JP2013221964A - Electro-optic device, method of manufacturing electro-optic device, and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。 The present invention relates to an electro-optical device, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus.
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。 As the electro-optical device, for example, an active drive type liquid crystal device including a transistor for each pixel as an element for controlling switching of a pixel electrode is known. Liquid crystal devices are used in, for example, direct view displays and light valves.
例えば、特許文献1には、カラーフィルターを画素電極やスイッチング素子と同一の基板(素子基板)上に作り込む積層構造、所謂オンチップカラーフィルター構造が開示されている。この構造によれば、同一の基板にカラーフィルターや画素電極などを作り込むので、素子基板とカラーフィルター基板とを別々に作った場合のような、画素領域とカラーフィルター領域とがずれる(組みずれ)ことを抑えることができる。
For example,
しかしながら、オンチップカラーフィルター構造において、カラーフィルター領域と隣接する配線(ソース線や容量線など)との間に隙間があると、その隙間から光漏れが生じる場合がある。これにより、カラーフィルター領域の界面における屈折率の差などに起因して混色するなど表示品質が低下するという課題がある。 However, in the on-chip color filter structure, if there is a gap between the color filter region and the adjacent wiring (such as a source line or a capacitor line), light leakage may occur from the gap. As a result, there is a problem in that display quality is deteriorated, for example, color mixture occurs due to a difference in refractive index at the interface of the color filter region.
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。 An aspect of the present invention has been made to solve at least a part of the above problems, and can be realized as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例に係る電気光学装置は、基板上に、表示領域に対応して設けられた凹部と、前記凹部の側壁に設けられた遮光膜と、前記凹部の中を埋めるように設けられた第1着色層と、前記表示領域に対応して設けられた電気光学層と、を備えたことを特徴とする。 Application Example 1 An electro-optical device according to this application example fills a concave portion provided on a substrate corresponding to a display region, a light shielding film provided on a side wall of the concave portion, and the concave portion. And a first colored layer provided on the display region, and an electro-optical layer provided corresponding to the display region.
本適用例によれば、着色層を構成する凹部の側壁に遮光膜が設けられているので、電気光学層を介して、着色層に入射した光や着色層を経ずに通過した光が、隣りの表示領域に入り込むことを防ぐことができる。言い換えれば、不要な光を遮光膜で遮光することができる。よって、混色したり光抜けしたりすることを防ぐことが可能となり、表示品質(コントラストなど)を向上させることができる。 According to this application example, since the light shielding film is provided on the side wall of the concave portion constituting the colored layer, the light incident on the colored layer or the light passed through the colored layer via the electro-optic layer is It is possible to prevent entry into the adjacent display area. In other words, unnecessary light can be shielded by the light shielding film. Therefore, it is possible to prevent color mixture and light leakage, and display quality (contrast etc.) can be improved.
[適用例2]上記適用例に係る電気光学装置において、前記遮光膜は、前記側壁の全周に設けられていることが好ましい。 Application Example 2 In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the light shielding film is provided on the entire circumference of the side wall.
本適用例によれば、凹部の側壁の全周に遮光膜が設けられているので、電気光学層を介して入射した光のうち不要な光を遮光することができる。よって、混色したり光り抜けしたりすることを防ぐことができる。 According to this application example, since the light shielding film is provided on the entire periphery of the side wall of the recess, unnecessary light among the light incident through the electro-optic layer can be shielded. Therefore, it is possible to prevent color mixture or light from passing through.
[適用例3]上記適用例に係る電気光学装置において、前記遮光膜は、フローティング状態で配置されていることが好ましい。 Application Example 3 In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the light shielding film is arranged in a floating state.
本適用例によれば、遮光膜がフローティング状態になっているので、例えば、着色層に金属系の物質が含まれている場合でも、遮光膜と着色層とが接触することによる着色層に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。 According to this application example, since the light-shielding film is in a floating state, for example, even when the colored layer contains a metallic substance, the colored layer is adversely affected by the contact between the light-shielding film and the colored layer. Can be suppressed.
[適用例4]上記適用例に係る電気光学装置において、前記第1着色層の隣りに配置された第2着色層を有し、前記第1着色層と前記第2着色層との間に、前記第1着色層及び前記第2着色層と離間して配置された配線が設けられていることが好ましい。 Application Example 4 In the electro-optical device according to the application example described above, the electro-optical device includes a second colored layer disposed adjacent to the first colored layer, and between the first colored layer and the second colored layer, It is preferable that wirings arranged apart from the first colored layer and the second colored layer are provided.
本適用例によれば、配線を避けるように第1着色層と第2着色層とが設けられていた場合でも、凹部の側壁に遮光膜が設けられているので、遮光膜によって不要な光を遮光することができる。 According to this application example, even when the first colored layer and the second colored layer are provided so as to avoid the wiring, the light shielding film is provided on the side wall of the recess, so that unnecessary light is emitted by the light shielding film. Can be shielded from light.
[適用例5]上記適用例に係る電気光学装置において、前記電気光学層は、液晶層であることが好ましい。 Application Example 5 In the electro-optical device according to the application example, it is preferable that the electro-optical layer is a liquid crystal layer.
