA0は、出力バッファ19aに入力する。そして、出力アンプ19aは、クロック信号QKA0を増幅して、パッケージ基板40上のクロック配線42aに出力する。
クロック信号QKA45、90、135の構成についても同様となっている。すなわち、クロック信号QKA45は、フリップフロップ18b、及び出力バッファ19bに入力される。そして、出力バッファ19bは増幅したクロック信号QKA45をクロック配線42bに出力する。クロック信号QKA90は、フリップフロップ18c、及び出力バッファ19cに入力される。そして、出力バッファ19cは増幅したクロック信号QKA90をクロック配線42cに出力する。クロック信号QKA135は、フリップフロップ18d、及び出力バッファ19dに入力される。そして、出力バッファ19dは増幅したクロック信号QKA135をクロック配線42dに出力する。このように、位相が異なる4つのクロック信号QKA0、45、90、135がパッケージ基板40上のクロック配線42を介して、メモリコントローラ30に伝送される。
次に、メモリコントローラ30側、すなわち受信側での回路構成について説明する。信号線41は、入力バッファ35に接続されている。従って、信号線41で伝送されたDQAは、入力バッファ35で増幅される。そして、入力バッファ35で増幅されたDQAは、フリップフロップ36に入力される。ここで、入力バッファ35a及びフリップフロップ36aは、信号線41aに対応している。すなわち、信号線41aは、入力バッファ35aを介して、フリップフロップ36aに接続されている。
同様に、入力バッファ35b及びフリップフロップ36bは、信号線41bに対応している。入力バッファ35c及びフリップフロップ36cは、信号線41cに対応している。入力バッファ35d及びフリップフロップ36dは、信号線41dに対応している。
クロック配線42は、入力バッファ37に接続されている。従って、クロック配線42で伝送されたQKAは、入力バッファ37で増幅される。入力バッファ37は、フリップフロップ36に接続されている。フリップフロップ36は、クロック信号QKAの立ち上がり及び立下りに応じて動作する。すなわち、フリップフロップ36の出力レベルは、クロック信号QKの立ち上がり及び立下りのタイミングで切り替わる。フリップフロップ36から出力されたデータは、ラッチ回路34aに一斉に取り込まれる。ラッチ回路34aは信号線41の本数に応じた複数のフリップフロップ回路を有している。ラッチ回路34aは、例えば、クロック発生回路31で発生した基準クロックに応じて動作する。ラッチ回路34aを2段以上設けてもよい。
ここで、フリップフロップ36aは入力バッファ37c及びクロック配線42cに対応している。すなわち、フリップフロップ36aには、入力バッファ37cからのクロック信号QK90Aが入力されている。フリップフロップ36bには、入力バッファ37d及びクロック配線42dに対応している。フリップフロップ36cには、入力バッファ37a及びクロック配線42aに対応している。フリップフロップ36dには、入力バッファ37b及びクロック配線42bに対応している。
従って、隣接する信号線41に対応するフリップフロップ36は、45°ずれたクロック信号QKAに応じで動作する。さらに、信号線41aに対応するフリップフロップ15aとフリップフロップ36aとで、動作タイミングが90°ずれている。すなわち、フリップフロップ15aから出力されたデータDQ35A0は、フリップフロップ15aと90°異なる位相で動作するフリップフロップ36cで取り込まれる。信号線41bについても、同様に、フリップフロップ15bとフリップフロップ36bの位相がずれている。信号線41c、41dについても、送信側のフリップフロップ15と受信側のフリップフロップ36とで位相がずれている。
このようにすることで、受信側のメモリコントローラ30において、クロック信号毎に、DLL(Delay Locked Loop)やPLL等のタイミング調整回路を設ける必要がなくなる。すなわち、受信側のメモリコントローラ30における回路規模の増大を防ぐことができる。あらかじめ送信側でクロック信号QKAの位相をデータDQ35Aに対して90°シフトさせるようにPLL回路13からクロックを取り出す。そして、パッケージ基板40上で隣接する信号線41の位相が連続的にシフトするように各配線を配置する。
ここで、メモリ10におけるクロック信号QK及びデータDQと、メモリコントローラ30におけるクロック信号QK及びデータDQのタイミングチャートを図6に示す。図6では、メモリ10側、及びメモリコントローラ30側でのクロック信号QKA並びにデータDQ*Aを示している(*は任意の整数である)。パッケージ基板40上の配線を伝送する場合、クロック信号及びデータに生じる信号遅延を一点鎖線、及び二点鎖線で示している。
