JP2013197452A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】描画パターンの変換が正しく行われたかどうかを、DMDデータに変換する途中でチェックできるようにする。
【解決手段】複数のミラーを二方向に配列したDMDを用いて描画データを変調し、この変調した描画データを光ビーム照射装置に供給する。この際、描画データが正常に描画されているかどうかをチェックするためのパリティ図形を描画領域の外部に予め配置しておき、描画データを生成する段階で、リアルタイムでパリティ図形が所定位置に検出されるかどうかを検知し、正常描画と異常描画の判別を行う。
【選択図】 図7
【解決手段】複数のミラーを二方向に配列したDMDを用いて描画データを変調し、この変調した描画データを光ビーム照射装置に供給する。この際、描画データが正常に描画されているかどうかをチェックするためのパリティ図形を描画領域の外部に予め配置しておき、描画データを生成する段階で、リアルタイムでパリティ図形が所定位置に検出されるかどうかを検知し、正常描画と異常描画の判別を行う。
【選択図】 図7
Description
本発明は、液晶ディスプレイ装置、半導体製造装置等の露光装置において、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置、露光方法に関する。
より詳しくは、特に複数のミラーを二軸に配列した空間的光変調器を用いて基板へ照射する光ビームを変調する露光装置及び露光方法に関する。
より詳しくは、特に複数のミラーを二軸に配列した空間的光変調器を用いて基板へ照射する光ビームを変調する露光装置及び露光方法に関する。
表示用パネルとしては、液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等がある。これらの表示用パネルは、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成することにより製造される。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式がある。また、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがある。
近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。この露光装置では、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画するので、高価なマスクが不要になる。また、描画データや走査のためのプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。
特許文献1には、露光領域の同じ位置の描画データを、光ビームの駆動回路へ複数回供給し、この複数回供給する描画データの一部を、露光領域に隣接する位置の描画データとして光ビーム照射装置の駆動回路に供給する技術が記載されている。この特許文献1に開示された技術によれば、描画パターンエッジのギザギザが目立たなくなるとともに、モアレの発生が抑制されて描画品質を向上ことができるとされている。
光ビームにより基板にパターンを描画する際、光ビームの変調には、DMD(Digital Micromirror Device)等の空間的光変調器が用いられる。DMDは、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成され、各ミラーの角度を変更することにより、基板へ照射する光ビームを変調する。現在市販されているDMDは、各ミラーの寸法が10〜15μm角程度であり、隣接するミラー間には1μm程度の隙間が設けられている。
DMDにより変調された光ビームは、光ビーム照射装置の照射光学系を含むヘッド部から、基板へ照射される。DMDの各ミラーに対応する各光ビーム照射領域は、ミラーの形状と同じ正方形であり、基板に描画されるパターンは、微小な正方形のドットを重ねたものとなる。このような装置では、描画するパターンをCAD(Computer Aided Design)等で作成し、そのデータを変換したDMD用データを用いて描画を行っている。
しかしながら、描画対象の基板が液晶ディスプレイ装置などに用いられる大型の基板である場合には、データが非常に大きくなり、DMDデータに変換する途中でエラーが発生する場合がある。この場合、DMDデータへの変換を最初からやり直す必要があるため、描画プロセスに要する時間が極めて多くなってしまうという問題があった。
本発明の目的は、描画パターンの変換が正しく行われたかどうかを、DMDデータに変換する途中でチェックできるようにして、描画プロセスに要する時間を短縮することができる露光装置及び露光方法を提供することにある。
上記課題を解決し、本発明の記目的を達成するため、本発明の露光装置は、フォトレジストが塗布された基板を光ビームにより走査して、描画データに基づいたパターンを該基板に描画する露光装置であり、基板を支持するチャックと、複数のミラーを二方向に配列した空間的光変調器と、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路と、照射光学系を含むヘッド部を有し、空間的光変調器で変調された光ビームを照射する光ビーム照射装置を備える。
更に、チャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動機構と、描画データを作成するための元データの一部に予め定めた所定のパターンデータを追加する追加機構と、所定のパターンデータが追加された元データを描画データに変換する変換機構を備える。そして、所定のパターンデータが追加された元データを変換機構で変換する際に、所定のパターンデータが正しく変換されているかどうかをチェックすることを特徴とする。
本発明の露光方法は、以下の(a)〜(f)の工程を含む。