本適用例によれば、表示領域と表示領域(非表示領域)との境界において、電界の影響によって液晶層の粒子が所定の動作をしにくい場合(光抜けなど)であっても、側壁に遮光膜が配置されているので、迷光を遮光させることができ、表示品質を向上させることができる。 According to this application example, even when the particles of the liquid crystal layer are difficult to perform a predetermined operation due to the influence of an electric field at the boundary between the display area and the display area (non-display area), Since the light shielding film is disposed, stray light can be shielded and display quality can be improved.
[適用例6]本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の側壁に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、前記遮光膜が設けられた前記凹部の中に着色層を形成する着色層形成工程と、前記電気光学層を形成する電気光学層形成工程と、を有することを特徴とする。 Application Example 6 An electro-optical device manufacturing method according to this application example includes an insulating layer forming step of forming an insulating layer on a substrate, a concave portion forming step of forming a concave portion in the insulating layer, and a sidewall of the concave portion. A light-shielding film forming step of forming a light-shielding film, a colored layer forming step of forming a colored layer in the recess provided with the light-shielding film, and an electro-optic layer forming step of forming the electro-optic layer It is characterized by that.
本適用例によれば、着色層を構成する凹部の側壁に遮光膜を形成するので、電気光学層を介して、着色層に入射した光や着色層を経ずに通過した光が、隣りの表示領域に入り込むことを防ぐことができる。言い換えれば、不要な光を遮光膜で遮光させることができる。よって、混色したり光抜けしたりすることを防ぐことが可能となり、表示品質(コントラストなど)を向上させることができる。 According to this application example, since the light shielding film is formed on the side wall of the concave portion constituting the colored layer, the light incident on the colored layer or the light that has passed through the colored layer via the electro-optic layer is adjacent to the adjacent layer. It is possible to prevent entry into the display area. In other words, unnecessary light can be shielded by the light shielding film. Therefore, it is possible to prevent color mixture and light leakage, and display quality (contrast etc.) can be improved.
[適用例7]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記遮光膜形成工程は、前記凹部を含む前記基板上の全体に前記遮光膜となる前の遮光膜前駆体膜を形成する遮光膜前駆体膜形成工程と、前記基板に異方性エッチング処理を施して、少なくとも前記凹部の底部にある前記遮光膜前駆体膜を除去する除去工程と、を有することが好ましい。 Application Example 7 In the electro-optical device manufacturing method according to the application example, the light shielding film forming step forms a light shielding film precursor film before the light shielding film on the entire substrate including the concave portion. It is preferable to include a light shielding film precursor film forming step and a removing step of performing an anisotropic etching process on the substrate to remove at least the light shielding film precursor film at the bottom of the recess.
本適用例によれば、凹部を含む基板上の全体に遮光膜前駆体膜を成膜した後、異方性エッチング(ドライエッチング)を施すので、凹部における底部の遮光膜前駆体膜が重点的に除去される。よって、凹部の側壁に遮光膜を残すことが可能となり、不要な光を遮光膜で遮光させることができる。 According to this application example, since the light shielding film precursor film is formed on the entire substrate including the concave portion and then anisotropic etching (dry etching) is performed, the light shielding film precursor film at the bottom of the concave portion is important. Removed. Therefore, the light shielding film can be left on the side wall of the recess, and unnecessary light can be shielded by the light shielding film.
[適用例8]上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学層形成工程は、液晶層を形成することが好ましい。 Application Example 8 In the electro-optical device manufacturing method according to the application example, it is preferable that the electro-optical layer forming step forms a liquid crystal layer.
本適用例によれば、液晶層を形成する場合、表示領域(画素)と表示領域(画素)との境界において、電界の影響によって液晶層の粒子が所定の動作をしにくい場合(光抜けなど)であっても、着色層を構成する凹部の側壁に遮光膜を形成するので、迷光を遮光させることができ、表示品質を向上させることができる。 According to this application example, when the liquid crystal layer is formed, the particles of the liquid crystal layer are difficult to perform a predetermined operation due to the influence of an electric field at the boundary between the display region (pixel) and the display region (pixel) (such as light leakage). However, since the light shielding film is formed on the side wall of the concave portion constituting the colored layer, stray light can be shielded and display quality can be improved.
[適用例9]本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。 Application Example 9 An electronic apparatus according to this application example includes the electro-optical device described above.
本適用例によれば、上記に記載の電気光学装置を備えているので、表示品質の高い電子機器を提供することができる。 According to this application example, since the electro-optical device described above is provided, an electronic apparatus with high display quality can be provided.
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。 In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate, or is disposed on the substrate via another component, or the substrate. It is assumed that a part is arranged so as to be in contact with each other and a part is arranged via another component.
本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置(液晶プロジェクター)の光変調素子(液晶ライトバルブ)として好適に用いることができるものである。 In the present embodiment, an active matrix liquid crystal device including a thin film transistor as a pixel switching element will be described as an example of an electro-optical device. This liquid crystal device can be suitably used, for example, as a light modulation element (liquid crystal light valve) of a projection display device (liquid crystal projector).
<電気光学装置としての液晶装置>
まず、本実施形態の液晶装置について図1〜図3を参照して説明する。図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
<Liquid crystal device as electro-optical device>
First, the liquid crystal device of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid crystal device. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line HH ′ of the liquid crystal device shown in FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing an electrical configuration of the liquid crystal device.
