JP2013201300A5

JP2013201300A5 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム

Info

Publication number: JP2013201300A5
Application number: JP2012068850A
Authority: JP
Filing date: 2012-03-26
Publication date: 2015-04-23
Anticipated expiration: 2032-03-26

Claims

酸化膜が形成された基板を処理室に収容する工程と、
前記基板に窒素を含有する処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内の圧力を第１圧力、前記基板の電位を第１電位にした状態で前記処理ガスを励起する事前処理工程と、
前記処理室内の圧力を前記第１圧力よりも低い第２圧力、前記基板の電位を前記第１電位よりも低い第２電位にした状態で前記処理ガスを励起する本処理工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
前記事前処理工程は、酸化膜が形成された第１基板を前記処理室内に収容した状態で行い、
前記本処理工程では、酸化膜が形成された第２基板を前記処理室内に収容した状態で行う、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記事前処理工程は、前記処理室内の雰囲気が所定値以上の酸素濃度になった場合に行われる、
請求項１又は２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記事前処理工程において前記処理ガスを励起する時間は、前記本処理工程において前記処理ガスを励起する時間よりも長い、
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
前記事前処理工程において前記処理ガスを励起するために印加される高周波電力の大きさは、前記本処理工程において前記処理ガスを励起するために印加される高周波電力の大きさよりも大きい、
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
酸化膜が形成された基板を収容する処理室と、
前記処理室に収容された基板に窒素を含有する処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理ガスを励起するプラズマ生成部と、
前記基板の電位を変更する基板電位変更部と、
前記処理室内を第１圧力、前記処理室に収容された前記基板の電位を第１電位にした状態で前記処理ガスを励起する事前処理工程と、
前記処理室に前記基板が収容され、前記処理室内を第１圧力よりも低い第２圧力、前記処理室に収容された前記基板の電位を前記第１電位よりも低い第２電位にした状態で前記処理ガスを励起する本処理工程と、
を行うように前記ガス供給部、前記プラズマ生成部、及び前記基板電位変更部を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
前記制御部は、前記処理室に前記第１基板が収容された状態で前記事前処理工程を行い、前記第２基板が収容された状態で前記本処理工程を行うように前記ガス供給部、前記プラズマ生成部、及び前記基板電位変更部を制御するよう構成される、
請求項６に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記事前処理工程を、前記処理室内の雰囲気が所定値以上の酸素濃度になった時に行うように前記ガス供給部、前記プラズマ生成部、及び前記基板電位変更部を制御するよう構成される、
請求項６又は７のいずれかに記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記事前処理工程において前記処理ガスを励起する時間が、前記本処理工程において前記処理ガスを励起する時間よりも長くなるように前記プラズマ生成部を制御するよう構成される、
請求項６乃至８のいずれかに記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記事前処理工程において前記処理ガスを励起するために印加される高周波電力の大きさが、前記本処理工程において前記処理ガスを励起するために印加される高周波電力の大きさよりも大きくなるように前記プラズマ生成部を制御するように構成される、
請求項６乃至９のいずれかに記載の基板処理装置。
酸化膜が形成された基板を処理室に収容する手順と、
前記基板に窒素を含有する処理ガスを供給する手順と、
前記処理室内の圧力を第１圧力、前記基板の電位を第１電位にした状態で前記処理ガスを励起する事前処理手順と、
前記処理室内の圧力を前記第１圧力よりも低い第２圧力、前記基板の電位を前記第１電位よりも低い第２電位にした状態で前記処理ガスを励起する本処理手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
前記事前処理手順は、酸化膜が形成された第１基板を前記処理室内に収容した状態で行い、
前記本処理工程では、酸化膜が形成された第２基板を前記処理室内に収容した状態で行う、
請求項１１に記載のプログラム。
前記事前処理手順は、前記処理室内の雰囲気が所定値以上の酸素濃度になった時に行う、
請求項１１又は１２のいずれかに記載のプログラム。
前記事前処理手順において前記処理ガスを励起する時間は、前記本処理工程において前記処理ガスを励起する時間よりも長い、
請求項１１乃至１３のいずれかに記載のプログラム。