JP2013201300A5 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013201300A5 JP2013201300A5 JP2012068850A JP2012068850A JP2013201300A5 JP 2013201300 A5 JP2013201300 A5 JP 2013201300A5 JP 2012068850 A JP2012068850 A JP 2012068850A JP 2012068850 A JP2012068850 A JP 2012068850A JP 2013201300 A5 JP2013201300 A5 JP 2013201300A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- substrate
- potential
- exciting
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 5
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
Claims (14)
- 酸化膜が形成された基板を処理室に収容する工程と、
前記基板に窒素を含有する処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内の圧力を第1圧力、前記基板の電位を第1電位にした状態で前記処理ガスを励起する事前処理工程と、
前記処理室内の圧力を前記第1圧力よりも低い第2圧力、前記基板の電位を前記第1電位よりも低い第2電位にした状態で前記処理ガスを励起する本処理工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記事前処理工程は、酸化膜が形成された第1基板を前記処理室内に収容した状態で行い、
前記本処理工程では、酸化膜が形成された第2基板を前記処理室内に収容した状態で行う、
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記事前処理工程は、前記処理室内の雰囲気が所定値以上の酸素濃度になった場合に行われる、
請求項1又は2のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記事前処理工程において前記処理ガスを励起する時間は、前記本処理工程において前記処理ガスを励起する時間よりも長い、
請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記事前処理工程において前記処理ガスを励起するために印加される高周波電力の大きさは、前記本処理工程において前記処理ガスを励起するために印加される高周波電力の大きさよりも大きい、
請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 酸化膜が形成された基板を収容する処理室と、
前記処理室に収容された基板に窒素を含有する処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理ガスを励起するプラズマ生成部と、
前記基板の電位を変更する基板電位変更部と、
前記処理室内を第1圧力、前記処理室に収容された前記基板の電位を第1電位にした状態で前記処理ガスを励起する事前処理工程と、
前記処理室に前記基板が収容され、前記処理室内を第1圧力よりも低い第2圧力、前記処理室に収容された前記基板の電位を前記第1電位よりも低い第2電位にした状態で前記処理ガスを励起する本処理工程と、
を行うように前記ガス供給部、前記プラズマ生成部、及び前記基板電位変更部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 前記制御部は、前記処理室に前記第1基板が収容された状態で前記事前処理工程を行い、前記第2基板が収容された状態で前記本処理工程を行うように前記ガス供給部、前記プラズマ生成部、及び前記基板電位変更部を制御するよう構成される、
請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記事前処理工程を、前記処理室内の雰囲気が所定値以上の酸素濃度になった時に行うように前記ガス供給部、前記プラズマ生成部、及び前記基板電位変更部を制御するよう構成される、
請求項6又は7のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記事前処理工程において前記処理ガスを励起する時間が、前記本処理工程において前記処理ガスを励起する時間よりも長くなるように前記プラズマ生成部を制御するよう構成される、
請求項6乃至8のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記事前処理工程において前記処理ガスを励起するために印加される高周波電力の大きさが、前記本処理工程において前記処理ガスを励起するために印加される高周波電力の大きさよりも大きくなるように前記プラズマ生成部を制御するように構成される、
請求項6乃至9のいずれかに記載の基板処理装置。 - 酸化膜が形成された基板を処理室に収容する手順と、
前記基板に窒素を含有する処理ガスを供給する手順と、
前記処理室内の圧力を第1圧力、前記基板の電位を第1電位にした状態で前記処理ガスを励起する事前処理手順と、
前記処理室内の圧力を前記第1圧力よりも低い第2圧力、前記基板の電位を前記第1電位よりも低い第2電位にした状態で前記処理ガスを励起する本処理手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。 - 前記事前処理手順は、酸化膜が形成された第1基板を前記処理室内に収容した状態で行い、
前記本処理工程では、酸化膜が形成された第2基板を前記処理室内に収容した状態で行う、
請求項11に記載のプログラム。 - 前記事前処理手順は、前記処理室内の雰囲気が所定値以上の酸素濃度になった時に行う、
請求項11又は12のいずれかに記載のプログラム。 - 前記事前処理手順において前記処理ガスを励起する時間は、前記本処理工程において前記処理ガスを励起する時間よりも長い、
請求項11乃至13のいずれかに記載のプログラム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012068850A JP6022785B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
US13/826,599 US9257271B2 (en) | 2012-03-26 | 2013-03-14 | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and non-transitory recording medium |
KR1020130031637A KR101464867B1 (ko) | 2012-03-26 | 2013-03-25 | 반도체 장치 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012068850A JP6022785B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013201300A JP2013201300A (ja) | 2013-10-03 |
JP2013201300A5 true JP2013201300A5 (ja) | 2015-04-23 |
JP6022785B2 JP6022785B2 (ja) | 2016-11-09 |
Family
ID=49212224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012068850A Expired - Fee Related JP6022785B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9257271B2 (ja) |
JP (1) | JP6022785B2 (ja) |
KR (1) | KR101464867B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014116545A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
KR20160144307A (ko) * | 2015-06-08 | 2016-12-16 | 울트라테크 인크. | 국소 처리가스 분위기를 이용한 마이크로챔버 레이저 처리 시스템 및 방법 |