(a)光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データを第1のメモリに記憶する工程と、
(b)描画の正常動作を確認するためのチェック図形を付加する図形データを第2のメモリに記憶する工程と、
(c)前記描画データの座標を補正するための補正値を第3のメモリに記憶する工程と、
(d)前記第3のメモリに記憶した補正値に応じて、第1のメモリから読み出す描画データの座標を補正する工程と、
(e)前記第2のメモリに記憶した描画チェック図形用のパターンデータを前記描画データに追加する工程と、
(f)前記描画チェック図形用のパターンデータを用いて前記描画データが正常に描画されたか否かをチェックする工程。
(a)光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データを第1のメモリに記憶する工程と、
(b)描画の正常動作を確認するためのチェック図形を付加する図形データを第2のメモリに記憶する工程と、
(c)前記描画データの座標を補正するための補正値を第3のメモリに記憶する工程と、
(d)前記第3のメモリに記憶した補正値に応じて、第1のメモリから読み出す描画データの座標を補正する工程と、
(e)前記第2のメモリに記憶した描画チェック図形用のパターンデータを前記描画データに追加する工程と、
(f)前記描画チェック図形用のパターンデータを用いて前記描画データが正常に描画されたか否かをチェックする工程。
本発明の露光装置及び露光方法によれば、元データをDMDデータに変換する途中で、描画パターンの変換が正しく行われたかどうかをチェックすることができるので、DMDデータへの変換の途中でエラーが発生しても、その都度最初まで戻る必要がない。このため、描画プロセスに要する時間の短縮を図ることができる。また、生成された描画データを転送または記憶する回路でも、パリティ図形をチェックすることでデータの転送サイクルのズレやメモリのREAD/WRITE不良による描画異常を検出することができる。
<露光装置の構成>
図1は、本発明の一実施の形態例(以下、「本例」ともいう。)による露光装置の概略構成を示す図である。また、図2は、本例の露光装置の側面図、図3は本例の露光装置の正面図である。
図1〜図3に示すように、本例の露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック10、ゲート11、光ビーム照射装置20を備える。更に、本例の露光装置は、リニアスケール31,33、エンコーダ32,34、レーザー測長系制御装置40、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70を備えている。
図1は、本発明の一実施の形態例(以下、「本例」ともいう。)による露光装置の概略構成を示す図である。また、図2は、本例の露光装置の側面図、図3は本例の露光装置の正面図である。
図1〜図3に示すように、本例の露光装置は、ベース3、Xガイド4、Xステージ5、Yガイド6、Yステージ7、θステージ8、チャック10、ゲート11、光ビーム照射装置20を備える。更に、本例の露光装置は、リニアスケール31,33、エンコーダ32,34、レーザー測長系制御装置40、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70を備えている。
なお、図2及び図3では、レーザー測長系のレーザー光源41、レーザー測長系制御装置40、ステージ駆動回路60、及び主制御装置70が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板1をチャック10へ搬入し、また基板1をチャック10から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
なお、以下に説明する本発明の実施の形態例では、図に示すXY方向はあくまでも例示であって、X方向とY方向とを入れ替えてもよいことは勿論である。
図1及び図2において、チャック10は、基板1の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板1がチャック10へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板1がチャック10から搬出される。チャック10は、基板1の裏面を真空吸着して支持する。なお、基板1の表面には、フォトレジストが塗布されている。
基板1の露光を行う露光位置の上側に、ベース3をまたいで複数の光ビーム照射装置20を搭載したゲート11が設けられている。なお、本例の露光装置では、8つの光ビーム照射装置20を用いた例を示しているが、光ビーム照射装置20の数は8つに限らない。本発明は、1つ又は2つ以上の光ビーム照射装置を用いた露光装置に適用される。
図2及び図3において、チャック10は、θステージ8に搭載されており、θステージ8の下にはYステージ7及びXステージ5が設けられている。Xステージ5は、ベース3に設けられたXガイド4に搭載され、Xガイド4に沿ってX方向へ移動する。Yステージ7は、Xステージ5に設けられたYガイド6に搭載され、Yガイド6に沿ってY方向へ移動する。θステージ8は、Yステージ7に搭載され、θ方向へ回転する。Xステージ5、Yステージ7、及びθステージ8には、図示されていないが、ボールねじ及びモータにより構成される駆動機構やリニアモータ等の駆動機構が設けられている。なお、各駆動機構は、図1に示すステージ駆動回路60によって駆動されるものである。
