JP2013195436A - レジスト材料、レジスト組成物、パターンが形成された基板の製造方法、およびレジスト材料の評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ラクトン骨格およびエステル骨格の両方を含むレジスト材料(M)であって、塩素ガスを用いる誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングを行ったときの、エッチング前およびエッチング後のラクトン骨格中のカルボニル基の量(a1−B)および(a1−A)、エッチング前およびエッチング後のエステル骨格中のカルボニル基の量(a2−B)および(a2−A)が、〔{(a1−B)−(a1−A)}/(a1−B)〕/〔{(a2−B)−(a2−A)}/(a2−B)〕≦1.5を満たすレジスト材料。
【選択図】なし
Description
例えば、ArFエキシマレーザーリソグラフィーにおいて用いられる化学増幅型レジスト材料として、波長193nmの光に対して透明なアクリル系重合体が注目されている。該アクリル系重合体としては、例えば、エステル部にアダマンタン骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルとエステル部にラクトン骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルとの重合体が提案されている(特許文献1、2等)。
本発明の目的は、ドライエッチングで加工を行った場合に極めてラフネスの低減されたパターンが形成された基板を製造できるレジスト材料およびレジスト組成物、ならびに該レジスト組成物を用いて、パターンが形成された基板を製造する方法を提供することにある。
また本発明は、レジスト材料の、ドライエッチングにおけるエッチング速度の均一性を評価する、レジスト材料の評価方法を提供することを目的とする。
[1]ラクトン骨格およびエステル骨格の両方を含むレジスト材料(M)であって、
塩素ガスを用いる誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングを行う前後で、レジスト材料(M)中のエステル骨格中のカルボニル基とラクトン骨格中のカルボニル基の含有量を測定したときに、下記式(1)で表される値Xが、X≦1.5を満たすレジスト材料。
X=〔{(a1−B)−(a1−A)}/(a1−B)〕/〔{(a2−B)−(a2−A)}/(a2−B)〕 ・・・(1)
式中、(a1−B)はエッチング前のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a1−A)はエッチング後のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−B)はエッチング前のエステル骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−A)はエッチング後のエステル骨格中のカルボニル基の量である。
[3][2]に記載のレジスト組成物を、基板の被加工面上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像液を用いて現像してレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行う工程を含む、パターンが形成された基板の製造方法。
(1)レジスト材料(M)を溶媒に溶解させた溶液を用いて、基板上に膜を形成する工程、
(2)前記膜中に存在する、エステル骨格中のカルボニル基の量(a2−B)と、ラクトン骨格中のカルボニル基の量(a1−B)をそれぞれ測定する工程、
(3)前記膜に対して、塩素ガスを用いる誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングを行う工程、
(4)前記反応性イオンエッチングを行った後の膜中に存在する、エステル骨格中のカルボニル基の量(a2−A)と、ラクトン骨格中のカルボニル基の量(a1−A)をそれぞれ測定する工程、
(5)下記式(1)で表される値Xを求める工程。
X=〔{(a1−B)−(a1−A)}/(a1−B)〕/〔{(a2−B)−(a2−A)}/(a2−B)〕 ・・・(1)
式中、(a1−B)はエッチング前のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a1−A)はエッチング後のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−B)はエッチング前のエステル骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−A)はエッチング後のエステル骨格中のカルボニル基の量である。
本発明のレジスト組成物は、これを用いてレジストパターンを形成することにより、ドライエッチング後のラフネスが低減されたパターンが得られる。また本発明のレジスト組成物は化学増幅型レジスト組成物として用いた場合に、DUVリソグラフィーまたは電子線リソグラフィーに好適である。
本発明の、パターンが形成された基板の製造方法によれば、表面ラフネスの少ない高精度の微細パターンが形成された基板を生産性よく製造できる。
本発明の評価方法によれば、レジスト材料(M)の、ドライエッチングにおけるエッチング速度の均一性を評価することができる。
本発明のレジスト材料(M)は、分子構造中にラクトン骨格および/またはエステル骨格を有する化合物の1種以上からなり、レジスト材料(M)はラクトン骨格およびエステル骨格の両方を含む。
「分子構造中にラクトン骨格および/またはエステル骨格を有する化合物」は、単量体を重合してなる重合体(M1)であってもよく、重合反応を経ないで得られる非重合体(M2)であってもよい。
本発明のレジスト材料(M)は、ラクトン骨格を含む。レジスト材料(M)を構成する化合物の分子構造中にラクトン骨格が存在していれば良い。
ラクトン骨格としては、例えば、4〜20員環程度のラクトン骨格が挙げられる。ラクトン骨格は、ラクトン環のみの単環であってもよく、ラクトン環に脂肪族または芳香族の炭素環または複素環が縮合していてもよい。
レジスト材料(M)が、ラクトン骨格を有する重合体を含むことが好ましい。ラクトン骨格は重合体の主鎖を形成する構造中であっても良く、側鎖を形成する構造中であっても良い。
レジスト材料(M)が、ラクトン骨格を有する構成単位(a1)を含む重合体を含有することが好ましい。ラクトン骨格を有する構成単位(a1)は、ラクトン骨格を有する単量体(a1’)の重合反応により形成される。ラクトン骨格を有する構成単位(a1)が、ラクトン骨格と(メタ)アクリロイルオキシ基を有するなど、ラクトン骨格とエステル骨格を有する構成単位であってもよい。