JP6811638B2 (ja) * | 2017-02-14 | 2021-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及びその装置 |
US10544519B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-01-28 | Aixtron Se | Method and apparatus for surface preparation prior to epitaxial deposition |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2889191B2 (ja) | 1996-07-31 | 1999-05-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | ドライエッチング方法 |
JP3902000B2 (ja) * | 2001-12-12 | 2007-04-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法、成膜時間の決定方法 |
JP2006005287A (ja) | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法 |
US7176138B2 (en) * | 2004-10-21 | 2007-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Selective nitride liner formation for shallow trench isolation |
KR100931771B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2009-12-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 산화막 내에 질소를 도입하는 방법 및 장치 |
US7883632B2 (en) | 2006-03-22 | 2011-02-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
JP5461759B2 (ja) | 2006-03-22 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
JP5425361B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2014-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ表面処理方法、プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US20100239781A1 (en) * | 2007-05-29 | 2010-09-23 | Masaki Sano | Method for in-chamber preprocessing in plasma nitridation processing, plasma processing method, and plasma processing apparatus |
JP2009260091A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置のシーズニング方法 |
JP2011077321A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 選択的プラズマ窒化処理方法及びプラズマ窒化処理装置 |
JP2011165743A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP5546921B2 (ja) | 2010-03-26 | 2014-07-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
KR20130018823A (ko) * | 2010-03-31 | 2013-02-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 질화 처리 방법 |
JP2011216593A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ窒化処理方法 |
KR101432415B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2014-09-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 질화 처리 방법 및 플라즈마 질화 처리 장치 |
US8809206B2 (en) * | 2011-02-07 | 2014-08-19 | Spansion Llc | Patterned dummy wafers loading in batch type CVD |
US8569143B2 (en) * | 2011-06-23 | 2013-10-29 | GlobalFoundries, Inc. | Methods of fabricating a semiconductor IC having a hardened shallow trench isolation (STI) |
-
2012
- 2012-03-26 JP JP2012068850A patent/JP6022785B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-14 US US13/826,599 patent/US9257271B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-25 KR KR1020130031637A patent/KR101464867B1/ko active IP Right Grant
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011249788A5 (ja) | 半導体装置の作製方法、及び酸化物半導体層 | |
JP2015082525A5 (ja) | ||
JP2010161350A5 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2014165395A5 (ja) | ||
JP2012119699A5 (ja) | ||
JP2017208387A5 (ja) | ||
JP2015018885A5 (ja) | ||
JP2013201300A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム | |
JP2015181143A5 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP2018107304A5 (ja) | ||
JP2013080907A5 (ja) | ||
JP2015505421A5 (ja) | ||
CN103065960A (zh) | 金属膜的干蚀刻方法 | |
TW200708209A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
JP2015528060A5 (ja) | ||
JP2014060378A5 (ja) | シリコン窒化膜の成膜方法、及びシリコン窒化膜の成膜装置 | |
SG169306A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, cleaning method, and substrate processing apparatus | |
WO2012018375A3 (en) | Plasma mediated ashing processes | |
JP2008091409A5 (ja) | ||
JPWO2017029961A1 (ja) | 基板処理方法、および、基板処理装置 | |
JP2014175509A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP2015510260A5 (ja) | ||
JP2015093222A5 (ja) | ||
TW200943412A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device and a device for treating substrate | |
JP2015065393A5 (ja) |