θステージ8のθ方向への回転により、チャック10に搭載された基板1は、直交する二辺がX方向及びY方向へ向くように回転される。Xステージ5のX方向への移動により、チャック10は、受け渡し位置と露光位置との間を移動する。本例の露光位置においては、Xステージ5のX方向への移動により、各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームが、基板1をX方向へ走査する。また、Yステージ7のY方向への移動により、各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームによる基板1の走査領域が、Y方向へ移動する。図1において、主制御装置70は、ステージ駆動回路60を制御して、θステージ8のθ方向へ回転、Xステージ5のX方向への移動、及びYステージ7のY方向への移動の制御を行う。
本例の露光装置では、Xステージ5によりチャック10をX方向へ移動することによって、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査を行っているが、光ビーム照射装置20を移動することで光ビームによる基板1の走査を行うようにしてもよい。
また、本例の露光装置では、Yステージ7によりチャック10をY方向へ移動することによって、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査領域を変更している。しかし、これに代わって、光ビーム照射装置20を移動することにより、光ビームによる基板1の走査領域を変更してもよい。
また、本例の露光装置では、Yステージ7によりチャック10をY方向へ移動することによって、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査領域を変更している。しかし、これに代わって、光ビーム照射装置20を移動することにより、光ビームによる基板1の走査領域を変更してもよい。
図1及び図2に示すように、ベース3には、X方向へ伸びるリニアスケール31が設置されている。リニアスケール31には、Xステージ5のX方向への移動量を検出するための目盛が設けられている。また、Xステージ5には、Y方向へ伸びるリニアスケール33も設置されている。このリニアスケール33には、Yステージ7のY方向への移動量を検出するための目盛が設けられている。
また、図1及び図3に示すように、Xステージ5の一側面には、リニアスケール31に対向して、エンコーダ32が取り付けられている。エンコーダ32は、リニアスケール31の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置70へ出力する。また、Yステージ7の一側面には、リニアスケール33に対向して、エンコーダ34が取り付けられている。エンコーダ34は、リニアスケール33の目盛を検出して、パルス信号を主制御装置70へ出力する。主制御装置70は、エンコーダ32のパルス信号をカウントして、Xステージ5のX方向への移動量を検出し、エンコーダ34のパルス信号をカウントして、Yステージ7のY方向への移動量を検出する。
<光ビーム照射装置の構成>
図4は、光ビーム照射装置20の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置20は、光ファイバー22、レンズ23、ミラー24、DMD25、投影レンズ26、及びDMD駆動回路27を備える。光ファイバー22は、レーザー光源ユニット21から発生された光ビームを、光ビーム照射装置20内へ導入する。光ファイバー22から射出された光ビームは、レンズ23及びミラー24を介して、DMD25へ照射される。
図4は、光ビーム照射装置20の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置20は、光ファイバー22、レンズ23、ミラー24、DMD25、投影レンズ26、及びDMD駆動回路27を備える。光ファイバー22は、レーザー光源ユニット21から発生された光ビームを、光ビーム照射装置20内へ導入する。光ファイバー22から射出された光ビームは、レンズ23及びミラー24を介して、DMD25へ照射される。
DMD25は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを、直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。DMD25により変調された光ビームは、投影レンズ26を含む光ビーム照射装置20のヘッド部20aから基板1に向けて照射される。DMD駆動回路27は、主制御装置70から供給された描画データに基づいて、DMD25の各ミラーの角度を変更する。
<レーザー測長系の動作>
図5は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図5では、図1に示したゲート11、及び光ビーム照射装置20が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源41、レーザー干渉計42,44、及びバーミラー43、45を含む。バーミラー43は、チャック10のY方向へ伸びる一側面に取り付けられ、バーミラー45は、チャック10のX方向へ伸びる一側面に取り付けられている。
図5は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図5では、図1に示したゲート11、及び光ビーム照射装置20が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源41、レーザー干渉計42,44、及びバーミラー43、45を含む。バーミラー43は、チャック10のY方向へ伸びる一側面に取り付けられ、バーミラー45は、チャック10のX方向へ伸びる一側面に取り付けられている。
レーザー干渉計42は、レーザー光源41からのレーザー光をバーミラー43へ照射し、バーミラー43により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源41からのレーザー光とバーミラー43により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Y方向の2箇所で行われる。レーザー測長系制御装置40は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計42の測定結果から、チャック10のX方向の位置及びθ方向の回転を検出する。
