JP2013207438A - マルチバンドアンテナ装置の設計方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1ステップでは、グランド導体9に対するローバンド用放射素子11およびハイバンド用放射素子12の配置を決定するとともに、放射素子分岐回路を含めた各部の電気長を決定する。第2ステップでは、分岐点BPとローバンド用放射素子11との間の第1電気長、分岐点BPとハイバンド用放射素子12との間の第2電気長、分岐点BPと給電点FPとの間の第3電気長をそれぞれ定めて、ローバンドの共振周波数、ハイバンドの共振周波数および反共振周波数を決定する。第3ステップでは、給電回路32と給電点FPとの間に装荷するVSWR改善用インピーダンス変換素子31を定める。
【選択図】図2
Description
(b)ハイバンドの放射効率
(c)反共振周波数
(d)ローバンドの共振周波数
(e)ハイバンドの共振周波数
ここで、「ローバンドの放射効率」とはλ/4の基本モードで励振している放射モードでの効率、「ハイバンドの放射効率」とは3λ/4の高調波モードで励振している放射モードでの効率である。「反共振周波数」とは放射素子長がλ/2となる周波数のことであり、給電点からみるとオープンとなり、電力効率が最低となる周波数のことである。
前記ローバンド用放射素子の第1端を前記グランド導体に近い側、第2端を前記グランド導体より遠い側に配置するようにし、前記ハイバンド用放射素子の第1端を前記グランド導体に近い側、第2端を前記グランド導体より遠い側に配置するようにして、前記ローバンド用放射素子および前記ハイバンド用放射素子の形状を設定するとともに、前記放射素子分岐回路の給電点から前記ローバンド用放射素子の第2端までの第1電気長、前記給電点から前記ハイバンド用放射素子の第2端までの第2電気長、ならびに、前記放射素子分岐回路が有する分岐点から前記給電点までの第3電気長を決定する第1ステップと、
前記第1電気長および前記第3電気長によりローバンドの共振周波数が所定値になり、前記第2電気長および前記第3電気長によりハイバンドの共振周波数が所定値になり、前記第1電気長および前記第2電気長により反共振周波数が所定値になるように、前記第1電気長、前記第2電気長および前記第3電気長を決定する第2ステップと、
給電回路と前記給電点との間に装荷されるVSWR(Voltage Standing Wave Ratio:電圧定在波比)改善用インピーダンス変換素子の素子値を、前記ローバンドの共振周波数および前記ハイバンドの共振周波数におけるVSWRが所定値を満足するように決定する第3ステップと、
を有することを特徴としている。
チップアンテナの実装スペース、グランド導体からの距離、開放端(第2端)の位置等を考慮しつつ、ローバンド用放射素子11の第1端111をグランド導体9に近い側、第2端112をグランド導体9より遠い側にし、ハイバンド用放射素子12の第1端121をグランド導体9に近い側、第2端122をグランド導体9より遠い側にして、ローバンド用放射素子11およびハイバンド用放射素子12の形状を設定する。また、放射素子分岐回路30の給電点FPからローバンド用放射素子11の第2端112までの第1電気長P1、給電点FPからハイバンド用放射素子12の第2端122までの第2電気長P2、ならびに、放射素子分岐回路30が有する分岐点BPから給電点FPまでの第3電気長P3を決定する。
分岐点BPとローバンド用放射素子11との間に第1リアクタンス素子X1、分岐点BPとハイバンド用放射素子12との間に第2リアクタンス素子X2、分岐点BPと給電点FPとの間に第3リアクタンス素子X3をそれぞれ装荷して、第1電気長P1(第1リアクタンス素子を含む電気長)および第3電気長P3(第3リアクタンス素子を含む電気長)によりローバンドの共振周波数fL を決定し、第2電気長P2(第2リアクタンス素子を含む電気長)および第3電気長P3によりハイバンドの共振周波数fH を決定し、第1電気長P1および第2電気長P2により反共振周波数faを決定する。換言すると、第1電気長P1および第3電気長P3によりローバンドの共振周波数fL が所定値になり、第2電気長P2および第3電気長P3によりハイバンドの共振周波数fH が所定値になるようにし、且つローバンドのリターンロスの値(深さ)とハイバンドのリターンロスの値(深さ)がほぼ等しくなるように、第1リアクタンス素子X1、第2リアクタンス素子X2および第3リアクタンス素子X3のそれぞれの素子値を決定する。
給電回路32と給電点FP(第3リアクタンス素子X3)との間に、VSWR改善用インピーダンス変換素子31を装荷して、ローバンドの共振周波数fL およびハイバンドの共振周波数fH におけるVSWRを改善する。換言すると、所定のVSWRを満足するようなVSWR改善用インピーダンス変換素子31の素子値を決定する。
アンテナの共振周波数が所定値でなければ、第1リアクタンス素子X1、第2リアクタンス素子X2および第3リアクタンス素子X3の素子値を微調整して第2ステップへ戻る。
FP…給電点
P1…第1電気長
P2…第2電気長
P3…第3電気長
X1…第1リアクタンス素子
X2…第2リアクタンス素子
X3…第3リアクタンス素子
8…基材
9…グランド導体
10…誘電体素体
11…ローバンド用放射素子
12…ハイバンド用放射素子
30…放射素子分岐回路
31…VSWR改善用インピーダンス変換素子
32…給電回路
50,50P…チップアンテナ
60…プリント配線板
100,100P…マルチバンドアンテナ装置
111…ローバンド用放射素子の第1端
112…ローバンド用放射素子の第2端
121…ハイバンド用放射素子の第1端
122…ハイバンド用放射素子の第2端
Claims (3)
- 第1端が放射素子分岐回路に接続され第2端が開放されたローバンド用放射素子と、第1端が前記放射素子分岐回路に接続され第2端が開放されたハイバンド用放射素子と、前記ローバンド用放射素子および前記ハイバンド用放射素子とともに共振動作するグランド導体とを備えたマルチバンドアンテナ装置の設計方法であって、
前記ローバンド用放射素子の第1端を前記グランド導体に近い側、第2端を前記グランド導体より遠い側に配置するようにし、前記ハイバンド用放射素子の第1端を前記グランド導体に近い側、第2端を前記グランド導体より遠い側に配置するようにして、前記ローバンド用放射素子および前記ハイバンド用放射素子の形状を設定するとともに、前記放射素子分岐回路の給電点から前記ローバンド用放射素子の第2端までの第1電気長、前記給電点から前記ハイバンド用放射素子の第2端までの第2電気長、ならびに、前記放射素子分岐回路が有する分岐点から前記給電点までの第3電気長を決定する第1ステップと、
前記第1電気長および前記第3電気長によりローバンドの共振周波数が所定値になり、前記第2電気長および前記第3電気長によりハイバンドの共振周波数が所定値になり、前記第1電気長および前記第2電気長により反共振周波数が所定値になるように、前記第1電気長、前記第2電気長および前記第3電気長を決定する第2ステップと、
給電回路と前記給電点との間に装荷される電圧定在波比改善用インピーダンス変換素子の素子値を、前記ローバンドの共振周波数および前記ハイバンドの共振周波数における電圧定在波比が所定値を満足するように決定する第3ステップと、
を有することを特徴とする、マルチバンドアンテナ装置の設計方法。 - 前記第3ステップの後に、アンテナの共振周波数が所定値でなければ、前記第1電気長、前記第2電気長および前記第3電気長を微調整して前記第2ステップへ戻る反復ステップを有する請求項1に記載のマルチバンドアンテナ装置の設計方法。
- 前記ローバンド用放射素子の第2端と前記ハイバンド用放射素子の第2端とは、容量を介して互いに結合されていて、
前記第2ステップにて、前記容量を加味して第1電気長、第2電気長および第3電気長を決定する、請求項1または2に記載のマルチバンドアンテナ装置の設計方法。
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