図1及び図2に示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された素子基板10および対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層15とを有する。素子基板10を構成する基板としての第1基材10a、および対向基板20を構成する第2基材20aは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
素子基板10は対向基板20よりも大きく、両基板は、対向基板20の外周に沿って配置されたシール材14を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層15を構成している。シール材14は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材14には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー(図示省略)が混入されている。
The
シール材14の内側には、複数の画素Pが配列した画素領域Eが設けられている。画素領域Eは、表示に寄与する複数の画素Pに加えて、複数の画素Pを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。
A pixel region E in which a plurality of pixels P are arranged is provided inside the sealing
素子基板10の1辺部に沿ったシール材14と該1辺部との間に、データ線駆動回路22が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材14と画素領域Eとの間に、検査回路25が設けられている。さらに、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材14と画素領域Eとの間に走査線駆動回路24が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部に沿ったシール材14と検査回路25との間には、2つの走査線駆動回路24を繋ぐ複数の配線29が設けられている。
A data
対向基板20側における額縁状に配置されたシール材14の内側には、同じく額縁状に遮光部18(見切り部)が設けられている。遮光部18は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光部18の内側が複数の画素Pを有する画素領域Eとなっている。
Inside the sealing
データ線駆動回路22、走査線駆動回路24に繋がる配線は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子61に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。なお、検査回路25の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路22に沿ったシール材14と画素領域Eとの間に設けてもよい。
Wirings connected to the data line driving
図2に示すように、第1基材10aの液晶層15側の表面には、画素Pごとに設けられた透光性の画素電極27およびスイッチング素子である薄膜トランジスター(TFT:Thin Film Transistor、以降、「TFT30」と呼称する)と、信号配線と、これらを覆う第1配向膜28とが形成されている。本発明における素子基板10は、少なくとも画素電極27、TFT30、信号配線、第1配向膜28を含むものである。
As shown in FIG. 2, on the surface of the
対向基板20の液晶層15側の表面には、遮光部18と、これを覆うように成膜された平坦化層33と、平坦化層33を覆うように設けられた共通電極31と、共通電極31を覆う第2配向膜32とが設けられている。本発明における対向基板20は、少なくとも遮光部18、共通電極31、第2配向膜32を含むものである。
On the surface of the
遮光部18は、図1に示すように画素領域Eを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路24、検査回路25と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Eに入射しないように遮蔽して、画素領域Eの表示における高いコントラストを確保している。
As shown in FIG. 1, the
平坦化層33は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光部18を覆うように設けられている。このような平坦化層33の形成方法としては、例えばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
The
共通電極31は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜からなり、平坦化層33を覆うと共に、図1に示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部26(図1参照)により素子基板10側の配線に電気的に接続している。
The
画素電極27を覆う第1配向膜28および共通電極31を覆う第2配向膜32は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。本実施形態では、第1配向膜28および第2配向膜32として上記無機配向膜が採用されている。
The
このような液晶装置100は、例えば透過型であって、画素Pが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
Such a
図3に示すように、液晶装置100は、少なくとも画素領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、容量線3bとを有する。走査線3aが延在する方向がX方向であり、データ線6aが延在する方向がY方向である。
As shown in FIG. 3, the
走査線3aとデータ線6aならびに容量線3bと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極27と、TFT30と、容量素子16とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。
A
走査線3aはTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはTFT30のデータ線側ソースドレイン領域(ソース領域)に電気的に接続されている。画素電極27は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域(ドレイン領域)に電気的に接続されている。
The
データ線6aは、データ線駆動回路22(図1参照)に接続されており、データ線駆動回路22から供給される画像信号D1,D2,…,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは、走査線駆動回路24(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路24から供給される走査信号SC1,SC2,…,SCmを各画素Pに供給する。
The
データ線駆動回路22からデータ線6aに供給される画像信号D1〜Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路24は、走査線3aに対して、走査信号SC1〜SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
The image signals D1 to Dn supplied from the data line driving
液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1〜SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1〜Dnが所定のタイミングで画素電極27に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極27を介して液晶層15に書き込まれた所定レベルの画像信号D1〜Dnは、画素電極27と液晶層15を介して対向配置された共通電極31との間で一定期間保持される。
In the
保持された画像信号D1〜Dnがリークするのを防止するため、画素電極27と共通電極31との間に形成される液晶容量と並列に容量素子16が接続されている。容量素子16は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域と容量線3bとの間に設けられている。容量素子16は、2つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
In order to prevent the retained image signals D1 to Dn from leaking, the
図4は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図4を参照しながら説明する。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the liquid crystal device. Hereinafter, the structure of the liquid crystal device will be described with reference to FIG. FIG. 4 shows the cross-sectional positional relationship of each component and is expressed on a scale that can be clearly shown.
