JP2013197147A - 検査装置、露光装置及び検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】露光処理に使用される光の検査において、簡易な構成で検出精度を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】検出部51は、検出部搬送機構52の駆動によって、空間光変調器46によって変調された、断面が帯状の光の長手方向に沿って、空間光変調器46に対して相対的に移動する。この検出部51は、第1の受光素子としてフォトダイオード516と第2の受光素子として一次元CCD素子519とを有し、先に空間光変調器46で変調された、断面が帯状の光を照射されるフォトダイオード516の検出結果に基づいて、一次元CCD素子519の検出感度を変化させる。
【選択図】図5
【解決手段】検出部51は、検出部搬送機構52の駆動によって、空間光変調器46によって変調された、断面が帯状の光の長手方向に沿って、空間光変調器46に対して相対的に移動する。この検出部51は、第1の受光素子としてフォトダイオード516と第2の受光素子として一次元CCD素子519とを有し、先に空間光変調器46で変調された、断面が帯状の光を照射されるフォトダイオード516の検出結果に基づいて、一次元CCD素子519の検出感度を変化させる。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体基板、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、太陽電池用パネルなどの各種基板(以下、単に「基板」と称する)に対して光を照射することで、パターンを基板表面に直接露光する技術に関する。特に、多チャンネルの光学変調素子を使用して露光する場合における露光精度を向上させる技術に関する。
基板上に塗布された感光材料に回路などのパターンを形成するにあたって、光源とフォトマスクとを用いて当該感光材料を面状に露光する露光装置が周知である。これに対して、近年では、フォトマスクを用いず、CADデータ等に基づいて、変調した光ビームによって基板上の感光材料を走査することにより、当該感光材料に直接パターンを描画する描画装置(直接描画装置)が注目されている。
直接描画装置は、感光材料への光ビームを画素単位でオン/オフ変調するための光学変調素子を備える。反射型の光学変調素子では、光源から供給される光ビームを反射して基板上に与えるオン状態と、光ビームを基板の外部に向けて反射あるいは拡散させるオフ状態とを、描画パターンを表現した制御信号によって画素単位で切り換えることでパターンを描画する。
例えば、一次元の光学変調素子を使用した露光装置において、光学変調素子の各チャンネル間のバラツキや、元となる光量のバラツキにより、露光面における光量分布がばらつく場合がある。このため、事前に露光光の光量分布を測定する必要がある。
例えば、特許文献1には、露光面に照射された、少なくとも2つの異なるレベルの入射光をラインセンサで事前に測定することが記載されている。入射光に対応した補正値をそれぞれ求め、実際の入射光量のレベルに応じた適切な補正値が選択されて、出力を補正する。
また、特許文献2には、高感度用の撮像装置と低感度用の撮像装置とが設けられた測定装置が開示されており、出力が飽和状態であるか否かに応じてこれらの撮像装置が切り換えられることについて記載されている。
しかしながら、特許文献1及び特許文献2では、多チャンネルの光学変調素子によって変調された光を高感度で取得したい場合には、感度のレンジ数に比例して補正値の数、又は撮像装置の数を増やす必要があり、アルゴリズム、装置構成等が複雑になるという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、露光処理に使用される光の検査において、簡易な構成で検出精度を向上させることができる技術を提供することを目的とする。
第1の態様は、光源から照射された第1の光が空間光変調素子で変換されて生成されるとともに、描画対象物への描画に使用される断面が帯状の第2の光を検査する検査装置であって、前記第2の光を検出する検出部と、前記第2の光の長手方向に沿って、前記検出部を前記空間光変調素子に対して相対的に移動させる検出部搬送機構と、を備え、前記検出部は、第1の受光素子と第2の受光素子とを有し、先に前記第2の光を照射される前記第1の受光素子の検出結果に基づいて、前記第2の受光素子の検出条件を変化させることを特徴とする。
第2の態様は、第1の態様に係る検査装置であって、前記第1の受光素子は、前記第2の受光素子よりも高感度であることを特徴とする。
第3の態様は、第1の態様または第2の態様に係る検査装置であって、前記第1の受光素子は、前記第2の光の全体的光量を反映した検出値を与える素子であり、前記第2の受光素子は、前記第2の光を構成する複数の変調光のそれぞれの光量を検出する素子であることを特徴とする。
第4の態様は、第3の態様に係る検査装置であって、第1の受光素子はフォトダイオードであり、第2の受光素子が複数の光検出セルを配列させた光検出素子であることを特徴とする。
第5の態様は、露光装置であって、光源からの第1の光を所定の変調用空間に導く第1光路系と、前記変調用空間に配置され、前記第1の光を変調する空間光変調素子と、前記第2の光を描画対象物の表面に導く第2光路系と、前記描画対象物を保持する基板保持部と、前記第2の光と前記描画対象物とを相対的に移動させることにより、前記第2の光によって前記描画対象物の表面を走査させる走査駆動部と、第1の態様ないし第4の態様のいずれか一つに係る検査装置と、を備える。
