JP2013211405A - 半導体装置の製造方法及びレチクル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一部領域Rpに第1乃至第4の部分I〜IVを有し、第1乃至第4の部分I〜IVの各々にマスクパターン55を備えたレチクル50を用いて、ショット領域Rsの第1のコーナ部S1に第1の部分Iの投影像PIを重ねてフォトレジスト膜61に第1の部分Iのマスクパターン55を露光する工程と、ショット領域Rsの第2乃至第4のコーナ部S2〜S4の各々と第2乃至第4の部分II〜IVの各々の投影像PII〜PIVとを重ね、フォトレジスト膜61に第2乃至第4の部分II〜IVのマスクパターン55を露光する工程と、フォトレジスト膜61を現像する工程と、フォトレジスト膜61をマスクにして半導体基板60をエッチングし、パターン60aを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。
【選択図】図5
Description
図4は、第1実施形態で使用する露光装置の構成図である。
第1実施形態では、図5に示したように、レチクル50に一部領域Rpを一つだけ設けた。レチクルに設けられる一部領域Rpの個数はこれに限定されない。
本実施形態では、具体的な半導体装置の製造工程に第1実施形態の露光方法を適用する。その半導体装置として、以下ではMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを製造する。
一部領域と、第1の方向に延在する第1の仮想分割線と、前記第1の方向に垂直な方向である第2の方向に延在して前記第1の仮想分割線と前記一部領域内で交わる第2の仮想分割線とで前記一部領域を分割してなり、それぞれマスクパターンを有する前記第1乃至第4の部分とを備えたレチクルを用いて、前記第1のコーナ部に前記第1の部分の投影像を重ねることにより、前記フォトレジスト膜に前記第1の部分の前記マスクパターンを露光する工程と、
前記半導体基板と前記レチクルとを相対的に移動させることにより前記第2のコーナ部と前記第2の部分の投影像とを重ねて、前記フォトレジスト膜に前記第2の部分の前記マスクパターンを露光する工程と、
前記半導体基板と前記レチクルとを相対的に移動させることにより前記第3のコーナ部と前記第3の部分の投影像とを重ねて、前記フォトレジスト膜に前記第3の部分の前記マスクパターンを露光する工程と、
前記半導体基板と前記レチクルとを相対的に移動させることにより前記第4のコーナ部と前記第4の部分の投影像とを重ねて、前記フォトレジスト膜に前記第4の部分の前記マスクパターンを露光する工程と、
前記第1乃至第4の部分の各々の前記マスクパターンを露光した後、前記フォトレジスト膜を現像する工程と、
前記現像の後、前記フォトレジスト膜をマスクにして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記マスクパターンに対応したパターンを形成する工程と、
前記パターンを形成した後、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
それぞれ同時に前記ショット領域に隣接する他のショット領域にも前記マスクパターンを露光することを特徴とする付記1又は付記2に記載の半導体装置の製造方法。
前記パターンを位置合わせマークとして使用することにより、前記レジストパターンと前記パターンとの位置ずれ量を測定する工程とを更に有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程とを更に有することを特徴とする付記6に記載の半導体装置の製造方法。
前記熱酸化膜を通じて前記半導体基板に不純物をイオン注入することにより、前記半導体基板にウェルを形成する工程と、
前記ウェルを形成した後に、前記熱酸化膜を除去する工程と、
前記熱酸化膜を除去した後、前記半導体基板に素子分離溝を形成する工程と、
前記素子分離溝に素子分離絶縁膜を形成する工程とを更に有することを特徴とする付記7に記載の半導体装置の製造方法。
前記一部領域を、第1の方向に延在する第1の仮想分割線と、前記第1の方向に垂直な方向である第2の方向に延在し前記一部領域内で前記第1の仮想分割線と交わる第2の仮想分割線とで分割してなり、それぞれマスクパターンを有する第1乃至第4の部分とを備え、
前記第1の仮想分割線及び第2の仮想分割線の交点は、半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の矩形状のショット領域のいずれかの頂点に対応することを特徴とするレチクル。
前記複数の一部領域はそれぞれ異なるマスクパターンを有することを特徴とする付記9に記載のレチクル。
Claims (8)
- 半導体基板の上に、第1乃至第4のコーナ部を有する矩形状のショット領域ごとに露光が行われるフォトレジスト膜を形成する工程と、
一部領域と、第1の方向に延在する第1の仮想分割線と、前記第1の方向に垂直な方向である第2の方向に延在して前記第1の仮想分割線と前記一部領域内で交わる第2の仮想分割線とで前記一部領域を分割してなり、それぞれマスクパターンを有する前記第1乃至第4の部分とを備えたレチクルを用いて、前記第1のコーナ部に前記第1の部分の投影像を重ねることにより、前記フォトレジスト膜に前記第1の部分の前記マスクパターンを露光する工程と、
前記半導体基板と前記レチクルとを相対的に移動させることにより前記第2のコーナ部と前記第2の部分の投影像とを重ねて、前記フォトレジスト膜に前記第2の部分の前記マスクパターンを露光する工程と、
前記半導体基板と前記レチクルとを相対的に移動させることにより前記第3のコーナ部と前記第3の部分の投影像とを重ねて、前記フォトレジスト膜に前記第3の部分の前記マスクパターンを露光する工程と、
前記半導体基板と前記レチクルとを相対的に移動させることにより前記第4のコーナ部と前記第4の部分の投影像とを重ねて、前記フォトレジスト膜に前記第4の部分の前記マスクパターンを露光する工程と、
前記第1乃至第4の部分の各々の前記マスクパターンを露光した後、前記フォトレジスト膜を現像する工程と、
前記現像の後、前記フォトレジスト膜をマスクにして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記マスクパターンに対応したパターンを形成する工程と、
前記パターンを形成した後、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の仮想分割線と前記第2の仮想分割線との交点を前記ショット領域のいずれかの頂点に位置合わせして、前記第1乃至第4の部分のマスクパターンをそれぞれ露光することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1乃至第4の部分の前記マスクパターンを露光する工程は、
それぞれ同時に前記ショット領域に隣接する他のショット領域にも前記マスクパターンを露光することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記パターンをアライメントマークとして使用することにより、前記半導体基板と露光装置との位置合わせを行う工程を更に有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パターンを形成する工程の後に、前記半導体基板の上にレジストパターンを形成する工程と、
前記パターンを位置合わせマークとして使用することにより、前記レジストパターンと前記パターンとの位置ずれ量を測定する工程とを更に有することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1乃至第4の部分の各々の前記マスクパターンを露光する前において、前記ショット領域の下の前記半導体基板の表面は無地であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 一部領域を備えた透明基板と、
前記一部領域を、第1の方向に延在する第1の仮想分割線と、前記第1の方向に垂直な方向である第2の方向に延在し前記一部領域内で前記第1の仮想分割線と交わる第2の仮想分割線とで分割してなり、それぞれマスクパターンを有する第1乃至第4の部分とを備え、
前記第1の仮想分割線及び第2の仮想分割線の交点は、半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜の矩形状のショット領域のいずれかの頂点に対応することを特徴とするレチクル。 - 前記レチクルは前記一部領域を複数有し、
前記複数の一部領域はそれぞれ異なるマスクパターンを有することを特徴とする請求項7に記載のレチクル。
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CN111045290A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 共享对准层光罩的方法 |
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