本実施の形態では、送信側のフリップフロップ15と受信側のフリップフロップ36との位相をずらしている。従って、パッケージ基板40上で信号の遅延が生じた場合でも、確実にデータを送受信することができる。例えば、クロック信号QKA90のライズエッジ及びフォールエッジは、クロック信号QKA0のライズエッジとフォールエッジの中間のタイミングとなっている。データDQAのレベルが安定しているタイミングで、フリップフロップ36がデータを保持することができる。よって、データの送受信を確実に行うことができる。
このように、PLL回路13から異なる位相のクロック信号を取り出し、グループごとにレジスタを駆動するクロック信号の位相をシフトする。受信側にPLLやDLL等に位相調整回路が不要となるため、回路規模の増加を防ぐことができる。
また、パッケージ基板40において物理的に隣接する信号線41において、位相をずらしている。これにより、クロストークノイズを低減することができる。この理由について、図7、及び図8を用いて説明する。図7は、隣接する信号線41を同位相とした比較例のタイミングチャートである。図8は、隣接する信号線41を45°ずらした時のタイミングチャートである。
着目する信号線41で伝送されるデータをデータDQ(i)A0とする(ここでは、iは0〜35の整数)。すると、隣接する信号線41において同時にフリップフロップ15が動作する。従って、着目する信号線41のデータDQ(i)A0が変化するタイミングが、隣接する信号線41のデータDQ(i)A45とデータDQ(i−1)A135のレベルが変化するタイミングと一致することがある。よって、このタイミングでクロストークノイズが発生する。
一方、隣接する信号線41の位相を45°ずらした場合は、図8に示すようになる。この場合、隣接する信号線41のフリップフロップ15が異なるタイミングで動作する。着目する信号線41で伝送されるデータのレベルが変化するタイミングは、隣接する信号線41のデータDQ(i)A45とデータDQ(i−1)A135のレベルが変化するタイミングからずれることになる。よって、着目する信号線41で伝送されるデータのレベルが変化するタイミングでは、隣接する信号線41のレベルが、ハイレベル(電源レベル)又はローレベル(グランドレベル)で一定となっている。
このように、物理的に隣接する信号線41のクロック信号QKAの位相がずれている。従って、着目する信号線41(例えば、信号線41b)のデータが遷移する時間に隣接する信号線(信号線41aと信号線41c)が電源レベルかグランドレベルになっている。このために、着目する信号線41に隣接する信号線41がシールド配線として寄与する。よって、クロストークによる劣化が抑制できる。
さらに、多数の信号線41のデータが遷移するタイミングを分散させることができる。従って、多数の信号線41のデータが同時に遷移することによって生じる同時動作ノイズを低減することができる。
例えば、I/Oの数が288、すなわち、信号線41の数が288である仮定する。この場合、全ての信号線41のデータ転送を同位相で行うと、図9に示すように、同時動作ノイズが大きくなる。一方、45°ずつ位相が異なる4つのクロック信号を設けることで、同位相でデータ転送が行われる信号線41の数は、72(=288/4)となる。よって、同時動作ノイズをほぼ1/4程度に軽減することができる。もちろん、クロック信号の種類を多くするほど、同時動作ノイズを低減することができる。
このように、多相でデータ転送できるため特に電流消費の大きい出力バッファの動作タイミングをシフトすることが出来る。よって、ノイズピークを分散化することが可能になる。さらに、出力バッファの動作タイミングをシフトすることができるため、消費電流ピークを抑制することができる。
また、本実施の形態では、メモリ10をDDRメモリとしているため、クロック信号QKAのライズエッジとフォールエッジの両方に応じて、フリップフロップ15の出力レベルが切り替わるように、データ転送が行われる。DDRメモリでは、4種類のクロック信号を用いる構成において、隣接する信号線41で45°(=180°/4)ずつ位相をずらすことが好ましい。これにより、隣接する信号線41の動作タイミングを効果的にずらすことができる。すなわち、隣接する信号線41において、データの遷移タイミングのマージンを大きくすることができる。例えば、隣接する信号線41において、信号の遅延量が異なる場合でも、データが遷移するタイミングが重ならないようにすることができる。よって、データを確実に送受信することができる。