第6の態様は、光源から照射された第1の光が空間光変調素子で変換されて生成されるとともに、描画対象物への描画に使用される断面が帯状の第2の光を検査する検査方法であって、第1の受光素子と第2の受光素子とを有する検出部を、前記第2の光の長手方向に沿って、前記空間光変調素子に対して相対的に移動させる工程と、先に前記第2の光を照射される前記第1の受光素子の検出結果に基づいて、前記第2の受光素子の検出条件を変化させる工程と、を備える。
第1の態様から第5の態様によれば、先に第2の光を照射される第1の受光素子の検出結果に基づいて、第2の受光素子の検出条件を変化させるため、受光素子の測定レンジを複数回切り換えながら測定を行う必要がなく、作業性が向上する。
特に、第2の態様によれば、第1の受光素子は第2の受光素子よりも高感度であるため、測定値のとりうる範囲が広い場合に有効である。
特に、第3の態様によれば、第1の受光素子は、第2の光の全体的光量を反映した検出値を与える素子であり、第2の受光素子は、第2の光を構成する複数の変調光のそれぞれの光量を検出する素子である。第1の受光素子は第2の受光素子の検出条件を調整するために設けられるから、個々の描画画素についての光量を必ずしも知る必要はない。そこで、第3の態様では、第1の受光素子については第2の光の全体的光量を反映させる素子を使用することによって、第1の受光素子に求められる要請をより高度に達成できる。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。以下の実施形態は、本発明を具体化した例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。
図1には、本発明の実施の形態に係るパターン描画装置1の側面図が示されており、図2には、パターン描画装置1の平面図が示されている。パターン描画装置1は、液晶表示装置用のガラス基板W(以下、単に「基板W」という。)上の感光材料に光を照射してパターンを描画する装置である。
図1及び図2に示されるように、パターン描画装置1は、感光材料の層が(+Z)側の主面W1(以下、「上面W1」という。)上に形成された基板Wを保持する基板保持部3、基台11上に設けられて基板保持部3をX方向およびY方向に移動する保持部移動機構2、基板保持部3および保持部移動機構2を跨ぐように基台11に固定されるフレーム12、フレーム12に取り付けられて基板W上の感光材料に変調された光(以下において変調光と称する場合がある。)を照射する光照射部4、光照射部4からの変調光を受ける検出部51、検出部51をX方向に移動する検出部搬送機構52を備える。また、図1に示されるように、検出部51からの出力に基づいて光照射部4の駆動を制御する制御部90を備える。なお、変調光が本実施形態における第2の光に相当する。
なお、以下において、Y方向を主走査方向と称し、X方向を副走査方向と称する場合がある。また、後に詳述する帯状の変調光の短幅方向が主走査方向(Y方向)に一致し、帯状の変調光の長手方向が副走査方向(X方向)に一致する。また、基板Wが載置される基板保持部3の面に直交する方向を高さ方向と称する場合がある。このX軸及びY軸により構成される面が水平面であるとともに、Z軸が水平面に対する鉛直軸である。
図1及び図2に示されるように、基板保持部3は、基板Wが載置されるステージ31、ステージ31を回転可能に支持する支持プレート33及び支持プレート33上において、基板Wの上面W1に垂直な回転軸321を中心にステージ31を回転するステージ回転機構32を備える。ステージ回転機構32は、ステージ31の(+X)側に設けられたリニアモータ322を備え、リニアモータ322は、ステージ31の(+X)側の側面に固定された移動子と支持プレート33の上面に設けられた固定子とを備える。ステージ回転機構32では、リニアモータ322の移動子が固定子の溝に沿ってY方向に沿って移動することにより、ステージ31が、支持プレート33上に設けられた回転軸321を中心として所定の角度の範囲内で回転する。
保持部移動機構2は、基板保持部3を図1及び図2中の副走査方向に移動する副走査機構23、副走査機構23を介して支持プレート33を支持するベースプレート24、及び基板保持部3をベースプレート24と共に主走査方向に移動する主走査機構25を備える。
副走査機構23は、支持プレート33の下側(すなわち、(−Z)側)において、ステージ31の主面に平行かつ副走査方向に延びるリニアモータ231、リニアモータ231の(+Y)側及び(−Y)側において副走査方向に延びる一対のリニアガイド232を備える。リニアモータ231は、支持プレート33の下面に固定された移動子とベースプレート24の上面に設けられた固定子とを備え、当該移動子が固定子に沿って副走査方向に移動することにより、基板保持部3がリニアモータ231及びリニアガイド232に沿って直線的に移動する。
主走査機構25は、ベースプレート24の下側において、主走査方向に延びるリニアモータ251、リニアモータ251の(+X)側及び(−X)側において主走査方向に延びる一対のエアスライダ252を備える。リニアモータ251は、ベースプレート24の下面に固定された移動子と基台11の上面に設けられた固定子とを備え、当該移動子が固定子に沿って主走査方向に移動することにより、ベースプレート24が、基板保持部3と共にリニアモータ251及びエアスライダ252に沿って主走査方向に直線的に移動する。