一方、レーザー干渉計44は、レーザー光源41からのレーザー光をバーミラー45へ照射し、バーミラー45により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源41からのレーザー光とバーミラー45により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置40は、主制御装置70の制御により、レーザー干渉計44の測定結果から、チャック10のY方向の位置を検出する。
<描画データ生成部の説明>
図6は、図5に示す主制御装置70の概略構成を示すブロック図である。図6に示すように、主制御装置70は、描画データを生成するための描画データ生成部78と、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ描画データを供給する描画制御部71とを有する。描画制御部71については図7で後述する。
図6は、図5に示す主制御装置70の概略構成を示すブロック図である。図6に示すように、主制御装置70は、描画データを生成するための描画データ生成部78と、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ描画データを供給する描画制御部71とを有する。描画制御部71については図7で後述する。
図6に示すように、主制御装置70内に設けられている描画データ生成部78は、描画する図形等が予め記憶される描画図形座標メモリ79と、座標補正部80と、描画データ変換部81を備える。元来、描画データの種類には2種類のデータがある。一つは、その図形の頂点のデータを表わすベクターデータであり、もう一つは、画素単位のドットの集合であるラスターデータである。描画データ変換部81は、ベクターデータをDMD25に供給するラスターデータに変換する変換機構に相当する。
描画図形座標メモリ79には、描画用のCAD(Computer Aided Design)データが記憶されるが、ここに記憶される情報は図形の頂点座標データ(ベクターデータ)である。そして、描画図形座標メモリ79に記憶されている座標データが、座標補正部80において、描画制御部71のDMD傾斜演算部82からのDMD傾斜データに基づいて補正される。
ここでDMD傾斜データについて説明をしておく。既に説明したように、DMDは直径10μm程度の極めて小さいミラーが格子状に集まったものである。しかも、これらのミラーは光ビームの走査方向に対して極めて微小の傾斜を持っている。このため、描画図形座標メモリ79に記憶されたデータをそのままの状態で、DMD25(図4参照)で反射させて、基板1上に照射すると、基板1上に投射される図形は、元のCAD図形とは異なる歪んだ図形になってしまう。そこで、基板上に投射される図形と描画図形座標メモリ79に保存されている図形が極力同じになるように、DMDミラー25の傾斜の分だけ、DMDミラー25の傾斜角を予め補正しておく必要がある。この補正が、図6の座標補正部80とDMD傾斜演算部82により行われるのである。この座標補正部80における補正は、あくまでも図形の頂点座標であるベクターデータの補正であることは言うまでもない。
座標補正部80で補正された描画データ(CADデータ)は、描画データ変換部81に送られる。描画データ変換部81は、図形のベクターデータをラスターデータに変換するための回路であり、描画図形の頂点座標を示すベクターデータを各描画図形の内部のドットデータであるラスターデータに変換して出力する。したがって、ここで変換されたラスターデータに基づいて発生される光ビームが、基板1上に照射するためのDMD25により反射されることになる。
<描画制御部の説明>
次に、図7を参照して、描画制御部71についてその構成と機能を説明する。
図7に示すように、描画制御部71は、メモリ72、76、バンド幅設定部73、中心点座標決定部74、座標決定部75、及び補正回路77を備えている。メモリ72は、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データを、そのXY座標をアドレスとして記憶している。
次に、図7を参照して、描画制御部71についてその構成と機能を説明する。
図7に示すように、描画制御部71は、メモリ72、76、バンド幅設定部73、中心点座標決定部74、座標決定部75、及び補正回路77を備えている。メモリ72は、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データを、そのXY座標をアドレスとして記憶している。
レーザー測長系制御装置40は、露光位置における基板1の露光を開始する前のチャック10のX方向及びY方向の位置を検出する。中心点座標決定部74は、レーザー測長系制御装置40が検出したチャック10のX方向及びY方向の位置から、基板1の露光を開始する前のチャック10の中心点のXY座標を決定する。
バンド幅設定部73は、メモリ72から読み出す描画データのY座標の範囲を設定し、これにより、光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射される光ビームのY方向のバンド幅を設定する。
図7に示す中心点座標決定部74は、エンコーダ32、34からのパルス信号をカウントして、Xステージ5のX方向への移動量及びYステージ7のY方向への移動量を検出し、チャック10の中心点のXY座標を決定する。
また、座標決定部75は、中心点座標決定部74が決定したチャック10の中心点のXY座標に基づき、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データのXY座標を決定する。