なお、SDR(Single Data Rate)メモリでは、クロック信号のライズエッジのみで、データが遷移する。従って、SDRメモリで4種類のクロック信号を用いる場合は、90°(=360°/4)ずつ位相をずらせばよい。もちろん、隣接する信号線41において、ずらす位相の値は、上記の値に限られるものではない。例えば、クロック信号の種類の数に応じて、変更することも可能である。もちろん、4種類以上のクロック信号を用いてもよい。
なお、上記の説明ではクロック信号QKを単相信号として図示していたが、もちろん、QK/QK#の差動信号を用いることも可能である。クロック信号を差動信号とした場合、信号品質を向上することができる。上記の図では、メモリ10からメモリコントローラ30へのデータ転送用の回路図であったが、反対に、メモリコントローラ30からメモリ10に対しても同様の構成を適用することができる。特に、本実施の形態にかかるデータ転送は、I/Oの数が多いパラレルデータの送受信や、伝送距離の長い半導体装置でのデータの送受信に好適である。また、1チップ内におけるデータ転送にも適用可能である。例えば、メモリとコントローラとを混載した半導体チップにおいて、上記のデータ転送を用いてもよい。
実施の形態2.
本実施の形態にかかる半導体装置の構成ついて、図10を用いて説明する。図10は、半導体装置の構成を模式的に示すブロック図である。本実施の形態では、実施の形態1に対して、第1の信号線群46と第2の信号線群47における信号線41のグルーピングが異なっている。なお、その他の構成については、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。例えば、メモリ10における回路及び配線構成、並びにメモリコントローラ30内における回路及び配線構成については、図示を省略している。もちろん、本実施の形態においても、物理的に隣接する信号線41では、データ転送の位相がずれている。そして、それぞれの信号線41において、送信側のフリップフロップ15と受信側のフリップフロップ36の動作タイミングが異なっている。
図10に示すように、複数の信号線41は、第1の信号線群46と第2の信号線群47とに分けられている。ここで、第1の信号線群46では、位相が0°又は90°のクロック信号に基づいて、データが伝送する。一方、第2の信号線群47では、位相が45°又は135°のクロック信号に基づいて、データが伝送する。
第1の信号線群46では、信号線41aと、信号線41bとが交互に配置されている。信号線41aは、0°のクロック信号QK[A/B]0に応じてデータを伝送する。信号線41cは、90°のクロック信号QK[A/B]90に応じてデータを伝送する。
第2の信号線群47では、信号線41bと、信号線41dとが交互に配置されている。信号線41bは、45°のクロック信号QK[A/B]45に応じてデータを伝送する。信号線41dは、135°のクロック信号QK[A/B]135に応じてデータを伝送する。
より高速動作で隣接配線間の結合が大きい場合には隣接配線との動作タイミング差が小さくなる。このため、クロストークノイズの影響が大きくなってしまう。本実施の形態にかかる半導体装置では、隣接する信号線間で、90°ずつ位相をシフトさせた構成を有している。隣接する信号線41間の動作タイミングをより大きくずらせることができる。このため、クロストークによる波形劣化をより抑制することができる。
また0°/90°の2相クロックでは、同時動作ノイズ分散の効果が小さくなるよって、図10のようにレイアウト単位で0°/90°のエリアと、45°/135°のエリアに分けている。すなわち、第1の信号線群46に含まれる信号線41a、41cでは、0°/90°のクロック信号に対応しており、第2の信号線群47に含まれる信号線41b、41dは、45°/135°のクロック信号に対応している。
これにより、クロストークかつ同時動作ノイズの抑制が可能となる。エリアの境界部の配線スペースのみ広げることで配線領域の増加を最小限としてクロストークを抑制することが可能になる。すなわち、第1の信号線群46と第2の信号線群47との間の間隔を広げる。こうすることで、配線領域の増加を抑えつつ、クロストークを低減することが可能になる。
このように、実施の形態2においても、実施の形態1と同様に複数の信号線41をグルーピングしている。そして、パッケージ基板40上において物理的に隣接する信号線41において、異なる位相でデータを送信している。そして、隣接する信号線41が異なる位相で送信されるように、PLL回路13が位相の異なるクロック信号を生成している。加えて、送信側フリップフロップ15と受信側のフリップフロップ36とに、位相が異なるクロック信号を入力している。そして、PLL回路13が発生した位相の異なるクロック信号を、受信側のメモリコントローラ30に設けられたフリップフロップ36に入力している。こうすることで、メモリコントローラ30において、PLL回路やDLL回路等の位相調整回路が不要になる。よって、回路規模の増加を防ぐことができる。