ラクトン骨格を有する単量体(a1’)は、重合性多重結合とラクトン骨格を同一分子内に有する単量体であれば公知の単量体を用いることができる。重合性多重結合とは重合反応時に開裂して共重合鎖を形成する多重結合であり、エチレン性二重結合が好ましい。
ラクトン骨格を有する単量体(a1’)の具体例としては、β−(メタ)アクリロイルオキシ−β−メチル−δ−バレロラクトン、4,4−ジメチル−2−メチレン−γ−ブチロラクトン、β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、β−(メタ)アクリロイルオキシ−β−メチル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、2−(1−(メタ)アクリロイルオキシ)エチル−4−ブタノリド、(メタ)アクリル酸パントイルラクトン、5−(メタ)アクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン、8−メタクリロキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−3−オン、9−メタクリロキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−3−オン等が挙げられる。また、類似構造を持つ単量体として、メタクリロイルオキシこはく酸無水物等も挙げられる。
ラクトン骨格を有する単量体(a1’)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、ドライエッチング耐性に優れる点から、5−(メタ)アクリロイルオキシ−2,6−ノルボルナンカルボラクトン、8−メタクリロキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−3−オン、9−メタクリロキシ−4−オキサトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−3−オンが好ましい。
本発明のレジスト材料(M)は、エステル骨格を含む。レジスト材料(M)を構成する化合物の分子構造中にエステル骨格(−C(O)O−)が存在していれば良い。
レジスト材料(M)が、エステル骨格を有する重合体を含むことが好ましい。エステル骨格は重合体の主鎖を形成する構造中であっても良く、側鎖を形成する構造中であっても良い。
レジスト材料(M)が、エステル骨格を有する構成単位(a2)を含む重合体を含有することが好ましい。エステル骨格を有する構成単位(a2)は、エステル骨格を有する単量体(a2’)の重合反応により形成される。
エステル骨格を有する単量体(a2’)は、重合性多重結合とエステル骨格を同一分子内に有する単量体であれば公知の単量体を用いることができる。
エステル骨格を有する単量体(a2’)の具体例としては(メタ)アクリル酸、または(メタ)アクリル酸から誘導される(メタ)アクリル酸エステルなどを挙げることが出来る。
本発明のレジスト材料(M)は、酸脱離性基を有することができる。酸脱離性基とは酸により開裂する結合を有する基であり、該結合の開裂により酸脱離性基の一部または全部がレジスト材料から脱離する基である。
ポジ型のレジスト組成物においては、酸脱離性基を有する化合物は、酸成分と反応してアルカリ性溶液に可溶となり、レジストパターン形成を可能とする作用を奏する。
レジスト材料(M)が、酸脱離性基を有する構成単位(a3)を含む重合体を含有することが好ましい。レジスト材料(M)が、ラクトン骨格を有する構成単位(a1)と酸脱離性基を有する構成単位(a3)を含む重合体を含有することが好ましい。酸脱離性基を有する構成単位(a3)は、酸脱離性基を有する単量体(a3’)の重合反応により形成される。酸脱離性基を有する構成単位(a3)が、酸脱離性基と(メタ)アクリロイルオキシ基を有するなど、酸脱離性基とエステル骨格を有する構成単位であってもよい。
酸脱離性基を有する単量体(a3’)は、重合性多重結合と酸脱理性基を同一分子内に有する単量体であれば公知の単量体を用いることができる。
酸脱離性基を有する単量体(a3’)の具体例としては、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有し、かつ酸脱離性基を有している(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。該脂環式炭化水素基は、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子と直接結合していてもよく、アルキレン基等の連結基を介して結合していてもよい。
該(メタ)アクリル酸エステルには、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有するとともに、(メタ)アクリル酸エステルのエステル結合を構成する酸素原子との結合部位に第3級炭素原子を有する(メタ)アクリル酸エステル、または、炭素数6〜20の脂環式炭化水素基を有するとともに、該脂環式炭化水素基に−COOR基(Rは置換基を有していてもよい第3級炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、またはオキセパニル基を表す。)が直接または連結基を介して結合している(メタ)アクリル酸エステルが含まれる。
酸脱離性基を有する単量体(a3’)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のレジスト材料(M)は、親水性基を有することができる。「親水性基」とは、−C(CF3)2−OH、ヒドロキシ基、シアノ基、メトキシ基、カルボキシ基、アミノ基、およびこれら親水性基上にアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する基の少なくとも1種である。
これらのうちで、DUVリソグラフィーまたは電子線リソグラフィーによるパターン形成方法に適用されるレジスト材料は、親水性基としてヒドロキシ基またはシアノ基を有することが好ましい。ドライエッチング後のラフネスが低減できる点でシアノ基が最も好ましい。すなわち、レジスト材料(M)がシアノ基を含むことが好ましい。
レジスト材料(M)が、ラクトン骨格を有する構成単位(a1)と親水性基を有する構成単位(a4)を含む重合体を含有することが好ましい。親水性基を有する構成単位(a4)は、親水性基を有する単量体(a4’)の重合反応により形成される。親水性基を有する構成単位(a4)が、親水性基と(メタ)アクリロイルオキシ基を有するなど、親水性基とエステル骨格を有する構成単位であってもよい。
親水性基を有する単量体(a4’)は、重合性多重結合と親水性基を同一分子内に有する単量体であれば公知の単量体を用いることができる。