図2に示されるように、光照射部4は、フレーム12に取り付けられた複数(図の例では、8個)の光学ヘッド41,41,・・,41を備える。
また、光照射部4は、図1に示されるように、複数の光学ヘッド41,41,・・,41のそれぞれに接続される光源光学系42、紫外光を出射するUV光源43及び光源駆動部44を備える。UV光源43は固体レーザであり、光源駆動部44の駆動により、UV光源43から波長355nmの紫外光が出射され、光源光学系42を介して光学ヘッド41へと導かれる。なお、UV光源43から照射された光が本実施形態における第1の光に相当する。
複数の光学ヘッド41,41,・・,41のそれぞれは、UV光源43からの光を下方に向けて出射する出射部45、出射部45からの光を反射して所定の空間光変調用空間へと導く光学系451、空間光変調用空間に配設され、光学系451を介して照射された出射部45からの光を変調しつつ反射する空間光変調器46、及び空間光変調器46からの変調された光を基板Wの上面W1に設けられた感光材料上へと導く光学系47を備える。なお、光源光学系42、出射部45及び光学系451が、UV光源43からの第1の光を所定の変調用空間に導く本実施形態における第1光路系に相当し、光学系47が本実施形態における第2の光路系に相当する。
図3には、空間光変調器46が拡大して示されている。図3に示されるように、空間光変調器46は、出射部45を介して照射されたUV光源43からの光を基板Wの上面W1へと導く回折格子型の光変調素子461を備える。光変調素子461は、半導体装置製造技術を利用して製造され、格子の深さを変更することができる回折格子となっている。光変調素子461には複数の帯状の可撓リボン461a及び帯状の固定リボン461bが交互に平行に配列形成され、複数の可撓リボン461aは背後の基準面に対して個別に昇降移動可能とされ、複数の固定リボン461bは基準面に対して高さが固定される。回折格子型の光変調素子としては、例えば、GLV(Grating Light Valve:グレーチング・ライト・バルブ)(「GLV」は登録商標)が知られている。
図4には、可撓リボン461aおよび固定リボン461bに対して直交する面における光変調素子461の断面が示されている。図4(a)に示されるように、可撓リボン461aおよび固定リボン461bが基準面461cに対して同じ高さに位置する(即ち、可撓リボン461aが撓まない)場合には、光変調素子461の表面は面一となり、入射光L1の反射光が0次光L2として導出される。一方、図4(b)に示されるように可撓リボン461aが固定リボン461bよりも基準面461c側に撓む場合には、可撓リボン461aが回折格子の溝の底面となり、1次回折光L3(さらには、高次回折光)が光変調素子461から導出され、0次光L2は消滅する。このように、光変調素子461が用いられて、回折格子を利用した光変調が行われる。
光照射部4では、UV光源43からの光が光源光学系42により帯状光(光束断面が帯状の光)とされ、出射部45を介して空間光変調器46のライン状に配列された複数の可撓リボン461aおよび固定リボン461b上に照射される。光変調素子461では、隣接する各1本の可撓リボン461aおよび固定リボン461bを1つのリボン対とすると、3つ以上のリボン対が、1個の単位素子を構成し、各単位素子が、描画されるパターンの1つの画素に対応する。
光変調素子461では、各単位素子に対して制御部90からの制御信号が与えられる。すなわち、光変調素子461においては、制御部90からの信号に基づいて、パターンの各画素に対応する単位素子におけるリボン対の可撓リボン461aがそれぞれ制御され、各画素に対応する単位素子におけるリボン対が0次光(正反射光)を出射する状態と、非0次回折光(主として1次回折光((+1)次回折光および(−1)次回折光))を出射する状態との間で遷移可能とされる。光変調素子461から出射される0次光は光学系47へと導かれ、1次回折光は光学系47とは異なる方向へと導かれる。なお、迷光となることを防止するために1次回折光は図示を省略する遮光部により遮光される。
光変調素子461からの0次光、即ち帯状の変調光は、光学系47を介して基板Wの上面W1へと導かれる。これにより、基板Wの上面W1上においてX方向(すなわち、主走査方向に垂直な副走査方向)に並ぶ複数の照射位置のそれぞれに変調された光が照射される。すなわち、光変調素子461の各画素に対応するリボン対は0次光を出射する状態がON状態であり、1次回折光を出射する状態がOFF状態とされる。
光変調素子461では、図4(a)に示されるように、可撓リボン461aと固定リボン461bとの基準面461cからの高さを等しくすることにより、0次光が信号光として得られるが、可撓リボン461aの高さを固定リボン461bの高さよりも僅かに低くすることにより信号光の光量を低下させることができ、この性質を利用して光変調素子461からの光量の調整を行うことができる。
パターン描画装置1では、保持部移動機構2により、基板Wを、図1及び図2に示される描画開始位置(具体的には、各光学ヘッド41が基板Wの+Y側の端縁の上方に配置される位置)から、(+Y)方向へと移動しつつ、光照射部4において各光学ヘッド41の空間光変調器46の光変調素子461(図3参照)が、描画されるべきパターンのデータに基づいて制御部90により制御される(すなわち、各画素に対応するリボン対のON/OFFが切り替えられる)ことにより、基板Wの上面W1上の感光材料に上記パターンが描画される。