図4に示すように、液晶装置100は、一対の基板の一方である素子基板10と、これに対向配置される一対の基板の他方である対向基板20とを備えている。素子基板10を構成する第1基材10a、及び対向基板20を構成する第2基材20aは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
As shown in FIG. 4, the
第1基材10a上には、チタン(Ti)やクロム(Cr)等からなる下側遮光膜3cが形成されている。下側遮光膜3cは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜3cは、走査線3aの一部として機能するようにしてもよい。第1基材10a及び下側遮光膜3c上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層11aが形成されている。
A lower light-shielding
下地絶縁層11a上には、TFT30及び走査線3a等が形成されている。TFT30は、例えば、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層30aと、半導体層30aを覆うように形成されたゲート絶縁膜11gと、ゲート絶縁膜11g上に形成されたポリシリコン膜等からなる走査線3aとを有する。上記したように、走査線3aは、ゲート電極30gとしても機能する。
On the
半導体層30aは、例えば、リン(P)イオン等のN型の不純物イオンが注入されることにより、N型のTFT30として形成されている。具体的には、半導体層30aは、チャネル領域30cと、データ線側LDD領域30s1と、データ線側ソースドレイン領域30sと、画素電極側LDD領域30d1と、画素電極側ソースドレイン領域30dとを備えている。
The
チャネル領域30cには、ボロン(B)イオン等のP型の不純物イオンがドープされている。その他の領域(30s1,30s,30d1,30d)には、リン(P)イオン等のN型の不純物イオンがドープされている。このように、TFT30は、N型のTFTとして形成されている。
The
ゲート電極30g及び下地絶縁層11a上には、シリコン酸化膜等からなる第1層間絶縁層11bが形成されている。第1層間絶縁層11b上には、容量素子16が設けられている。具体的には、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域30d及び画素電極27に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第1容量電極16aと、固定電位側容量電極としての容量線3b(第2容量電極16b)の一部とが、誘電体層16cを介して対向配置されることにより、容量素子16が形成されている。
A first
容量線3b(第2容量電極16b)は、例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Al(アルミニウム)膜から形成することも可能である。
The
第1容量電極16aは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子16の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第1容量電極16aは、容量線3bと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第1容量電極16aは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールCNT51、コンタクトホールCNT52、中継層55、及びコンタクトホールCNT53を介して、画素電極27とTFT30の画素電極側ソースドレイン領域30d(ドレイン領域)とを中継接続する機能を有する。
The
容量素子16上には、第2層間絶縁層11cを介してデータ線6a及び中継層55が形成されている。データ線6aは、第1層間絶縁層11b及び第2層間絶縁層11cに開孔されたコンタクトホールCNT54を介して、半導体層30aのデータ線側ソースドレイン領域30s(ソース領域)に電気的に接続されている。
On the
データ線6aなどを含む第2層間絶縁層11c上には、第3層間絶縁層11dが設けられている。第3層間絶縁層11d上には、第4層間絶縁層11eが設けられており、第4層間絶縁層11eにおける表示領域23には着色層としてのカラーフィルター層80が設けられている。更に、第4層間絶縁層11e上には、パッシベーション層11fが設けられている。パッシベーション層11fの上層表面は、CMP(Chemical Mechanical Polishing)等の平坦化処理が施されている。
A third
パッシベーション層11f上には、画素電極27が設けられている。画素電極27は、コンタクトホールCNT53、中継層55,コンタクトホールCNT52、第1容量電極16aを介してコンタクトホールCNT51に接続されることにより、半導体層30aの画素電極側ソースドレイン領域30d(ドレイン領域)に電気的に接続されている。なお、画素電極27は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)膜等の透明導電性膜から形成されている。
A
画素電極27及びパッシベーション層11f上には、例えば、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着した第1配向膜28が設けられている。第1配向膜28上には、シール材14(図2参照)により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入された液晶層15が設けられている。
On the
一方、第2基材20a上には、その全面に渡って共通電極31が設けられている。共通電極31上(図4では下側)には、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着した第2配向膜32が設けられている。共通電極31は、上述の画素電極27と同様に、例えばITO膜等の透明導電性膜からなる。
On the other hand, the
液晶層15は、画素電極27からの電界が印加されていない状態で第1配向膜28及び第2配向膜32によって所定の配向状態をとる。シール材14は、素子基板10及び対向基板20をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
The
図5は、液晶装置のうちカラーフィルター層周辺の構造を具体的に示す模式断面図である。以下、カラーフィルター層周辺の構造を、図5を参照しながら説明する。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view specifically showing the structure around the color filter layer in the liquid crystal device. Hereinafter, the structure around the color filter layer will be described with reference to FIG.
図5に示すように、液晶装置100の第1基材10a上には、配線(データ線6a、容量電極16a,16bなど)やカラーフィルター層80などが設けられている。具体的には、第1基材10a上には、シリコン酸化膜(SiO2)などからなる絶縁層11(11a〜11e)が設けられており、絶縁層11中に図示しないTFT30(図4参照)や、容量素子16(16a,16b)及びデータ線6aなどの配線が設けられている。
As shown in FIG. 5, on the