(接続例)
以下に、信号線41とクロック配線42の接続例について、図11〜図13を用いて説明する。図11〜図13は、それぞれ信号線41とクロック配線42の接続構成を単純化して示す図である。実際には、図11〜図13に示される2本又は4本の信号線41が、繰り変えし配置される構成となる。なお、以下の接続例1〜3において、実施の形態1、又は2で示した構成と共通の構成については、説明を省略する。
(接続例1)
接続例1の構成を図11に示す。図11では、2種類のクロック信号を用いた接続例を示す図であり、実施の形態2に適用可能な例である。従って、信号線41a、41cと、クロック配線42a、42cを示している。クロック配線42aのクロック信号と、クロック配線42cのクロック信号は、90°異なる位相になっている。信号線41a、41cとは、物理的に隣接している。
信号線41aにおいて、送信側のフリップフロップ15aには、第1のクロック信号が入力されて、受信側のフリップフロップ36aには、第2のクロック信号が入力されている。一方、信号線41cにおいて、送信側のフリップフロップ15cには、第2のクロック信号が入力されて、受信側のフリップフロップ36cには、第1のクロック信号が入力されている。このような構成の場合、送信側のフリップフロップ15cと、受信側のフリップフロップ36cとで、位相が90°異なる。また、隣接する信号線41a、41cとは、90°異なる位相でデータを伝送する。このような構成においても、クロストーク及び同時動作ノイズを低減することができる。
(接続例2)
接続例2の構成を図12に示す。接続例2では、2本のクロック配線42と、4本の信号線41とを有する構成を示している。接続例2は、実施の形態2に適用可能な例である。クロック配線42aの第1のクロック信号と、クロック配線42の第2のクロック信号とは、位相が90°ずれている。信号線41aは信号線41bと物理的に隣接している。信号線41bは信号線41cと物理的に隣接している。信号線41cは信号線41dと物理的に隣接している。
信号線41a、41cは、第1のクロック信号に応じて、データを伝送する。信号線41aの送信側では、フリップフロップ15aに第1のクロック信号が入力されている。信号線41aの受信側では、フリップフロップ36aに第2のクロック信号が入力されている。信号線41cの送信側では、フリップフロップ15cに第1のクロック信号が入力されている。信号線41cの受信側では、フリップフロップ36cに第2のクロック信号が入力されている。
信号線41b、41dは、第2のクロック信号に応じて、データを伝送する。信号線41bの送信側では、フリップフロップ15bに第2のクロック信号が入力されている。信号線41bの受信側では、フリップフロップ36bに第1のクロック信号が入力されている。信号線41dの送信側では、フリップフロップ15dに第2のクロック信号が入力されている。信号線41dの受信側では、フリップフロップ36dに第1のクロック信号が入力されている。このような構成においても、クロストーク及び同時動作ノイズを低減することができる。
(接続例3)
接続例3の構成を図13に示す。接続例3では、4本のクロック配線42と、4本の信号線41とを有する構成を示している。接続例3は、実施の形態1に適用可能な例である。クロック配線42aは、第1のクロック信号を伝送する。クロック配線42bは、第2のクロック信号を伝送する。第1のクロック信号と第2のクロック信号は90°異なる位相となっている。クロック配線42cは、第3のクロック信号を伝送する。クロック配線42dは、第4のクロック信号を伝送する。第3のクロック信号と第4のクロック信号は90°異なる位相となっている。なお、第2のクロック信号と第3のクロック信号とは異なる位相となっている。
そして、第1のクロック信号は、フリップフロップ36bに入力される。第2のクロック信号はフリップフロップ36aに入力される。第3のクロック信号は、フリップフロップ36dに入力される。第4のクロック信号はフリップフロップ36cに入力される。この構成においても、入力側のフリップフロップ15と、フリップフロップ36とで位相をずらすことができる。また、隣接する信号線41aと信号線41bの位相を90°ずらすことができる。同様に、隣接する信号線41cと信号線41dの位相を90°ずらすことができる。なお、隣接する信号線41cと信号線41bの位相を例えば、45°ずらすことができる。このような構成においても、クロストーク及び同時動作ノイズを低減することができる。
