JP2013235888A - 半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエーハWのノッチ部6の破壊強度を評価する方法であって、前記評価する半導体ウエーハWのノッチ部6に、ウエーハ中心Oへ向かって荷重を付与することで前記半導体ウエーハWのノッチ部6を破壊し、該ノッチ部6の破壊強度を評価する。
【選択図】図1
Description
半導体や液晶の製造プロセス、特にドライエッチング、イオン注入、蒸着等の工程においては高温化/急加熱/急冷が進んでおり、さらに、真空及びドライ化で行われる製造工程も増加している。また、基板としてのシリコンウエーハやガラス基板などはその大口径化が進み、衝撃等への耐性が益々重視されるようなっている。
シリコンウエーハ等は結晶性の脆性材料のために、一般的な材料の評価技術では測定値のバラツキが大きい。ウエーハのノッチ部の割れ易さを評価し検査する標準的機器が市販されておらず、例えば特許文献1のような装置が考案されてきた。
ここで、まず特許文献1のウエーハの評価方法について簡単に説明する。
図7は特許文献1における、ウエーハのノッチ部の強度評価装置、方法の説明図である。図7(a)は評価装置の構成を示す上面説明図であり、(b)はノッチ部のV溝内にノッチ部ピンを押し込んだ状態を示す要部説明図、(c)はノッチ部ピンの押し出し状態を示す要部説明図である。
また、ウエーハに設けられたV溝からなるノッチ部へ挿入するノッチ部ピンは、SiCもしくは超硬の外径3mm(SEMI規格仕様)ピンを使用している。
シリコンウエーハは結晶性の脆性材料のために、一般的な材料の評価技術では測定値のバラツキが大きい。また、上記のようなシリコンウエーハの強度の異方性の評価についてはJIS規格が存在していない。
図8に、代表的な(100)シリコンウエーハのノッチ部の位置を示す。
図8に示すように、「シリコンウエーハWA:ノッチ部Aの方位と<110>ヘキ開との角度θ=0°」もしくは「シリコンウエーハWB:ノッチ部Bの方位と<110>ヘキ開との角度θ=45°」のどちらかの位置が多い。
しかしながら、シリコンはダイヤモンド構造の立方晶系であり、ヤング率などの物性には異方性が存在している。「<110>ヘキ開との角度θ=0°のヤング率は、約169GPa」で「<110>ヘキ開との角度θ=45°のヤング率は、約130GPa」である。
しかし、このような破壊強度への異方性の影響について論じた文献は見られない。
このように、ピンを用いて簡便に荷重を付与して破壊強度の評価を行うことができる。
このような方式であれば、効率的に精度良く、破壊強度を評価することができる。
このようにすれば、荷重付与時の試験片のたわみ等による測定結果への影響を抑制して、破壊強度を正確に評価することができる。
このような保持治具を用いることで、荷重付与する部分以外は保持治具で挟んで保持できるため、試験片のたわみ等による測定結果への影響をより確実に防止できる。
このようにすれば、例えば同一の半導体ウエーハにおけるエッジ部の破壊強度についても評価することができ、ノッチ部とエッジ部の破壊強度を比較することができ、ノッチ部の破壊強度について、より多彩なデータを取得することができ、より詳細な評価を行うことができる。
このように、ピンを用いて簡便に荷重を付与して破壊強度の評価を行うことができる装置となる。
このような方式であれば、効率的に精度良く、破壊強度を評価することができる装置となる。
このようなものであれば、荷重付与時の試験片のたわみ等による測定結果への影響を抑制して、破壊強度を正確に評価することができる装置となる。
このような保持治具を用いることで、荷重付与する部分以外は保持治具で挟んで保持できるため、試験片のたわみ等による測定結果への影響をより確実に防止できる装置となる。
このようなものであれば、例えば同一の半導体ウエーハにおけるエッジ部の破壊強度についても評価することができ、ノッチ部とエッジ部の破壊強度を比較することができ、ノッチ部の破壊強度について、より多彩なデータを取得することができ、より詳細な評価を行うことができる装置となる。
図1に本発明の半導体ウエーハの評価装置の一例の概略を示す。(a)は側面図、(b)はその一部の平面図である。
しかし本発明はこれに限定されず、ウエーハ中心に向かって静圧荷重を加えることができれば、載置台2がウエーハWを例えば傾斜させて又は垂直に載置し、荷重付与手段7が荷重シャフト4を傾斜させて又は垂直に平行移動(垂直方向静圧荷重方式)させるものであってもよい。
ピン5はウエーハWのノッチ部6に挿入されて静圧荷重を付与できるようなものであれば良い。材質は特に限定されず、シリコンよりも硬度があるSiCなどが好ましい。
また、形状は特に限定されず、例えば円柱状とすることができる。そして、その直径は特には限定されないが、ノッチ部6内へピン5を押圧した時に、ノッチ部6の側部の2ヵ所と接触し、ノッチ部6の底部とは接触しないサイズとするのが好ましい。このようなサイズとすることで、非常に細いためにピン強度が不足して傷つき易くなるのを防ぐことができる。また、ノッチ部6の底部は形状の変曲点が多く、表面の磨きが不足することにより強度不足になりやすい。このような理由で精度の良い位置決めが難しく、測定結果がバラツクからである。
