JP2013205671A - 集積回路装置、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】集積回路装置100は、電気光学パネル12のソース線16を駆動するソースドライバー部110と、集積回路装置100の外部の昇圧回路210−1、210−2に対して昇圧制御を行う電源制御回路120と、ソースドライバー部110と電源制御回路120とを制御する制御部130と、電気光学パネル12のゲート線14を駆動するゲートドライバー220の電源電圧VGH、VGLを生成する外部の昇圧回路210−1、210−2に対して、昇圧用クロック信号VCKH、VCKLが出力される昇圧用クロック端子TVCKH、TVCKLと、昇圧基準電圧VSH、VSLが出力される昇圧基準電圧端子TVSH、TVSLとを含む。
【選択図】図4
Description
図1に、本実施形態の集積回路装置により駆動される電気光学パネル(EPD(Electrophoretic Display)パネル、電気泳動パネル)の画素の基本的な構成例を示す。図1に示すように、EPDパネルの画素20は、電気泳動マイクロカプセル30、画素選択トランジスター22、保持容量24、画素電極26、対向電極(共通電極)28を含む。画素選択トランジスター22は、ゲート線(走査線)14がゲートに接続され、ソース線(データ線)16がソースに接続され、ドレインが保持容量24及び画素電極26に接続されている。EPDパネルは、複数の画素20、複数のゲート線14及び複数のソース線16を含む。後述するように、ゲート線14はゲートドライバー220により駆動され、ソース線16は本実施形態の集積回路100が有するソースドライバー部110により駆動される。
図4に、本実施形態の集積回路装置100及び電気光学装置200の基本的な構成例を示す。図4に示す集積回路装置100は、ソースドライバー部110、電源制御回路120、制御部130、温度検出部140、波形情報記憶部150、ホストI/F(インターフェース)部160、昇圧用クロック端子TVCKH、TVCKL、昇圧基準電圧端子TVSH、TVSLを含む。電気光学装置200は、電気光学パネル(電気泳動パネル、EPDパネル)12、集積回路装置100、第1、第2の昇圧回路210−1、210−2、ゲートドライバー220、温度検出素子230を含む。なお、本実施形態の集積回路装置100及び電気光学装置200は図4の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
図8に、本実施形態の電子機器300の実装の一例を示す。電子機器300は、電気光学装置200、ホスト装置310、主基板MB、フレキシブル基板FLX、ガラス基板GLSを含む。電気光学装置200は、電気光学パネル12、集積回路装置100、ゲートドライバー220、昇圧回路210−1、210−2を含む。なお、本実施形態の電子機器300は図8の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
20 画素、24 保持容量、26 画素電極、28 対向電極、
30 マイクロカプセル、31 流体、32 黒粒子、33 白粒子、
100 集積回路装置、110 ソースドライバー部、120 電源制御回路、
130 制御部、140 温度検出部、150 波形情報記憶部、
160 ホストI/F部、200 電気光学装置、
210−1、210−2 第1、第2の昇圧回路、220 ゲートドライバー、
230 温度検出素子、300 電子機器、310 ホスト装置、320 操作部、
330 記憶部、340 通信部、
TVCKH、TVCKL 昇圧用クロック端子、
VCKH、VCKL 昇圧用クロック信号、TVSH、TVSL 昇圧基準電圧端子、
VSH、VSL 昇圧基準電圧、VGH、VGL ゲートドライバーの電源電圧
Claims (14)
- 電気光学パネルのソース線を駆動するソースドライバー部と、
集積回路装置の外部の昇圧回路に対して昇圧制御を行う電源制御回路と、
前記ソースドライバー部と前記電源制御回路とを制御する制御部と、
前記電気光学パネルのゲート線を駆動するゲートドライバーの電源電圧を生成する前記昇圧回路に対して、前記電源制御回路により昇圧用クロック信号が出力される昇圧用クロック端子と、
前記昇圧回路に対して、前記電源制御回路により昇圧基準電圧が出力される昇圧基準電圧端子とを含むことを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1において、
前記電源制御回路は、前記ソースドライバー部の高電位側電源電圧を前記昇圧基準電圧として、前記昇圧基準電圧端子に対して出力することを特徴とする集積回路装置。 - 請求項2において、