図5には、検出部51の構成図が概略的に示されている。この検出部51が本実施形態における検査装置に相当する。
検出部51は、支持プレート33の上面であって、ステージ31の(+Y)側に配置されている(図1、図2参照)。後に明らかになるように、照射部4のキャリブレーション動作が行われる際には、保持部移動機構2が基板保持部3を主走査方向に沿って移動させることにより、光学ヘッド41が検出部51の真上に配置された状態とされる。
検出部51は、以下に詳述する各光学要素が筐体518の内部に配置された構造を有する。筐体518の上面には、対物レンズ512が設置されている。光学系47から照射された帯状の変調光は、対物レンズ512を介して検出部51に導入される。対物レンズ512は、例えば、100倍の倍率を有するレンズである。対物レンズ512を透過した変調光はミラー513によってその進行方向の変更を受けて、分割ミラー514に入射する。なお、ミラー513と分割ミラー514との間の光路の面積は比較的大きく設けられていることが望ましい。分割ミラー514に入射した変調光は、所定の光量の割合で、反射光と透過光とに分割される。分割ミラー514は、いわゆるハーフミラーと類似の構造を持つが、光透過率は50%でなくてもよい。
分割ミラー514で分割された変調光のうち、反射光は遮光板520に照射される。遮光板520には、スリット構造515が形成されている。このスリット構造515は、それぞれの長手方向が主走査方向、即ちY軸方向に沿うように伸びた複数(具体的には2つ)の単位スリット515a、515b(後述する図6参照)を、X方向に離隔して平行配置した構造となっている。したがって、分割ミラー514で反射された光の一部はこのスリット構造515を通過して2本のスリット光となる。このようなスリット光は、遮光板520にスリット構造515を形成しておく態様以外にも、例えば、レンズなどを用いて反射光のうち一部を取り出すような態様によっても得ることができる。キャリブレーション動作における、光学ヘッド41に対する検出部51の相対移動方向(ここでは、例えば、+X方向とする(図2の矢印AR51))について、先行する側(+X側)に配置されている単位スリット515aを、以下「第1の単位スリット515a」ともいう。また、他方の単位スリット515bを、以下「第2の単位スリット515b」ともいう。
この遮光板520の光の照射面とは反対側の空間に、複数(具体的には2つ)の受光素子、本実施形態では、フォトダイオード516と一次元CCD(Charge Coupled Device)素子519とが、図5におけるX軸方向に沿って列設されている。図6には、これらのフォトダイオード516と一次元CCD素子519との位置関係が拡大して模式的に示されている。このうち図6(a)に示される各光学素子の配置は、図5に記載されている配置と光学的に等価であり、ミラー513等の記載を省略して、遮光板520に設けられた単位スリット515a,515bとフォトダイオード516及び一次元CCD素子519の位置関係を表している。また、図6(b)では、フォトダイオード516及び一次元CCD素子519と各単位スリット515a,515bとの対応関係が模式的な平面拡大図として示されている。
フォトダイオード516は、キャリブレーション動作における、光学ヘッド41に対する検出部51の相対移動方向(ここでは、+X方向)について、一次元CCD素子519よりも先行する側(+X側)に配置されている。そして、フォトダイオード516には、第1の単位スリット515aを通った光が入射し、当該入射光の光量を反映した単一の値が検出される。一方、一次元CCD素子519には、第2の単位スリット515bを通った光が入射する。一次元CCD素子519においては、複数の画素(光検出セル)PXが一列に配置されており、第2の単位スリット515bを通過した光の光量が画素PXごとに検出される。
これらのフォトダイオード516及び一次元CCD素子519は、それぞれの受光面が遮光板520の表面(XY面)と平行であり、Z方向についてのフォトダイオード516と遮光板520との距離が、一次元CCD素子519と遮光板520との距離と一致するように、即ちフォトダイオード516と光源との光学的距離と、一次元CCD素子519と光源との光学的距離と、が一致するように設置されている。なお、図5では、一次元CCD素子519は、フォトダイオード516よりも上方に記載されているが、あくまでも図示の都合上であって、本来は、図6に示されるように、遮光板520に対して同じ高さに配置されている。
これらの一次元CCD素子519は、検出部51がひとつの位置にある状態で、光学系47から照射された断面が帯状の反射光(変調光)LFの短幅方向(Y方向)における一次元の光量分布を検出する。つまり、第2の単位スリット515bの長手方向(Y方向)と光の短幅方向とは一致する方向であり、第2の単位スリット515bの長手方向(Y方向)に沿って、一次元CCD素子519が有する複数の画素(単位検出素子)PXが、等間隔で配列されて受光を行う。なお、第2の単位スリット515bは、第1の単位スリット515aと間隔R1を隔てて平行に配置されている。
