JP2013202775A - 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜基材上にポリウレタン樹脂フィルムを研磨層として有する研磨パッドであって、前記研磨層が研磨スラリー保持部と研磨スラリー流路部からなり、前記研磨スラリー保持部が気泡を有しているのに対し、研磨スラリー流路部は気泡を有しておらず、更に前記研磨層が、ポリウレタン樹脂フィルム全質量に対し、0.5〜6質量%の疎水性球状シリカを含むことを特徴とする研磨パッド、により上記課題は解決される。
【選択図】図1
Description
特に、ベアシリコン、半導体デバイス、磁気ディスクの仕上げ研磨工程では、研磨量、研磨平坦性に優れると共に、研磨傷(ディフェクトあるいはスクラッチともいう)の発生を抑えることが望まれる。従来、仕上げ研磨工程は、湿式ウレタン樹脂フィルムを研磨層とする研磨パッドが用いられてきた(例えば特許文献1、2参照)が、ディフェクトの発生の問題がある。
また仕上げ研磨工程に用いる研磨パッドには、研磨の終点を光学的、視覚的に検出をするための光透過部を設けることが以前から提案されており、例えば、透光性を付与できる熱可塑性樹脂を使用して光透過部を設けることや(特許文献3)、研磨スラリー用の溝部を光透過性にすること(特許文献4、5)が提案されている。
また、カーボンブラックの添加及び発泡構造によりポリウレタン樹脂フィルムが不透過性になるため、研磨の終点を光学的、視覚的に検出する領域を設けるためには、一部の研磨層を切除する必要があった。研磨層の一部削除することは、研磨パッドの作製工程を煩雑にすると共に、ウインドウ部材の接合部分より液漏れするなどの問題を生じさせる。
一方、カーボンブラックを添加しないと成膜性が悪く、均一な発泡形状が得にくいという問題がある。
そこで本発明はかかる欠点を克服し、研磨傷の少ない研磨を可能とする仕上げ用研磨パッドを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、研磨傷の少ない研磨を可能としかつ液漏れのない終点検出領域を有する仕上げ用研磨パッドを提供することを目的とする。
(1)成膜基材上にポリウレタン樹脂フィルムを研磨層として有する研磨パッドであって、
前記研磨層が研磨スラリー保持部と研磨スラリー流路部からなり、前記研磨スラリー保持部が気泡を有しているのに対し、前記研磨スラリー流路部は気泡を有しておらず、
更に前記研磨層が、ポリウレタン樹脂フィルム全質量(固形分質量)に対し、0.5〜6質量%の疎水性球状シリカを含むことを特徴とする研磨パッド。
(2)研磨スラリー流路部の少なくとも一部に、可視光に対する吸光度が60%未満の光透過領域を有することを特徴とする、上記(1)記載の研磨パッド。
(3)ポリウレタン樹脂が220℃以下の流動開始温度を有する、上記(1)または(2)記載の研磨パッド。
(4)疎水性球状シリカが、表面がアルキル化されたシリカである、上記(1)〜(3)のいずれか一に記載の研磨パッド。
(5)成膜基材上にポリウレタン樹脂フィルムを研磨層として有する研磨パッドの製造方法であって、
ポリウレタン樹脂と、前記ポリウレタン樹脂フィルム全質量(固形分質量)に対し、0.5〜6質量%の疎水性球状シリカとを溶媒に溶解した樹脂溶液を形成し、
前記樹脂溶液を湿式凝固法により成膜基材上に成膜させて研磨層を作成し、
前記研磨層の一部をエンボス加工することにより気泡の無い研磨スラリー流路部を作成する、
ことを特徴とする研磨パッドの製造方法。
また、本発明の研磨パッドは、カーボンブラックを含まず、更に研磨スラリー流路部に気泡が無いため、流路部が光透過性となり、それにより、研磨層の一部を切除することなく、研磨の終点を確認することができるという効果を奏する。
1.研磨パッド
本発明の研磨パッドの1つの態様は、成膜基材上にポリウレタン樹脂フィルムを研磨層として有する研磨パッドであって、
前記研磨層が研磨スラリー保持部と研磨スラリー流路部からなり、前記研磨スラリー保持部が気泡を有しているのに対し、研磨スラリー流路部は気泡を有しておらず、
更に前記研磨層が、ポリウレタン樹脂フィルム全質量に対し、0.5〜6質量%の疎水性球状シリカを含むことを特徴とする研磨パッド、である。
ポリウレタン樹脂の種類に特に制限はなく、種々のポリウレタン樹脂の中から使用目的に応じて選択すればよい。例えば、ポリエステル系、ポリエーテル系、又はポリカーボネート系の樹脂を用いることできる。