また、座標決定部75は、中心点座標決定部74が決定したチャック10の中心点のXY座標に基づき、各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データのXY座標を決定する。
図7に示す補正回路77は、座標決定部75が決定した各光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データのX座標及びY座標を補正する回路である。この補正回路77は、メモリ76に記憶された補正値を、DMD駆動回路27へ供給される描画データのX座標及びY座標のそれぞれに加算して、メモリ72から読み出す描画データの座標を補正する。メモリ72は、補正回路77が補正したXY座標をアドレスとして入力し、この入力したXY座標のアドレスに記憶された描画データを、光ビーム照射装置20の各DMD駆動回路27へ出力する。
図7に示すメモリ76には、メモリ72から読み出す描画データの座標を補正回路77で補正するための補正値が記憶されている。図8はこの補正値の一例を示す表である。
ここで、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査は、X方向に左から右へ行われ、走査領域の移動はY方向に下から上に向かって行われる。このように光ビーム走査を行う場合において、描画制御部71は、露光領域の同じ位置の描画データを、DMD駆動回路27へ32回供給する。つまり、光ビーム照射装置20からの光ビームが、露光領域の同じ位置へ32回照射されることになる。
ここで、光ビーム照射装置20からの光ビームによる基板1の走査は、X方向に左から右へ行われ、走査領域の移動はY方向に下から上に向かって行われる。このように光ビーム走査を行う場合において、描画制御部71は、露光領域の同じ位置の描画データを、DMD駆動回路27へ32回供給する。つまり、光ビーム照射装置20からの光ビームが、露光領域の同じ位置へ32回照射されることになる。
図8に示すように、照射回数32回のうちのX座標及びY座標の補正値は、「0」、「1」、「−1」の3種類がある。「0」はX方向及びY方向とも補正がないことを意味する。また、X方向(走査方向)では「1」は右側に隣接する描画データへの補正、「−1」は左側に隣接する描画データへの補正を意味している。また、Y方向(走査領域移動方向)における「1」は上側への補正を意味している。
本例の露光装置では、32回の照射が行われ、図8に示した補正値の例では、描画データの座標の補正は、照射回数の1回飛びに行われ、描画データの位置が1回飛びで元に戻るので描画データの位置が同じ方向に連続して移動することがない。
すなわち、照射回数が奇数番号である16回分の描画データは、補正回路77で座標が補正されずに、元の位置の描画データがそのまま使用される。一方、図8に示されるように、照射番号が偶数の16回照射のうち、7回分はX方向(走査方向)の右側に位置する描画データに補正される。また、5回分はY方向(走査領域移動方向側)の上側に位置する描画データに補正され、3回分は元の位置の左上側に隣接する位置の描画データに補正されることになる。
すなわち、照射回数が奇数番号である16回分の描画データは、補正回路77で座標が補正されずに、元の位置の描画データがそのまま使用される。一方、図8に示されるように、照射番号が偶数の16回照射のうち、7回分はX方向(走査方向)の右側に位置する描画データに補正される。また、5回分はY方向(走査領域移動方向側)の上側に位置する描画データに補正され、3回分は元の位置の左上側に隣接する位置の描画データに補正されることになる。
なお、メモリ76に記憶されている描画データの補正値は、図8の例に限るものではなく、描画データを露光領域の隣接する各位置に移動させる回数は、露光条件に応じて適宜設定することができるものである。
続いて、補正回路77で補正された描画データは、メモリ72に送られ、ここで一時保存される。その後、データシフト回路80に転送され、ここでDMD傾斜演算部82に記憶される補正演算データに基づくデータシフトがなされる。DMD傾斜演算部82は、図6の座標補正部80においてベクターデータを補正した際に使用した補正データと同じものである。図6の座標補正部80では、図形の頂点座標であるベクターデータを補正したのであるが、ここではメモリ72に保存されている全画像のドットデータ(ラスターデータ)について、同様にDMDの傾斜に基づく補正を行っている。
なお、図6に示す座標補正部80におけるベクターデータの補正で十分であるということであれば、このデータシフト回路83を省いてもよい。
なお、図6に示す座標補正部80におけるベクターデータの補正で十分であるということであれば、このデータシフト回路83を省いてもよい。
<異常描画チェック機構の説明>
図7のデータシフト回路83でデータ補正された描画データは、パリティ図形チェック及び異常検出回路84に供給され、ここで、図9〜図11で後述するような異常描画例が検出される。
異常描画例が検出されるとその検出された時点で、走査をはじめに戻すので、図形の描画を最後まで続けて行う必要がない。
パリティ図形チェック及び異常検出回路84で異常描画が検出されなかった場合には、合成回路85において、全ての描画データが合成される。そして、8つのDMD駆動回路27を通して格子状に配列されたDMDミラー25(図4参照)に照射光が分配され、基板1に照射される。
図7のデータシフト回路83でデータ補正された描画データは、パリティ図形チェック及び異常検出回路84に供給され、ここで、図9〜図11で後述するような異常描画例が検出される。
異常描画例が検出されるとその検出された時点で、走査をはじめに戻すので、図形の描画を最後まで続けて行う必要がない。
パリティ図形チェック及び異常検出回路84で異常描画が検出されなかった場合には、合成回路85において、全ての描画データが合成される。そして、8つのDMD駆動回路27を通して格子状に配列されたDMDミラー25(図4参照)に照射光が分配され、基板1に照射される。
次に、図9、図10を参照して、本例の露光装置及び露光方法における、異常描画のチェック方法について説明する。
図9は、描画データにチェックパターンが含まれない従来の露光装置の描画データを説明するための図である。図9の正常描画例(A)と異常描画例(B)は、CADデータから変換された頂点座標を元にソリッドスキャン方式(図形外周線で反転する描画方式)にて描画を行ったものである。
図9は、描画データにチェックパターンが含まれない従来の露光装置の描画データを説明するための図である。図9の正常描画例(A)と異常描画例(B)は、CADデータから変換された頂点座標を元にソリッドスキャン方式(図形外周線で反転する描画方式)にて描画を行ったものである。
ここで、データ生成領域としては、実際に描画する描画領域より余白部分を持つ広いデータ領域をとっている。つまり、本例の露光装置では、データ生成領域は、描画領域の他にオフセット領域を持つ。このオフセット領域に、異常描画データを検出するためのチェックパターン像であるパリティ図形を配置する(図10参照)。
図9(A)に示す描画データでは、例えば、白を「0」、黒を「1」として、データが取得される。すなわち、走査線(a)に沿って進むと、図9(A)の正常描画例では、最初「白:0」が続き、三角形の中は「黒:1」になり、三角形から出ると「白:0」に戻る。そして、再び四角形のところで「黒:1」になる。
これに対して、図9(B)異常描画例では、中央の三角形の1つの頂点が右に伸びて、右方に配置された四角形の中に入り込んでいる。つまり、三角形の1つの頂点座標が破損し、他の図形(四角形)と重なっている。このため走査線(a)を右に進んで行くと、当初の「白:0」は三角形に合うと「黒:1」に変換し、その後「黒:1」が続き、四角形にぶつかると「白:0」に変わる。これは、2つの図形(黒:1)が重畳された部分が「白:0」に変化するからである。
しかし、データ生成領域のオフセット領域に、パリティ図形を持たない図9(B)の異常描画例では、パリティ図形チェック及び異常検出回路84で上述のような異常描画の検出が行われない。このため、図9(B)に示すような異常描画が、実際に基板1上に描かれてしまう。つまり、図9(B)に示すような、ソリッドスキャン方式の図形描画では、頂点座標データの破損や描画制御回路の異常が発生すると、「白=0」、「黒=1」の反転する位置が正しい位置で行われないため、図形描画が広範囲に悪影響を受ける。
図10は、本例の露光装置を用いて描画データを描画する例を示したものである。本例の露光装置では、図9で示した描画データの他に、実際の描画が正しく行われているかどうかをチェックするためのチェックパターンであるパリティ図形を、先に説明したデータ生成領域のオフセット領域に設けている。このチェックパターン(パリティ図形)を描画データに加える機構が追加機構部である。パリティ図形は、描画データの内容と関係なく常に所定の位置に表れるようにし、これをチェックする機構(チェック機構)を設けることにより、異常描画例をリアルタイムで検出可能となる。
この描画データのパリティ図形は、描画データ生成部78の描画図形座標メモリ79(図6参照)に記憶されている。描画図系座標メモリ79には、現実の描画領域のデータの他に、データ生成領域のデータも記憶される。つまり、図10(A)に示すように、この描画には使用されないオフセット領域にパリティ図形が追加されている。このパリティ図形はソリッドスキャンのデータ生成領域の終点(パリティ図形の右側の点)が図形(黒=1)で終了するように配置される。
仮に、頂点データの破損や誤動作により図形描画が異常になると、異常描画例に示すように、「白:0」と「黒:1」が反転し、データ生成領域の終点が図形「黒:1」で終了しなくなる。図10に示すようなパリティ図形を設けることによって、例えば図7に示すパリティ図形チェック及び異常検出回路84を用いて、描画が異常であったことをリアルタイムで判定することが可能となる。
図11は、転送元の描画データ(A)の転送が、正常に行われた正常転送描画例(B)と、転送が正常に行われなかった異常転送描画例(C)を示した図である。図11の描画転送データは、転送する1回分のデータを示している。縦の実線は、1ライン分の描画転送データが図11の(1)〜(4)の4回に分けて転送されることを意味している。したがって、転送チェックは1ライン分の描画転送データの4分の1単位で行われることになる。なお、縦の点線は、データ生成領域と描画領域(図9参照)の境界線を示し、パリティ図形は必ず4番目に転送される(4)のオフセット領域の位置に存在している。
図11(B)は、図11(A)に示す描画データが上から順番に正常に転送されている途中段階を示す。図11(B)は、全てのデータが正常に転送されたことを示している。これに対して図11(C)は、描画データの転送途中で、4番目の転送に異常が発生した例を示している。つまり、本来1ライン分の描画転送データの最後(4)の部分に描画されなければならないパリティ図形が、1ラインの最初(1)に現われている。図11(C)のパリティ図形が本来あるべき位置の(4)のところにない。
この場合、描画領域から外れたデータ生成領域のオフセット部に設けたパリティ図形が終端の位置に存在していることをチェックすることで、転送の正常と異常の判定が可能になる。なお、このパリティ図形による終端の図形(黒:1)のチェックは、図7のパリティ図形チェック及び異常検出回路84において行われる。また、このチェックは、生成された描画データを転送または記憶する回路でも行うことができるので、データの転送サイクルのズレやメモリのREAD/WRITE不良による描画異常をリアルタイムで検出することができる。
