JP2013196584A - 非接触式ｉｃ実装基板及び非接触式ｉｃカード - Google Patents

Abstract

【課題】非接触式の情報読取り書き込み装置から高出力の誘導磁界が印加されても、ＩＣチップの発熱を抑制でき、通信特性の変化を抑制して安定に通信動作する、低コストで信頼性に優れた非接触式ＩＣ実装基板及び非接触式ＩＣカードを提供する。
【解決手段】回路基板と、前記回路基板の表面側または裏面側に形成されたアンテナ回路と、前記アンテナ回路の一部に形成された端子部と、この端子部とは電気的に独立のダミー端子部と、前記端子部及びダミー端子部に搭載されたＩＣチップと、を有する非接触式ＩＣ実装基板であって、前記ＩＣチップが搭載されるＩＣ実装部の回路基板上に、放熱パターンが配置され、前記ＩＣ実装部における、前記端子部とダミー端子部と放熱パターンとを合わせた導体パターン領域が、前記ＩＣ実装部とほぼ重なるように形成される非接触式ＩＣ実装基板。
【選択図】図３

Description

本発明は、情報読取り書込み装置により非接触で情報等を送受信する、非接触式ＩＣ実装基板及び非接触式ＩＣカードに関するものである。

近年、非接触式ＩＣカードは、キャッシュカード（バンクカード）、クレジットカード、社員証カード、鉄道・バス等の交通機関やアミューズメントのサービスに使用するプリペイドカード等、幅広い業界に導入され、身近な生活からビジネスまで様々な分野で利用が始まっている。更に、公共機関のサービスに利用する住民基本台帳カードや運転免許証カード等、セキュリティー性の高い分野へも普及が始まっている。一方で、非接触式ＩＣカードに搭載されるＩＣチップは、コスト低減のための小型化と、メモリの増大や高セキュリティー性を保持するような高機能デバイス化に伴い、通信動作中にＩＣチップ自体が発熱し易く、ＩＣチップの破壊や通信機能を低下させる不具合が発生する危険性が高くなっている。

ＩＣチップが発熱する原理は、情報読取り書込み装置により発生する誘導磁界を非接触ＩＣカードが受信する際、高出力の磁界強度を受信すると、非接触式ＩＣカードに搭載されたＩＣチップへ過大な電力が供給され、ＩＣチップの発熱量が増大する。長時間にわたり発熱温度が半導体の上限温度を超え続けると、ＩＣチップ内部の半導体素子が破壊したり、電気特性が低下し通信機能が停止することになる。

一般的に、前記のようなＩＣチップ発熱不具合を防止する有効な手段の１つとしては、非接触式ＩＣカードのアンテナ受信感度を低下させ、ＩＣチップへ過度な電力を供給しないことが実施されている。例えば、アンテナの線幅を細くする、アンテナの厚みを薄くする、アンテナのターン数（全長）を増やす、又はアンテナの材質を変更することによってアンテナ抵抗を増加させる。他には、アンテナの開口面積を小さくする、共振周波数をシフトさせる等により、受信感度を下げることができる。しかしながら、上記のような方法では、情報読取り書込み装置との通信距離低下や、送受信信号の変調波形がなまり、安定した通信動作を行えない可能性がある。

また、特許文献１によれば、共振回路（本特許ではアンテナ回路にあたる）に並列に接続されたインピーダンスと、共振回路とインピーダンスとを接続／非接続にするスイッチと、感熱素子によって検知された温度によってスイッチをオン／オフにする制御手段とを備える非接触式ＩＣカードが示されている。感熱素子によって検知された温度が所定のレベルを超えた場合、スイッチがオンとなりインピーダンスが共振回路と接続される。すると、共振周波数が変動又はＱ値が低下し、すなわち受信感度が低下し、ＩＣチップへの供給電力が低下することで、発熱を抑制することができる。しかしながら、通信動作中に通信特性が変化してしまい、安定した通信動作を行えないこと、及び上記手段を達成するためには、製造コストを増加させるデメリットが考えられる。

