JP2013234966A - 欠陥検査方法および欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査方法および欠陥検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013234966A JP2013234966A JP2012109021A JP2012109021A JP2013234966A JP 2013234966 A JP2013234966 A JP 2013234966A JP 2012109021 A JP2012109021 A JP 2012109021A JP 2012109021 A JP2012109021 A JP 2012109021A JP 2013234966 A JP2013234966 A JP 2013234966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- scattered light
- linear region
- detection optical
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/18—Measuring radiation intensity with counting-tube arrangements, e.g. with Geiger counters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4704—Angular selective
- G01N2021/4709—Backscatter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4735—Solid samples, e.g. paper, glass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/061—Sources
- G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】欠陥検査装置を、試料の表面の線状の領域に傾方向から照明光を照射する照明光照射部と、線状の領域の長手方向に対してほぼ直交する方向で試料表面の法線を含む面内に配置されて試料の線状の領域から発生した散乱光を集光する対物レンズとこの対物レンズで集光された散乱光を検出する2次元の検出器とを有する検出光学系を複数備えた検出光学系部と、検出光学系部で検出した信号を処理して試料上の欠陥を検出する信号処理部とを備え、検出光学系の対物レンズは、線状の領域の長手方向に沿った方向と長手方向にほぼ直交する方向に沿った方向とで異なる開口角を有し、検出光学系は、線状の領域の長手方向の倍率と線状の領域の長手方向にほぼ直交する方向の倍率とが異なる像を2次元の検出器上に形成するように構成した。
【選択図】図1
Description
第1の検出ユニット11aについて説明すると、照明光学系ユニット10により細線照明されたウェハ001からの散乱光は対物レンズ111aにより集光され、結像レンズ114aと一軸結像系1140aにより、並列型光子計数センサ115a上の複数の素子に跨るように、ウェハ001上の欠陥の散乱光像(点像)が結像される。第2の検出ユニット11b及び第3の検出ユニット11cも同様に、それぞれ対物レンズ111b、111cにより集光され、結像レンズ114b、114c、一軸結像系1140b、1140cにより、並列型光子計数センサ115b、115c上の複数の素子に跨るように、ウェハ上の欠陥の散乱光像(点像)が結像される。ここで対物レンズ111a、111b、111cは図1に示したように円形レンズの左右を直線状に切除して左右対称形状を持つ長円形レンズからなるように構成する。その構成と効果の詳細に関しては後述する。
検出光学系ユニット11において、開口制御フィルタ112a、112b、112cは、基板表面のラフネス等により生じる背景散乱光を遮光することで、検出時の背景光ノイズを低減して、欠陥検出感度を向上させるものである。また、偏光フィルタ(偏光板等) 113a、113b、113cは、検出散乱光から特定の偏光成分をフィルタリングすることで、背景光ノイズを低減して、欠陥検出感度を向上させるために用いるものである。
並列型光子計数センサ115a、115b、115cは光電変換により、検出された散乱光を電気信号に変換するものであり、複数のAPD素子を2次元のアレイ状に配列して構成した検出器の、各素子への光子の入射により発生するパルス電流の合計を計測する方法が知られている。この検出器はSi−PM(Silicon Photomultiplier)、PPD(Pixelated Photon Detector)、あるいはMPPC(MultiーPixel Photon Counter)などと呼ばれる素子である。
図2は、長円形レンズ111の単レンズ形状を説明する長円形レンズの三面図である。左上は長円形レンズ111の平面図、右は側面図、下は正面図である。長円形レンズ111の平面形状は図2の左上の平面図に示すように、円形レンズの左右を2つの直線状の切断面1110で切除してほぼ左右対称となる長円形になるように加工する。また、正面形状は、図2の下側に示すように、前記単レンズを組合せて組レンズとして構成するときの検出開口角(短辺方向)をθw2としたときレンズ焦点面からの距離Lに対しレンズの半幅W2≒L・tanθw2となるよう、斜めに切除する。これによりレンズの検出開口は、図2の右側の側面図に示したy方向の開口角θw1と図2の下側の正面図に示したx方向の開口角θw2とで異なるものとなり、θw1>θw2となるが、これを実際の装置上でどのように配置するかは次に説明する。
一方で図5Bに示すように、長円形レンズ111a、111b、111cを採用して、個々の対物レンズのx方向とy方向の開口を任意に設定できるようにすれば、一つの対物レンズはレンズが干渉するx方向のみの開口を小さくして、その分複数個並べれば良く、またy方向の開口は、x方向の開口と関係なく必要な大きさで設定することが可能であり、複数の検出光学系で結像検出を行なう場合でも、円形レンズで構成した場合と比較べて、欠陥から発生する微弱散乱光の検出効率を向上して欠陥検出感度を向上させることが可能となる。
上記の実施例においては、検出光学系ユニット11の3つの検出ユニット11a〜11cを同じ構成の光学系で構成した例を説明したが、本発明はこれに限ることなく、第1の検査ユニット11aの対物レンズ111aを第2及び第3の検出ユニット11b及び11cの対物レンズ111b及び111cよりも大きくして、ウェハ001に対して垂直方向及びその近傍に散乱した光を第1の検査ユニット11aの対物レンズ111aでより多く集光して結像するように構成してもよい。検出光学系をこのように構成することにより、第1の検査ユニット11aのNAをより大きくすることができ、第1の検査ユニット11aでより微細な欠陥を検出することができる。