図12〜図15は、8本の光ビームにより基板1の走査を行う場合の説明図である。図12〜図15は、8つの光ビーム照射装置20からの8本の光ビームにより、基板1のX方向の走査を4回行って、基板1全体を走査する例を示している。図12〜図15では、各光ビーム照射装置20のヘッド部20aが破線で示されている。各光ビーム照射装置20のヘッド部20aから照射された光ビームは、Y方向にバンド幅Wを有し、Xステージ5のX方向への移動によって、基板1を矢印で示す方向へ走査する。
図12は、1回目の走査を示し、X方向への1回目の走査により、図12に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。1回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動する。図13は、2回目の走査を示し、X方向への2回目の走査により、図13に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。2回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動する。
図14は、3回目の走査を示し、X方向への3回目の走査により、図14に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。3回目の走査が終了すると、Yステージ7のY方向への移動により、基板1がY方向へバンド幅Wと同じ距離だけ移動する。図15は、4回目の走査を示し、X方向への4回目の走査により、図14に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。この4回目の走査によって、基板1全体の走査が終了する。
図12〜図15に示すように、複数の光ビーム照射装置20からの複数の光ビーム(例えば8本)により基板1の走査を並行して行うことにより、基板1全体の走査にかかる時間を短くすることができ、これによってタクトタイムの短縮が可能となる。
なお、図12〜図15では、基板1のX方向の走査を4回行って、基板1全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板1のX方向の走査を3回以下又は5回以上行って、基板1全体を走査するようにしてもよい。
以上説明したように、本例の露光装置によれば、露光領域の同じ位置の描画データを、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ複数回供給している。そして、複数回供給する描画データの一部を、露光領域の隣接する位置の描画データとして、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する。これにより、パターンエッジのぎざぎざを目立たなくするとともに、モアレの発生を抑制し、描画品質を向上させるようにする。
さらに、本例の露光装置では、光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給する描画データを第1のメモリ72に記憶し、描画データの座標を補正するための補正値を第2のメモリ76に記憶している。そして、第2のメモリ76に記憶した補正値に応じて、第1のメモリ72から読み出す描画データの座標を補正することにより、リアルタイムで描画データの一部を露光領域の隣接する位置の描画データとすることができる。このため、本例の露光装置では、描画データの変更を事前に行わなくても、描画データをリアルタイムで光ビーム照射装置20のDMD駆動回路27へ供給することが可能である。
図16は、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程(ステップS101)では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長(CVD)法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程(ステップS102)では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程(ステップS101)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。
次に、露光工程(ステップS103)では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程(ステップS104)では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程(ステップS105)では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(ステップS101)で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。最後に、剥離工程(ステップS106)では、エッチング工程(ステップS105)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。
これらの各工程の前または後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。
これらの各工程の前または後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にTFTアレイが形成される。
また、図17は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程(ステップS201)では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程(ステップS202)では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。そして、この工程を、R、G、Bの着色パターンについて繰り返す。次に、保護膜形成工程(ステップS203)では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程(ステップS204)では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。
