JP2013200991A5 - - Google Patents
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- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 1
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- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
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Claims (3)
- 先鋭化された針状のエミッタを作製する方法であって、
導電性のエミッタ素材の先端部を電解研磨加工し、先端に向かって漸次縮径するように加工する電解研磨工程と、
前記エミッタ素材における前記加工部分に荷電粒子ビームを照射してエッチング加工を行い、先端を頂点とした角錐状の先鋭部を形成する第１エッチング工程と、
前記先鋭部における先端の結晶構造を電界イオン顕微鏡で観察しながら、該先端を電界誘起ガスエッチング加工によりさらに先鋭化させ、その最先端を構成する原子数を一定数以下とさせる第２エッチング工程と、
を備えていることを特徴とするエミッタの作製方法。 - 請求項１に記載のエミッタの作製方法において、
前記エミッタ素材として、タングステンを用いることを特徴とするエミッタの作製方法。 - 請求項１に記載のエミッタの作製方法において、
前記エミッタ素材として、イリジウムを用いることを特徴とするエミッタの作製方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012068032A JP6001292B2 (ja) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | エミッタの作製方法 |
| US13/845,630 US8764994B2 (en) | 2012-03-23 | 2013-03-18 | Method for fabricating emitter |
| DE102013102777.6A DE102013102777B4 (de) | 2012-03-23 | 2013-03-19 | Verfahren zum Herstellen eines Emitters |
| US14/278,760 US8999178B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-05-15 | Method for fabricating emitter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012068032A JP6001292B2 (ja) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | エミッタの作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016025766A Division JP6236480B2 (ja) | 2016-02-15 | 2016-02-15 | エミッタの作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013200991A JP2013200991A (ja) | 2013-10-03 |
| JP2013200991A5 true JP2013200991A5 (ja) | 2015-03-05 |
| JP6001292B2 JP6001292B2 (ja) | 2016-10-05 |
Family
ID=49210800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012068032A Expired - Fee Related JP6001292B2 (ja) | 2012-03-23 | 2012-03-23 | エミッタの作製方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8764994B2 (ja) |
| JP (1) | JP6001292B2 (ja) |
| DE (1) | DE102013102777B4 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6001292B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | エミッタの作製方法 |
| JP6266458B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2018-01-24 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | イリジウムティップ、ガス電界電離イオン源、集束イオンビーム装置、電子源、電子顕微鏡、電子ビーム応用分析装置、イオン電子複合ビーム装置、走査プローブ顕微鏡、およびマスク修正装置 |
| JP6328023B2 (ja) * | 2014-10-08 | 2018-05-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
| US10133181B2 (en) | 2015-08-14 | 2018-11-20 | Kla-Tencor Corporation | Electron source |
| US9966230B1 (en) * | 2016-10-13 | 2018-05-08 | Kla-Tencor Corporation | Multi-column electron beam lithography including field emitters on a silicon substrate with boron layer |
| JP2019145443A (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | エミッターの作製方法 |
| JP2020161262A (ja) | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | エミッタの作製方法、エミッタ及び集束イオンビーム装置 |
| JP7369473B2 (ja) * | 2019-10-21 | 2023-10-26 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 |
| CN111105091A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-05-05 | 中国石油大港油田勘探开发研究院 | 一种地下储气库日调峰产量确定方法 |
| JPWO2023037545A1 (ja) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07240165A (ja) | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Jeol Ltd | 電界電離型ガスフェーズイオン源の調整方法及びイオン源 |
| JP3582855B2 (ja) * | 1994-07-22 | 2004-10-27 | 電気化学工業株式会社 | 熱電界放射陰極及びその製造方法 |
| US7368727B2 (en) * | 2003-10-16 | 2008-05-06 | Alis Technology Corporation | Atomic level ion source and method of manufacture and operation |
| JP2008293844A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Kiyoyoshi Mizuno | 電子源用探針およびその製造方法 |
| US7737414B2 (en) * | 2007-10-26 | 2010-06-15 | Academia Sinica | Atomically sharp iridium tip |
| EP2144274B1 (en) * | 2008-07-08 | 2012-09-12 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Method of preparing an ultra sharp tip and use of an apparatus therefor |
| JP2011044254A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子放出素子、及び、電子放出素子の作製方法 |
| JP2011124099A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置のエミッタ、その製造方法、および当該エミッタを備える荷電粒子線装置 |
| JP2011249034A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 突起構造体、及び、突起構造体を製造する方法 |
| JP2012068032A (ja) | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Tesetsuku:Kk | Ｔｃｐ試験装置 |
| JP6001292B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | エミッタの作製方法 |
-
2012
- 2012-03-23 JP JP2012068032A patent/JP6001292B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-18 US US13/845,630 patent/US8764994B2/en active Active
- 2013-03-19 DE DE102013102777.6A patent/DE102013102777B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-05-15 US US14/278,760 patent/US8999178B2/en not_active Expired - Fee Related
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