図6(c)は、反射光LFの光路を立体的に示した模式図であり、その一部が概念的な直方体として描かれている。この光路の断面は帯状であり、その短幅方向(Y方向)に沿って単位スリット515a、515bが延びている。図1の検出部搬送機構52の駆動によって検出部51が(+X)方向に移動することによって、単位スリット515a、515bが、反射光LFの光路のXY断面を走査方向SC((+X)方向)に向けて順次走査してゆくことになる。従って、空間光変調器46の同じチャンネルからの光は、先に第1の単位スリット515aを透過し、その後で第2の単位スリット515bを透過する。なお、図6(c)は、反射光LFと単位スリット515a,515bとの実際の位置関係を表しているわけではなく、単位スリット515a,515bの延在方向、走査方向、そして断面が帯状の光の短幅方向及び長手方向についての関係を概念的に表すものである。
一方、分割ミラー514の透過光は、進行方向に設置された一次元CCD素子517によって、その光量を検出される。
本実施形態では、上述のように、第1の単位スリット515aと第2の単位スリット515bとの間隔R1が設けられており、検出部51がX方向に沿って走査を行うため、空間光変調器46の同じチャンネルからの光であっても、フォトダイオード516による光検出と一次元CCD素子519による光検出とに時間的な差が生じる。
後に詳述するように、一次元CCD素子519は、反射光LFを構成する複数の変調光のそれぞれの光量を検出する素子として使用される。一方、フォトダイオード516は、一次元CCD素子519の光検出条件を調整するための情報を得るために、反射光LFの全体的光量を反映した検出値を与える素子として使用される。
図1および図2に示されるように、検出部搬送機構52は、副走査方向(X方向)に配設されたボールネジ524、保持部移動機構2の支持プレート33上に固定されるとともに筐体518を支持する副走査方向に配設された2本のガイドレール525及びボールネジ524に接続されるモータ526を備える。
パターン描画装置1では、後述する光照射部4のキャリブレーション動作の際に、検出部搬送機構52のモータ526によってボールネジ524が回転し、検出部51が、ガイドレール525に沿って、即ち副走査方向に沿って所定方向(ここでは、+X方向(矢印AR51))に移動される。これによって、光照射部4から照射された断面帯状の変調光が、検出部51のフォトダイオード516及び一次元CCD素子519によって、断面が帯状の変調光の長手方向(X方向)に沿って、順次受光及び検出される。検出された光信号は、それぞれ制御部90に送信されて記憶されるとともに所定の演算処理が行われる。特定のタイミングで一次元CCD素子519が検出するのは、反射光LFの断面における光量分布のうち特定のX座標に対応する帯状の光の短幅方向の一次元の光量分布である。X方向への走査を行いつつ一次元光量分布の測定を繰り返して、1次元光量分布の検出値をつなぎあわせることによって、断面が帯状の変調光の二次元光量分布が得られる。
なお、本実施形態では、フォトダイオード516及び一次元CCD素子519が受光しつつ、検出部搬送機構52の駆動により検出部51が移動することで、光を検出していたが、このような形態には限られない。検出部搬送機構52が設けられておらず、検出部51がステージ31に対して固定設置される形態であっても構わない。この場合には、主走査機構25によるステージ31の主走査方向における移動、又は副走査機構23によるステージ31の副走査方向における移動によって、検出部51は、光照射部4が有する空間光変調器46に対して相対的に移動し、光照射部4からの光を検出する。
図7には本実施形態における制御部90のハードウェア構成が示されている。図7に示されるように、制御部90は一般的なコンピュータと同様のハードウェア構成を有する。即ち、制御部90は各種演算処理を行うCPU91、基本プログラムPを記憶する読み出し専用のメモリであるRОM92、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAM93、記録媒体(より具体的には、CD−ROM、DVD(Digital Versatile Disk))、フレキシブルディスクなどの可搬性記録媒体)Mからその中に記憶されている情報を読み出すメディアドライブ94、キーボード、マウスなどで構成される入力デバイスであり、コマンドや各種データの入力といったユーザ操作を受け付ける入力部95及びカラーLCDのようなディスプレイ等を備え、各種のデータや動作状態を可変表示する表示部96をバスライン99に接続して構成されている。また、バスライン99には、光源駆動部44、空間光変調器46、検出部搬送機構52、保持部移動機構2などが電気的に接続されている。
図8には、光照射部4のキャリブレーション動作に係る処理の流れを示すフローチャートが示されている。このフローチャートに沿って、上述の構成を有する検出部51の処理動作について説明する。
はじめに、基板保持部3を保持部移動機構2によって主走査方向に沿って移動させて、各光学ヘッド41が検出部51の真上に配置された状態とする(ステップS11)。ただし、このとき、検出部搬送機構52は、検出部51を、これが有する対物レンズ512が最も−X側に配置された光学ヘッド41の光学系47の直下の位置に配置されるような位置に、配置する。
検出部51が上記の光学系47の直下の位置に到達すると、キャリブレーション動作が開始される。キャリブレーション動作においては、検出部51が+X方向に移動されつつ、光照射部4が備える複数の光学ヘッド41,41,・・,41のそれぞれについて、露光処理に使用される光の検査が次々と行われる。各光学ヘッド41について行われる当該検査の態様は同じであるので、以下においては、1個の光学ヘッド41に対する当該検査の態様を説明する。