また、絶縁層11における画素電極27と平面的に重なる領域には、カラーフィルター層80が設けられている。例えば、第1画素電極27aが設けられた第1表示領域23R(第1領域)には、赤色の赤色カラーフィルター層80Rが設けられている。第2画素電極27bが設けられた第2表示領域23Gには、緑色の緑色カラーフィルター層80G(第2着色層)が設けられている。第3画素領域27cが設けられた第3表示領域23Bには、青色の青色カラーフィルター層80Bが設けられている。
In addition, a
カラーフィルター層80を構成する凹部としてのカラーフィルター溝部80aは、口元が広がるように側壁80cが傾斜した台形状に形成されている。言い換えれば、カラーフィルター溝部80aは、図5における下側に向かって狭くなるようなテーパー形状になっている。
The
上記した、容量素子16(16a,16b)やデータ線6aなどの配線は、平面的にカラーフィルター層80(80R,80G,80B)間に設けられている。なお、カラーフィルター層80を構成するカラーフィルター溝部80aの側壁80cには、表示の際に不要な光を遮光するための遮光膜90が設けられている。
The wirings such as the capacitive element 16 (16a, 16b) and the
遮光膜90の材料としては、遮光性を有する材料であればよく、例えば、チタン(Ti)やクロム(Cr)、アルミニウム(Al)等が挙げられる。また、遮光膜90は、フローティング状態で配置されている。これにより、カラーフィルター層80に金属系の物質が含まれている場合でも、遮光膜90とカラーフィルター層80とが接触することによるカラーフィルター層80に悪影響(例えば、ショート)を及ぼすことを抑えることができる。
The material of the
また、カラーフィルター溝部80aの形状が、口元が広がるようなテーパー形状になっているので、対向基板20側から光が入ると、遮光膜90によって光が抜けないようにすることができる。また、側壁80cの上部から下部まで遮光膜90で覆われているので、液晶層15を抜けた光70のうち不要な光70bがカラーフィルター層80に当たったとしても、絶縁層11とカラーフィルター層80との屈折率の差によって光が散乱するようなことを防ぐことができる。その結果、混色したりコントラストが低下したりするなどの表示品質が低下することを抑えることができる。
In addition, since the
カラーフィルター層80及び絶縁層11上には、パッシベーション層11fが設けられている。パッシベーション層11fの上面は、例えば、CMP研磨処理などによって平坦化処理が施されている。
A
パッシベーション層11f上には、画素電極27(27a,27b,27c)が設けられている。また、画素電極27を含むパッシベーション層11f上には、第1配向膜28が設けられている。
A pixel electrode 27 (27a, 27b, 27c) is provided on the
第1配向膜28上には、液晶層15が配置されている。なお、液晶層15より上層に配置された対向基板20の説明は省略する。なお、対向基板20の上方にはバックライトが配置されている。
On the
このように、カラーフィルター層80の側壁80cに遮光膜90を設けることにより、液晶層15の配向状態によって透過した表示領域23間の光を、遮光膜90で遮光させることができる。よって、ある表示領域23において、着色されていない光が入り込んだり、隣りの表示領域23で見える色が混ざることを防ぐことができ、表示品質を向上させることができる。
Thus, by providing the
<液晶装置の製造方法>
図6は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図7〜図13は、液晶装置の一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図6〜図13を参照しながら説明する。
<Method for manufacturing liquid crystal device>
FIG. 6 is a flowchart showing a manufacturing method of the liquid crystal device in the order of steps. 7 to 13 are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a part of the liquid crystal device. Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal device will be described with reference to FIGS.
最初に、素子基板10側の製造方法を説明する。ステップS11では、ガラス基板などからなる第1基材10a上にTFT30や配線等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第1基材10a上にTFT30などを形成する。
First, a manufacturing method on the
次に、TFT30(図4参照)の上方に容量素子16を形成する。具体的には、図4を参照しながら説明する。まず、図4に示すように、第1層間絶縁層11b上に、例えば、公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、第1容量電極16aをパターニングする。第1容量電極16aは、例えば、ポリシリコン膜で構成されている。
Next, the
次に、誘電体層16cをベタ状に成膜する。誘電体層16cは、例えば、HTO及びSiNが積層されて構成されている。その後、第2容量電極16bをパターニングする。第2容量電極16bは、例えば、ポリシリコン膜で構成されている。更に、例えば、アルミニウムで構成されたデータ線6aなどを形成する。
Next, the
ステップS12では、カラーフィルター溝部80aを形成する。ステップS13では、カラーフィルター溝部80aの側壁80cに遮光膜90を形成する。ステップS14では、カラーフィルター層80を完成させる。ステップS15では、画素電極27を形成する。ステップS16では、第1配向膜28を形成する。以下、これらの具体的な製造方法を、図7〜図13を参照しながら説明する。
In step S12, the
まず、図7に示す工程(絶縁層形成工程)では、配線を覆うように絶縁層11(第3層間絶縁層11d、第4層間絶縁層11e、図4参照)を形成する。その後、配線等によって絶縁層11の上面に生じた凹凸を平坦化する。平坦化する方法としては、例えば、上記したように、CMP研磨処理を行う。
First, in the step shown in FIG. 7 (insulating layer forming step), an insulating layer 11 (third
次に、図8に示す工程(凹部形成工程)では、カラーフィルター層80を構成するカラーフィルター溝部80aを形成する。具体的には、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて形成する。これにより、カラーフィルター形成領域80d(表示領域23)に対応する領域に、わずかに傾斜したテーパー面を有するカラーフィルター溝部80aが形成される。テーパー面(側壁80c)のテーパー角は、例えば、80°程度である。
Next, in the step shown in FIG. 8 (recessed portion forming step), the
カラーフィルター溝部80aの幅は、例えば、2μmである。また、カラーフィルター溝部80aの深さは、例えば、2μmである。
The width of the
