JP2013206937A

JP2013206937A - 配線基板およびその製造方法

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Publication number: JP2013206937A
Application number: JP2012071384A
Authority: JP
Inventors: Yoshitaka Shiga; 美隆志賀
Original assignee: Kyocera SLC Technologies Corp
Current assignee: Kyocera SLC Technologies Corp
Priority date: 2012-03-27
Filing date: 2012-03-27
Publication date: 2013-10-07

Abstract

【課題】貫通孔が設けられた絶縁板の貫通孔内をめっき導体で充填するとともに絶縁板の上下面にめっき導体から成る配線導体を備えた配線基板において、絶縁板の両主面で安定した厚みの配線導体を有する配線基板を提供すること。
【解決手段】第１の主面Ｓ１と第１の主面Ｓ１の反対側の第２の主面Ｓ２とを有するとともに第１の主面Ｓ１と第２の主面Ｓ２との間を第１の主面Ｓ１側から第２の主面Ｓ２側に向けて径が小さくなるテーパー形状で貫通する複数の貫通孔７を有する絶縁板１と、セミアディティブ法により被着され、貫通孔７内を充填するとともに第１の主面Ｓ１および第２の主面Ｓ２に延在する配線導体４とを有する配線基板１０であって、配線導体４は、第１の主面Ｓ１において、幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まず、第２の主面Ｓ２において、ベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板およびその製造方法に関するものである。

従来、配線基板として、絶縁板に例えばテーパー状の複数の貫通孔を設け、これらの貫通孔内をめっき導体で充填するとともに絶縁板の上下面に同じめっき導体から成る配線導体をサブトラクティブ法により形成した配線基板が知られている。

しかしながら、このような配線基板では、貫通孔内を充填するめっき導体と絶縁板の上下面のめっき導体とが同じめっき導体から成るため、貫通孔内を十分に充填するだけのめっき導体を形成しようとすると絶縁板の上下面にも例えば厚みが４０μｍ程度の厚いめっき導体が形成されてしまう。このように絶縁板の上下面に形成されるめっき導体の厚みが４０μｍ程度と厚いと、これらのめっき導体層をサブトラクティブ法によりエッチングして形成される配線導体の幅および間隔としては、配線導体の幅で５０μｍ程度、配線導体同士の間隔で６０μｍ程度が限界となり、それ以上に細い幅および狭い間隔の配線導体をサブトラクティブ法で形成することは困難である。したがって、このような従来の配線基板においては、例えば配線導体の幅および間隔が３０μｍ以下の高密度配線を有する薄型の配線基板を得ることはできなかった。

そこで、本願出願人は、特願２０１０−１８５８０３において、上下面を有する絶縁板にその上下面間を貫通する貫通孔を設け、次に少なくとも貫通孔内およびその周囲の上下面に貫通孔を充填する第１のめっき導体を被着させ、次に第１のめっき導体をエッチングして上下面の第１のめっき導体を除去するとともに、少なくとも貫通孔の上下方向の中央部を充填するように第１のめっき導体を残し、次に貫通孔内の第１のめっき導体よりも外側の部分を充填するとともに上下面で配線導体を形成する第２のめっき導体をセミアディティブ法により形成する配線基板の製造方法を提案した。

しかしながら、この特願２０１０−１８５８０３において提案した方法によると、貫通孔内およびその周囲の絶縁板の上下面に、貫通孔を充填する第１のめっき導体を被着させた後、この第１のめっき導体を一旦エッチングして絶縁板上下面の第１のめっき導体を除去するとともに貫通孔の上下方向の中央部に第１のめっき導体を残し、その上から第２のめっき導体をセミアディティブ法により再度被着させるので、工程が煩雑になるという問題があった。

そこで、本発明者は、第１のめっき導体を被着させる工程を省くとともに、セミアディティブ法における電解めっき工程において、貫通孔に対する充填性の良好なめっき液を用いるとともに電流密度を高くしてめっきを行なうことにより、一回の電解めっきにより貫通孔内を充填するとともに絶縁板の上下面に配線導体用のめっき導体を被着させることを試みた。

しかしながら、貫通孔に対する充填性の良好なめっき液を用いるとともに電流密度を高くしてめっきを行なうと、絶縁板の上下面に被着される配線導体用のめっき導体の厚みに大きなバラツキが発生して、絶縁板の上下面に所定厚みの配線導体を安定して形成することが困難であった。そこで、本発明者は、鋭意研究の結果、貫通孔がテーパー状である場合、絶縁基板の上下面において貫通孔の開口径が大きな側で配線基板用のめっき導体の厚みバラツキが大きくなりやすいこと、およびグランドや電源用のベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の信号用の細い帯状の配線パターンとが混在する場合、これらのベタ状の配線パターンと帯状の配線パターンとでめっき導体の厚みバラツキが大きくなりやすいことを突き止め、本発明を案出するに至った。

特開２００２−４３７５２号公報特開２０１２−４４０８１号公報

本発明は、貫通孔が設けられた絶縁板の貫通孔内をめっき導体で充填するとともに絶縁板の上下面にめっき導体から成る配線導体を備えた配線基板において、安定した厚みの配線導体を有する配線基板を提供することを目的とするものである。

本発明の配線基板は、第１の主面と該第１の主面の反対側の第２の主面とを有するとともに前記第１の主面と前記第２の主面との間を、前記第１の主面側から前記第２の主面側に向けて径が小さくなるテーパー形状で貫通する複数の貫通孔を有する絶縁板と、セミアディティブ法により被着されており、前記貫通孔内を充填するとともに前記第１の主面および前記第２の主面に延在する配線導体とを有する配線基板であって、前記配線導体は、前記第１の主面において、幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まず、前記第２の主面において、ベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとを含むことを特徴とするものである。

また、本発明の配線基板の製造方法は、第１の主面と該第１の主面の反対側の第２の主面とを有する絶縁板に、前記第１の主面と前記第２の主面との間を貫通する複数の貫通孔を、前記第１の主面側から前記第２の主面側に向けて径が小さくなるテーパー形状となるように形成する工程と、前記貫通孔を充填するとともに前記第１の主面および前記第２の主面に延在する配線導体をセミアディティブ法により形成する工程と、を行なう配線基板の製造方法であって、前記配線導体は、前記第１の主面において、幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まず、前記第２の主面において、ベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとを含むことを特徴とするものである。

本発明の配線基板によれば、配線導体用のめっき導体の厚みバラツキが大きくなりやすいテーパー形状の貫通孔の径が大きな側の第１の主面における配線導体を幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まないものとし、反対側の第２の主面における配線導体をベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとを含むものとしたことから、第１の主面において貫通孔の径が大きいことに起因する配線導体の厚みバラツキを、第１の主面側の配線導体を幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まないものとすることにより相殺し、第２の主面においては、第２の主面側の配線導体をベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとが混在するものとすることに起因する配線導体の厚みバラツキを貫通孔の径を小さくすることにより相殺し、その結果、第１および第２の主面における配線導体の厚みバラツキを小さいものとすることができる。

また、本発明の配線基板の製造方法によれば、絶縁板の第１の主面側から第２の主面側に向けて径が小さくなるテーパー形状となるように貫通孔を形成した後、第１の主面に幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まない配線導体を形成するとともに、反対側の第２の主面にベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとを含む配線導体を形成したことから、第１の主面において貫通孔の径が大きいことに起因する配線導体の厚みバラツキを、第１の主面側の配線導体を幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まないものとすることにより相殺し、第２の主面においては、第２の主面側の配線導体をベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとが混在するものとすることに起因する配線導体の厚みバラツキを貫通孔の径を小さくすることにより相殺し、その結果、第１および第２の主面における配線導体の厚みバラツキを小さいものとすることができる。

図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。図２（ａ）〜（ｄ）は、図１に示す配線基板を本発明の製造方法にしたがって製造する方法を説明するための工程毎の概略断面図である。図３（ｅ）〜（ｈ）は、図１に示す配線基板を本発明の製造方法にしたがって製造する方法を説明するための工程毎の概略断面図である。

次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を図１を基に説明する。図１において、１は絶縁板、２は絶縁層、３は絶縁基板、４，５は配線導体、６はソルダーレジスト層である。

図１に示すように、本例の配線基板１０は、絶縁板１の第１の主面Ｓ１および第２の主面Ｓ２に絶縁層２が積層された絶縁基板３の上面から下面にかけて配線導体４，５が配設されており、さらにその上下面にソルダーレジスト層６が被着されている。

絶縁板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた電気絶縁材料から成る。絶縁板１の厚みは４０〜２００μｍ程度である。

絶縁板１には、第１の主面Ｓ１その反対側の第２の主面Ｓ２にかけて貫通する複数の貫通孔７が形成されている。貫通孔７は、その径が第１の主面Ｓ１から第２の主面Ｓ２に向けて小さくなるテーパー形状であり、第１の主面Ｓ１におけるの開口径が８０〜１００μｍ程度、第２の主面Ｓ２における開口径が３０〜６０μｍ程度である。第１の主面Ｓ１側の開口径と第２の主面Ｓ２側の開口径との差は２０〜５０μｍ程度が好ましい。

絶縁板１の貫通孔７内および両主面Ｓ１，Ｓ２には、貫通孔７内を充填するようにしてセミアディティブ法により形成された銅めっきから成る配線導体４が被着形成されている。この絶縁板１の両主面Ｓ１，Ｓ２の配線導体４は、厚みが１０〜２５μｍ程度であり、第１の主面Ｓ１側にいて、幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まず、第２の主面Ｓ２側において、ベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとを含むように形成されている。具体的には、第１の主面Ｓ１側における配線導体４は、グランドや電源用のベタ状の配線パターンと、貫通孔７を覆う幅が６０μｍを超える接続用の配線パターンとにより構成されており、第２の主面Ｓ２側における配線導体４は、グランドや電源用のベタ状の配線パターンと、貫通孔７を覆う幅が６０μｍを超える接続用の配線パターンと、幅が５０μｍ以下の信号用の配線パターンとにより構成されている。このような構成とするには、幅が５０μｍ以下の配線を必要とする信号用の配線パターンを第２の主面Ｓ２上で引き回して展開し、それを貫通孔７に充填された配線導体４を介して第１の主面Ｓ１に設けた幅が６０μｍ以上の接続用の配線パターンに接続するようにすればよい。

本発明の配線基板１０においては、このように貫通孔７の径が絶縁板１の第１の主面Ｓ１側から第２の主面Ｓ２側に向けて小さくなるテーパー形状であるとともに、第１の主面における配線導体４を幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まないものとし、反対側の第２の主面における配線導体４をベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとを含むものとしたことが重要である。これにより、絶縁板１の第１の主面Ｓ１において貫通孔７の径が大きいことに起因する配線導体４の厚みバラツキを、第１の主面Ｓ１側の配線導体４を幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まないものとすることにより相殺し、第２の主面においては、第２の主面側の配線導体をベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとが混在するものとすることに起因する配線導体４の厚みバラツキを貫通孔７の径を小さくすることにより相殺し、その結果、絶縁板１の両主面Ｓ１，Ｓ２における配線導体４の厚みバラツキを平均化して小さいものとすることができる。

絶縁層２は、絶縁板１と同様なガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた電気絶縁材料から成る。あるいは、ガラスクロスを用いずに、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂に酸化ケイ素粉末等の絶縁フィラーを分散させて硬化させた電気絶縁材料から成る。絶縁層２の厚みは、２０〜６０μｍ程度である。

絶縁層２には、絶縁板１の両主面Ｓ１，Ｓ２に被着された配線導体４を底面とする複数の貫通孔８が形成されている。貫通孔８は、その径が絶縁基板３の外側から内側に向けて小さくなるテーパー形状であり、絶縁基板３の外側の開口径が８０〜１００μｍ程度、内側の開口径が３０〜６０μｍ程度である。

絶縁層２の貫通孔８内および絶縁板１と反対側の表面には、貫通孔８内を充填するようにしてセミアディティブ法により形成された銅めっきから成る配線導体５が被着形成されている。この絶縁層２の表面の配線導体５は、厚みが１０〜２５μｍ程度であり、例えば第２の主面Ｓ２側における一部が半導体素子等の電子部品と接続するための電子部品接続パッド５ａを形成しており、第１の主面Ｓ１側における一部が電気回路基板の配線導体に接続される外部接続パッド５ｂを形成している。

ソルダーレジスト層６は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂に酸化ケイ素粉末等の絶縁フィラーを分散させて硬化させた電気絶縁材料から成り、電子部品接続パッド５ａや外部接続パッド５ｂを露出させる開口部を有している。ソルダーレジスト層６は、厚みが２５〜５０μｍ程度である。

次に、上述の配線基板１０を本発明の製造方法により製造する実施形態の一例を添付の図２（ａ）〜（ｄ）および図３（ｅ）〜（ｈ）を基に説明する。なお、これらの図２（ａ）〜（ｄ）および図３（ｅ）〜（ｈ）では、配線基板１０となる領域の一つのみを示しており、実際には大型の基板中に配線基板１０となる領域が縦横の並びに多数配列されてその周りに捨て代領域を有する多数個取り基板の形態で製造される。

まず、図２（ａ）に示すように、第１の主面Ｓ１および第２の主面Ｓ２を有する絶縁板１を準備する。絶縁板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁板１の厚みは１５０〜２５０μｍ程度である。このような絶縁板１は、ガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化させたプリプレグの両面に厚みが２〜１８μｍ程度の金属箔を被着させたものを熱硬化させた後、両面の金属箔をエッチング除去することにより得られる。このとき、金属箔の絶縁板１側の面に微細な凹凸を設けておくと、絶縁板１の露出面にも微細な凹凸を形成することができ、それにより絶縁板１の上下面にめっき導体を極めて強固に被着させることができる。

次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁板１の第１の主面Ｓ１から第２の主面Ｓ２にかけて貫通する貫通孔７を形成する。貫通孔７は、第１の主面Ｓ１側の径Ｄ１が第２の主面Ｓ２側の径Ｄ２よりも大きくなるように形成する。具体的には、径Ｄ１を８０〜１００μｍ程度、径Ｄ２を３０〜６０μｍ程度とする。また、径Ｄ１と径Ｄ２との差は２０〜５０μｍ程度とする。このような貫通孔７を形成するためには、レーザ加工による穿孔方法を採用すればよい。レーザ加工では、貫通孔７におけるレーザの入射側の開口径が出射側の開口径よりも大きくなる。したがって、第１の主面Ｓ１の側からレーザ加工することにより、貫通孔７は第１の主面Ｓ１側の径Ｄ１が第２の主面Ｓ２側の径Ｄ２よりも大きいテーパー形状となる。貫通孔７がこのようにテーパー形状であると、貫通孔７の内部をめっき導体で良好に充填することが容易となる。なお、貫通孔７を形成した後には、デスミア処理をすることが好ましい。

次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁板１の両主面Ｓ１，Ｓ２および貫通孔７内壁に厚みが０．１〜１．０μｍ程度の薄い無電解めっき層４ａを被着させる。無電解めっき層４ａは、後述する電解めっき導体４ｂの下地金属として機能し、例えば、無電解銅めっき層が好適に用いられる。

次に、図２（ｄ）に示すように、絶縁板１の両主面Ｓ１，Ｓ２に被着させた無電解めっき層４ａの上にめっきレジストＭ１，Ｍ２を形成する。第１の主面Ｓ１側のめっきレジストＭ１は、第１の主面にＳ１に被着される配線導体４のパターンに対応したパターンの開口部Ａ１を有している。す第２の主面Ｓ２側のめっきレジストＭ２は、第２の主面Ｓ２に被着される配線導体４のパターンに対応したパターンの開口部Ａ２を有している。なわち、開口部Ａ１は、幅が６０μｍ以下の開口パターンを含まず、ベタ状の開口パターンと幅が６０μｍを超える開口パターンとにより構成され、開口部Ａ２は、ベタ状の開口パターンと幅が５０μｍ以下の開口パターンとを含むように構成されている。このようなめっきレジストＭ１，Ｍ２は、感光性を有するドライフィルムレジストを無電解めっき層４ａが被着された両主面Ｓ１，Ｓ２上に貼着するとともに周知のフォトリソグラフィ技術を採用して開口部Ａ１，Ａ２を有するように露光および現像することにより形成される。

次に、図３（ｅ）に示すように、めっきレジストＭ１，Ｍ２の開口部Ａ１，Ａ２内に露出する無電解めっき層４ａの表面に配線導体４用の電解めっき導体４ｂを被着させる。電解めっき導体４ｂとしては、電解銅めっきが好適に用いられる。なお、電解めっき導体４ｂは、貫通孔７内を完全に充填するとともに、両主面Ｓ１、Ｓ２における厚みが１０〜２５μｍ程度となる厚みに被着する。このとき、第１の主面Ｓ１において貫通孔７の径が大きいことに起因する電解めっき導体４ｂの厚みバラツキを、第１の主面Ｓ１側の開口部Ａ１を幅が６０μｍ以下の開口パターンを含まないものとすることにより相殺し、第２の主面Ｓ２においては、開口部Ａ２をベタ状の開口パターンと幅が５０μｍ以下の開口パターンとが混在するものとすることに起因する電解めっき導体４ｂの厚みバラツキを貫通孔７の径を小さくすることにより相殺し、その結果、絶縁板１の両主面Ｓ１，Ｓ２における電解めっき導体４ｂの厚みバラツキを小さいものとすることができる。なお、電解めっきを行なう際の電流密度を第１の主面Ｓ１側で大きく、第２の主面Ｓ２側で小さいものとして電解めっきを行なうと、貫通孔７の第１の主面Ｓ１側を電解めっき導体４ｂで良好に充填することが容易となるとともに、第２の主面側における電解めっき導体４ｂの厚みバラツキを良好に抑制することができる。したがって、電解めっきを行なう際の電流密度を第１の主面Ｓ１側で大きく、第２の主面Ｓ２側で小さいものとして電解めっきを行なうことが好ましい。具体的には、第１の主面Ｓ１側で４０〜５０Ａ／ｄｍ^２、第２の主面Ｓ２側で２５〜３５Ａ／ｄｍ^２とし、第１の主面Ｓ１側が第２の主面Ｓ２側よりも１０〜２０Ａ／ｄｍ^２大きな電流密度で電解めっきを行なうことが好ましい。

次に、図３（ｆ）に示すように、めっきレジストＭ１，Ｍ２を除去する。めっきレジストＭ１，Ｍ２の除去は、アルカリ性のレジスト剥離液を用いてめっきレジストＭ１，Ｍ２を剥離することにより行なわれる。

次に、図３（ｇ）に示すように、電解めっき導体４ｂから露出する無電解めっき層４ａをエッチング除去する。これによって、貫通孔７を充填するとともに絶縁板１の両主面Ｓ１，Ｓ２に被着された配線導体４が形成される。このような配線導体４の形成方法は、セミアディティブ法と呼ばれるものであり、下地金属である無電解めっき層４ａの上に、配線導体４に対応したパターンの電解めっき導体４ｂを選択的に析出させた後、電解めっき導体ｂから露出する下地の無電解めっき層４ａをエッチング除去することにより配線導体４を形成するので、微細な幅および間隔の配線導体４であっても形成可能である。このとき、上述したように、電解めつき導体４ｂは、第１の主面Ｓ１において貫通孔７の径が大きいことに起因する電解めっき導体４ｂの厚みバラツキを、第１の主面Ｓ１側の開口部Ａ１を幅が６０μｍ以下の開口パターンを含まないものとすることにより相殺し、第２の主面Ｓ２においては、開口部Ａ２をベタ状の開口パターンと幅が５０μｍ以下の開口パターンとが混在するものとすることに起因する電解めっき導体４ｂの厚みバラツキを貫通孔７の径を小さくすることにより相殺し、その結果、絶縁板１の両主面Ｓ１，Ｓ２における電解めっき導体４ｂの厚みバラツキを小さいものとなっていることから、電解めっき導体４ｂから露出する下地の無電解めっき層４ａをエッチング除去して形成された配線導体４においても厚みバラツキが小さいものとなる。

最後に、図３（ｈ）に示すように、配線導体４が形成された絶縁板１の両主Ｓ１，Ｓ２面に絶縁層２および配線導体５を常法により形成した後、その表面にソルダーレジスト層６を形成することで、配線基板１０が完成する。かくして本発明によれば、絶縁板の第１および第２の主面における配線導体の厚みバラツキを小さい配線基板を製造することができる。

次に本発明の実施例について説明する。まず、ガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸してなる絶縁板の両面に銅箔が貼着された両面銅張り板を準備した。両面銅張り板は、縦横の寸法がそれぞれ５００ｍｍ、６００ｍｍであり、絶縁板の厚みが１００μｍ、銅箔の厚みがそれぞれ３μｍのものとした。

この両面銅張り板の中央部に、縦横の寸法がそれぞれ４２．５ｍｍの個別の配線基板となるの領域を間に幅が０．２５ｍｍの切断代を挟んで縦１０列、横１２列の配列で設定するとともに、両面銅張り板の残余の外周部を捨て代領域として設定した。

次に、両面銅張り板の捨て代領域に銅箔が枠状のパターンに残るようにして残余の銅箔をエッチング除去した。

次に、銅箔がエッチング除去された各配線基板となる領域に、一方の主面側からレーザ加工することにより、一方の主面側から他方の主面側に向けて径が小さくなるテーパー形状の貫通孔を４５万５６４０個ずつ形成した。各貫通孔の一方の主面側における開口径は８０〜１００μｍ程度、他方の主面における開口径は３０〜６０μｍ程度とした。