なお、上記の説明では、クロック信号の位相を45°、又は90°ずらした例について説明したが、クロック信号の位相差は特に限定されるものではない。また、例えば、出力バッファ19、出力バッファ16、入力バッファ37、入力バッファ35の少なくとも一つを設けないようにしてもよい。さらには、出力バッファ19、出力バッファ16、入力バッファ37、入力バッファ35をラッチ回路に設けてもよい。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。
10 メモリ
11 メモリセル
12 周辺回路
13 PLL回路
14 記憶部&論理制御部
15 フリップフロップ
16 出力バッファ
17 クロック信号線
18 フリップフロップ
19 出力バッファ
30 メモリコントローラ
31 クロック発生回路
34 記憶部&論理制御部
34a ラッチ回路
35 入力バッファ
36 フリップフロップ
37 入力バッファ
40 パッケージ基板
41 信号線
42 クロック配線
46 第1の信号線群
47 第2の信号線群
50 外部回路

Claims (19)

  1. 第1の回路と、
    前記第1の回路へのデータの書き込み、又は前記第1の回路からのデータの読み出しを制御する第2の回路と、
    前記第1の回路と前記第2の回路とを接続する複数の信号線であって、隣接する前記信号線が異なる位相のクロック信号に応じてデータを伝送する複数の信号線と、
    第1のクロック信号を伝送する第1のクロック配線と、
    前記第1のクロック信号と異なる位相の第2のクロック信号を伝送する第2のクロック配線と、
    前記第1のクロック信号に応じて動作し、前記複数の信号線に含まれる第1の信号線にデータを送信する第1の送信側ラッチと、
    前記第2のクロック信号に応じて動作し、前記第1の信号線で伝送されたデータを受信する第1の受信側ラッチと、
    前記第2のクロック信号に応じて動作し、前記複数の信号線に含まれる第2の信号線にデータを送信する第2の送信側ラッチと、
    前記第1のクロック信号に応じて動作し、前記第2の信号線で伝送されたデータを受信する第2の受信側ラッチと、を備えた半導体装置。
  2. 前記第1及び第2のクロック信号と異なる位相の第3のクロック信号を伝送する第3のクロック配線と、
    第3のクロック信号と異なる位相の第4のクロック信号を伝送する第4のクロック配線と、
    前記第3のクロック信号に応じて動作し、前記複数の信号線に含まれる第3の信号線にデータを送信する第3の送信側ラッチと、
    前記第4のクロック信号に応じて動作し、前記第3の信号線で伝送されたデータを受信する第3の受信側ラッチと、
    前記第4のクロック信号に応じて動作し、前記複数の信号線に含まれる第4の信号線にデータを送信する第4の送信側ラッチと、
    前記第3のクロック信号に応じて動作し、前記第4の信号線で伝送されたデータを受信する第4の受信側ラッチと、を備えた請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記第1の信号線が第3の信号線と隣接して配置され、前記第2の信号線と前記第4の信号線とが隣接して配置され、
    前記第1の信号線、前記第3の信号線、前記第2の信号線、及び前記第4の信号線の順番で繰り返し配置されている請求項2に記載の半導体装置。
  4. 隣接する前記信号線では、45°又は90°位相が異なるクロック信号に応じて、データが伝送している請求項1に記載の半導体装置。
  5. 前記複数の信号線が、2以上の前記信号線を有する第1の信号線群及び第2の信号線群を含み、
    前記第1の信号線群では、前記第1の信号線と、前記第1の信号線と45°又は90°異なる位相でデータを伝送する第2の信号線とが交互に配置され、
    前記第2の信号線群では、前記第1及び第2の信号線と異なる位相でデータを伝送する第3の信号線と、前記第3の信号線と45又は90°異なる位相でデータを伝送する第4の信号線とが交互に配置されている請求項1に記載の半導体装置。
  6. 前記第2の回路が基準クロックを発生する基準クロック発生回路を有し、
    前記第1の回路が前記基準クロック信号に基づいて、位相の異なる複数のクロック信号を発生する位相調整回路を有している請求項1に記載の半導体装置。
  7. 前記第1の回路を有する第1の半導体チップと、