ポリエステル系の樹脂としては、エチレングリコールやブチレングリコール等とアジピン酸等とのポリエステルポリオールと、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート等のジイソシアネートとの重合物が挙げられる。ポリエーテル系の樹脂としては、ポリテトラメチレンエーテルグリコールやポリプロピレングリコール等のポリエーテルポリオールと、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート等のイソシアネートとの縮合物が挙げられる。ポリカーボネート系の樹脂としては、ポリカーボネートポリオールと、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート等のイソシアネートとの重合物が挙げられる。これらの樹脂は、DIC(株)製の商品名「クリスボン」や、三洋化成工業(株)製の商品名「サンプレン」、大日精化工業(株)製の商品名「レザミン」など、市場で入手可能な樹脂を用いてもよく、所望の特性を有する樹脂を自ら製造してもよい。
本発明の研磨層は、ポリウレタン樹脂からなる場合、例えば、0.3〜3.0mmの厚さであり、更に0.3〜2.0mmの厚さであることが好ましい。
疎水性球状シリカの平均粒径は、例えば、5〜55nmであることが好ましく、5〜25nmであることが更に好ましい。
シリカには、様々な多形があり、代表的なものは,低温型の石英(三方晶系)、高温型石英(六方晶系、いわゆる水晶)、トリディマイト(斜方晶系、六方晶系)、クリストバル石(正方晶系、立方晶系)のほか、高圧変態としてコーサイト(coesite、単斜晶系)、スティショフ石(正方晶系、ルチル構造)などがある。また非晶質の石英ガラスのほかコロイド状のシリカゲル(コロイダルシリカ)、水熱条件下でつくられるキタイト(シリカKともいう。正方晶系)、SiOの酸化によるシロキサン鎖をもつ繊維状シリカW、ヒュームドシリカなどがあるが、本発明では発泡助剤、凝集低減の観点から、特にヒュームドシリカあるいはコロイダルシリカから選択される球状シリカが好ましい。
また、本発明において、球状シリカの表面は疎水性を有する。シリカ表面の疎水化方法は特に限定せず、シリカ表面に疎水性を付与されたものを適宜採用するが、例えば、表面をアルキル化処理することにより付与することができる。アルキル基は通常炭素数1〜20程度のものが挙げられ、それらの具体例としては例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数1〜4の低級アルキル基、アミノプロピル基、オクタデシル基などの基が挙げられる。本実施例ではメチル基によるものを使用する。シリカの製造方法は、四塩化珪素を酸水素炎中で高温加水分解することにより製造される。製造されたシリカは脱塩化水素工程、冷却工程を経て嵩密度を調整する。
疎水性の度合いは水にメタノールを滴下し、シリカが完全に湿潤した時のメタノール濃度であるM値(vol.%)により表す。値が大きいほど疎水性が高い。M値(vol.%)は30〜80であることが好ましく、40〜70であることが更に好ましい。
添加剤は、好ましくは、成膜助剤、発泡抑制助剤からなる群より選択される。
成膜助剤としては、疎水性活性剤等が挙げられる。疎水性活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、パーフルオロアルキルエチレンオキサイド付加物、グリセリン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステルなどのノニオン系界面活性剤や、アルキルカルボン酸などのアニオン系界面活性剤が挙げられる。
発泡抑制助剤としては、親水性活性剤等が挙げられる。親水性活性剤としては、例えば、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、燐酸エステル塩等のアニオン界面活性剤が挙げられる。
本明細書において、研磨スラリーとは、研磨パッドを用いて半導体ウェハ等の被研磨面を研磨する際に用いる研磨剤と他の添加剤を含む研磨スラリーを意味する。
研磨スラリー保持部とは、前述の研磨剤等を含む研磨スラリーを保持して被研磨面を研磨することができる、研磨パッドの本来の機能を有する領域を意味する。
研磨スラリー流路部とは、研磨パッドと被研磨面への研磨スラリーの供給を行うための溝領域を意味する。通常、溝幅0.005〜3.0mm、溝深さ0.1〜2.0mm、研磨スラリー保持部(ランド)0.1〜5.0mm程度で研磨パッドの研磨面に格子状、あるいは同心円状に配置されているが、本発明はこれに制限されるものではない。研磨においてスラリーを研磨面に供給あるいは研磨面から排出する機能を有する領域であればよい。
研磨スラリー保持部(ランド)の研磨層に占める面積比は30〜90%が好ましく、40〜85%であることが更に好ましい。