親水性基を有する単量体(a4’)としては、例えば、末端ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリ酸エステル;単量体の親水性基上にアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する誘導体;環式炭化水素基を有する単量体(例えば(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸1−イソボルニル、(メタ)アクリル酸アダマンチル、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンチル、(メタ)アクリル酸2−メチル−2−アダマンチル、(メタ)アクリル酸2−エチル−2−アダマンチル等。)が置換基としてヒドロキシ基、シアノ基等の親水性基を有するもの;が挙げられる。
親水性基を有する単量体(a4’)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
レジスト材料(M)が、重合体(M1)の1種以上を含むことが好ましく、重合体(M1)の1種以上からなることが好ましい。重合体(M1)は重合性多重結合を有する単量体を重合して成る重合体が好ましい。重合性多重結合を有する単量体としては、(メタ)アクリル酸エステルが好ましい。
重合体(M1)の製造に用いる重合性多重結合を有する単量体が、ラクトン骨格を有する単量体、および酸脱離性基を有する単量体を少なくとも含むことが好ましく、さらに親水性基を有する単量体を含むことがより好ましい。該親水性基を有する単量体が、シアノ基を有する単量体を含むことが、さらに好ましい。
重合体(M1)は、ラクトン骨格を有する構成単位(a1)、およびエステル骨格を有する構成単位(a2)を有する重合体であることが好ましい。構成単位(a1)と構成単位(a2)は同一の構成単位であってもよい。すなわち、ラクトン骨格とエステル骨格を有する構成単位(構成単位(a1)、(a2)の両方に該当する)を有する重合体であってもよい。
レジスト材料(M)が2種以上の重合体(M1)の混合物である場合、ラクトン骨格を有する構成単位(a1)を有しエステル骨格を有する構成単位(a2)を有さない重合体と、ラクトン骨格を有する構成単位(a1)を有さずエステル骨格を有する構成単位(a2)を有する重合体の混合物であってもよい。
レジスト材料(M)が「分子構造中にラクトン骨格および/またはエステル骨格を有する化合物」の2種以上の混合物である場合、それぞれの化合物の重量平均分子量の好ましい範囲が上記の範囲である。
なお、本発明における重量平均分子量は、「分子構造中にラクトン骨格および/またはエステル骨格を有する化合物」が単分散系である場合には、該化合物の分子量である。
レジスト材料(M)が「分子構造中にラクトン骨格および/またはエステル骨格を有する化合物」の2種以上の混合物である場合、混合後のレジスト材料(M)についての求めたXの値が本発明の範囲内であると、ドライエッチング後の表面ラフネスを高度に低減させることができる。
本発明のレジスト材料の評価方法は、レジスト材料(M)について下記工程(1)〜(5)を有する方法で下記式(1)で表される値Xを求め、該Xの値に基づいて、レジスト材料(M)のドライエッチングにおけるエッチング速度の均一性を評価する方法である。
(1)レジスト材料(M)を溶媒に溶解させた溶液を用いて、基板上に膜を形成する工程、
(2)前記膜中に存在する、エステル骨格中のカルボニル基の量(a2−B)と、ラクトン骨格中のカルボニル基の量(a1−B)をそれぞれ測定する工程、
(3)前記膜に対して、塩素ガスを用いる誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングを行う工程、
(4)前記反応性イオンエッチングを行った後の膜中に存在する、エステル骨格中のカルボニル基の量(a2−A)と、ラクトン骨格中のカルボニル基の量(a1−A)をそれぞれ測定する工程、
(5)下記式(1)で表される値Xを求める工程。
X=〔{(a1−B)−(a1−A)}/(a1−B)〕/〔{(a2−B)−(a2−A)}/(a2−B)〕 ・・・(1)
式中、(a1−B)はエッチング前のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a1−A)はエッチング後のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−B)はエッチング前のエステル骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−A)はエッチング前のエステル骨格中のカルボニル基の量である。
まず、溶媒にレジスト材料(M)を、レジスト材料(M)の濃度が10質量%となるように溶解させて溶液(1)を調製する。溶媒は、レジスト材料(M)を溶解できるものであればよく、後述のレジスト溶媒を適宜用いることができる。
次いで、得られた溶液(1)を用いて基板上に膜を形成する。基板は特に限定されない。例えば2インチのシリコンウエハーを用いる。基板の表面上に溶液(1)を回転塗布し、ホットプレート上で120℃、120秒間ベークして厚さ300nmの膜を形成したものを試験体とする。
[工程(2)]
工程(1)で得られた試験体の膜中の、ラクトン骨格中のカルボニル基の量(a1−B)と、エステル骨格中のカルボニル基の量(a2−B)を赤外分光法(IR)により求める。
赤外分光測定は、FT−IRを用いて行い、測定領域は1850〜1680cm−1とする。ラクトン骨格中のカルボニル基は1800cm−1、エステル骨格中のカルボニル基は1725cm−1で測定したピークをガウス関数を用いて分離し、それぞれのピーク面積を算出する。求めた面積をそれぞれラクトン骨格中のカルボニル基の量と、エステル骨格中のカルボニル基の量とする。
工程(2)の後、試験体の膜に対して、塩素ガスを用いる誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングを行い、該膜をエッチングする。
本工程は、一般的な誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより行い、基板の温度は20℃で、試験体の中央の膜厚が35nm減少するようにエッチングする。
工程(3)で反応性イオンエッチングを終えた後の試験体の膜中の、ラクトン骨格中のカルボニル基の量(a1−A)と、エステル骨格中のカルボニル基の量(a2−A)を、工程(2)と同様の赤外分光法(IR)により測定する。
[工程(5)]
工程(2)で得た前記(a1−B)と(a2−B)の値と、工程(4)で得た前記(a1−A)と(a2−A)の値を用いて、上記式(1)で表される値Xを求める。
Xの値が1.5を超えた場合には、レジスト材料(M)の製造条件を変更することにより、Xの値を1.5以下とすることが可能である。例えば、レジスト材料(M)が親水性基を含む場合には、該親水性基の数を増やすとXの値が低減しやすい。またはシアノ基以外の親水性基を含む場合には、該親水性基をシアノ基に変更するとXの値が低減しやすい。または、Xの値が小さい別のレジスト材料(M)を添加混合すると、Xの値が低減しやすい。
後述の式(m1)で表される単量体の25〜55モル%と、式(m2)で表される単量体の25〜55モル%と、式(m3)で表される単量体の5〜35モル%を共重合させて得られる共重合体からなるレジスト材料(M)。
後述の式(m1)で表される単量体の25〜55モル%と、式(m2)で表される単量体の25〜55モル%と、式(m4)で表される単量体の5〜35モル%を共重合させて得られる共重合体からなるレジスト材料(M)。
後述の式(m5)で表される単量体の25〜55モル%と、式(m2)で表される単量体の25〜55モル%と、式(m6)で表される単量体の5〜35モル%を共重合させて得られる共重合体からなるレジスト材料(M)。
後述の式(m1)で表される単量体の25〜55モル%と、式(m2)で表される単量体の25〜55モル%と、式(m6)で表される単量体の5〜35モル%を共重合させて得られる共重合体からなるレジスト材料(M)。
本発明のレジスト材料(M)は、ラクトン骨格およびエステル骨格を含む以外は任意の構造を取りうることが出来るので、製造方法は特に限定されない。
レジスト材料(M)が重合体(M1)からなる場合、下記の重合体(M1)の製造方法で製造することができる。
[重合体(M1)の製造方法]
重合体(M1)は、得ようとする構成単位に対応する単量体を重合させることにより得られる。
重合方法としては、塊状重合法、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法等の公知の重合方法を用いることができる。これらのうち、光線透過率を低下させないために、重合反応終了後に残存する単量体を除去する際の操作が容易である点、重合体の分子量が比較的低くなりやすい点から、溶液重合法が好ましい。
溶液重合法においては、重合容器内で単量体および重合開始剤を反応させる。重合容器への単量体および重合開始剤の供給は、連続供給であってもよく、滴下供給(滴下重合法)であってもよい。製造ロットの違いによる平均分子量、分子量分布等のばらつきが小さく、再現性のある重合体が簡便に得られやすい点から、単量体および重合開始剤を重合容器内に滴下する滴下重合法が好ましい。
単量体は、単量体のみで滴下してもよく、単量体を溶媒(以下、「滴下溶媒」とも記す。)に溶解させた単量体溶液として滴下してもよい。
溶媒(以下、「仕込み溶媒」とも記す。)をあらかじめ重合容器に仕込んでもよく、仕込み溶媒をあらかじめ重合容器に仕込まなくてもよい。仕込み溶媒をあらかじめ重合容器に仕込まない場合、単量体または重合開始剤は、仕込み溶媒がない状態で重合容器中に滴下される。
重合開始剤は、単量体に直接に溶解させてもよく、単量体溶液に溶解させてもよく、滴下溶媒のみに溶解させてもよい。
単量体および重合開始剤は、同じ貯槽内で混合した後、重合容器中に滴下してもよく、それぞれ独立した貯槽から重合容器中に滴下してもよく、それぞれ独立した貯槽から重合容器に供給する直前で混合し、重合容器中に滴下してもよい。
単量体および重合開始剤は、一方を先に滴下した後、遅れて他方を滴下してもよく、両方を同じタイミングで滴下してもよい。
滴下速度は、滴下終了まで一定であってもよく、単量体または重合開始剤の消費速度に応じて、多段階に変化させてもよい。
滴下は、連続的に行ってもよく、間欠的に行ってもよい。
重合温度は、50〜150℃が好ましい。
エーテル類:鎖状エーテル(ジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等。)、環状エーテル(テトラヒドロフラン(以下、「THF」と記す。)、1,4−ジオキサン等。)等。
エステル類:酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、「PGMEA」と記す。)、γ−ブチロラクトン等。
ケトン類:アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等。
アミド類:N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等。
スルホキシド類:ジメチルスルホキシド等。
芳香族炭化水素:ベンゼン、トルエン、キシレン等。
脂肪族炭化水素:ヘキサン等。
脂環式炭化水素:シクロヘキサン等。
溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
これらのうち、特に半導体向けレジスト組成物として一般的に用いられており、金属不純物の少ないものを入手しやすい点で、PGMEA、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンが好ましい。
本発明のレジスト組成物は、レジスト材料(M)、光酸発生剤(C)、および溶媒を含む。該レジスト組成物はポジ型でもよく、ネガ型でもよい。
レジスト組成物に含まれる溶媒(レジスト溶媒)としては、レジスト材料(M)の製造に用いられる溶媒(滴下溶媒または仕込み溶媒)と同様のものが挙げられる。溶媒は1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
光酸発生剤(C)は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物であり、化学増幅型レジスト組成物の光酸発生剤として公知のものを適宜使用できる。光酸発生剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
光酸発生剤(C)の例としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、キノンジアジド化合物、ジアゾメタン化合物等が挙げられる。
光酸発生剤(C)の含有量は、レジスト材料(M)の100質量部に対して、0.1〜20質量部であり、0.5〜10質量部が好ましい。
本発明のレジスト組成物は、さらに含窒素化合物を含んでいてもよい。含窒素化合物を含むことにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等がさらに向上する。つまり、レジストパターンの断面形状が矩形により近くなり、また、レジスト膜に光を照射し、ついでベーク(PEB)した後、次の現像処理までの間に数時間放置されることが半導体素子の量産ラインではあるが、そのような放置(経時)したときにレジストパターンの断面形状の劣化の発生がより抑制される。
含窒素化合物としては、アミンが好ましく、第2級低級脂肪族アミン、第3級低級脂肪族アミンがより好ましい。含窒素化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
含窒素化合物の含有量は、レジスト材料(M)の100質量部に対して、0.01〜2質量部が好ましい。
本発明のレジスト組成物が含窒素化合物を含有すル場合、さらに有機カルボン酸、リンのオキソ酸またはその誘導体(以下、これらをまとめて酸化合物と記す。)を含んでいてもよい。酸化合物を含むことにより、含窒素化合物の配合による感度劣化を抑えることができ、また、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等がさらに向上する。
酸化合物の含有量は、レジスト材料(M)の100質量部に対して、0.01〜5質量部が好ましい。
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、界面活性剤、その他のクエンチャー、増感剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。該添加剤は、当該分野で公知のものであればいずれも使用可能である。また、これら添加剤の量は、特に限定されず、適宜決めればよい。
本発明のパターンが形成された基板の製造方法は、本発明のレジスト組成物を、被加工基板の表面上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜に対して露光を行う工程と、露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行う工程を含む。
まず、所望の微細パターンを形成しようとするシリコンウエハー等の被加工基板の表面に、本発明のレジスト組成物をスピンコート等により塗布する。そして、該レジスト組成物が塗布された被加工基板を、ベーキング処理(プリベーク)等で乾燥することにより、被加工基板上にレジスト膜を形成する。
また、該レジスト膜と露光装置の最終レンズとの間に、純水、パーフルオロ−2−ブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロトリアルキルアミン等の高屈折率液体を介在させた状態で光を照射する液浸露光を行ってもよい。
現像後、純水等で適宜リンス処理する。このようにして被加工基板上に、レジスト膜の未露光部からなるレジストパターンが形成される。
ドライエッチングの中でも微細加工に適した高い精度でのエッチングが行える点で反応性イオンエッチングを好適に用いることができる。
エッチング後、レジストパターンを剥離剤によって除去することによって、表面にパターンが形成された基板が得られる。
一般的には、真空排気したチャンバー内に、フッ素原子や塩素原子を含む活性ガスを導入し、高周波などのプラズマ発生手段によってチャンバー内に活性ガスプラズマを発生させ、活性ガスの分離によって生成するイオンとラジカルを、電極上に置かれた基板に当てることによって、基板のエッチングを行う。エッチング条件は特に限定されないが、例えばチャンバー内の真空度は1〜100mTorr(約0.133〜13.3Pa)、高周波電界600〜1000W、プラズマ生成位置から基板までの距離8〜10cm程度とすることができる。
かかるドライエッチング後の表面ラフネス低減効果が得られる理由については、以下のように考えられる。
例えば、反応性イオンエッチングにあっては、イオンによる物理的なスパッタと、ラジカルによる化学的なエッチングの相乗効果によってエッチングが行われる。このとき、マスクであるレジストパターンを構成しているレジスト材料においては、レジスト材料中の結合エネルギーが低い結合から優先的に結合の切断が生じる。すなわち、結合エネルギーの差によってエッチング速度が異なるため、レジストパターン表面の結合エネルギーに差の有る結合の分布に応じた微細なラフネスが発生する。
また、反応性イオンエッチング以外のドライエッチングにおいても同様に、エッチングの対象物の結合エネルギーが低い結合から優先的に切れてエッチングが進む際に、結合エネルギーに差の有る結合の分布に応じた微細なラフネスが発生すると推測される。
本発明にあっては、レジスト材料(M)中のかかる結合エネルギーの差を特定の領域まで低減させることで、ドライエッチング後のパターン表面ラフネスの発生を抑制し、高精度な微細パターンを得ることができると考えられる。
重合体の重量平均分子量(Mw)および分子量分布(Mw/Mn)は、下記の条件(GPC条件)でゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより、ポリスチレン換算で求めた。
[GPC条件]
装置:東ソー社製、東ソー高速GPC装置 HLC−8220GPC(商品名)、
分離カラム:昭和電工社製、Shodex GPC K−805L(商品名)を3本直列に連結したもの、
測定温度:40℃、
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)、
試料:重合体の約20mgを5mLのTHFに溶解し、0.5μmメンブレンフィルターで濾過した溶液、
流量:1mL/分、
注入量:0.1mL、
検出器:示差屈折計。
F−80(Mw=706,000)、
F−20(Mw=190,000)、
F−4(Mw=37,900)、
F−1(Mw=10,200)、
A−2500(Mw=2,630)、
A−500(Mw=682、578、474、370、260の混合物)。
[レジスト材料中のカルボニル基の量]
レジスト材料(M)中のラクトン骨格中のカルボニル基と、エステル骨格中のカルボニル基の量は赤外分光法(IR)により求めた。
レジスト材料を溶媒に10質量%となるように溶解させ、2インチのシリコンウエハーを被加工基板として用い、その表面上にレジスト材料を回転塗布し、ホットプレート上で120℃、120秒間ベークして厚さ300nmの薄膜を形成したものを試験体とした。
赤外分光測定は、Thermo scientific社製のNicolet6700FT−IRを用いて測定した。測定領域は1850〜1680cm−1で、ラクトン骨格中のカルボニル基は1800cm−1、エステル骨格中のカルボニル基は1725cm−1で測定したピークをガウス関数を用いて分離し、それぞれのピーク面積を算出した。求めた面積をそれぞれラクトン骨格中のカルボニル基の量と、エステル骨格中のカルボニル基の量とした。
なお、反応性イオンエッチングを行った後の試験体も同様の測定方法により赤外分光測定を行い、反応性イオンエッチングを行った後のレジスト材料中のラクトン骨格中のカルボニル基と、エステル骨格中のカルボニル基の量を求めた。
エッチングの評価は、一般的な誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより行った。すなわち、真空チャンバー内に30sccmの流量で塩素ガスを導入し、真空度を7.5mTorr(1.00Pa)に設定した。上部カーボン電極は浮遊電位とし、アパーチャーアスペクト比2(φ1mm×2mm)で開口率50%の下部カーボン電極は接地したプラズマ生成用アンテナに13.56MHzの高周波電界600Wを印加した。下部カーボン電極から80mm離れた位置に試験体を設置して、試験体の中央(2インチのシリコンウエハーの中心)の膜厚が35nm減少するまでエッチングを行った。基板の温度は20℃に制御した。
エッチングを行った後の試験体表面ラフネスは、走査プローブ顕微鏡(SPM)による表面形状測定にて行った。SPM装置は、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、S−image(製品名)を用い、カンチレバーには、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、SI−DF20(製品名)を使用した。DFMモードにて、上記試験体のエッチング部分について、表面形状の測定を行った。測定範囲は1視野(1箇所)につき400nm×400nmとし、各試験体につき4視野(4箇所)の測定を行った。各測定視野について、JIS−B0601の方法により二乗平均平方根粗さ(Rq)を算出し、各試験体における4領域平均のRqを表面ラフネスとして算出した。
レジスト組成物を、6インチのシリコンウエハー上に回転塗布し、ホットプレート上で120℃、60秒間プリベーク(PAB)して、厚さ300nmのレジスト膜を形成した。ArFエキシマレーザー露光装置(リソテックジャパン社製、製品名:VUVES−4500)を用い、露光量を変えて10mm×10mmの面積の18ショットを露光した。次いで110℃、60秒間のポストベーク(PEB)を行った後、レジスト現像アナライザー(リソテックジャパン社製、製品名:RDA−806)を用い、23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で65秒間現像し、各露光量における現像中のレジスト膜厚の経時変化をそれぞれ測定した。
Eth感度:露光量−残膜率曲線が残膜率0%と交わる露光量(mJ/cm2)。
Eth感度の値が小さいほど感度に優れる。
窒素導入口、攪拌機、コンデンサー、滴下漏斗1個、及び温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲気下で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAとも言う)53.2部、γ−ブチロラクトン(以下、γ−BLとも言う)22.8部を入れた。フラスコを湯浴に入れ、フラスコ内を攪拌しながら湯浴の温度を80℃に上げた。
その後、下記混合物1を滴下漏斗より、4時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに80℃の温度を3時間保持した。
(混合物1)
ラクトン骨格を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a1’)として、下記式(m1)の単量体を35.87部、
酸脱離性基を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a3’)として、下記式(m2)の単量体を35.57部、
親水性基を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a4’)として、下記式(m3)の単量体を19.68部、
溶媒として、PGMEAを95.67部
γ−BLを41.0部、および
重合開始剤として、ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート(和光純薬工業社製、V601(商品名))6.118部。
各単量体の仕込み割合(モル%)を表1に示す。
レジスト材料合成例1で得られた重合体A1を2.0部、溶媒であるPGMEAを14.4部、およびγ−BLを3.6部を混合して均一溶液とした後、孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過してレジスト材料の溶液を調製した。
得られたレジスト材料の溶液ついて、上記の方法でカルボニル基の量を測定し、その後反応性イオンエッチングを実施した。エッチング後のレジスト材料についてもカルボニル基の量を測定した。また、上記の方法でエッチング後のレジスト材料の表面ラフネスを評価した。測定されたエッチング前後でのレジスト材料中のエステル骨格中のカルボニル基とラクトン骨格中のカルボニル基の含有量から式(1)で求めた値X、表面ラフネスの値を表5に示す。
窒素導入口、攪拌機、コンデンサー、滴下漏斗1個、及び温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲気下で、PGMEAを52.8部、γBLを22.6部を入れた。フラスコを湯浴に入れ、フラスコ内を攪拌しながら湯浴の温度を80℃に上げた。
その後、下記混合物2を滴下漏斗より、4時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに80℃の温度を3時間保持した。
(混合物2)
ラクトン骨格を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a1’)として、下記式(m1)の単量体を35.87部、
酸脱離性基を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a3’)として、下記式(m2)の単量体を35.57部、
親水性基を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a4’)として、下記式(m4)の単量体を19.15部、
溶媒として、PGMEAを95.07部、
γ−BLを40.8部、および
重合開始剤として、ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート(和光純薬工業社製、V601(商品名))6.118部。
各単量体の仕込み割合(モル%)を表2に示す。
レジスト材料合成例2で得られた重合体A2を2.0部、溶媒であるPGMEAを14.4部、およびγ−BLを3.6部を混合して均一溶液とした後、孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過してレジスト材料の溶液を調製した。