    前記第2の回路を有する第2の半導体チップと、
    前記第1の半導体チップと第2の半導体チップとが搭載された配線基板とを備え、
    前記配線基板に前記信号線と、前記第1のクロック配線と、前記第2のクロック配線とが設けられている請求項1に記載の半導体装置。
  8. 第1のクロック信号に結合された第1のラッチ回路と、第1のクロック信号とは異なる第2のクロック信号に結合された第2のラッチ回路と、を有する第1の半導体チップと、
    前記第1のラッチ回路の出力信号及び前記第2のクロック信号に結合された第3のラッチ回路と、前記第2のラッチ回路の出力信号及び前記第1のクロック信号に結合された第4のラッチ回路と、を有する第2の半導体チップと、
    を含む半導体装置。
  9. 前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号との位相が45°、又は90°異なる請求項8に記載の半導体装置。
  10. 前記第1の半導体チップが、第3のクロック信号に結合された第5のラッチ回路と、前記第3のクロック信号とは異なる第4のクロック信号に結合された第6のラッチ回路と、をさらに有し、
    前記第2の半導体チップが、前記第5のラッチ回路の出力信号及び前記第4のクロック信号に結合された第7のラッチ回路と、前記第6のラッチ回路の出力信号及び前記第3のクロック信号に結合された第8のラッチ回路と、をさらに有する請求項9に記載の半導体装置。
  11. 前記第1のラッチ回路と前記第3のラッチ回路を結合する第1の信号線と、
    前記第1の信号線に隣接して配置され、前記第2のラッチ回路と前記第4のラッチ回路とを結合する第2の信号線と、
    前記第2の信号線に隣接して配置され、前記第5のラッチ回路と前記第7のラッチ回路とを結合する第3の信号線と、
    前記第3の信号線に隣接して配置され、前記第6のラッチ回路と前記第8のラッチ回路とを結合する第4の信号線と、
    を備えた前記第10に記載の半導体装置。
  12. 前記第3のクロック信号と前記第4のクロック信号との位相が45°又は90°異なる請求項11に記載の半導体装置。
  13. 前記第2の半導体チップが基準クロックを発生する基準クロック発生回路を有し、
    前記第1の半導体チップが前記基準クロック信号に基づいて、前記第1及び第2のクロック信号を発生するクロック生成回路を有している請求項8に記載の半導体装置。
  14. 前記第1の半導体チップと第2の半導体チップとが搭載された配線基板を備え、
    前記配線基板を介して、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとが結合される請求項12に記載の半導体装置。
  15. 位相の異なる第1のクロック信号と第2のクロック信号を発生させ、
    送信側の第1の回路において、第1のラッチ回路に前記第1のクロック信号を入力するとともに、第2のラッチ回路に前記第2のクロック信号を入力し、
    前記第1のラッチ回路が前記第1のクロック信号に応じて、データを第1の信号線に送信し、
    前記第2のラッチ回路が前記第2のクロック信号に応じて、データを第2の信号線に送信し、
    受信側の第2の回路に設けられた第3のラッチ回路に前記第1の信号線を介して伝送されたデータと、前記第2のクロック信号を入力するデータ転送方法。
  16. 前記第2の回路に設けられた第4のラッチ回路に、前記第1のラッチ回路の出力信号及び第2のクロック信号を入力する請求項15に記載のデータ転送方法。
  17. 前記第1のラッチ回路から出力されるデータと前記第2のラッチ回路から出力されるデータとが、隣接する信号線を介して伝送されている請求項16の記載のデータ転送方法。
  18. 前記第1及び第2のクロック信号と位相の異なる第3及び第4のクロック信号を発生させ、
    前記第1の回路において、第5のラッチ回路に前記第3のクロック信号を入力するとともに、第6のラッチ回路に前記第4のクロック信号を入力し、
    前記第5のラッチ回路が前記第3のクロック信号に応じて、データを第3の信号線に送信し、
    前記第6のラッチ回路が前記第4のクロック信号に応じて、データを第4の信号線に送信し、
    前記第2の回路に設けられた第7のラッチ回路に前記第3の信号線を介して伝送されたデータと、前記第4のクロック信号を入力するとともに、前記第2の回路に設けられた第8のラッチ回路に前記第4の信号線を介して伝送されたデータと、第3のクロック信号を入力する請求項16に記載のデータ転送方法。