まず、制御部90からの指令に応じて光源駆動部44の駆動が開始され、UV光源43から光が照射される(ステップS12)。UV光源43から照射された光は、光源光学系42にて断面が帯状に変形され、光照射部4に導入される。光照射部4に導入された光は空間光変調用空間に配置された空間光変調器46によって変調される。そして、変調された光は光学系47から外部に向けて照射される。
光学系47から照射された断面帯状の変調光の長手方向における端の部分は、検出部51の対物レンズ512に入射する。入射した光は、検出部51において、ミラー513及び分割ミラー514によって進行方向を変えられ、遮光板520に達する。遮光板520に形成された単位スリット515a,515bを透過した光は、フォトダイオード516及び一次元CCD素子519によって検出される。このとき一次元CCD素子519は、第2の単位スリット515bを透過した光が有する、ステージ31の主走査方向(Y方向)、即ち断面帯状の変調光の短幅方向における一次元の光量分布を検出する。一方、フォトダイオード516は、第1の単位スリット515aを透過した光が有する光量を検出する。
検出部51は検出部搬送機構52によって、ステージ31の副走査軸(X軸)、即ち断面が帯状の変調光の長手方向に沿って、+X方向に、変調光を受けながら移動される(ステップS13)。従って、空間光変調器46の所定のチャンネルからの変調光は、第1の単位スリット515aを介して、一次元CCD素子519よりも先にフォトダイオード516に照射される。換言すれば、フォトダイオード516が一次元CCD素子519よりも先に変調光を検出する(ステップS14)。このように、光照射部4からの光、具体的には空間光変調器46の所定のチャンネルからの変調光についてのフォトダイオード516の検出結果に基づいて、制御部90は、一次元CCD素子519が当該チャンネルからの変調光を検出する直前に、一次元CCD素子519の感度領域を調整する(ステップS15)。そして、一次元CCD素子519が、調整された感度領域で第2の単位スリット515bを介して照射された当該チャンネルからの変調光を検出する(ステップS16)。つまり、一次元CCD素子519の検出条件を変化させる。
制御部90は、フォトダイオード516が光量を検出する都度、そのときの検出感度を記憶しており、その検出感度を、後続して同じ変調光を検出する一次元CCD素子519に設定する。一次元CCD素子519の検出感度を調整するタイミングは、検出部搬送機構52の移動速度に応じて、制御部90によって算出される。
図9には、副走査方向、即ち断面が帯状の変調光の長手方向(X方向)における光量分布の一例が示されている。このうち拡大図に示されるように、光量が比較的低い状態(以下において低光量域T1と称する場合がある。)から比較的高い状態(以下において、高光量域T2と称する場合がある。)に移行する場合には、光量の変化量が大きくなる。
フォトダイオード516は高感度であるため、光が低光量域T1から高光量域T2に変化しても飽和することなく、その光量を検出する。そして、一次元CCD素子519は、その光量を検出可能な感度に調節される。
より具体的には、図10に示されるように、時間経過に伴って、先行するフォトダイオード516の検出結果が感度領域Z1〜Z4に相当するような値に変化する場合、後続する一次元CCD素子519の感度についても時間差をおいて感度領域Z1〜Z4に調節される。すなわち、フォトダイオード516の検出結果としての受光光量が大きい場合には一次元CCD素子519の感度領域を高光量域に設定し、フォトダイオード516の受光光量が小さい場合には一次元CCD素子519の感度領域を低光量域に設定する。そのために、フォトダイオード516の受光光量値の段階のそれぞれに対して、一次元CCD素子519の感度領域をひとつずつ割り当てるようなテーブルをあらかじめ準備して制御部90内のメモリに記憶しておき、そのテーブルを参照してフォトダイオード516の受光光量値に応じた一次元CCD素子519の感度領域を決定する。
一般に、一次元CCD素子は低感度であるため、光量の変化量が大きい場合には、その測定範囲に対応できず、飽和する恐れがある。本実施形態では、高感度のフォトダイオード516の検出結果に基づいて、低感度の一次元CCD素子519の検出感度を調節するための処理が適宜行われる。
ここで行われる具体的な処理については、例えば検出部51の移動速度を変化させる、又は一次元CCD素子519のシャッタ時間(電荷蓄積時間や信号取出しのサンプリング周期)を調節するなどが挙げられる。
また、一次元CCD素子519の出力信号のプリアンプのオフセット値を変化させることによって、設定する感度領域の下限値を調整できるほか、プリアンプのゲインを変化させることによってダイナミックレンジ(感度領域の幅)を調整できる。また、一次元CCD素子519の出力信号のAD変換の量子化幅を変化させることによって、感度段階を変化させることもできる。
これらはすべて、第1の受光素子での検出結果によって調整されるような、第2の受光素子の「検出条件」に該当する。
検出部51は変調光を受けつつ、検出部搬送機構52によって、ステージ31の副走査方向、即ち断面が帯状の変調光の長手方向に沿って移動する。これによって、一次元CCD素子519で検出された、断面が帯状の変調光の短幅方向における一次元の光量分布に関する信号が連続的に制御部90に送られる。この一次元光量分布に基づいて、二次元光量分布が算出される(ステップS17)。