W=1.22×λ/(NAo/M) …(数1)
ここで、λ=0.355(um)、NAo=0.8、M=20(倍)とすると、無収差光学系を使用した場合の、試料共役面205上すなわち並列型光子計数センサ115のセンサ面上に形成される欠陥の散乱光像225の、一軸結像系で引伸ばされないS2方向の欠陥像の大きさWは10.8umとなる。しかし、先に実施例として示した並列型光子計数センサ115のAPD素子116(231)の大きさ25umと比較しても、また、並列型光子計数センサ115の1chのS2方向の幅500um(20素子分)と比較しても不必要に小さいものとなる。
Claims (12)
- 平面内で移動可能なテーブルに載置した試料表面の線状の領域に前記試料表面の法線方向に対して傾いた方向から照明光を照射し、
該照明光が照射された前記試料から発生した散乱光を前記試料表面の照明光を照射した線状の領域の長手方向に対してほぼ直交して前記試料表面の法線方向を含む面内に配置した対物レンズを含む複数の検出光学系で集光し、
該集光した散乱光を前記複数の検出光学系のそれぞれに対応する複数の検出器で検出し、
該複数の検出器で検出して得た散乱光検出信号を処理して前記試料表面の欠陥を検出する
欠陥検査方法であって、
前記照明光が照射された試料から発生した散乱光を、前記試料表面の照明光を照射した線状の領域の長手方向に対する開口角と前記長手方向にほぼ直交する方向に対する開口角が異なる前記対物レンズを含む前記複数の光学系で集光し、
該複数の光学系のそれぞれの対物レンズで集光した前記散乱光により前記線状の領域の長手方向の倍率と前記線状の領域の長手方向にほぼ直交する方向の倍率とが異なる像を前記複数の検出器でそれぞれ検出する
ことを特徴とする欠陥検査方法。 - 前記照明光が照射された前記試料から発生した散乱光のうち、前記複数の検出光学系の方向とは異なる方向に散乱した散乱光の一部を集光して検出し、該散乱光の一部を集光し検出して得た信号と前記複数の検出光学系で検出して得た信号とを用いて前記複数の検出光学系のそれぞれの検出器では飽和してしまう散乱光を発生する欠陥を検出することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法。
- 平面内で移動可能なテーブルに載置した試料表面の線状の領域に前記試料表面の法線方向に対して傾いた方向から照明光を照射し、
該照明光が照射された前記試料から発生した散乱光を前記試料表面の照明光を照射した線状の領域の長手方向に対してほぼ直交して前記試料表面の法線方向を含む面内に配置した対物レンズを含む複数の検出光学系で集光して該複数の検出光学系のそれぞれに対応する複数の2次元の検出器で検出し、
前記照明光が照射された前記試料から発生した散乱光のうち前記複数の検出光学系の方向とは異なる方向に散乱した散乱光の一部を集光して前記2次元の検出器よりも感度の低い検出器で検出し、
前記複数の2次元の検出器で検出して得た信号を処理して前記試料上の微細な欠陥を検出すると共に、前記2次元の検出器よりも感度の低い検出器で検出して得た信号と前記複数の2次元の検出器で検出して得た信号とを用いて前記複数の2次元の検出器では飽和してしまう散乱光を発生する比較的大きな欠陥を検出する
ことを特徴とする欠陥検査方法。 - 前記試料から発生した散乱光を、前記線状の領域の長手方向に対する開口角が前記長手方向にほぼ直交する方向に対する開口角よりも大きい対物レンズで集光することを特徴とする請求項1又は3に記載の欠陥検査方法。
- 前記複数の検出光学系のそれぞれにより、前記線状の領域の長手方向の倍率に対して前記線状の領域の長手方向にほぼ直交する方向の倍率が大きい前記散乱光による前記線状の領域の像を前記複数の検出光学系のそれぞれの検出器上に形成することを特徴とする請求項1又は3に記載の欠陥検査方法。
- 試料を載置して平面内で移動可能なテーブルと、
該テーブルに載置した前記試料の表面の線状の領域に前記試料の表面の法線方向に対して傾いた方向から照明光を照射する照明光照射部と、
前記照明光を照射した試料表面の線状の領域の長手方向に対してほぼ直交する方向で前記試料表面の法線を含む面内に配置されて前記照明光照射部により照明光が照射された前記試料の表面の線状の領域から発生した散乱光を集光する対物レンズと該対物レンズで集光された散乱光を検出する2次元の検出器とを有する検出光学系を複数備えた検出光学系部と、
該検出光学系部の複数の検出光学系のそれぞれの2次元の検出器で検出して得た信号を処理して前記試料上の欠陥を検出する信号処理部と
を備えた欠陥検査装置であって、
前記検出光学系の対物レンズは、前記試料表面の照明光を照射した線状の領域の長手方向に沿った方向と前記長手方向にほぼ直交する方向に沿った方向とで異なる開口角を有し、
前記検出光学系は、前記対物レンズで集光した前記散乱光により前記線状の領域の長手方向の倍率と前記線状の領域の長手方向にほぼ直交する方向の倍率とが異なる像を前記2次元の検出器上に形成する
ことを特徴とする欠陥検査装置。 - 前記検出光学系部は、前記照明光が照射された前記試料から発生した散乱光のうち、前記複数の検出光学系の方向とは異なる方向に散乱した散乱光の一部を集光して検出する斜方検出光学系を更に備え、前記信号処理部は、前記斜方検出光学系で前記散乱光の一部を集光し検出して得た信号と前記複数の検出光学系で検出して得た信号とを用いて前記複数の検出光学系のそれぞれの2次元の検出器では飽和してしまう散乱光を発生する欠陥を検出することを特徴とする請求項6記載の欠陥検査装置。
- 試料を載置して平面内で移動可能なテーブルと、
該テーブルに載置した前記試料の表面の線状の領域に前記試料の表面の法線方向に対して傾いた方向から照明光を照射する照明光照射部と、
前記照明光を照射した試料表面の線状の領域の長手方向に対してほぼ直交する方向で前記試料表面の法線を含む面内に配置されて前記照明光照射部により照明光が照射された前記試料の表面の線状の領域から発生した散乱光を集光する対物レンズと該対物レンズで集光された散乱光を検出する2次元の検出器とを有する複数の検出光学系と前記照明光が照射された前記試料から発生した散乱光のうち前記複数の検出光学系の方向とは異なる方向に散乱した散乱光の一部を集光して検出する前記2次元の検出器よりも感度の低い検出器とを備えた検出光学系部と、
前記複数の2次元の検出器で検出して得た信号を処理して前記試料上の微細な欠陥を検出すると共に、前記2次元の検出器よりも感度の低い検出器で検出して得た信号と前記複数の2次元の検出器で検出して得た信号とを用いて前記複数の2次元の検出器では飽和してしまう散乱光を発生する比較的大きな欠陥を検出する信号処理部と