得られたレジスト材料の溶液ついて、上記の方法でカルボニル基の量を測定し、その後反応性イオンエッチングを実施した。エッチング後のレジスト材料についてもカルボニル基の量を測定した。また、上記の方法でエッチング後のレジスト材料の表面ラフネスを評価した。測定されたエッチング前後でのレジスト材料中のエステル骨格中のカルボニル基とラクトン骨格中のカルボニル基の含有量から式(1)で求めた値X、表面ラフネスの値を表5に示す。
窒素導入口、攪拌機、コンデンサー、滴下漏斗1個、及び温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲気下で、PGMEAを111.4部を入れた。フラスコを湯浴に入れ、フラスコ内を攪拌しながら湯浴の温度を80℃に上げた。
その後、下記混合物1’を滴下漏斗より、4時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに80℃の温度を3時間保持した。
(混合物1’)
ラクトン骨格を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a1’)として、下記式(m5)の単量体を43.52部、
酸脱離性基を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a3’)として、下記式(m2)の単量体を59.90部、
親水性基を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a4’)として、下記式(m6)の単量体を30.21部、
溶媒として、PGMEAを200.4部および
重合開始剤として、ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート(和光純薬工業社製、V601(商品名))9.568部。
各単量体の仕込み割合(モル%)を表3に示す。
レジスト材料比較合成例1で得られた重合体A1’を2.0部、および溶媒であるPGMEAの18.0部を混合して均一溶液とした後、孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過してレジスト材料の溶液を調製した。
得られたレジスト材料の溶液ついて、上記の方法でカルボニル基の量を測定し、その後反応性イオンエッチングを実施した。エッチング後のレジスト材料についてもカルボニル基の量を測定した。また、上記の方法でエッチング後のレジスト材料の表面ラフネスを評価した。測定されたエッチング前後でのレジスト材料中のエステル骨格中のカルボニル基とラクトン骨格中のカルボニル基の含有量から式(1)で求めた値X、表面ラフネスの値を表5に示す。
窒素導入口、攪拌機、コンデンサー、滴下漏斗1個、及び温度計を備えたフラスコに、窒素雰囲気下で、PGMEAを74.5部を入れた。フラスコを湯浴に入れ、フラスコ内を攪拌しながら湯浴の温度を80℃に上げた。
その後、下記混合物2’を滴下漏斗より、4時間かけてフラスコ内に滴下し、さらに80℃の温度を3時間保持した。
(混合物2’)
ラクトン骨格を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a1’)として、下記式(m1)の単量体を35.87部、
酸脱離性基を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a3’)として、下記式(m2)の単量体を35.57部、
親水性基を有し、さらにエステル骨格を有する単量体(a4’)として、下記式(m6)の単量体を17.94部、
溶媒として、PGMEAを134.07部および
重合開始剤として、ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート(和光純薬工業社製、V601(商品名))5.681部。
各単量体の仕込み割合(モル%)を表4に示す。
レジスト材料比較合成例2で得られた重合体A2’を2.0部、および溶媒であるPGMEAの14.4部、およびγ−BLの3.6部を混合して均一溶液とした後、孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過してレジスト材料の溶液を調製した。
得られたレジスト材料の溶液ついて、上記の方法でカルボニル基の量を測定し、その後反応性イオンエッチングを実施した。エッチング後のレジスト材料についてもカルボニル基の量を測定した。また、上記の方法でエッチング後のレジスト材料の表面ラフネスを評価した。測定されたエッチング前後でのレジスト材料中のエステル骨格中のカルボニル基とラクトン骨格中のカルボニル基の含有量から式(1)で求めた値X、表面ラフネスの値を表5に示す。
特に、親水性基としてヒドロキシ基を1個含む単量体を用いた比較例2と比べて、同一のラクトン骨格、酸脱離性基を含む単量体を用い、さらに親水性基としてヒドロキシ基を2個含む単量体を用いた実施例2の方が式(1)の値Xが1.5以下となり、表面ラフネスが低減されていることがわかる。
また、親水性基としてヒドロキシ基を有する実施例2のレジスト材料よりも、親水性基としてシアノ基を含む実施例1のレジスト材料の方が、式(1)の値Xがより小さくエッチング後の表面ラフネスを低減できる点で優れる。
得られたレジスト材料の2.0部、溶媒であるPGMEAの10.8部、およびシクロヘキサノンの7.2部、光酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレートの0.04部を混合して均一溶液とした後、孔径0.1μmのメンブレンフィルターで濾過し、レジスト組成物を得た。得られたレジスト組成物について、上記の方法で感度を評価した。評価結果を表6に示す。
Claims (4)
- ラクトン骨格およびエステル骨格の両方を含むレジスト材料(M)であって、
塩素ガスを用いる誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングを行う前後で、レジスト材料(M)中のエステル骨格中のカルボニル基とラクトン骨格中のカルボニル基の含有量を測定したときに、下記式(1)で表される値Xが、X≦1.5を満たすレジスト材料。
X=〔{(a1−B)−(a1−A)}/(a1−B)〕/〔{(a2−B)−(a2−A)}/(a2−B)〕 ・・・(1)
式中、(a1−B)はエッチング前のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a1−A)はエッチング後のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−B)はエッチング前のエステル骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−A)はエッチング後のエステル骨格中のカルボニル基の量である。 - 請求項1に記載のレジスト材料と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むレジスト組成物。