本発明の研磨層は、通常の湿式凝固法により成膜されたポリウレタン樹脂フィルムであるため、湿式凝固法により形成された気泡を有している。すなわち、湿式凝固法により得られる特徴的な、断面が涙状の連続気泡を有している。
一方、研磨スラリー流路部は、ポリウレタン樹脂フィルム形成後、エンボス加工を行って形成するため、疎水性球状シリカと樹脂の間の空隙(気泡)が埋まり、気泡を実質的に有さない。気泡の有無については、SEMもしくはCCDで断面観察画像から目視にて確認することができる。
前記気泡の無い研磨スラリー流路部の少なくとも一部または全部を、研磨の終点を光学的、視覚的に検出をするための光透過領域として使用することができる。光透過領域の吸光度は60%未満が好ましく、40%未満がより好ましく、10%未満が更に好ましい。吸光度が60%以上であると検出精度が低下するため好ましくない。
凝固価とは、樹脂含有溶液の樹脂が1質量%になるように次工程の樹脂含有溶液で使用される溶媒で希釈した希釈樹脂含有溶液を作成し、この溶液100gを25℃に温度調整しながら、スターラーで攪拌しつつ、25℃の貧溶媒を滴下し、ポリウレタン樹脂がゲル化して白濁が消えなくなる点に到達するのに要した滴下水量(ml)で表される。本発明において貧溶媒は溶解度を下げるような溶媒と定義することができる。ポリウレタン樹脂に対する貧溶媒の例としては、水、低級アルコール、低炭素数のケトン類等が挙げられ、水であることが好ましい。
ポリウレタン樹脂は、凝固価が上記範囲内であると、スラリーとの親和性が高く、スラリー循環がスムーズとなるため好ましい。
A硬度が上記の範囲より小さくなると、弾性が極度に大きくなるため被研磨物と接触した際にパッド自体が大きく変形し、平坦化性能が悪くなる。一方で上記の範囲より大きくなると、弾性が欠如することによりディフェクトが発生するようになる。
本発明の研磨パッドの製造方法は、成膜基材上にポリウレタン樹脂フィルムを研磨層として有する研磨パッドの製造方法であって、以下の工程を含む。
(a)ポリウレタン樹脂と、前記ポリウレタン樹脂フィルム全質量(固形分質量)に対し0.5〜6質量%の疎水性球状シリカとを溶媒に溶解した樹脂溶液を形成する工程、
(b)−前記樹脂溶液を湿式凝固法により、成膜基材上に成膜させてポリウレタン樹脂フィルムを形成する工程
(c)−前記ポリウレタン樹脂フィルムの一部をエンボス加工することにより気泡の無いスラリー流路部を作成する工程。
本発明の方法は更に、(b)工程と(c)工程の間に、成膜したポリウレタン樹脂フィルムの表面に形成されたスキン層側に表面研削を施す工程を行ってもよい。
各工程について説明する。
湿式凝固法とは、ポリウレタン樹脂フィルム形成用組成物(ポリウレタン樹脂と疎水性球状シリカを少なくとも含む)を含む溶液から成膜基材上に膜を形成する方法であって、塗工工程、凝固工程及び洗浄乾燥工程を含む成膜方法である。
塗工工程は、ポリウレタン樹脂フィルム形成用組成物を含む溶液を、ナイフコーター、リバースコーター等により成膜基材上に略均一となるように、連続的に塗布する工程である。
凝固液としては、水、水とDMF等の極性溶媒との混合溶液などが用いられる。中でも、水又は水とDMF等の極性溶媒との混合溶液が好ましい。極性溶媒としては、ポリウレタン樹脂を溶解するのに用いた水混和性の有機溶媒、例えばDMF、DMAc、THF、DMSO、NMP、アセトンが挙げられる。また、混合溶媒中の極性溶媒の濃度は0.5〜30質量%が好ましい。
凝固液の温度や浸漬時間に特に制限はなく、例えば5〜80℃で5〜60分間浸漬すればよい。
洗浄処理により、ポリウレタン樹脂中に残留する有機溶媒が除去される。洗浄に用いられる洗浄液としては、水が挙げられる。
洗浄後、ポリウレタン樹脂を乾燥処理する。乾燥処理は従来行われている方法で行えばよく、例えば80〜150℃で5〜60分程度乾燥機内で乾燥させればよい。乾燥後の成膜樹脂は、ロール状に巻き取られる。上記の工程を経て、ポリウレタン樹脂フィルムを得ることができる。
エンボス加工とは2枚の金属プレス板の間に、エンボスパターンを有する金型と、樹脂製の基材が貼り合わされた樹脂製シートとが挟まれ、一定の温度および圧力下で一定時間プレスされる方法である。金型を除去したときに研磨面側に形成したエンボス形状に対応した凹凸が形成される。加工条件は使用する樹脂の性状で適宜決定すればよいが、例えばエンボス金型を140〜180℃の温度に加熱し、4.5〜9.0MPaの圧力で120〜180秒間プレスすればよい。
エンボス加工の形状に特に制限はなく、例えば、格子型、同心円型、放射型などの形状が挙げられる。
上で述べたとおり、本発明ではエンボス加工により気泡の無い流路部を作製するために、ポリウレタン樹脂の流動開始温度が220℃以下であることが好ましく、150〜220℃であることが更に好ましい。前記範囲外であると疎水性球状シリカと樹脂の間の空隙(気泡)が埋まらず、気泡を十分に除去できないからである。