を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 - 前記検出光学系の対物レンズは、前記試料表面の照明光を照射した線状の領域の長手方向に沿った方向の開口角が、前記長手方向にほぼ直交する方向に沿った方向の開口角よりも大きいことを特徴とする請求項6又は8に記載の欠陥検査装置。
- 前記検出光学系はシリンドリカルレンズを備え、該シリンドリカルレンズにより、前記対物レンズで集光した前記散乱光による前記線状の領域の長手方向にほぼ直交する方向の像を拡大して前記2次元の検出器上に形成することを特徴とする請求項6又は8に記載の欠陥検査装置。
- 前記2次元の検出器は、前記照明光照射部により照明光が照射された前記試料の表面の線状の領域から発生した散乱光のうち前記対物レンズで集光された光の光子数を計数することを特徴とする請求項6又は8に記載の欠陥検査装置。
- 前記2次元の検出器は、ガイガーモードで動作するアバランシェホトダイオード素子を2次元に配列して構成した検出器であることを特徴とする請求項11に記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012109021A JP5918009B2 (ja) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
PCT/JP2013/061959 WO2013168557A1 (ja) | 2012-05-11 | 2013-04-23 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
KR1020147028344A KR20140133925A (ko) | 2012-05-11 | 2013-04-23 | 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치 |
US14/399,972 US20150116702A1 (en) | 2012-05-11 | 2013-04-23 | Defect inspection method and defect inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012109021A JP5918009B2 (ja) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013234966A true JP2013234966A (ja) | 2013-11-21 |
JP2013234966A5 JP2013234966A5 (ja) | 2014-03-13 |
JP5918009B2 JP5918009B2 (ja) | 2016-05-18 |
Family
ID=49550608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012109021A Active JP5918009B2 (ja) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150116702A1 (ja) |
JP (1) | JP5918009B2 (ja) |
KR (1) | KR20140133925A (ja) |
WO (1) | WO2013168557A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015107795A1 (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置および計測装置 |
JP2019508691A (ja) * | 2016-02-26 | 2019-03-28 | シングル テクノロジーズ アクティエボラーグ | 高スループットの撮像のための方法及びデバイス |
US11047805B2 (en) | 2016-01-14 | 2021-06-29 | Hitachi High-Tech Corporation | Inspection device and detector |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013178231A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-09-09 | Canon Inc | 検査装置、検査方法、リソグラフィ装置及びインプリント装置 |
US9784691B2 (en) * | 2014-07-31 | 2017-10-10 | Zeta Instruments, Inc. | Method and apparatus to optically detect defects in transparent solids |
KR20160121716A (ko) | 2015-04-10 | 2016-10-20 | 한국교통대학교산학협력단 | 하이브리드 조명 기반 표면 검사 장치 |
WO2016189650A1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
US11604148B2 (en) * | 2017-02-09 | 2023-03-14 | Essenlix Corporation | Colorimetric assays |
WO2018216074A1 (ja) * | 2017-05-22 | 2018-11-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
CN112730334B (zh) * | 2020-12-23 | 2024-03-22 | 之江实验室 | 基于电偶极旋转散射光探测的纳米微粒识别装置和方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001235429A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
JP2008261790A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
WO2012060057A1 (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法、微弱光検出方法および微弱光検出器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6617603B2 (en) * | 2001-03-06 | 2003-09-09 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Surface defect tester |