次に、貫通孔が形成された絶縁板をデスミア処理した後、常法に従って、貫通孔内を含む表面に厚みが０．１〜１．０μｍの無電解銅めっき層を被着させた。

次に、無電解銅めっき層が被着された絶縁板の両主面に、各配線基板となる領域の配線導体に対応するパターンの開口部を有するめっきレジスト層を形成した。各配線基板となる領域において、貫通孔の開口径が大きな一方の主面側のめっきレジスト層は、グランド用および電源用のベタ状の開口パターンと直径が１２０μｍのランド用の円形または涙滴形状の開口パターンと幅が８０μｍの帯状の開口パターンとから構成し、貫通孔の開口径が小さな他方の主面側のめっきレジスト層は、グランド用および電源用のベタ状の開口パターンと直径が１２０μｍのランド用の円形または涙滴形状の開口パターンと幅が２０μｍの帯状の開口パターンおよび幅が３０μｍの帯状の信号用の開口パターンとから構成した。

次に、めっきレジスト層の開口部から露出する無電解銅めっき層上に電解銅めっきを被着させて貫通孔内を充填するとともに、各配線基板となる領域の両主面に配線導体用の電解銅めっき導体を形成した。電解銅めっきを施すためのめっき液は、銅濃度が５５ｇ／ｌであり、貫通孔の開口径が大きな一方の主面側の電流密度を４５Ａ／ｄｍ^２、貫通孔の開口径が小さな他方の主面側の電流密度を３３Ａ／ｄｍ^２として、７５分間電解銅めっきを行なった。

次に、めっきレジスト層をアルカリ性の剥離液で剥離除去した後、電解銅めっき層から露出する無電解銅めっき層が消失するまで銅のエッチングを行なって各配線基板となる領域の両主面に下地の無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成る配線導体を形成し、本発明による試料とした。

これとは別に、絶縁板の他方の主面側からレーザ加工することにより、他方の主面側から一方の主面側に向けて径が小さくなるようにテーパー形状の貫通孔を形成した以外は、上述の実施例の場合と同様にして配線導体を形成したものを比較のための試料として用意した。

次に、本発明による試料および比較のための試料ついて、配線基板となる領域のうち、絶縁板の中央および四隅に位置する５つの領域における一方の主面側および他方の主面側における配線導体の厚みのバラツキを測定した。その結果を表１に示す。

表１に示すように、比較のための試料では、配線導体の厚みバラツキが一方の主面側で１．９μｍと小さいものの、他方の主面側では１９．５μｍと極めて大きいことが分かる。これに対して、本発明による試料では、配線導体の厚みバラツキは一方の主面側では５．０μｍであり、比較のための試料における一方の主面側の配線導体の厚みバラツキよりも大きいものの、他方の主面側においては、８．７μｍであり、比較のための試料における他方の主面側の配線導体の厚みバラツキに対して大幅に小さいものとなっており、これらの両面におけバラツキを併せて考えた場合、バラツキの大きさとしては大幅に改善されていることが分かる。

１絶縁板
４配線導体
７貫通孔
Ｓ１第１の主面
Ｓ２第２の主面

Claims

第１の主面と該第１の主面の反対側の第２の主面とを有するとともに前記第１の主面と前記第２の主面との間を、前記第１の主面側から前記第２の主面側に向けて径が小さくなるテーパー形状で貫通する複数の貫通孔を有する絶縁板と、セミアディティブ法により被着されており、前記貫通孔内を充填するとともに前記第１の主面および前記第２の主面に延在する配線導体とを有する配線基板であって、前記配線導体は、前記第１の主面において、幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まず、前記第２の主面において、ベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとを含むことを特徴とする配線基板。
第１の主面と該第１の主面の反対側の第２の主面とを有する絶縁板に、前記第１の主面と前記第２の主面との間を貫通する複数の貫通孔を、前記第１の主面側から前記第２の主面側に向けて径が小さくなるテーパー形状となるように形成する工程と、前記貫通孔を充填するとともに前記第１の主面および前記第２の主面に延在する配線導体をセミアディティブ法により形成する工程と、を行なう配線基板の製造方法であって、前記配線導体は、前記第１の主面において、幅が６０μｍ以下の配線パターンを含まず、前記第２の主面において、ベタ状の配線パターンと幅が５０μｍ以下の配線パターンとを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
前記セミアディティブ法において電解めっきを行なう際の電流密度を前記第１の主面側よりも前記第２の主面側で小さいものとすることを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。