JP2013236126A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 複数のブロックを有し、
前記複数のブロックは、それぞれが論理回路と、スイッチと、を有し、
前記スイッチは、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタを有し、
前記スイッチは、前記論理回路が有するトランジスタのボディーと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 複数のブロックを有し、
前記複数のブロックは、それぞれが論理回路と、スイッチと、を有し、
前記スイッチは、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタを有し、
前記スイッチは、前記論理回路が有するトランジスタのボディーと電気的に接続され、
前記スイッチを介して、前記ボディーに電位を供給し、前記論理回路が有するトランジスタのしきい値電圧を変化させることを特徴とする半導体装置。 - 複数のブロックを有し、
前記複数のブロックは、それぞれが論理回路と、スイッチと、を有し、
前記スイッチは、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタを有し、
前記スイッチは、前記論理回路が有するトランジスタのボディーと電気的に接続され、
前記スイッチを介して、前記ボディーに電位を供給し、前記論理回路が有するトランジスタのしきい値電圧を変化させ、
前記電位は、前記論理回路が有するトランジスタのしきい値電圧を小さくする電位であることを特徴とする半導体装置。 - 複数のブロックを有し、
前記複数のブロックは、それぞれが論理回路と、スイッチと、を有し、
前記スイッチは、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタを有し、
前記スイッチは、前記論理回路が有するトランジスタのボディーと電気的に接続され、
前記スイッチを介して、前記ボディーに電位を供給し、前記論理回路が有するトランジスタのしきい値電圧を変化させ、
前記電位は、前記論理回路が有するトランジスタのしきい値電圧を大きくする電位であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記電位の供給は、前記スイッチに保持された電位に応じて行われることを特徴とする半導体装置。
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