次に、図9に示す工程(遮光膜前駆体膜形成工程)では、カラーフィルター溝部80a及び絶縁層11上の全体に遮光膜90となる前の遮光膜前駆体膜90aを成膜する。成膜方法としては、例えば、スパッタ法などを用いて形成する。遮光膜前駆体膜90aの厚みは、例えば、100nmである。
Next, in the step shown in FIG. 9 (light-shielding film precursor film forming step), the light-shielding
次に、図10に示す工程(除去工程)では、遮光膜前駆体膜90aにエッチング処理を施して、カラーフィルター溝部80aの側壁80cのみに遮光膜90を残す。具体的には、第1基材10a上を含む全体に異方性エッチング処理(ドライエッチング)を施す。これにより、絶縁層11の上面に成膜された遮光膜前駆体膜90a、及びカラーフィルター溝部80aの底部に成膜された遮光膜前駆体膜90aが除去され、カラーフィルター溝部80aの側壁80c(テーパー面)のみに遮光膜前駆体膜90aが残る。つまり、カラーフィルター溝部80aの側壁80c全周に筒状の遮光膜90が形成された状態となる。
Next, in the step (removal step) shown in FIG. 10, the light shielding
また、カラーフィルター溝部80aの起伏を利用して異方性エッチングを施すことにより、フォトマスクを新たに配置して遮光膜前駆体膜90aをエッチングする場合と比較して、合わせずれが生じず、自己整合的にカラーフィルター溝部80aの側壁80cに略均一な膜厚の遮光膜90を形成することができる。言い換えれば、カラーフィルター溝部80aの側壁80cにおいて、上部から下部に渡って遮光膜90を残すことができる。また、カラーフィルター溝部80aの底部に遮光膜90を残さないので、開口率を向上させることができる。
Further, by performing anisotropic etching using the undulations of the
次に、図11に示す工程(着色層形成工程)では、カラーフィルター層80を完成させる。具体的には、カラーフィルター溝部80aの中に着色層80bを塗布する。例えば、スピンコート法を用いて、カラーフィルター溝部80aの中に、赤色着色層(80bR)、緑色着色層(80bG)、青色着色層(80bB)を選択的に形成する。その後、例えば、着色層80bを加熱させて硬化し、カラーフィルター層80を完成させる。
Next, in the step shown in FIG. 11 (colored layer forming step), the
このようにカラーフィルター層80の側壁80cに遮光膜90を設けることにより、液晶層15から透過した光のうち不要な光(隣りの表示領域23に入るべき光、カラーフィルター層80を通過しない光、カラーフィルター層80と絶縁層11との境界の屈折率の差によって生ずる散乱光など)を遮光膜90によって遮光させることが可能となる。
By providing the
言い換えれば、ある表示領域23において、着色されていない光が入り込んだり、隣りの表示領域23で見える色が混ざりこんだりすることを防ぐことができ、表示品質を向上させることができる。また、視野角を改善させることができる。
In other words, in a
次に、図12に示す工程では、カラーフィルター層80及び絶縁層11を覆うようにパッシベーション層11fを成膜する。成膜方法としては、例えば、CVD法などを用いて形成することができる。また、パッシベーション層11fの上面に生じた凹凸を平坦化するために、パッシベーション層11fにCMP研磨処理を施す。
Next, in the step shown in FIG. 12, a
次に、図13に示す工程では、画素電極27及び第1配向膜28を形成する。具体的には、まず、画素電極27と電気的に接続させるためのコンタクトホール(図示せず)を形成する。その後、パッシベーション層11f上に、ITO膜などからなる画素電極27を、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成する。
Next, in the step shown in FIG. 13, the
次に、画素電極27及びパッシベーション層11fを覆うように第1配向膜28を形成する。第1配向膜28の製造方法としては、例えば、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、素子基板10側が完成する。
Next, the
次に、図6を参照しながら、対向基板20側の製造方法を説明する。まず、ステップS21では、ガラス基板等の透光性材料からなる第2基材20a上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極31を形成する。
Next, a manufacturing method on the
ステップS22では、共通電極31上に第2配向膜32を形成する。第2配向膜32の製造方法は、第1配向膜28と場合と同様であり、例えば、斜方蒸着法を用いて形成する。以上により、対向基板20側が完成する。次に、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる方法を説明する。
In step S <b> 22, the
ステップS31では、素子基板10上にシール材14を塗布する。詳しくは、素子基板10とディスペンサー(吐出装置でも可能)との相対的な位置関係を変化させて、素子基板10における表示領域Eの周縁部に(表示領域Eを囲むように)シール材14を塗布する。
In step S <b> 31, the sealing
ステップS32では、素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる。具体的には、素子基板10に塗布されたシール材14を介して素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる。より具体的には、互いの基板10,20の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確保しながら行う。
In step S32, the
ステップS33では、液晶注入口(図示せず)から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材が用いられる。以上により、液晶装置100が完成する。
In step S33, liquid crystal is injected into the structure from a liquid crystal injection port (not shown), and then the liquid crystal injection port is sealed. For the sealing, for example, a sealing material such as a resin is used. Thus, the
<電子機器>
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図14を参照して説明する。図14は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
<Electronic equipment>
Next, a projection display apparatus as an electronic apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a schematic diagram showing a configuration of a projection display device including the above-described liquid crystal device.