  19. 前記第1の回路に設けられた位相調整回路が基準クロック信号に基づいて、前記第1及び第2のクロック信号を発生する請求項18に記載のデータ転送方法。
JP2012107383A 2012-05-09 2012-05-09 半導体装置、及びそのデータ転送方法 Ceased JP2013236246A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012107383A JP2013236246A (ja) 2012-05-09 2012-05-09 半導体装置、及びそのデータ転送方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012107383A JP2013236246A (ja) 2012-05-09 2012-05-09 半導体装置、及びそのデータ転送方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013236246A true JP2013236246A (ja) 2013-11-21

Family

ID=49762007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012107383A Ceased JP2013236246A (ja) 2012-05-09 2012-05-09 半導体装置、及びそのデータ転送方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013236246A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109684718A (zh) * 2018-12-24 2019-04-26 成都华微电子科技有限公司 低功耗可编程SoC器件及设计方法
WO2019135443A1 (ko) * 2018-01-05 2019-07-11 한양대학교 산학협력단 동시 스위칭 잡음을 제거하면서 클록 및 데이터를 전송할 수 있는 송신기 및 이의 동작 방법
US11682436B2 (en) 2020-11-09 2023-06-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device
WO2023238651A1 (ja) * 2022-06-10 2023-12-14 株式会社デンソー 電力供給ユニット、および、電力供給システム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60171531A (ja) * 1984-02-17 1985-09-05 Ricoh Co Ltd デ−タ処理装置のインタ−フエ−ス回路
JPH09181593A (ja) * 1995-12-26 1997-07-11 Toshiba Corp ディジタル出力段回路
JP2002271425A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Oki Electric Ind Co Ltd 信号伝送方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60171531A (ja) * 1984-02-17 1985-09-05 Ricoh Co Ltd デ−タ処理装置のインタ−フエ−ス回路
JPH09181593A (ja) * 1995-12-26 1997-07-11 Toshiba Corp ディジタル出力段回路
JP2002271425A (ja) * 2001-03-09 2002-09-20 Oki Electric Ind Co Ltd 信号伝送方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019135443A1 (ko) * 2018-01-05 2019-07-11 한양대학교 산학협력단 동시 스위칭 잡음을 제거하면서 클록 및 데이터를 전송할 수 있는 송신기 및 이의 동작 방법
KR20190083792A (ko) * 2018-01-05 2019-07-15 한양대학교 산학협력단 동시 스위칭 잡음을 제거하면서 클록 및 데이터를 전송할 수 있는 송신기 및 이의 동작 방법
KR102034369B1 (ko) * 2018-01-05 2019-10-18 한양대학교 산학협력단 동시 스위칭 잡음을 제거하면서 클록 및 데이터를 전송할 수 있는 송신기 및 이의 동작 방법
CN109684718A (zh) * 2018-12-24 2019-04-26 成都华微电子科技有限公司 低功耗可编程SoC器件及设计方法
US11682436B2 (en) 2020-11-09 2023-06-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device
WO2023238651A1 (ja) * 2022-06-10 2023-12-14 株式会社デンソー 電力供給ユニット、および、電力供給システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4700636B2 (ja) 半導体メモリ装置を装着したメモリモジュールを有するシステム
JP4042856B2 (ja) クロックドメイン交差fifo
US7079446B2 (en) DRAM interface circuits having enhanced skew, slew rate and impedance control
US7668022B2 (en) Integrated circuit for clock generation for memory devices
US20090190417A1 (en) Semiconductor integrated circuit device and method of testing same
JP2013236246A (ja) 半導体装置、及びそのデータ転送方法
US7332930B2 (en) Noise canceller circuit
US7859309B2 (en) Clock tree distributing method
US7076677B2 (en) Same edge strobing for source synchronous bus systems
US8010730B2 (en) Bus converter, semiconductor device, and noise reduction method of bus converter and semiconductor device
US6952789B1 (en) System and method for synchronizing a selected master circuit with a slave circuit by receiving and forwarding a control signal between the circuits and operating the circuits based on their received control signal
JP2005353168A (ja) メモリインターフェース回路及びメモリインターフェース方法
US9354274B2 (en) Circuit test system electric element memory control chip under different test modes
CN113014281B (zh) 信号接收装置以及包括该信号接收装置的半导体设备
US7826303B2 (en) Data output circuit having shared data output control unit
JP2007274049A (ja) 半導体集積回路および半導体集積回路設計方法
JP2003167778A (ja) 制御及びアドレスクロック非分配型メモリシステム
JP4952177B2 (ja) 記憶装置
US20120306897A1 (en) Control circuit for interlane skew
KR100853465B1 (ko) 내부리드신호 생성회로와 이를 포함하는 반도체 메모리장치
JP4640392B2 (ja) 信号遅延補正回路
KR100684890B1 (ko) 서데스 시스템
JP5315882B2 (ja) 半導体装置及び通信方法
KR20080098857A (ko) 반도체메모리소자의 입력장치
KR20070113351A (ko) 애디티브 래이턴시 구조를 공유 하는 어드레스 핀 리덕션회로를 구비하는 동기식 메모리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160329

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160512

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160607

A045 Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20161025