ここで、この場合の評価対象である試験片の例を図3に示す。前述したような図8の2種の(100)シリコンウエーハWA、WBからの試験片について示している。ダイサーを用い、ノッチ部が試験片の円弧部分の中心になるようにして、ウエーハ全体を十文字に4分割されており、各々のウエーハから4片の試験片が得られる。そのうち1片はノッチ部を含んでいる(ノッチA片、ノッチB片)。後述するように、ノッチ部を含まない残りの3片は例えば比較用に用いることができる(比較A1−A3片、比較B1−B3片)。
なお、試験片に関して、その形状やウエーハ1枚から切り出す片数は限定されない。評価内容等に応じてその都度適切なものを用意することができる。
この評価装置1’は、ウエーハWの試験片11を保持する2枚の保持治具12と、該保持治具12を載置して固定する載置台2’と、荷重付与手段7とを具備するものである。なお、荷重付与手段7は、例えば図1の評価装置1と同様のものとすることができる。試験片11に荷重を付与し、該荷重により破壊できるものであれば良い。
なお、この装置はノッチ部6を含む試験片(ノッチA片、ノッチB片)のみならず、ノッチ部6を含まない試験片(比較A1−A3片、比較B1−B3片)のエッジ部に対しても荷重を付与可能なものである。このようなものであれば、ウエーハのノッチ部6の他、同一のウエーハにおけるエッジ部の破壊強度についても評価することができ、ノッチ部6とエッジ部13の破壊強度を比較することができ、ノッチ部6の破壊強度について、より詳細な評価を行うことができる。
2枚の保持治具12は、試験片11を一定の力で挟んで保持するものであり、載置台2’上に固定され、例えば試験片11に荷重を付加している際に、試験片11を確実に保持することができるものであれば良く、その形状や材質等は特に限定されない。
具体的な保持治具の例としては、保持治具12の片方にトグルクランプのベースを固定して、試験片ともう一枚の保持治具12を、トグルクランプが挟み込むようにして保持する方法が可能である。
また、試験片(ノッチA片、ノッチB片)のノッチ部6の周辺を露出させる切り欠き14を設けたものとすることができる。このような保持治具12であれば、荷重を付与するノッチ部6の周辺を露出させているため荷重付与手段7と保持治具12が干渉せず、その他の部分は挟んで保持できるため、座屈によるたわみを確実に防止することができる。
なお、このような切り欠き14が形成されていれば、試験片(比較A1−A3、比較B1−B3)の場合においても、そのエッジ部13を押圧するピン5等と保持治具12が干渉することもない。
評価する半導体ウエーハとしては、例えばシリコンウエーハや化合物半導体ウエーハとすることができ、品種や直径等は特に限定されない。シリコンばかりではなく、半導体ウエーハとして利用されているサファイヤやSiC結晶もヤング率などの物性には異方性が存在している。もちろん、これら以外の材料からなるウエーハのノッチ部の強度を評価することも可能である。
評価対象として、半導体ウエーハから試験片11を切り出す。切り出し方は特に限定されず、試験片11としては、例えば図3に示すようにウエーハを4分割して得ることができる(ノッチA片と比較A1−A3片のセットや、ノッチB片と比較B1−B3片のセット)。
ノッチ部6を含む試験片(ノッチA片、ノッチB片)を評価するにあたっては、まず、図6(a)(b)に示すように、ノッチ部6の周辺が切り欠き14から露出するようにして2枚の保持治具12により挟んで保持する。このようにすることで、荷重付与する部分以外は保持治具12で挟んで保持できるため、試験片11のたわみ等による測定結果への影響をより確実に防止できる
そして、図4(a)に示すように、保持治具12ごと載置台2’に載せた後、荷重付与手段7の荷重シャフト4を平行移動させて、図6(b)に示すように荷重シャフト4の先端部のピン5を試験片のノッチ部6に押し当て、静圧荷重を加え、該静圧荷重を増加して試験片のノッチ部6が破壊されたときの静圧荷重を測定し、破壊強度を評価する。
ノッチ部6を含まない試験片(比較A1−A3片、比較B1−B3片)についても評価を行う場合、2枚の保持治具12を用いて保持し、載置台2’に載せ、荷重付与手段7の荷重シャフト4を平行移動させて、荷重シャフト4の先端部のピン5を試験片のエッジ部13に押し当て、ウエーハの中心Oに相当する箇所に向かって静圧荷重を加える。該静圧荷重を増加して試験片のエッジ部13が破壊されたときの静圧荷重を測定し、破壊強度を評価する。
(実施例)
評価対象のサンプルウエーハとして、2種のシリコンウエーハを用意した。いずれも直径300mm、0.78mm厚の方位(100)シリコンウエーハであり、P型、酸素濃度12ppma、抵抗率20Ωcmであるが、ノッチ部の方位が異なっている。より具体的には、図8に示すように、「シリコンウエーハWA:ノッチ部Aの方位と<110>ヘキ開との角度θ=0°」のもの、また、「シリコンウエーハWB:ノッチ部Bの方位と<110>ヘキ開との角度θ=45°」のものを、各々25枚ずつ用意した。
そして荷重シャフト4をさらに平行移動してシリコン片に静圧荷重を加えることで、これらのシリコン片が破壊された時の破壊荷重(N)を測定した。
このときの破壊荷重についてまとめたものが表1である。