特許第３７５８９６１号公報

本発明は、非接触式の情報読取り書き込み装置から、高出力の誘導磁界が印加されてもＩＣチップの発熱を抑制でき、通信特性の変化を抑制して安定に通信動作する、低コストで信頼性に優れた非接触式ＩＣ実装基板及び非接触式ＩＣカードを提供することを目的とする。

本発明は、以下のものに関する。
（１） 回路基板と、前記回路基板の表面側または裏面側に形成されたアンテナ回路と、前記アンテナ回路の一部に形成された端子部と、この端子部とは電気的に独立のダミー端子部と、前記端子部及びダミー端子部に搭載されるＩＣチップと、を有する非接触式ＩＣ実装基板であって、前記ＩＣチップが搭載されたＩＣ実装部の回路基板上に、放熱パターンが配置され、前記ＩＣ実装部における、前記端子部とダミー端子部と放熱パターンとを合わせた導体パターン領域が、前記ＩＣ実装部とほぼ重なるように形成される非接触式ＩＣ実装基板。
（２） （１）において、ＩＣ実装部の回路基板上に配置された放熱パターンが、端子部及びダミー端子部の何れとも電気的に独立に形成される非接触式ＩＣ実装基板。
（３） （１）において、ＩＣ実装部の回路基板上に配置された放熱パターンが、端子部又はダミー端子部を拡大して形成される非接触式ＩＣ実装基板。
（４） （１）から（３）の何れかにおいて、ＩＣ実装部における、端子部とダミー端子部と放熱パターンとを合わせた導体パターン領域の面積が、ＩＣ実装部の面積の７０％以上である非接触式ＩＣ実装基板。
（５） （１）から（４）の何れかの非接触式ＩＣ実装基板と、回路基板の表面側又は裏面側に積層された接着剤Ａと、更に前記接着剤Ａの上に積層された表皮基材Ａと、前記回路基板の接着剤Ａが積層された面とは反対側に積層された接着剤Ｂと、更に前記接着剤Ｂの上に積層された表皮基材Ｂとを有する非接触式ＩＣカード。

本発明は、非接触式の情報読取り書き込み装置から、高出力の誘導磁界が印加されてもＩＣチップの発熱を抑制でき、通信特性の変化を抑制して安定に通信動作する、低コストで信頼性に優れた非接触式ＩＣ実装基板及び非接触式ＩＣカードを提供することが可能となる。

第１の実施形態（実施例１）の非接触式ＩＣ実装基板の全体を、表面側から見た平面図を示す。 図１のＩＣ実装部を、表面側から見た拡大平面図を示す。 図２のＩＣ実装部を、裏面側から見た拡大平面図を示す。 図３の破線箇所Ａ−Ａ’の断面図を示す。 第２の実施形態（実施例２）の非接触式ＩＣ実装基板のＩＣ実装部を、裏面側から見た拡大平面図を示す。 第１又は第２の実施形態の非接触式ＩＣ実装基板を用いた非接触式ＩＣカードを、表面上から見た平面図である。 図６の破線箇所Ｂ−Ｂ’の断面図を示す。 第３の実施形態（実施例３）の非接触式ＩＣ実装基板のＩＣ実装部を、裏面側から見た拡大平面図を示す。 従来品の非接触式ＩＣ実装基板のＩＣ実装部を、裏面側から見た拡大平面図を示す。

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、対応する部分には同一の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。又、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