研削処理の方法に特に制限はなく、公知の方法により研削することができる。具体的には、サンドペーパーによる研削が挙げられる。
研削する場合には、50〜300μm、好ましくは50〜250μm程度研削する。
本発明の研磨パッドにより加工される被研磨物としては、ベアシリコン、半導体デバイス、磁気ディスクなどが挙げられる。中でも、本発明の研磨パッドは、半導体デバイスの仕上げ研磨に特に適しており好ましい。
下記表1に示すように、樹脂100%モジュラス7.8のポリエステル系ポリウレタン樹脂(30部)及びDMF(70部)を含む溶液100部に、別途DMF60部、及び疎水性球状シリカ(平均粒径7nm、疎水性:M値(vol.%)=48)0.9部(ポリウレタン樹脂全質量に対し3質量%)を添加し、混合することにより樹脂含有溶液を得た。
得られた樹脂含有溶液を、ポリエステルフィルム(厚さ:188μm)上にキャストした。その後、樹脂含有溶液をキャストしたポリエステルフィルムを凝固浴(凝固液は水)に浸漬し、該樹脂含有溶液を凝固させた後、洗浄・乾燥させて、樹脂フィルムを得た。
得られた樹脂フィルムの表面に形成されたスキン層側に研削処理を施した(研削量:200μm)。その後、樹脂フィルムの一部を格子状の金型でエンボス加工することにより気泡の無い研磨スラリー流路部を作成し(図1参照)、樹脂フィルムと両面テープとを貼り合わせ研磨パッドを得た。なお、表1において、特に断りのない限り、「部」とは、質量部を意味する。
樹脂1:ポリエステル系ポリウレタン樹脂、100%モジュラス7.8MPa、凝固価13.3
樹脂2:ポリエステル系ポリウレタン樹脂、100%モジュラス6.0MPa、凝固価10.8
樹脂の種類及び量(表1に記載されたもの)以外の条件を実施例1と同様にして、研磨パッドを製造した。
比較例1は疎水性球状シリカの代わりにカーボンブラックをポリウレタン樹脂全質量に対して7.0質量%となるように添加する以外は実施例1と同様にして研磨パッドを製造した。比較例2では疎水性球状シリカをポリウレタン樹脂全質量に対して8.0質量%、比較例3では疎水性球状シリカを添加しない以外は実施例1と同様にして研磨パッドを製造した。
(発泡個数の測定方法)
平均気泡径(μm)、1mm2当たりの気泡個数は、マイクロスコープ(VH−6300、KEYENCE製)でパッド表面の約1.3mm四方の範囲(エンボスの部分を除く)を175倍に拡大して観察し、得られた画像を画像処理ソフト(Image Analyzer V20LAB Ver. 1.3、ニコン製)により二値化処理して気泡個数を確認し、また、各々の気泡の面積から円相当径及びその平均値(平均気泡径)を算出した。なお、気泡径のカットオフ値(下限)を10μmとし、ノイズ成分を除外した。
ショアA硬度の測定は、発泡シートから試料片(10cm×10cm)を切り出し、複数枚の試料片を厚さが4.5mm以上となるように重ね、A型硬度計(日本工業規格、JIS K 7311)にて測定した。例えば、1枚の試料片の厚さが1.4mmの場合は、4枚を重ねて測定した。
平均開口径(μm)および開口面積比率(%)の測定は、走査型電子顕微鏡(日本電子株式会社製、JSM−5500LV)で約5mm四方の範囲を1000倍に拡大し9カ所観察した。この画像を画像処理ソフト(Image Analyzer V20LAB Ver.1.3、ニコン製)により二値化処理して開口個数(気泡個数)を確認し、各々の開口(気泡)の面積から円相当径及びその平均値を平均開口径として算出した。また、5mm四方の範囲における開口(気泡)の面積割合を開口面積比率(%)として算出した。なお、気泡径のカットオフ値(下限)を11μmとし、ノイズ成分を除外した。
各実施例及び比較例の研磨パッドについて、以下の研磨条件で研磨加工を行い、研磨レート、研磨均一性及びディフェクトの有無を測定した。被研磨物としては、12インチのシリコンウェハ上にテトラエトキシシランをCVDで絶縁膜を1μmの厚さになるように形成した基板(均一性(CV%)が13%)を用いた。25枚の基板を準じ研磨し、1枚目、10枚目、25枚目の研磨レートと研磨均一性からレートの安定性を評価した。
研磨機 EBARA F−REX300
研磨ヘッド GII
スラリー Planar社 Slurry
ワーク 300mmφSIO2(TEOS)
パッド径 740mmφ
パッドブレイク 9N×30分、ダイヤモンドドレッサー54rpm、定盤回転数80rpm、超純水200ml/min
研磨 定盤回転数70rpm、ヘッド回転数71rpm、スラリー流量200ml/min、研磨時間60秒