すなわち、ウエーハWAではノッチ部の方がエッジ部よりも強度が高いが、ウエーハWBではエッジ部の方がノッチ部よりも強度が高いことが分かる。このように本発明の評価装置、評価方法では、ノッチ部の方位の差による強度の変化を確認することができた。
実施例と同様のサンプルウエーハ(シリコンウエーハWAとシリコンウエーハWBを25枚ずつ)を用意した。
これらのサンプルウエーハを、図7の従来の評価装置を用いてノッチ部の破壊強度の評価を行った。
そして、ノッチ部にノッチ部ピンを押し付けながら、ウエーハを設定しておいた角度2°で正逆回転させることにより、図7(b)、(c)の如く、ノッチ部ピンをノッチ部のV溝から外周部へ押し出したり、ノッチ部へ押し込む操作を繰り返し5回行った。
そして、ノッチ部のコーナーをマイクロスコープで観察し微少チップの発生枚数を確認した。
このように従来の評価装置、評価方法では、ノッチ部の方位の差による強度の変化を確認することはできなかった。
4…荷重シャフト、 5…ピン、 6…ノッチ部、 7…荷重付与手段、
8…エアシリンダ、 9…圧力制御バルブ、 10…ボンベ、
11…試験片、 12…保持治具、 13…エッジ部、 14…切り欠き。
Claims (12)
- 半導体ウエーハのノッチ部の破壊強度を評価する方法であって、
前記評価する半導体ウエーハのノッチ部に、ウエーハ中心へ向かって荷重を付与することで前記半導体ウエーハのノッチ部を破壊し、該ノッチ部の破壊強度を評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。 - 前記荷重の付与を、前記ノッチ部にピンで押圧することにより行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハの評価方法。
- 前記荷重の付与を、垂直方向静圧荷重方式または水平方向静圧荷重方式で行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ウエーハの評価方法。
- 前記評価する半導体ウエーハから、前記ノッチ部を含む試験片を切り出し、該試験片を2枚の保持治具により挟んで保持し、該保持した試験片の前記ノッチ部に荷重を付与して、前記半導体ウエーハのノッチ部の破壊強度を評価することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体ウエーハの評価方法。
- 前記2枚の保持治具を、前記ノッチ部の周辺を露出させる切り欠きを設けたものとすることを特徴とする請求項4に記載の半導体ウエーハの評価方法。
- 前記ノッチ部を含む試験片から前記半導体ウエーハのノッチ部の破壊強度を評価するとともに、
前記評価する半導体ウエーハからノッチ部を含まない試験片をさらに切り出し、該ノッチ部を含まない試験片のエッジ部に荷重を付与して、前記半導体ウエーハのエッジ部の破壊強度を評価して、前記ノッチ部とエッジ部の評価結果を比較することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体ウエーハの評価方法。 - 半導体ウエーハのノッチ部の破壊強度を評価する装置であって、
前記評価する半導体ウエーハに荷重を付与する荷重付与手段を具備し、
該荷重付与手段は前記ノッチ部からウエーハ中心へ向かって荷重を付与するものであり、該荷重によりノッチ部を破壊可能なものであることを特徴とする半導体ウエーハの評価装置。 - 前記荷重付与手段は、前記ノッチ部を押圧して荷重を付与するピンを有するものであることを特徴とする請求項7に記載の半導体ウエーハの評価装置。
- 前記荷重付与手段は、垂直方向静圧荷重方式または水平方向静圧荷重方式のものであることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の半導体ウエーハの評価装置。
- 前記評価装置は、前記評価する半導体ウエーハから切り出した前記ノッチ部を含む試験片を挟んで保持する2枚の保持治具を有するものであることを特徴とする請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の半導体ウエーハの評価装置。
- 前記2枚の保持治具は、前記ノッチ部の周辺を露出させる切り欠きが設けられたものであることを特徴とする請求項10に記載の半導体ウエーハの評価装置。
- 前記荷重付与手段は、さらに、前記評価する半導体ウエーハから切り出した前記ノッチ部を含まない試験片のエッジ部に荷重を付与することが可能なものであり、該荷重によりエッジ部を破壊可能なものであることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の半導体ウエーハの評価装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012105981A JP5633537B2 (ja) | 2012-05-07 | 2012-05-07 | 半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置 |
DE201311002066 DE112013002066T5 (de) | 2012-05-07 | 2013-04-15 | Verfahren zum Bewerten eines Halbleiter-Wafers und Apparat zum Bewerten eines Halbleiter-Wafers |