なお、本例の露光装置又は露光方法は、上述した図16に示したTFT基板の製造工程の中の露光工程(ステップS103)において用いられる。また、図17に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程(ステップS201)及び着色パターン形成工程(ステップS202)の露光処理においても適用することができる。
1・・・基板、2,2’・・・パターン、3・・・ベース、4・・・Xガイド、5・・・Xステージ、6・・・Yガイド、7・・・Yステージ、8・・・θステージ、10・・・チャック、11・・・ゲート、20・・・光ビーム照射装置、20a・・・ヘッド部、21・・・レーザー光源ユニット、22・・・光ファイバー、23・・・レンズ、24・・・ミラー、25・・・DMD(Digital Micromirror Device)、26・・・投影レンズ、27・・・DMD駆動回路、31,33・・・リニアスケール、32,34・・・エンコーダ、40・・・レーザー測長系制御装置、41・・・レーザー光源、42,44・・・レーザー干渉計、43,45・・・バーミラー、60・・・ステージ駆動回路、70・・・主制御装置、71・・・描画制御部、72,76・・・メモリ,78・・・描画データ生成部、79・・・描画図系座標メモリ、80・・・座標補正部、81・・・描画データ変換部、82・・・DMD傾斜演算部、73・・・バンド幅設定部、74・・・中心点座標決定部、75・・・座標決定部、77・・・補正回路、83・・・データシフト回路、84・・・パリティ図形チェック及び異常検出回路、85・・・合成回路
Claims (4)
- フォトレジストが塗布された基板を光ビームにより走査して、描画データに基づいたパターンを該基板に描画する露光装置において、
前記基板を支持するチャックと、
複数のミラーを二方向に配列した空間的光変調器と、前記描画データに基づいて前記空間的光変調器を駆動する駆動回路と、照射光学系を含むヘッド部を有し、前記空間的光変調器で変調された光ビームを照射する光ビーム照射装置と、
前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動機構と、
前記描画データを作成するための元データの一部に予め定めた所定のパターンデータを追加する追加機構と、
前記所定のパターンデータが追加された元データを描画データに変換する変換機構と、
前記所定のパターンデータが追加された元データを前記変換機構で変換する際に、前記所定のパターンデータが正しく変換されているかどうかをチェックするチェック機構と、を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記チェック機構は、
前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データを記憶する第1のメモリと、
描画の正常動作を確認するためのチェック図形が付加された図形データを記憶する第2のメモリを有する、請求項1に記載の露光装置。 - 前記チェック機構は、描画制御部を有し、
前記描画制御部は、
更に、前記描画データの座標を補正するための補正値を記憶する第3のメモリと、
前記第3のメモリに記憶された補正値に応じて、前記第1のメモリから読み出す描画データの座標を補正する補正回路と、
を備えたことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データを第1のメモリに記憶する工程と、 描画の正常動作を確認するためのチェック図形を付加する図形データを第2のメモリに記憶する工程と、
前記描画データの座標を補正するための補正値を第3のメモリに記憶する工程と、
前記第3のメモリに記憶した補正値に応じて、第1のメモリから読み出す描画データの座標を補正する工程と、
前記第2のメモリに記憶した描画チェック図形用のパターンデータを前記描画データに追加する工程と、
前記描画チェック図形用のパターンデータを用いて前記描画データが正常に描画されたか否かをチェックする工程と、
を含む露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012065039A JP2013197452A (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012065039A JP2013197452A (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013197452A true JP2013197452A (ja) | 2013-09-30 |
Family
ID=49396001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012065039A Pending JP2013197452A (ja) | 2012-03-22 | 2012-03-22 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2013197452A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023282214A1 (ja) * | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 株式会社ニコン | 空間光変調ユニットおよび露光装置 |
-
2012
- 2012-03-22 JP JP2012065039A patent/JP2013197452A/ja active Pending
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