ディフェクトの評価では、25枚の基板を繰り返し3回順次研磨し、研磨加工後の21〜25枚目の基板5枚について、パターンなしウェハ表面検査装置(KLAテンコール社製、Surfscan SP1DLS)の高感度測定モードにて測定し、基板表面におけるディフェクトの有無を評価した。
研磨レートは、1分間あたりの研磨量を厚さ(Å)で表したものである。研磨加工前後の基板の絶縁膜について各々17箇所の厚み測定結果から平均値を求めた。なお、厚み測定は、光学式膜厚膜質測定器(KLAテンコール社製、ASET−F5x)のDBSモードにて測定した。
研磨均一性(ユニフォーミティ)は、研磨レートを求める際に測定した17箇所の研磨加工前後の厚み測定結果から求めた研磨量(厚さ)のバラツキ(標準偏差÷平均値)(%)である。研磨均一性は通常4.0未満であるとよい。
エンボス部の吸光度を以下のように測定した。
各実施例、比較例の研磨パッドについて、研磨スラリー流路部の吸光度を測定する。
測定装置:UV−2450(島津製作所)
波長:200〜800nm
実施1〜6及び比較例1〜3の得られた研磨パッドのうち、実施例1の断面写真を図1に示し、各評価結果を表1及び2に示す。
実施例1の研磨パッドは疎水性球状シリカを3重量%添加することにより、発泡制御助剤や成膜安定助剤がなくても安定した成膜ができることが確認できた。また、疎水性球状シリカを用いることにより、成膜時および研磨で脱離した際の凝集が抑えられ、ディフェクトの数も抑えられている。さらに、流動開始温度が220℃以下の樹脂との組み合わせでエンボス部分の吸光度が抑えられており、流路部の一部が光透過性領域を形成することができる。実施例2〜6においても同様も効果が確認できた。
比較例1では疎水性球状シリカの代わりにカーボンブラックを7.0質量%添加した。発泡や成膜は安定していたが、ディフェクトが多く発生していた。また、カーボンブラックを添加したことでエンボス部の光透過性がなく、流路部の一部に光透過性領域を形成することができなかった。
比較例2は疎水性球状シリカを8重量%添加した以外は実施例1と同様の条件で製造した。しかし、添加量が多かったため凝集が過多になり樹脂フィルムの均一性が阻害される結果となった(図2)。また凝集の発生によりディフェクトの発生も多かった。
比較例3は疎水性球状シリカを添加せず、その他は実施例1と同様の条件で製造した。しかし、成膜が安定せず、パッド面内での発泡の粗密のバラツキが大きくなった(図3)。このためスラリー保持性にバラツキが生じてユニフォーミティ(均一性)も大幅に低下する結果となった。
Claims (5)
- 成膜基材上にポリウレタン樹脂フィルムを研磨層として有する研磨パッドであって、
前記研磨層が研磨スラリー保持部と研磨スラリー流路部からなり、前記研磨スラリー保持部が気泡を有しているのに対し、前記研磨スラリー流路部は気泡を有しておらず、
更に前記研磨層が、ポリウレタン樹脂フィルム全質量(固形分質量)に対し、0.5〜6質量%の疎水性球状シリカを含むことを特徴とする研磨パッド。 - 研磨スラリー流路部の少なくとも一部に、可視光に対する吸光度が60%未満の光透過領域を有することを特徴とする、請求項1記載の研磨パッド。
- ポリウレタン樹脂が220℃以下の流動開始温度を有する、請求項1または2記載の研磨パッド。
- 疎水性球状シリカが、表面がアルキル化されたシリカである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨パッド。
- 成膜基材上にポリウレタン樹脂フィルムを研磨層として有する研磨パッドの製造方法であって、
ポリウレタン樹脂と、前記ポリウレタン樹脂フィルム全質量(固形分質量)に対し、0.5〜6質量%の疎水性球状シリカとを溶媒に溶解した樹脂溶液を形成し、
前記樹脂溶液を湿式凝固法により成膜基材上に成膜させて研磨層を作成し、
前記研磨層の一部をエンボス加工することにより気泡の無い研磨スラリー流路部を作成する、
ことを特徴とする研磨パッドの製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140097546A (ko) * | 2012-04-11 | 2014-08-06 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 적층 연마 패드 및 그 제조 방법 |
JP2017001111A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド及びcmp研磨方法 |
JP2017074649A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