PCT/JP2013/002534 WO2013168360A1 (ja) | 2012-05-07 | 2013-04-15 | 半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置 |
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KR1020147031181A KR101884716B1 (ko) | 2012-05-07 | 2013-04-15 | 반도체 웨이퍼의 평가 방법 및 반도체 웨이퍼의 평가 장치 |
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TW102115890A TWI539543B (zh) | 2012-05-07 | 2013-05-03 | Evaluation method of semiconductor wafers and evaluation device for semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012105981A JP5633537B2 (ja) | 2012-05-07 | 2012-05-07 | 半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013235888A true JP2013235888A (ja) | 2013-11-21 |
JP5633537B2 JP5633537B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=49550430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012105981A Active JP5633537B2 (ja) | 2012-05-07 | 2012-05-07 | 半導体ウエーハの評価方法および半導体ウエーハの評価装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9746400B2 (ja) |
JP (1) | JP5633537B2 (ja) |
KR (1) | KR101884716B1 (ja) |
CN (1) | CN104272447B (ja) |
DE (1) | DE112013002066T5 (ja) |
TW (1) | TWI539543B (ja) |
WO (1) | WO2013168360A1 (ja) |
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2013
- 2013-04-15 DE DE201311002066 patent/DE112013002066T5/de not_active Ceased
- 2013-04-15 US US14/395,907 patent/US9746400B2/en active Active
- 2013-04-15 KR KR1020147031181A patent/KR101884716B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-15 CN CN201380023869.1A patent/CN104272447B/zh active Active
- 2013-04-15 WO PCT/JP2013/002534 patent/WO2013168360A1/ja active Application Filing
- 2013-05-03 TW TW102115890A patent/TWI539543B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121592A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体ウェハの位置決め方法および位置決め装置ならびに半導体ウェハの検査方法および検査装置 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150114132A1 (en) | 2015-04-30 |
WO2013168360A1 (ja) | 2013-11-14 |
TWI539543B (zh) | 2016-06-21 |
CN104272447A (zh) | 2015-01-07 |
KR20150018505A (ko) | 2015-02-23 |
KR101884716B1 (ko) | 2018-08-03 |
TW201409590A (zh) | 2014-03-01 |
JP5633537B2 (ja) | 2014-12-03 |
CN104272447B (zh) | 2016-11-02 |
DE112013002066T5 (de) | 2015-04-16 |
US9746400B2 (en) | 2017-08-29 |
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