前記電源制御回路は、前記ソースドライバー部の低電位側電源電圧を、前記昇圧基準電圧として、前記昇圧基準電圧端子に対して出力することを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記ソースドライバー部は、
前記ゲートドライバーを構成するトランジスターの耐圧よりも低い耐圧のトランジスターにより構成されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記昇圧回路は、
前記昇圧基準電圧端子と第1のノードとの間に設けられる第1のダイオードと、
前記第1のノードと電圧出力ノードとの間に設けられる第2のダイオードと、
前記昇圧用クロック端子と前記第1のノードとの間に設けられる第1のキャパシターと、
前記電圧出力ノードと接地ノードとの間に設けられる第2のキャパシターとを有し、
前記電源制御回路は、
前記昇圧基準電圧端子を介して前記昇圧基準電圧を供給することで、前記第1のキャパシターと前記第2のキャパシターとを充電し、
前記昇圧用クロック端子を介して前記昇圧用クロック信号を供給することで、前記第1のキャパシターに蓄積された電荷を前記第2のキャパシターに移動させ、
前記第2のキャパシターの電荷が増加することで、前記電圧出力ノードの電圧が上昇し、前記ゲートドライバーの電源電圧が生成されることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項5において、
前記電源制御回路は、
前記昇圧回路が有する前記第1のダイオード及び前記第2のダイオードの順方向電圧の温度による変化を補償する電圧振幅を有する前記昇圧用クロック信号を、前記昇圧用クロック端子に対して出力することを特徴とする集積回路装置。 - 請求項5又は6において、
集積回路装置の外部の温度検出素子を用いて環境温度の検出を行う温度検出部を含み、
前記電源制御回路は、
前記温度検出部の検出結果に基づいて、電圧振幅が変化する前記昇圧用クロック信号を、前記昇圧用クロック端子に対して出力することを特徴とする集積回路装置。 - 請求項7において、
前記昇圧基準電圧をVSHとし、前記昇圧用クロック信号の電圧振幅をVAとし、前記第1のダイオード及び前記第2のダイオードの順方向電圧をVFとし、前記昇圧回路が生成する前記ゲートドライバーの電源電圧をVGHとし、
前記ゲートドライバーの電源電圧VGHが、VGH=VSH+VA−2×VFと表される場合に、
前記電源制御回路が、前記温度検出部の検出結果に基づいて前記昇圧用クロック信号の前記電圧振幅VAを変化させることで、前記順方向電圧VFの温度による変化を補償することを特徴とする集積回路装置。 - 請求項7又は8において、
前記電気光学パネルは、電気泳動パネルであることを特徴とする集積回路装置。 - 請求項9において、
前記温度検出素子は、前記電気泳動パネル用温度検出素子であって、
前記電気泳動パネルの表示状態を第1の表示状態から第2の表示状態に変化させる駆動波形情報を記憶する波形情報記憶部を含み、
前記制御部は、前記温度検出部の検出結果に基づいて、環境温度に対応する前記駆動波形情報を選択し、
前記ソースドライバー部は、選択された前記駆動波形情報に基づいて、前記電気泳動パネルの前記ソース線を駆動することを特徴とする集積回路装置。 - 請求項7乃至10において、
前記制御部は、
環境温度に対応する補正情報を格納するレジスターを有し、
前記制御部は、
前記温度検出部の検出結果と前記補正情報とに基づいて、前記昇圧用クロック信号の振幅電圧を設定する電圧設定情報を出力し、
前記電源制御回路は、
前記電圧設定情報に基づいて前記昇圧用クロック信号の振幅電圧を生成するレギュレーターと、
前記レギュレーターにより生成された前記振幅電圧に基づいて、前記昇圧用クロック信号を生成する昇圧用クロック生成回路とを有することを特徴とする集積回路装置。 - 請求項1乃至11のいずれかに記載の集積回路装置と、
前記ゲートドライバーと、
前記集積回路装置及び前記ゲートドライバーにより駆動される前記電気光学パネルと、
前記昇圧回路とを含むことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項12に記載の電気光学装置と、
前記集積回路装置に接続されたホスト装置とを含むことを特徴とする電子機器。 - 請求項13において、
前記電気光学パネルは、ガラス基板上に形成され、
前記集積回路装置は、前記ガラス基板上に実装され、
前記昇圧回路は、前記ホスト装置が実装された主基板と前記ガラス基板とを接続するフレキシブル基板上に設けられることを特徴とする電子機器。
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