JP2009236791A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
-
2012
- 2012-05-11 JP JP2012109021A patent/JP5918009B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-23 US US14/399,972 patent/US20150116702A1/en not_active Abandoned
- 2013-04-23 WO PCT/JP2013/061959 patent/WO2013168557A1/ja active Application Filing
- 2013-04-23 KR KR1020147028344A patent/KR20140133925A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001235429A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
JP2008261790A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
WO2012060057A1 (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法、微弱光検出方法および微弱光検出器 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015107795A1 (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置および計測装置 |
JP2015135300A (ja) * | 2014-01-20 | 2015-07-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置および計測装置 |
US9779912B2 (en) | 2014-01-20 | 2017-10-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection device and measurement device |
US11047805B2 (en) | 2016-01-14 | 2021-06-29 | Hitachi High-Tech Corporation | Inspection device and detector |
JP2019508691A (ja) * | 2016-02-26 | 2019-03-28 | シングル テクノロジーズ アクティエボラーグ | 高スループットの撮像のための方法及びデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150116702A1 (en) | 2015-04-30 |
KR20140133925A (ko) | 2014-11-20 |
JP5918009B2 (ja) | 2016-05-18 |
WO2013168557A1 (ja) | 2013-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5918009B2 (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
JP5773939B2 (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
US10261026B2 (en) | Defect inspection method, low light detecting method, and low light detector | |
KR102178205B1 (ko) | 웨이퍼 검사 | |
US7525649B1 (en) | Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging | |
JP5538072B2 (ja) | 欠陥検査方法およびその装置 | |
US9086389B2 (en) | Sample inspection system detector | |
JP2017536533A (ja) | 暗視野におけるtdiセンサシステム | |
WO2013077125A1 (ja) | 欠陥検査方法およびその装置 | |
US9568437B2 (en) | Inspection device | |
TWI671522B (zh) | 缺陷檢查裝置 | |
JP5815798B2 (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
KR100845284B1 (ko) | 두개의 닙코우 디스크를 이용한 공초점 주사 현미경 | |
JP6117305B2 (ja) | 欠陥検査方法、微弱光検出方法および微弱光検出器 | |
JP5945126B2 (ja) | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 | |
JP2015079009A (ja) | 欠陥検査方法およびその装置 | |
US11047805B2 (en) | Inspection device and detector | |
JP2019090619A (ja) | X線測定装置 | |
WO2020136697A1 (ja) | 欠陥検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140128 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140319 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20141027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150430 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151225 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5918009 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |