JP2013216509A

JP2013216509A - 窒化物半導体層の製造方法および窒化物半導体成長用基板

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Publication number: JP2013216509A
Application number: JP2012086098A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Watanabe; 則之渡邉
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2012-04-05
Filing date: 2012-04-05
Publication date: 2013-10-24
Anticipated expiration: 2032-04-05
Also published as: JP5839479B2

Abstract

【課題】煩雑な工程を用いることなく、製造開始時に様々な基板が利用できる状態で、窒化物半導体の層が製造できるようにする。
【解決手段】所望の厚さに窒化物半導体層１０３を形成（成長）した後、加熱することでＩｎ化合物層１０２を選択的に融解させ、窒化物半導体層１０３より基板１０１を剥離する。例えば、基板１０１の裏面側から、Ｉｎ化合物層１０２で吸収される波長のレーザーを照射することで、Ｉｎ化合物層１０２を選択的に融解させることができる。
【選択図】図１Ｃ

Description

本発明は、より簡便な方法で窒化物半導体層の製造を可能にする窒化物半導体層の製造方法および窒化物半導体成長用基板に関する。

ＧａＮをはじめとした窒化物半導体は、ＩＩＩ族元素の混合比を変えることで０．７〜６．２ｅＶという広い範囲のエネルギーギャップを有する材料を得ることができるという特徴を有している。このバンドギャップ範囲は、いわゆる可視光の領域を完全に含んでいる。このような特徴を生かし、窒化物半導体は、発光ダイオード（ＬＥＤ）などに応用され、信号機や様々なディスプレイとして広く一般に使われている。

上述したような窒化物半導体を用いたＬＥＤなどの素子を形成する場合、ＧａＮをはじめとした窒化物半導体の層を、基板の上に形成することになる。このように、窒化物半導体層を基板上に形成する場合、これまでは、サファイア基板，ＳｉＣ基板，あるいはＳｉ基板といった、窒化物以外の材料から構成された基板を用いるのが一般的であった。

これに対し、近年ＧａＮ基板の製造技術が発展し、転位密度の少ないＧａＮ基板が提供されるようになっており、ＧａＮ基板を用いて窒化物半導体層を形成し、素子が製造されるようになっている。例えば、ブルーレイ（登録商標）プレーヤーなどに用いられるレーザーダイオード、照明用の白色発光ダイオードなど、高出力の発光デバイス向けの素子に、ＧａＮ基板が使われている。

ＧａＮ基板の製造法はいくつかあるが、ＧａＡｓ基板あるいはサファイア基板上にハイドライド気相成長法（Hydride Vapor Phase Epitaxy: HVPE）で、厚さ数百μｍのＧａＮ厚膜を成長し、この後、形成したＧａＮ厚膜より、基板を除去あるいは剥離し、ＧａＮ厚膜よりなるＧａＮ基板を製造する手法が広く用いられている。

元木健作、「窒化ガリウム基板の開発」ＳＥＩテクニカルレビュー、第１７５号、１０−１８頁、２００９年。大島祐一他、「ボイド形成剥離法によるGaN基板」、工学技術研究誌日立電線、Ｎｏ．２６、３１−３６頁、２００７年。

上述したＧａＮ基板の形成技術のうち、例えば非特許文献１では、ＧａＡｓ基板上にＨＶＰＥでＧａＮ厚膜を形成することで、ＧａＮ基板を製造している。ここに記載されている手法によれば、１）ＨＶＰＥ成長する前にＧａＡｓ基板へのフォトリソグラフィ工程を含み、かつ、２）ＨＶＰＥ成長後にＧａＡｓ基板を除去する機械的加工工程を含むことになり、製造法としては非常に煩雑になる。

一方、非特許文献２では、サファイア基板上にＨＶＰＥでＧａＮ厚膜を形成することでＧａＮ基板を製造している。この非特許文献２の技術では、１）サファイア基板上にＧａＮの「ボイド」を形成した後に自己形成的にＴｉＮナノマスクを形成する工程、２）ＨＶＰＥ成長後の冷却過程において、サファイアの熱膨張係数がＧａＮの熱膨張係数よりも大きいことと上記ボイドの存在により「自然に剥離」する工程、によりＧａＮ基板を製造している。この製造方法によれば、前述した非特許文献１の製造方法に比べて工程の煩雑さは少ない。

しかしながら、非特許文献２の技術は、基板の熱膨張係数がＧａＮよりも大きいことを前提とした手法であるため、例えば、製造出発時の基板としてＧａＮ基板を用いることによる高品質化を実施することは不可能である。また、Ｓｉの熱膨張係数はＧａＮよりも小さいために、基板の低コスト化のためにサファイアよりも価格の安いＳｉ基板を用いることも不可能である。

以上に説明したように、従来の技術では、窒化物半導体の層を形成するにあたり、工程が煩雑であり、また、製造開始時に用いる基板に制限があるという問題があった。

本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、煩雑な工程を用いることなく、製造開始時に様々な基板が利用できる状態で、窒化物半導体の層が製造できるようにすることを目的とする。

本発明に係る窒化物半導体層の製造方法は、酸素および窒素の少なくとも１つとＩｎとの化合物からなるＩｎ化合物層を基板の上に形成する工程と、Ｉｎ化合物層の上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させて窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層を形成した後で、加熱することでＩｎ化合物層を選択的に融解させて窒化物半導体層より基板を剥離する工程とを少なくとも備え、窒化物半導体層の形成では、少なくとも窒化物半導体層がＩｎ化合物層を覆うまでは、窒化物半導体層の形成雰囲気でＩｎ化合物層が蒸発する温度より低い温度条件とする。

上記窒化物半導体層の製造方法において、窒化物半導体層の形成は、ハイドライド気相成長法により行うとよい。また、窒化物半導体は、ＧａＮであればよい。

また、本発明に係る窒化物半導体成長用基板は、基板とこの基板の上に形成されたＩｎ化合物層とを備え、前記Ｉｎ化合物層は、酸素および窒素の少なくとも１つとＩｎとの化合物から構成されている。

以上説明したことにより、本発明によれば、煩雑な工程を用いることなく、製造開始時に様々な基板が利用できる状態で、窒化物半導体の層が製造できるようになるという優れた効果が得られる。

図１Ａは、本発明の実施の形態１における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図１Ｂは、本発明の実施の形態１における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図１Ｃは、本発明の実施の形態１における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図２Ａは、本発明の実施の形態２における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図２Ｂは、本発明の実施の形態２における窒化物半導体層の製造方法を説明するための写真である。図２Ｃは、本発明の実施の形態２における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図２Ｄは、本発明の実施の形態２における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図２Ｅは、本発明の実施の形態２における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図２Ｆは、本発明の実施の形態２における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図２Ｇは、本発明の実施の形態２における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ａは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ｂは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ｃは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ｄは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ｅは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ｆは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ｇは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ｈは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ｉは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。

以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。

［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１について、図１Ａ〜図１Ｃを用いて説明する。図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の実施の形態１における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図１Ａ〜図１Ｃは、各工程における状態を、模式的な断面で示している。

まず、図１Ａに示すように、基板１０１の上に、酸素および窒素の少なくとも１つとＩｎとの化合物からなるＩｎ化合物層１０２を形成する。基板１０１は、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃），ＳｉＣ，Ｓｉ，ＧａＮ，およびＧａＡｓなどの基板であればよい。また、Ｉｎ化合物層１０２は、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、窒化インジウムであればよい。また、Ｉｎ化合物層１０２は、酸窒化インジウム（ＩｎＮ_xＯ_y；０≦ｘ，ｙ≦１、ただしｘ，ｙは同時に０ではない）から構成されていてもよい。

Ｉｎ化合物層１０２は、例えば、スパッタ法により形成してもよく、また、窒化インジウムであれば、分子線エピタキシー法などの気相成長法により形成してもよい。また、金属インジウムを蒸着法で堆積した後、酸素雰囲気で加熱して金属インジウムを酸化させて酸化インジウムとし、Ｉｎ化合物層１０２を形成してもよい。このように、Ｉｎ化合物層１０２を形成した基板１０１をテンプレート基板（窒化物半導体成長用基板）とすることで、以下に説明するように窒化物半導体層を形成する。

図１Ｂに示すように、Ｉｎ化合物層１０２の上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させて窒化物半導体層１０３を形成する。例えば、よく知られたハイドライド気相成長法により、ＧａＮをエピタキシャル成長させることで、窒化物半導体層１０３を形成すればよい。窒化物半導体層１０３は、有機金属気相成長法で形成してもよく、また、分子線エピタキシー法で形成してもよい。ただし、ハイドライド気相成長法を用いることで、より高い成長速度で窒化物半導体層１０３が形成できる。

ここで、上述したような気相成長による窒化物半導体層１０３のエピタキシャル成長では、基板を加熱することになるが、この加熱温度を、少なくとも窒化物半導体層１０３がＩｎ化合物層１０２を覆うまでは、窒化物半導体層１０３の形成雰囲気でＩｎ化合物層１０２が蒸発する温度より低い温度条件とすることが重要となる。例えば、ＧａＮをエピタキシャル成長する場合、Ｉｎ化合物層１０２の融点以下であっても、Ｉｎ化合物層１０２が蒸発（気化）する場合がある。このため、窒化物半導体層１０３がＩｎ化合物層１０２を覆う状態となるまでは、Ｉｎ化合物層１０２が蒸発する温度より低い温度条件としておく。また、全てのＩｎ化合物層１０２が覆われる状態とした後は、より高温の条件として窒化物半導体層１０３のエピタキシャル成長を行うことが可能となる。成長温度をより高い温度とすることで、成長速度をより速くすることが可能となる。

以上のようにすることで、所望の厚さに窒化物半導体層１０３を形成（成長）した後、加熱することでＩｎ化合物層１０２を選択的に融解させ、図１Ｃに示すように、窒化物半導体層１０３より基板１０１を剥離する。例えば、基板１０１の裏面側から、Ｉｎ化合物層１０２で吸収される波長のレーザーを照射することで、Ｉｎ化合物層１０２を選択的に融解させることができる。なお、図１Ｃでは、融解させたＩｎ化合物層１０２の残渣は、窒化物半導体層１０３の側に存在するものとして示しているが、図示していないが、残渣は、基板１０１の側にも存在する。

以上に示したように、実施の形態１によれば、リソグラフィー技術で微細なパターンを形成し、また、機械的研磨を行うなどの煩雑な工程を用いることなく、簡便な工程で、様々な基板を用い、窒化物半導体の層が形成できる。例えば、形成する窒化物半導体層を、５００μｍ程度に厚く形成すれば、剥離した後の窒化物半導体層は、窒化物半導体基板として用いることができる。

［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２について、図２Ａ〜図２Ｇを用いて説明する。図２Ａ〜図２Ｇは、本発明の実施の形態２における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す説明図である。図２Ａ，図２Ｃ〜図２Ｇは、各工程における状態を、模式的な断面で示している。また、図２Ｂは、Ｉｎ化合物層の状態（表面）を偏光顕微鏡により観察した結果を示す写真である。

まず、図２Ａに示すように、基板２０１の上に、酸素および窒素の少なくとも１つとＩｎとの化合物からなるＩｎ化合物層２０２を形成する。基板２０１は、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃），ＳｉＣ，Ｓｉ，ＧａＮ，およびＧａＡｓなどの基板であればよい。また、Ｉｎ化合物層２０２は、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、窒化インジウムであればよい。また、Ｉｎ化合物層２０２は、酸窒化インジウム（ＩｎＮ_xＯ_y；０≦ｘ，ｙ≦１、ただしｘ，ｙは同時に０ではない）から構成されていてもよい。

Ｉｎ化合物層２０２は、例えば、スパッタ法により形成してもよく、また、窒化インジウムであれば、分子線エピタキシー法などの気相成長法により形成してもよい。また、金属インジウムを蒸着法で堆積した後、酸素雰囲気で加熱して金属インジウムを酸化させて酸化インジウムとし、Ｉｎ化合物層２０２を形成してもよい。

Ｉｎ化合物層２０２は、基板２０１の表面を覆って形成する必要はなく、島状の層に形成されていてもよい。上述したいずれの形成方法を用いても、適宜に条件を設定することで、複数の島状のＩｎ化合物の部分からなるＩｎ化合物層２０２が形成できる。例えば、有機金属気相成長法により、サファイア基板の上にＩｎＮを島状の層に形成（堆積）し、この後、酸素雰囲気で加熱処理することで、図２Ｂの写真に示すように、島状の酸窒化インジウムからなるＩｎ化合物層が形成できる。

上述したように、Ｉｎ化合物層２０２を形成した基板２０１をテンプレート基板（窒化物半導体成長用基板）とすることで、窒化物半導体層が形成できる。上述したように、島状のＩｎ化合物層２０２が形成されている状態で、例えば、ハイドライド気相成長法により、ＧａＮをエピタキシャル成長させると、まず、図２Ｃに示すように、島状のＩｎ化合物層２０２が核となり、Ｉｎ化合物層２０２の表面にＧａＮ２０３ａがエピタキシャル成長する。

上述したＧａＮ２０３ａの成長を続けると、ＧａＮ２０３ａは基板２０１の平面方向に成長していき、Ｉｎ化合物層２０２の各島部に成長していたＧａＮ２０３ａが、各々接触し、図２Ｄに示すように、連続したＧａＮ層２０３ｂとなる。引き続き成長を続けると、図２Ｅに示すように、表面が平坦な状態に窒化物半導体層２０３が形成されるようになる。ここで、ＧａＮ２０３ａの成長初期における成長温度は、Ｉｎ化合物層２０２が、蒸発せず融けない程度の温度範囲とする。図２Ｄに示したように、連続したＧａＮ層２０３ｂが形成され、Ｉｎ化合物層２０３が被覆された後は、成長温度を上げて成長速度を速くし、窒化物半導体層２０３を厚く形成する。

以上のようにして窒化物半導体層２０３をエピタキシャル成長した後、ハイドライド気相成長装置より基板２０１を取り出して冷却した後、図２Ｆに示すように、基板２０１の裏面より、レーザー２１１の照射を行い、Ｉｎ化合物層２０２を選択的に加熱して融解させる。例えば、酸窒化インジウムからなるＩｎ化合物層２０２が吸収する波長のレーザー２１１を照射すればよい。

レーザー照射による基板剥離は、サファイア基板上に成長したＧａＮ厚膜を剥離する手法としてよく知られている。この場合、融点２５００℃のＧａＮを融解させるため、レーザー照射パワーを非常に大きくする必要がある。これに対し、Ｉｎ化合物層２０２は、比較的低温で融解するので、必要なレーザー照射パワーを低くすることができる。例えば、窒化インジウムの融点は１１００℃であり、酸化インジウムの融点は２０００℃であり、酸窒化インジウムの融点は、窒化インジウムと酸化インジウムとの間の値となる。

以上のようにＩｎ化合物層２０２を選択的に融解させることで、図２Ｇに示すように、窒化物半導体層２０３より基板２０１を剥離する。図２Ｇでは、融解させたＩｎ化合物層２０２の残渣は、窒化物半導体層２０３の側に存在するものとして示しているが、図示していないが、残渣は、基板２０１の側にも存在する。

以上に示したように、実施の形態２によれば、リソグラフィー技術で微細なパターンを形成し、また、機械的研磨を行うなどの煩雑な工程を用いることなく、簡便な工程で、様々な基板を用い、窒化物半導体の層が形成できる。例えば、形成する窒化物半導体層を、５００μｍ程度に厚く形成すれば、剥離した後の窒化物半導体層は、窒化物半導体基板として用いることができる。

［実施の形態３］
次に、本発明の実施の形態３について、図３Ａ〜図３Ｉを用いて説明する。図３Ａ〜図３Ｉは、本発明の実施の形態３における窒化物半導体層の製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図３Ａ〜図３Ｉは、各工程における状態を、模式的な断面で示している。

まず、図３Ａに示すように、基板３０１の上に、酸素および窒素の少なくとも１つとＩｎとの化合物からなるＩｎ化合物層３０２を形成する。基板３０１は、サファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）基板である。また、Ｉｎ化合物層３０２は、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、窒化インジウムであればよい。また、Ｉｎ化合物層３０２は、酸窒化インジウム（ＩｎＮ_xＯ_y；０≦ｘ，ｙ≦１、ただしｘ，ｙは同時に０ではない）から構成されていてもよい。

Ｉｎ化合物層３０２は、例えば、スパッタ法により形成してもよく、また、窒化インジウムであれば、分子線エピタキシー法などの気相成長法により形成してもよい。また、金属インジウムを蒸着法で堆積した後、酸素雰囲気で加熱して金属インジウムを酸化させ、Ｉｎ化合物層３０２を形成してもよい。

Ｉｎ化合物層３０２は、基板３０１の表面を覆って形成する必要はなく、島状の層に形成されていてもよい。上述したいずれの形成方法を用いても、適宜に条件を設定することで、複数の島状のＩｎ化合物の部分からなるＩｎ化合物層３０２が形成できる。例えば、有機金属気相成長法により、サファイア基板の上にＩｎＮを島状の層に形成（堆積）し、この後、酸素雰囲気で加熱処理することで、島状の酸窒化インジウムからなるＩｎ化合物層が形成できる。

上述したＩｎ化合物層３０２を形成した基板３０１をテンプレート基板（窒化物半導体成長用基板）とし、実施の形態３では、以下に説明するように、ｎ型の窒化物半導体層を形成する。例えば、シリコンをドープすることでｎ型としたＧａＮを形成する。上述したように、島状のＩｎ化合物層３０２が形成されている状態で、例えば、有機金属気相成長法により、ｎ型のＧａＮをエピタキシャル成長させると、まず、図３Ｂに示すように、島状のＩｎ化合物層３０２が核となり、Ｉｎ化合物層３０２の表面にｎ−ＧａＮ３０３ａがエピタキシャル成長する。

上述したｎ−ＧａＮ３０３ａの成長を続けると、ｎ−ＧａＮ３０３ａは基板３０１の平面方向に成長していき、Ｉｎ化合物層３０２の各島部に成長していたｎ−ＧａＮ３０３ａが、各々接触し、図３Ｃに示すように、連続したｎ−ＧａＮ層３０３ｂとなる。引き続き成長を続けると、図３Ｄに示すように、表面が平坦な状態にｎ−ＧａＮ層（窒化物半導体層）３０３が形成されるようになる。ここで、ｎ−ＧａＮ３０３ａの成長初期における成長温度は、Ｉｎ化合物層３０２が、蒸発せず融けない程度の低温の温度範囲とする。図３Ｃに示したように、連続したｎ−ＧａＮ層３０３ｂが形成され、Ｉｎ化合物層３０２が被覆された後は、通常の成長温度とし、所定の層厚にｎ−ＧａＮ層３０３を形成する。

以上のようにしてｎ−ＧａＮ層３０３をエピタキシャル成長した後、引き続き、ｎ−ＧａＮ層３０３の上にノンドープのＩｎＧａＮをエピタキシャル成長し、ｐ型のＧａＮをエピタキシャル成長することで、図３Ｅに示すように、ｎ−ＧａＮ層３０３の上に活性層３０４を形成し、活性層３０４の上にｐコンタクト層３０５を形成する。ｎ−ＧａＮ層３０３，活性層３０４，およびｐコンタクト層３０５の積層構造により、発光ダイオードが構成される。活性層３０４を構成する窒化物半導体の各組成の比率を制御することで、所望とする発光波長が設計できる。

以上のようにして、発光ダイオードを構成する各窒化物半導体層をエピタキシャル成長して形成した後、有機金属気相成長装置より基板３０１を取り出して冷却する。次いで、図３Ｆに示すように、ｐコンタクト層３０５の上に反射膜となる金属層３０６を形成する。例えば、電子線蒸着法により金属を堆積することで、金属層３０６が形成できる。

次に、図３Ｇに示すように、高熱伝導性基板３０７を、金属層３０６に貼り付ける。高熱伝導性基板３０７は、例えば、Ｃｕ基板を用いればよい。高熱伝導性基板３０７は、上述した発光ダイオードが、高出力動作中に発生する熱を放熱する放熱手段となる。

次に、図３Ｈに示すように、基板３０１の裏面より、レーザー３１１の照射を行い、Ｉｎ化合物層３０２を選択的に加熱して融解させる。例えば、酸窒化インジウムからなるＩｎ化合物層３０２が吸収する波長のレーザー３１１を照射すればよい。

以上のようにＩｎ化合物層３０２を選択的に融解させることで、図３Ｉに示すように、ｎ−ＧａＮ層３０３より基板３０１を剥離する。実施の形態３では、発光ダイオードとなるｎ−ＧａＮ層３０３，活性層３０４，ｐコンタクト層３０５，および金属層３０６、ならびに高熱伝導性基板３０７からなる一体の構造体を、基板３０１より剥離する。なお、図３Ｉでは、融解させたＩｎ化合物層３０２の残渣は、ｎ−ＧａＮ層３０３の側に存在するものとして示しているが、図示していないが、残渣は、基板３０１の側にも存在する。

以上のようにして基板３０１を除去した後、ｎ−ＧａＮ層３０３の剥離した面にｎ電極を形成し、よく知られたダイシングなどによりチップ形状に切り出せば、発光ダイオードチップが得られる。ｎ電極は、電極形成部に開口部を有するレジストパターンを形成した後、電極金属材料を電子線蒸着により堆積し、この後、レジストパターンをリフトオフすることで形成すればよい。また、剥離面に存在するＩｎ窒化膜酸化膜の残渣を再利用し、例えば、残渣を加熱して酸化インジウムからなる透明電極として用いることも可能である。また、残渣にチタン蒸着し、これを加熱してＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とし、これを透明電極として用いることも可能である。

以上に示したように、実施の形態３によれば、簡便な工程で、様々な基板を用い、窒化物半導体の層を形成することで、窒化物半導体を用いた高出力の発光ダイオードが形成できる。

なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、Ｉｎ化合物層の上にエピタキシャル成長させる窒化物半導体層は、ＧａＮに限るものではなく、他の窒化物半導体であってもよいことは、言うまでもない。

１０１…基板、１０２…Ｉｎ化合物層、１０３…窒化物半導体層。

Claims

酸素および窒素の少なくとも１つとＩｎとの化合物からなるＩｎ化合物層を基板の上に形成する工程と、
前記Ｉｎ化合物層の上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させて窒化物半導体層を形成する工程と、
前記窒化物半導体層を形成した後で、加熱することで前記Ｉｎ化合物層を選択的に融解させて前記窒化物半導体層より前記基板を剥離する工程と
を少なくとも備え、
前記窒化物半導体層の形成では、少なくとも前記窒化物半導体層が前記Ｉｎ化合物層を覆うまでは、前記窒化物半導体層の形成雰囲気で前記Ｉｎ化合物層が蒸発する温度より低い温度条件とすることを特徴とする窒化物半導体層の製造方法。
請求項１記載の窒化物半導体層の製造方法において、
前記窒化物半導体層の形成は、ハイドライド気相成長法により行うことを特徴とする窒化物半導体層の製造方法。
請求項１または２記載の窒化物半導体層の製造方法において、
前記窒化物半導体は、ＧａＮであることを特徴とする窒化物半導体層の製造方法。
基板とこの基板の上に形成されたＩｎ化合物層とを備え、前記Ｉｎ化合物層は、酸素および窒素の少なくとも１つとＩｎとの化合物から構成されていることを特徴とする窒化物半導体成長用基板。