図１から図４は、本発明の非接触式ＩＣ実装基板の第１の実施形態を、図５は、第２の実施形態を、図８は第３の実施形態を示すものである。本発明において、非接触式ＩＣ実装基板とは、非接触式ＩＣカードを構成する部材として用いられるものであり、回路基板１と、前記回路基板１の表面側または裏面側に形成されたアンテナ回路２と、前記アンテナ回路２の一部に形成された端子部３と、この端子部３とは電気的に独立のダミー端子部１３と、前記端子部３及びダミー端子部１３に搭載されたＩＣチップ４と、を有するものが挙げられる。図１は、第１の実施形態の非接触式ＩＣ実装基板の全体を、表面側から見た平面図であり、図２は、図１の非接触式ＩＣ実装基板のＩＣチップ４を実装する領域（以下、ＩＣチップ４を実装する回路基板１上の領域を「ＩＣ実装部」という。）を、表面側から見た拡大平面図であり、図３は、図２のＩＣ実装部を１６、裏面側から見た拡大平面図であり、図４は、図３の破線箇所Ａ−Ａ’の断面を説明する図である。図５は、第２の実施形態の非接触式ＩＣ実装基板のＩＣ実装部１６を、表面側から見た拡大平面図である。図８は、第３の実施形態の非接触式ＩＣ実装基板のＩＣ実装部１６を、表面側から見た拡大平面図である。

図１から図４、図５及び図８に示すように、本発明の第１から第３の実施形態の非接触式ＩＣ実装基板は、回路基板１と、前記回路基板１の表面側に形成されたアンテナ回路２と、前記アンテナ回路２のパターンの一部に配置された端子部３と、この端子部３とは電気的に独立のダミー端子部１３と、前記端子部３及びダミー端子部１３にフェースダウン実装方式で搭載されたＩＣチップ４とを有し、前記ＩＣチップ４が実装されるＩＣ実装部１６における、前記端子部とダミー端子部と放熱パターンとを合わせた導体パターン領域が、前記ＩＣ実装部１６（ＩＣチップ４の表面積エリア）とほぼ重なるように形成される。

本発明において、回路基板１とは、アンテナ回路２を支持する基板をいう。回路基板１としては、アンテナ回路２等の導体パターンを支持できるベース基材となるものであれば特に制限されるものではないが、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド等のフィルム基材を用いることができる。アンテナ回路２とは、回路基板１上に設けられる導体パターンであって、ＩＣチップ４からの電流を電波に変換して外部に送信したり、外部からの電波を受信して電流に変換しＩＣチップ４に伝えるものをいう。アンテナ回路２は、例えば、図１に示すように、螺旋状に周回するように設けられ、端子部３にＩＣチップ４を接続することにより、閉回路とされる。アンテナ回路２には、銅やアルミニウム等の金属薄膜、又は銀ペースト等の導電性塗料等を用いることができる。本発明において、端子部３とは、回路基板１上に設けられる導体パターンであって、ＩＣチップ４のバンプ部７と電気的に接続するアンテナ回路２の一部をいう。端子部３は、例えば、アンテナ回路２の端部に一対の対向する端子として形成することができる。ここで、端子部３と電気的に接続するＩＣチップ４のバンプ部７は、ＩＣチップ４の動作に必要なバンプ部７である。ＩＣチップ４には、回路基板１への搭載のために、動作に不要なバンプ部（以下、「ダミーバンプ部」という。）を設けることがあるが、このダミーバンプ部１４と接続する回路基板１の端子は、本発明において、ダミー端子部１３といい、本発明の端子部３には含まれない。

図１のようにアンテナ回路２が螺旋状に周回する場合は、閉回路にするために、アンテナ回路２の一部を跨ぐためのジャンパー配線６が必要となる。ジャンパー配線６の方法としては、回路基板１にスルーホール（図示しない。）を形成し、回路基板１裏面にジャンパー配線６をする方法や、アンテナ回路２の一部に絶縁層（図示しない。）を設け、その上にジャンパー配線６をする方法等が用いられる。

ＩＣチップ４は、回路基板１の端子部３と電気的に接続するためのバンプ部７及びダミー端子部１３と接続するためのダミーバンプ部１４が形成されているものを用いることが好ましい。バンプ部７とダミーバンプ部１４は、それぞれ、２個ずつ設けられるのが一般的である。ＩＣチップ４のバンプ部７とアンテナ回路２の端子部３を電気的に接続する方法には、異方導電性接着剤８を用いた接続方法や、超音波接合等の方法が用いられる。

次に本発明の放熱パターン５とは、ＩＣチップ４から発生した熱を放熱し易くするために設けられる導体パターンをいう。放熱パターン５は、図３（第１の実施形態）のように、アンテナ回路２、端子部３及びダミー端子部１３とは別の、電気的に独立した導体パターンとして設けることもできるし、図５（第２の実施形態）及び図８（第３の実施形態）のように、アンテナ回路２、端子部３又はダミー端子部１３の何れかを、平面視においてＩＣチップ４と重なる領域を拡大するようにして設けることもできる。放熱パターン５が設けられることにより、ＩＣチップ４からの放熱効果を高めることが可能になり、非接触式の情報読取り書き込み装置から、高出力の誘導磁界が印加されてもＩＣチップの発熱を抑制でき、通信特性の変化を抑制可能になる。

放熱パターン５は、アンテナ回路２、端子部３、ダミー端子部１３と同様に、回路基板１上に設けられた金属箔を用いて形成するのが好ましい。例えば、回路基板１上に設けられた銅やアルミニウム等の金属薄膜を用いると、放熱効果が得られるうえに、エッチング等によって、アンテナ回路２、端子部３、ダミー端子部１３等の導体パターンと同時に形成することができ、製造コストを増加させることなく形成できる。

また、ＩＣ実装部１６において、端子部３とダミー端子部１３と放熱パターン５とを合わせた導体パターン領域は、ＩＣ実装部１６（平面視でＩＣチップ４と重なる回路基板１上の領域）とほぼ重なるように形成する。このように、放熱パターン５を、ＩＣ実装部１６とほぼ重なるように設けることで、ＩＣチップ４から発生した熱を放熱させる効果を得ることができる。ここで、ＩＣ実装部１６において、導体パターン領域が、ＩＣ実装部１６とほぼ重なるというのは、ＩＣ実装部１６において、端子部３、ダミー端子部１３、放熱パターン５を合わせた導体パターンの面積が、ＩＣ実装部１６の面積に対して７０％以上であることをいい、導体パターンの面積がＩＣ実装部１６の面積に対して８０％以上であればより好ましく、導体パターンの面積がＩＣ実装部１６の面積に対して９０％以上であれば更に好ましい。

但し、端子部３、ダミー端子部１３、放熱パターン５の位置、形状によっては、ＩＣチップ４に設けられたバンプ部７同士の短絡により、通信機能に不具合を起こす場合もあるため、端子部３の両端同士が短絡しないよう配置することは勿論、使用されるＩＣチップ４の制約事項を考慮して導体パターンを設計する必要がある。そのためには、図３（第１の実施形態）に示すように、端子部３、放熱パターン５、ダミー端子部１３が何れも短絡しないように、それぞれの間に間隙（スリット）を形成したり、図５（第２の実施形態）に示すように、端子部３を拡大して形成した放熱パターン５とダミー端子部１３とが短絡しないように、それぞれの間に間隙を形成したり、図８（第３の実施形態）に示すように、端子部３を拡大して形成した放熱パターン５と、ダミー端子部１３を拡大して形成した放熱パターン５とが短絡しないように、それぞれの間に間隙を形成するのが好ましい。ここでいう間隙は、少なくとも絶縁性を確保可能な幅以上を有すればよく、且つできるだけ狭い方が、放熱パターン５の面積をより拡大できる点で好ましい。例えば、金属箔を用いて、放熱パターン５等をエッチング等によって形成する場合、間隙の幅は、エッチング残りが生じないよう、金属箔の厚みの２倍程度以上の幅にするのが好ましい。具体的には、９〜３５μｍの金属箔を用いた場合、間隙の幅は、２０〜７０μｍ程度以上であるのが好ましい。このように、必要な間隙を設けることを考慮すると、導体パターンの面積は、ＩＣ実装部１６の面積に対して、７０〜９５％程度であるのが好ましい。