JP2018020433A (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 低欠陥多孔性研磨パッド |
KR20180016287A (ko) * | 2016-08-04 | 2018-02-14 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 테이퍼링된 다공성 연마 패드 |
JP2018026556A (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-15 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ポロメリック研磨パッドのためのテーパリング方法 |
JP6324637B1 (ja) * | 2017-02-06 | 2018-05-16 | 株式会社大輝 | ポリッシングバッドの凹部形成方法およびポリッシングパッド |
WO2018181347A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 古河電気工業株式会社 | 研磨パッド |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005001059A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用積層体 |
JP2007245308A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Toray Ind Inc | 低発泡領域を有する研磨パッドおよびその製造方法 |
JP2007297418A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Kao Corp | 発泡ポリウレタンの製造方法 |
JP2010023181A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッドおよびその製造方法 |
JP2011067923A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド |
JP2013086217A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Dic Corp | 研磨パッド用ウレタン樹脂組成物、ポリウレタン研磨パッド及びポリウレタン研磨パッドの製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6099394A (en) * | 1998-02-10 | 2000-08-08 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto |
US7846008B2 (en) * | 2004-11-29 | 2010-12-07 | Semiquest Inc. | Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad |
TWI349701B (en) * | 2007-07-26 | 2011-10-01 | Ind Tech Res Inst | Superhydrophobic self-cleaning powders and fabrication method thereof |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012077416A patent/JP5821133B2/ja active Active
-
2013
- 2013-03-27 WO PCT/JP2013/059017 patent/WO2013146892A1/ja active Application Filing
- 2013-03-29 TW TW102111291A patent/TWI600498B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005001059A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用積層体 |
JP2007245308A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Toray Ind Inc | 低発泡領域を有する研磨パッドおよびその製造方法 |
JP2007297418A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Kao Corp | 発泡ポリウレタンの製造方法 |