図14に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、光分離素子としての2つのダイクロイックミラー1104,1105と、3つの反射ミラー1106,1107,1108と、5つのリレーレンズ1201,1202,1203,1204,1205と、3つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ1210,1220,1230と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。
As shown in FIG. 14, a
偏光照明装置1100は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。
The polarized
ダイクロイックミラー1104は、偏光照明装置1100から射出された偏光光束のうち、赤色光(R)を反射させ、緑色光(G)と青色光(B)とを透過させる。もう1つのダイクロイックミラー1105は、ダイクロイックミラー1104を透過した緑色光(G)を反射させ、青色光(B)を透過させる。
The
ダイクロイックミラー1104で反射した赤色光(R)は、反射ミラー1106で反射した後にリレーレンズ1205を経由して液晶ライトバルブ1210に入射する。ダイクロイックミラー1105で反射した緑色光(G)は、リレーレンズ1204を経由して液晶ライトバルブ1220に入射する。ダイクロイックミラー1105を透過した青色光(B)は、3つのリレーレンズ1201,1202,1203と2つの反射ミラー1107,1108とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ1230に入射する。
The red light (R) reflected by the
液晶ライトバルブ1210,1220,1230は、クロスダイクロイックプリズム1206の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ1210,1220,1230に入射した色光は、映像情報(映像信号)に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム1206に向けて射出される。
The liquid
このプリズムは、4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。
In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface thereof. The three color lights are synthesized by these dielectric multilayer films, and the light representing the color image is synthesized. The synthesized light is projected on the
液晶ライトバルブ1210は、上述した液晶装置100が適用されたものである。液晶装置100は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ1220,1230も同様である。
The liquid
このような投射型表示装置1000によれば、液晶ライトバルブ1210,1220,1230として、混色などが抑えられた液晶装置100を用いているため、高い表示品質が実現されている。
According to such a projection
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置100、液晶装置100の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
As described above in detail, according to the
(1)本実施形態の液晶装置100によれば、カラーフィルター層80の側壁80cに遮光膜90が設けられているので、液晶層15を介して、カラーフィルター層80に入射した光やカラーフィルター層80を経ずに通過した光が、表示領域23と隣り合う表示領域23に入り込むことを防ぐことができる。言い換えれば、不要な光を遮光膜90で遮光することができる。よって、カラーフィルター層80と絶縁層11との界面で屈折率の差によって光が散乱したり、混色及び光抜けしたりすることを防ぐことが可能となる。その結果、表示品質(コントラストなど)を向上させることができる。
(1) According to the
(2)本実施形態の液晶装置100によれば、遮光膜90がフローティング状態になっているので、例えば、カラーフィルター層80に金属系の物質が含まれている場合でも、遮光膜90とカラーフィルター層80とが接触することによるカラーフィルター層80に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。
(2) According to the
(3)本実施形態の液晶装置100の製造方法によれば、カラーフィルター溝部80aを含む第1基材10a上の全体に遮光膜前駆体膜90aを成膜した後、異方性エッチングを施すので、カラーフィルター溝部80aにおける底部の遮光膜前駆体膜90aが重点的に除去される。つまり、カラーフィルター溝部80aの起伏を利用して異方性エッチングを施すことにより、フォトマスクを新たに配置して遮光膜前駆体膜90aをエッチングする場合と比較して、合わせずれが生じず、自己整合的にカラーフィルター溝部80aの側壁80cに略均一な膜厚の遮光膜90を形成することができる。よって、開口率を向上させることができ、また、不要な光を遮光膜90で遮光させることができるので、混色したり光抜けしたりすることを防ぐことが可能となり、表示品質(コントラストなど)を向上させることができる。
(3) According to the method for manufacturing the
(4)本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置100を備えているので、表示品質の高い電子機器を提供することができる。
(4) According to the electronic apparatus of the present embodiment, since the
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。 The aspect of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification. It is included in the range. Moreover, it can also implement with the following forms.
(変形例1)
上記したように、カラーフィルター層80の遮光膜90は、カラーフィルター溝部80aの側壁80cに均一な膜厚に設けられていることに限定されず、例えば、図15に示すような形態でもよい。図15は、変形例の液晶装置110のカラーフィルター溝部80aの構造を示す模式断面図である。
(Modification 1)
As described above, the
図15に示すカラーフィルター層80は、カラーフィルター溝部80aの側壁80cの上部から下部に行くに従って膜厚が薄くなっている。例えば、異方性エッチング処理の製造ばらつきや、カラーフィルター溝部80aの側壁80cの角度ばらつきなどに起因して、このような形状になることが考えられる。少なくとも遮光膜190としては、膜厚のばらつきがあったとしても、図15に示すように、側壁80cの上部から下部に遮光膜190が残っている状態であればよい。
The
(変形例2)
上記したように、遮光膜90の材料は、アルミニウム(Al)などの金属材料であることに限定されず、例えば、塗布型のブラックマトリックスでもよい。
(Modification 2)
As described above, the material of the
(変形例3)
上記した電気光学装置は、液晶装置100であることに限定されず、例えば、カラーフィルターなどを備えた有機EL(Electro Luminescence)装置、電気泳動装置などの表示装置にも適用することができる。
(Modification 3)
The above-described electro-optical device is not limited to the
(変形例4)
上記したように、液晶装置100を投射型表示装置1000に用いることに限定されず、例えば、スマートフォン、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイ、EVF(Electrical View Finder)、小型プロジェクター、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
(Modification 4)
As described above, the
3a…走査線、3b…容量線、3c…下側遮光膜、6a…データ線、10…素子基板、10a…基板としての第1基材、11…絶縁層、11a…下地絶縁層、11b…第1層間絶縁層、11c…第2層間絶縁層、11d…第3層間絶縁層、11e…第4層間絶縁層、11f…パッシベーション層、11g…ゲート絶縁膜、14…シール材、15…電気光学層としての液晶層、16…容量素子、16a…第1容量電極、16b…第2容量電極、16c…誘電体層、18…遮光部、20…対向基板、20a…第2基材、22…データ線駆動回路、23…表示領域、23B…第3表示領域、23G…第2表示領域、23R…第1表示領域、24…走査線駆動回路、25…検査回路、26…上下導通部、27…画素電極、27a…第1画素電極、27b…第2画素電極、27c…第3画素領域、28…第1配向膜、29…配線、30…TFT、30a…半導体層、30c…チャネル領域、30d…画素電極側ソースドレイン領域、30d1…画素電極側LDD領域、30g…ゲート電極(走査線)、30s…データ線側ソースドレイン領域、30s1…データ線側LDD領域、31…共通電極、32…第2配向膜、33…平坦化層、CNT51,52,53,54…コンタクトホール、55…中継層、61…外部接続用端子、80…着色層としてのカラーフィルター層、80B…青色カラーフィルター層、80G…緑色カラーフィルター層、80R…赤色カラーフィルター層、80a…凹部としてのカラーフィルター溝部、80b…着色層、80c…側壁、80d…カラーフィルター形成領域、90,190…遮光膜、90a…遮光膜前駆体膜、100,110…液晶装置、1000…投射型表示装置、1100…偏光照明装置、1101…ランプユニット、1102…インテグレーターレンズ、1103…偏光変換素子、1104,1105…ダイクロイックミラー、1106,1107,1108…反射ミラー、1201,1202,1203,1204,1205…リレーレンズ、1206…クロスダイクロイックプリズム、1207…投射レンズ、1210,1220,1230…液晶ライトバルブ、1300…スクリーン。