図５は、本発明の第２の実施形態に係る非接触式ＩＣ実装基板の概略構成を示すものであり、ＩＣ実装部１６を、裏面側から見た拡大平面図である。ＩＣ実装部１６の回路基板１上に配置された放熱パターン５が、端子部３を拡大して形成され、その結果、ＩＣ実装部１６における、端子部３、ダミー端子部１３、放熱パターン５を合わせた導体パターン領域が、ＩＣ実装部１６とほぼ重なるように形成される。これにより、放熱パターン５が端子部３と連続して設けられ、これら両者の間に間隙を設ける必要がないので、その分、第１の実施形態に比べて、ＩＣ実装部１６における、導体パターン領域の割合が大きくなり、より放熱効果を高めることができる。なお、第２の実施形態では、端子部３の方を拡大して放熱パターン５を形成したが、ダミー端子部１３の方を拡大して放熱パターンを形成しても、同様に放熱効果を高めることができる。

図８は、本発明の第３の実施形態に係る非接触式ＩＣ実装基板の概略構成を示すものであり、ＩＣ実装部１６を、裏面側から見た拡大平面図である。ＩＣ実装部１６の回路基板１上に配置された放熱パターン５が、端子部３及びダミー端子部１３の両者を拡大して形成され、その結果、ＩＣ実装部１６における、端子部３、ダミー端子部１３、放熱パターン５を合わせた導体パターン領域が、ＩＣ実装部１６とほぼ重なるように形成される。これにより、放熱パターン５が端子部３と連続して設けられ、これら両者の間に間隙を設ける必要がないので、その分、第１の実施形態に比べて、ＩＣ実装部１６における、導体パターン領域の割合が大きくなり、より放熱効果を高めることができる。また、端子部３とダミー端子部１３の両者の面積が拡大するので、第１及び第２の実施形態に比べて、ＩＣチップ４との位置合せが容易になるため、簡易な位置合せを採用することができ、装置コストを低減できる。さらに、実装時のＩＣチップ４の位置ずれによる不良が低減するため、高歩留まりが実現でき、低コスト化を図ることが可能になる。

図６は、上記の第１〜第３の実施形態の非接触式ＩＣ実装基板を用いて作製した非接触式ＩＣカードを、表面上から見た平面図である。図７は、第１の実施形態をの非接触式ＩＣ実装基板を用いて作製した非接触式ＩＣカードの場合を例として、図６の破線箇所Ｂ−Ｂ’の断面図を示す。

図７に示すように、本発明の非接触式ＩＣカードは、上記第１〜３の実施形態に係る非接触式ＩＣ実装基板と、回路基板の表面側に積層された接着剤Ａ９と、更に前記接着剤Ａ９の外側に積層された表皮基材Ａ１０と、回路基板の裏面側に積層された接着剤Ｂ１１と、更に前記接着剤Ｂ１１の外側に積層された表皮基材Ｂ１２とから構成される。

接着剤Ａ９，接着剤Ｂ１１は、ＩＣ実装基板と表皮基材Ａ１０、表皮基材Ｂ１２とを接着できるものであれば特に制約するものではないが、例えばポリエステル系の熱可塑性接着剤や、ポリウレタン系の湿気反応型接着剤等を用いることができる。表面側に積層される接着剤Ａ９は、ＩＣチップ４の厚みより厚く積層しておくことが好ましく、カード成形時に熱プレスや熱ラミネートを行う際、接着剤Ａ９が溶融、流動することで、ＩＣチップ４への圧力負荷の低減や、カード表面の平滑性を良好にすることができる。

表皮基材Ａ１０、表皮基材Ｂ１２は、カードの必要特性を満足するものであれば特に制約するものではないが、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやアモルファスＰＥＴフィルム等のプラスチック材料を用いる。経済性の点では、発泡タイプのＰＥＴフィルムや、塩化ビニール、ポリプロピレン、紙基材等を用いることも可能である。

以下、本発明の請求項に係る実施例について説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
まず回路基板１となる厚み５０μｍの透明ＰＥＴの片面に、厚み９μｍのアルミ箔を接着し、エッチング加工により螺旋状に周回するアンテナ回路２、端子部３、ダミー端子部１３及び放熱パターン５を形成した。なお、アンテナ回路２線幅は０．７５ｍｍ、端子部３及びダミー端子部１３は縦０．７５ｍｍ、横０．７５ｍｍとした。

次に、アンテナ回路２の最外周部と最内周部の一部にスルーホールを設け、その後、回路基板１裏面に銀ペースト導電塗料でジャンパー配線６を印刷方式で形成し表面のアンテナ回路２と導通させた。

次に、アンテナ回路２のＩＣチップ４との接続部、すなわち端子部３の先端部に異方導電性接着剤８をポッティングし、その上に厚さ２００μｍ、外周サイズ３ｍｍ×３ｍｍのＩＣチップ４を搭載し、熱圧着することにより端子部３とＩＣチップ４を接続し、非接触式ＩＣ実装基板を形成した（図１及び２）。

ここで、ＩＣ実装部１６を裏面側から見た回路基板１の拡大平面図を図３に示す。端子部３、放熱パターン５、ダミー端子部１３が何れも短絡しないように、それぞれの間に０．３ｍｍの間隙を形成した。つまり、放熱パターン５は、アンテナ回路２、端子部３及びダミー端子部１３とは別の、電気的に独立した導体パターンとして設けた。このとき、ＩＣ実装部１６における、端子部３とダミー端子部１３と放熱パターン５とを合わせた導体パターン領域は、ＩＣ実装部１６（ＩＣチップ４の表面積エリア）の約８０％であり、ほぼ重なるように形成されている。

（実施例２）
まず回路基板１となる厚み５０μｍの透明ＰＥＴの片面に、厚み９μｍのアルミ箔を接着し、エッチング加工により螺旋状に周回するアンテナ回路２、端子部３、ダミー端子部１３及び放熱パターン５を形成した。なお、アンテナ回路２線幅は０．７５ｍｍ、ダミー端子部１３は縦０．７５ｍｍ、横０．７５ｍｍとし、端子部３はダミー端子部１３と０．３ｍｍの間隙を有するようにしつつ、ＩＣ搭載部１６の全体に拡大した。つまり、端子部３は、放熱パターン５と一体化されている。これ以外は、実施例１と同様にして、非接触式ＩＣ実装基板を形成した。

ここで、ＩＣ実装部１６を裏面側から見た回路基板１の拡大平面図を図５に示す。端子部３を拡大して形成した放熱パターン５と、ダミー端子部１３とが短絡しないように、これらの間に０．３ｍｍの間隙を形成した。このとき、ＩＣ実装部１６における、端子部３とダミー端子部１３と放熱パターン５とを合わせた導体パターン領域は、ＩＣ実装部１６（ＩＣチップ４の表面積エリア）の約７６％であり、ほぼ重なるように形成されている。

（実施例３）
まず回路基板１となる厚み５０μｍの透明ＰＥＴの片面に、厚み９μｍのアルミ箔を接着し、エッチング加工により螺旋状に周回するアンテナ回路２、端子部３、ダミー端子部１３及び放熱パターン５を形成した。なお、アンテナ回路２線幅は１．５０ｍｍ、端子部３は、縦４．５０ｍｍ、横２．５０ｍｍ、ダミー端子部１３は縦４．５０ｍｍ、横２．５０ｍｍとし、端子部３及びダミー端子部１３は、互いに０．３ｍｍの間隙を有するようにしつつ、ＩＣ搭載部１６の全体に拡大した。つまり、端子部３及びダミー端子部１３は、それぞれ放熱パターン５と一体化されている。これ以外は、実施例１と同様にして、非接触式ＩＣ実装基板を形成した。

ここで、ＩＣ実装部１６を裏面側から見た回路基板１の拡大平面図を図８に示す。端子部３を拡大して形成した放熱パターン５と、ダミー端子部１３を拡大して形成した放熱パターン５とが短絡しないように、それぞれの間に０．３ｍｍの間隙を形成した。このとき、エッチングでパターン形成された端子部３とダミー端子部１３と放熱パターン５とを合わせた導体パターン領域は、ＩＣ実装部１６（ＩＣチップの表面積エリア）の約８０％であり、ほぼ重なるようにアルミ箔が形成されている。ＩＣチップ４の中心から伸びた０．３ｍｍ幅の十字線状の間隙と、ＩＣ搭載部１６の４隅に設けた０．５ｍｍ×０．５ｍｍの正方形の箇所は、アルミ箔を取り除いている。これは、ＩＣチップ４の実装位置や実装に用いる異方導電性接着剤８の充填量を、回路基板１となる透明ＰＥＴの裏面から外観検査するために設けたものである。

また比較例として、従来から実施されている、ＩＣ実装部１６を裏面側から見た回路基板１の拡大平面図を図９に示す。エッチングでパターン形成された端子部３とダミー端子部１３とを合わせた導体パターン領域は、ＩＣ実装部１６（ＩＣチップの表面積エリア）の約１６％であり、ＩＣチップの表面積エリアとほぼ重なるようには形成されていない。

上記によって製造された実施例１〜３と比較例の非接触式ＩＣ実装基板を、情報読取り書き込み装置により高出力の誘導磁界を印加し、ＩＣチップ温度、通信機能及び最大通信距離を比較評価した結果を表１に示す。これらの評価結果から、比較例の非接触式ＩＣ実装基板と比較して、実施例１〜３の非接触式ＩＣ実装基板は、ＩＣチップの発熱を２５℃から３０℃抑制することができ、通信特性が変化することなく安定して通信動作できることを実証できた。

１…回路基板
２…アンテナ回路
３…端子部
４…ＩＣチップ
５…放熱パターン
６…ジャンパー配線
７…バンプ部
８…異方導電性接着剤
９…接着剤Ａ
１０…表皮基材Ａ
１１…接着剤Ｂ
１２…表皮基材Ｂ
１３…ダミー端子部
１４…ダミーバンプ部
１６…ＩＣ実装部

Claims (5)

1. 回路基板と、前記回路基板の表面側または裏面側に形成されたアンテナ回路と、前記アンテナ回路の一部に形成された端子部と、この端子部とは電気的に独立のダミー端子部と、前記端子部及びダミー端子部に搭載されたＩＣチップと、を有する非接触式ＩＣ実装基板であって、
   前記ＩＣチップが搭載されるＩＣ実装部の回路基板上に、放熱パターンが配置され、
   前記ＩＣ実装部における、前記端子部とダミー端子部と放熱パターンとを合わせた導体パターン領域が、前記ＩＣ実装部とほぼ重なるように形成される非接触式ＩＣ実装基板。
2. 請求項１において、
   ＩＣ実装部の回路基板上に配置された放熱パターンが、端子部及びダミー端子部の何れとも電気的に独立に形成される非接触式ＩＣ実装基板。
3. 請求項１において、
   ＩＣ実装部の回路基板上に配置された放熱パターンが、端子部又はダミー端子部を拡大して形成される非接触式ＩＣ実装基板。
4. 請求項１から３の何れかにおいて、ＩＣ実装部における、端子部とダミー端子部と放熱パターンとを合わせた導体パターン領域の面積が、ＩＣ実装部の面積の７０％以上である非接触式ＩＣ実装基板。
5. 請求項１から４の何れかの非接触式ＩＣ実装基板と、回路基板の表面側又は裏面側に積層された接着剤Ａと、更に前記接着剤Ａの上に積層された表皮基材Ａと、前記回路基板の接着剤Ａが積層された面とは反対側に積層された接着剤Ｂと、更に前記接着剤Ｂの上に積層された表皮基材Ｂとを有する非接触式ＩＣカード。

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