- 請求項2に記載のレジスト組成物を、基板の被加工面上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像液を用いて現像してレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクにしてドライエッチングを行う工程を含む、パターンが形成された基板の製造方法。
- ラクトン骨格およびエステル骨格の両方を含むレジスト材料(M)の、ドライエッチングにおけるエッチング速度の均一性を評価する方法であって、下記工程(1)〜(5)を有する、レジスト材料の評価方法。
(1)レジスト材料(M)を溶媒に溶解させた溶液を用いて、基板上に膜を形成する工程、
(2)前記膜中に存在する、エステル骨格中のカルボニル基の量(a2−B)と、ラクトン骨格中のカルボニル基の量(a1−B)をそれぞれ測定する工程、
(3)前記膜に対して、塩素ガスを用いる誘導結合プラズマを用いた反応性イオンエッチングを行う工程、
(4)前記反応性イオンエッチングを行った後の膜中に存在する、エステル骨格中のカルボニル基の量(a2−A)と、ラクトン骨格中のカルボニル基の量(a1−A)をそれぞれ測定する工程、
(5)下記式(1)で表される値Xを求める工程。
X=〔{(a1−B)−(a1−A)}/(a1−B)〕/〔{(a2−B)−(a2−A)}/(a2−B)〕 ・・・(1)
式中、(a1−B)はエッチング前のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a1−A)はエッチング後のラクトン骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−B)はエッチング前のエステル骨格中のカルボニル基の量であり、
(a2−A)はエッチング後のエステル骨格中のカルボニル基の量である。
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Citations (7)
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---|---|---|---|---|
WO2002048217A1 (fr) * | 2000-12-13 | 2002-06-20 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Polymere pour vernis photoresistant et compositions de resine l'utilisant |
WO2004067592A1 (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | レジスト用重合体およびレジスト組成物 |
JP2005154427A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | (メタ)アクリル酸エステルおよびその原料化合物 |
JP2008038005A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体湿粉、重合体湿粉の製造方法、重合体、重合体の製造方法およびレジスト組成物 |
JP2008129343A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2008133312A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 |
JP2011191448A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Tohoku Univ | レジスト用重合体組成物、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002048217A1 (fr) * | 2000-12-13 | 2002-06-20 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Polymere pour vernis photoresistant et compositions de resine l'utilisant |
WO2004067592A1 (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | レジスト用重合体およびレジスト組成物 |
JP2005154427A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | (メタ)アクリル酸エステルおよびその原料化合物 |
JP2008038005A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体湿粉、重合体湿粉の製造方法、重合体、重合体の製造方法およびレジスト組成物 |
JP2008129343A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2008133312A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法 |
JP2011191448A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Tohoku Univ | レジスト用重合体組成物、レジスト組成物、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6016000408; Takuji UESUGI et al.: 'The effects of polymer side-chain structure on roughness formation of ArF photoresist in plasma etch' Journal of Physics D: Applied Physics Vol.45, No.7, 20120203, 075203(7pp), IOP Publishing LTD * |
JPN6016000409; Butsurin JINNAI et al.: 'Decisive factors affecting plasma resistance and roughness formation in ArF photoresist' Journal of Physics D: Applied Physics Vol.43, No.39, 20100916, 395204(8pp), IOP Publishing LTD * |
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