図11には一次元CCD素子519で検出された二次元光量分布の一例が示されている。図11に示される主走査方向における一次元光量分布各々が、空間光変調器46の各チャンネルからの変調光に対応する。
このように、断面が帯状の変調光の長手方向のみならず、短幅方向における光量分布についても得られる。二次元光量分布が算出されることによって、副走査方向における光量のバラツキのみならず、主走査方向も含めて、例えば主走査方向における所定のチャンネルでの部分的な光量の欠落など、より全体的な光量のバラツキを確認することができる。
以上のように、本実施形態では、先に変調光を照射される第1の受光素子に相当するフォトダイオード516の検出結果に基づいて、第2の受光素子に相当する一次元CCD素子519の検出条件を変化させる。このため、一次元CCD素子519の測定レンジを複数回切り換えながら測定を行う必要がなく、作業性が向上する。
特に、本実施形態のように、第1の受光素子としてフォトダイオード516、第2の受光素子として一次元CCD素子519が採用される場合、第1の受光素子が第2の受光素子よりも高感度であるため、光量の測定値のとりうる範囲が広い場合であっても飽和することなく検出することができる。
特に、本実施形態のように空間光変調器としてGLVを使用する場合、GLVは、回折を利用して光を変調させるため、光をOFFにする場合であっても微量の光成分を発する。従来であれば、このような微量の光成分が光量の積算結果に反映されても、一次元CCD素子などで検出することは難しかった。しかしながら、本実施形態では、先行するフォトダイオードの検出結果によって、一次元CCD素子の検出感度を変化させることができるため、このような微量成分についても検出することができる。
また、空間光変調器46の所定のチャンネルからの光を第1の受光素子と第2の受光素子とが時間差をもって検出するため、光量分布の時間変化を検出することもできる。従って、キャリブレーション、又は光量分布の取得時間を短縮できる。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、一次元CCD素子が用いられていたが、このような形態には限られず、二次元CCD素子であってもよい。
すなわち、この発明の好ましい態様として、第1の受光素子は、第2の光の全体的光量を反映した検出値を与える素子であり、第2の受光素子は、第2の光を構成する複数の変調光のそれぞれの光量を検出する素子である。そして、第1の受光素子としての好ましい例がフォトダイオードであり、第2の受光素子としては、複数の受光セルを1次元的または2次元的に配列させた光検出素子(1次元または2次元CCD素子)を使用することができる。CCD素子のかわりにC−MOS型のラインセンサまたはエリアセンサを使用することも可能である。
また、高感度の受光素子を2つ並べ、一方が先行的に光量を調査し、後方の素子が微小な光量変化を観察することもできる。また、同じ感度の受光素子を2つ並べて、時間的な光量変化を確認するようにしてもよい。
また、検出部51は、対物レンズ、又はミラー等の光学要素を必ずしも図5に示されるように配設させなくて構わない。検出部51の周囲に配設される他の装置類の状態に応じて、適宜配設される形態であってよい。また、構造上、受光素子を光照射部4の直下に配設可能であるならば、検出部51は、対物レンズ、又はミラー等を必ずしも備えなくてもよい。
また、上記の各実施形態では、空間光変調器46として回折格子型の空間光変調器であるGLVが用いられていたが、空間光変調器46は、GLVに限るものではない。例えば、DMD(Digital Micromirror Device:デジタルマイクロミラーデバイス:テキサスインスツルメンツ社製)のような変調単位であるマイクロミラーが二次元的に配列された空間光変調器が利用されてもよいし、液晶シャッタにより構成される空間光変調器が利用されてもよい。
また、上記の実施の形態においては、フォトダイオード516と一次元CCD素子519とを、検出部搬送機構52の駆動により一体的に移動するようにしたが、各々の受光素子516,519を個別に駆動する別々の搬送機構を設けるようにしてもよい。この変形例によると、先行する第1の受光素子(上記の実施の形態における、フォトダイオード516)の検出結果により、第2の受光素子(上記の実施の形態における、一次元CCD素子519)に必要な光量が不足することが判明した場合、第2の受光素子の移動速度を制御して、当該移動速度を遅くすることによって、露光時間を長くして、第2の受光素子における光量の不足を解消することができる。これによって、図9に示されるような低光量域T1における検出状態をより向上させることができる。
上記実施の形態に係るパターン描画装置は、液晶表示装置用のカラーフィルタ基板に対するパターンの描画に利用されてもよく、また、プラズマ表示装置や有機EL(Electro Luminescence)表示装置等の平面表示装置用のガラス基板、半導体基板やプリント配線基板、あるいは、フォトマスク用のガラス基板等に対するパターンの描画に利用することもできる。