3a ... scanning line, 3b ... capacitance line, 3c ... lower light shielding film, 6a ... data line, 10 ... element substrate, 10a ... first substrate as substrate, 11 ... insulating layer, 11a ... underlying insulating layer, 11b ... 1st interlayer insulation layer, 11c ... 2nd interlayer insulation layer, 11d ... 3rd interlayer insulation layer, 11e ... 4th interlayer insulation layer, 11f ... Passivation layer, 11g ... Gate insulation film, 14 ... Sealing material, 15 ... Electro-optical Liquid crystal layer as a layer, 16 ... capacitor element, 16a ... first capacitor electrode, 16b ... second capacitor electrode, 16c ... dielectric layer, 18 ... light-shielding part, 20 ... counter substrate, 20a ... second substrate, 22 ... Data line driving circuit, 23... Display area, 23B... Third display area, 23G... Second display area, 23R... First display area, 24 .. scanning line driving circuit, 25. ... Pixel electrode, 27a ... First pixel electrode, 27 2nd pixel electrode, 27c ... 3rd pixel region, 28 ... 1st alignment film, 29 ... wiring, 30 ... TFT, 30a ... semiconductor layer, 30c ... channel region, 30d ... source / drain region on the pixel electrode side, 30d1 ... pixel Electrode side LDD region, 30 g... Gate electrode (scanning line), 30 s... Data line side source / drain region, 30
Claims (9)
表示領域に対応して設けられた凹部と、前記凹部の側壁に設けられた遮光膜と、前記凹部の中を埋めるように設けられた第1着色層と、
前記表示領域に対応して設けられた電気光学層と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 On the board
A concave portion provided corresponding to the display region, a light shielding film provided on a side wall of the concave portion, a first colored layer provided to fill the concave portion,
An electro-optic layer provided corresponding to the display area;
An electro-optical device comprising:
前記遮光膜は、前記側壁の全周に設けられていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1,
The electro-optical device, wherein the light shielding film is provided on the entire circumference of the side wall.
前記遮光膜は、フローティング状態で配置されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1 or 2,
The electro-optical device, wherein the light shielding film is arranged in a floating state.
前記第1着色層の隣りに配置された第2着色層を有し、
前記第1着色層と前記第2着色層との間に、前記第1着色層及び前記第2着色層と離間して配置された配線が設けられていることを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device according to any one of claims 1 to 3,
A second colored layer disposed adjacent to the first colored layer;
An electro-optical device, wherein a wiring disposed apart from the first colored layer and the second colored layer is provided between the first colored layer and the second colored layer.
前記電気光学層は、液晶層であることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 4,
The electro-optical device, wherein the electro-optical layer is a liquid crystal layer.
前記絶縁層に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部の側壁に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、
前記遮光膜が設けられた前記凹部の中に着色層を形成する着色層形成工程と、
前記電気光学層を形成する電気光学層形成工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 An insulating layer forming step of forming an insulating layer on the substrate;
Forming a recess in the insulating layer;
A light shielding film forming step of forming a light shielding film on the sidewall of the recess;
A colored layer forming step of forming a colored layer in the recess provided with the light shielding film;
An electro-optic layer forming step of forming the electro-optic layer;
A method for manufacturing an electro-optical device.
前記遮光膜形成工程は、前記凹部を含む前記基板上の全体に前記遮光膜となる前の遮光膜前駆体膜を形成する遮光膜前駆体膜形成工程と、前記基板に異方性エッチング処理を施して、少なくとも前記凹部の底部にある前記遮光膜前駆体膜を除去する除去工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 6,
The light-shielding film forming step includes forming a light-shielding film precursor film before forming the light-shielding film on the entire substrate including the recess, and performing anisotropic etching on the substrate. And a removing step of removing at least the light-shielding film precursor film at the bottom of the concave portion.
前記電気光学層形成工程は、液晶層を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 A method of manufacturing the electro-optical device according to claim 6 or 7,
In the electro-optical layer forming step, a liquid crystal layer is formed.
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