JP2010023181A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッドおよびその製造方法 |
JP2011067923A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド |
JP2013086217A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Dic Corp | 研磨パッド用ウレタン樹脂組成物、ポリウレタン研磨パッド及びポリウレタン研磨パッドの製造方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140097546A (ko) * | 2012-04-11 | 2014-08-06 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 적층 연마 패드 및 그 제조 방법 |
KR101633766B1 (ko) | 2012-04-11 | 2016-06-27 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 적층 연마 패드 및 그 제조 방법 |
JP2017001111A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド及びcmp研磨方法 |
JP2017074649A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
JP2018026556A (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-15 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ポロメリック研磨パッドのためのテーパリング方法 |
KR20180016287A (ko) * | 2016-08-04 | 2018-02-14 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 테이퍼링된 다공성 연마 패드 |
JP2018020433A (ja) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 低欠陥多孔性研磨パッド |
JP2018039104A (ja) * | 2016-08-04 | 2018-03-15 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | テーパー状ポロメリック研磨パッド |
JP7011419B2 (ja) | 2016-08-04 | 2022-01-26 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | テーパー状ポロメリック研磨パッド |
JP7010619B2 (ja) | 2016-08-04 | 2022-01-26 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 低欠陥多孔性研磨パッド |
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JP7088637B2 (ja) | 2016-08-04 | 2022-06-21 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ポロメリック研磨パッドのためのテーパリング方法 |
JP6324637B1 (ja) * | 2017-02-06 | 2018-05-16 | 株式会社大輝 | ポリッシングバッドの凹部形成方法およびポリッシングパッド |
WO2018142623A1 (ja) * | 2017-02-06 | 2018-08-09 | 株式会社大輝 | ポリッシングバッドの凹部形成方法およびポリッシングパッド |
WO2018181347A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 古河電気工業株式会社 | 研磨パッド |
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Publication number | Publication date |
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TWI600498B (zh) | 2017-10-01 |
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