また、上記の実施の形態に係るパターン描画装置1は、光学ヘッド41を複数個備えるものとしたが、光学ヘッド41は1個だけ設けられる構成でもよい。光学ヘッドの個数が比較的少ない場合(例えば、2個以下である場合)、光学ヘッドとステージとを、主走査方向および副走査方向について相対的に移動させる駆動機構を設け、パターンの描画動作において、光学ヘッドから変調光を出射させつつ、光学ヘッドを、ステージに対して、主走査方向だけでなく副走査方向にも相対的に移動させつつ(例えば、主走査と副走査とを繰り返して行わせつつ)、光学ヘッドに基板Wの全域を走査させればよい。この構成においては、検出部51をステージに対して固定し、上記の駆動機構に光学ヘッドとステージとを副走査方向について相対的に移動させることによって、光学ヘッドと検出部51とを副走査方向について相対的に移動させることができる。つまり、この変形例においては、当該駆動機構を、反射光LFの長手方向に沿って、検出部51を空間光変調器46に対して相対的に移動させる検出部搬送機構として機能させることができる。したがって、検出部51をステージに対して移動させる上述の検出部搬送機構52は省略することができる。
1 パターン描画装置
2 保持部移動機構
43 UV光源
46 空間光変調器
51検出部
52 検出部搬送機構
516 フォトダイオード
519 一次元CCD素子
W 基板
2 保持部移動機構
43 UV光源
46 空間光変調器
51検出部
52 検出部搬送機構
516 フォトダイオード
519 一次元CCD素子
W 基板
Claims (6)
- 光源から照射された第1の光が空間光変調素子で変換されて生成されるとともに、描画対象物への描画に使用される断面が帯状の第2の光を検査する検査装置であって、
前記第2の光を検出する検出部と、
前記第2の光の長手方向に沿って、前記検出部を前記空間光変調素子に対して相対的に移動させる検出部搬送機構と、
を備え、
前記検出部は、
第1の受光素子と第2の受光素子とを有し、
先に前記第2の光を照射される前記第1の受光素子の検出結果に基づいて、前記第2の受光素子の検出条件を変化させることを特徴とする検査装置。 - 請求項1に記載の検査装置であって、
前記第1の受光素子は、前記第2の受光素子よりも高感度であることを特徴とする検査装置。 - 請求項1または請求項2に記載の検査装置であって、
前記第1の受光素子は、前記第2の光の全体的光量を反映した検出値を与える素子であり、
前記第2の受光素子は、前記第2の光を構成する複数の変調光のそれぞれの光量を検出する素子であることを特徴とする検査装置。 - 請求項3に記載の検査装置であって、
前記第1の受光素子はフォトダイオードであり、前記第2の受光素子が複数の光検出セルを配列させた光検出素子であることを特徴とする検査装置。 - 光源からの第1の光を所定の変調用空間に導く第1光路系と、
前記変調用空間に配置され、前記第1の光を変調する空間光変調素子と、
前記第2の光を描画対象物の表面に導く第2光路系と、
前記描画対象物を保持する基板保持部と、
前記第2の光と前記描画対象物とを相対的に移動させることにより、前記第2の光によって前記描画対象物の表面を走査させる走査駆動部と、
請求項1ないし4のいずれか一つに記載の検査装置と、
を備える露光装置。 - 光源から照射された第1の光が空間光変調素子で変換されて生成されるとともに、描画対象物への描画に使用される断面が帯状の第2の光を検査する検査方法であって、
第1の受光素子と第2の受光素子とを有する検出部を、前記第2の光の長手方向に沿って、前記空間光変調素子に対して相対的に移動させる工程と、
先に前記第2の光を照射される前記第1の受光素子の検出結果に基づいて、前記第2の受光素子の検出条件を変化させる工程と、
を備える検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012059941A JP2013197147A (ja) | 2012-03-16 | 2012-03-16 | 検査装置、露光装置及び検査方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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ID=49395790
Family Applications (1)
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JP2012059941A Pending JP2013197147A (ja) | 2012-03-16 | 2012-03-16 | 検査装置、露光装置及び検査方法 |
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JP (1) | JP2013197147A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016167017A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 検査方法及び検査装置 |
CN111965960A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-11-20 | 合肥众群光电科技有限公司 | 基于线阵成像组件的3d手机盖板玻璃曝光装置及方法 |
-
2012
- 2012-03-16 JP JP2012059941A patent/JP2013197147A/ja active Pending
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