JP2013183191A - 固体撮像装置及びその駆動方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】回路規模の増大を抑制しながら多重サンプリングの実行によりS/Nを向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換部を含む複数の画素からの信号を増幅する増幅回路と、増幅回路に対して並列に接続され、かつ帰還容量及び第1のスイッチが直列接続された複数の直列回路と、増幅された画素の信号レベル及びノイズレベルを保持する信号保持用キャパシタとを有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置にて、固体撮像素子を一画面分走査する期間において第1のスイッチが固定される第1の駆動方法と、固体撮像素子を一画面分走査する期間中において第1のスイッチを駆動する第2の駆動方法とを必要なゲインに応じて切り替えるようにし、必要なゲインが大きい場合には増幅回路に接続される帰還容量を用いた多重サンプリングを行う。
【選択図】図5

Description

本発明は、固体撮像装置及びその駆動方法に関する。
近年、デジタルカメラやデジタルビデオカメラなどに使用される固体撮像素子は、画素セルの微細化、多画素化、撮影感度の高感度化が進んでいる。これは、撮像素子からの小信号を増幅して使用することとなるが、小信号の増幅にはノイズの発生が伴う。撮影感度(ISO感度)が比較的低い状態でのノイズは、光ショットノイズが支配的要因であるため、ゲインが2倍になるとノイズはおよそ√2倍に増加する。一方、撮影感度が高くなってくるとソースフォロワアンプ等に起因する暗部ノイズが支配的要因になるため、ゲインが2倍になるとノイズはおよそ2倍に増加する。
ソースフォロワアンプのノイズは、その帯域特性やゲートの大きさに依存する。そのため、ソースフォロワアンプのノイズは、設計値により決定されてしまうが、撮像素子の駆動によって低ノイズ化を図ることも可能である。その一つの手法として多重サンプリングがあり、多重サンプリングにより撮像素子信号の高S/N化を達成する技術が知られている。例えば、下記特許文献1には、ノイズレベルと信号レベルのアナログ信号を多数回サンプリングする二重積分型A/D変換器が開示され、多重サンプリングのS/N向上効果について述べられている。ソースフォロワアンプのノイズ等のランダムノイズ成分は、ノイズレベルと信号レベルのサンプリング回数をN回としたときに、1/√N倍に削減できることが記載されている。
また、下記特許文献2には、ダイナミックレンジ拡大とS/N向上のために、ラインメモリに関わる固体撮像素子の構成を変更し、単一露出から複数段の利得をかけた複数の画像信号を出力する固体撮像素子及び固体撮像装置が開示されている。図6は、特許文献2による固体撮像素子の構成例を示す図である。図6に示すように固体撮像素子は、光電変換素子D11を含む水平方向及び垂直方向に配置された複数の画素と、増幅回路101と、増幅回路101の利得をN段階(ただし、Nは2以上の自然数)で調整可能な増幅調整部G1とを有している。増幅回路101は、各画素からの出力信号に利得をかけた複数の画像信号をそれぞれ出力する。
例えば、N=2の最も単純な構成では、垂直出力線の電位がノイズレベルである期間に増幅回路のゲインを変更して2回のサンプリングを行う。そして、垂直出力線の電位が信号レベルである期間に増幅回路のゲインを変更して2回のサンプリングを行う(特許文献1の図6、図7)。S/Nの向上だけを考慮すればゲインを変更しないで複数回のサンプリングを行えば良いので、この技術の延長上にも多重サンプリングを見ることができる。
特開2006−222782号公報 特開2007−189537号公報
しかしながら、図6から明らかなように特許文献2に開示された技術では、2回の多重サンプリングを行うためには、1つの垂直出力線につき4つの信号保持部が必要である。例えば、第1列の垂直出力線V1については、4つの信号保持部CTN11、CTS11、CTN21、CTS21が設けられている。一般に、同一構成でN回の多重サンプリングを行おうとすると、1つの垂直出力線につき(2×N)個の信号保持部が必要である。これは、ラインメモリが通常のN倍必要であることを意味し、ノイズ低減効果を拡大しようとすればするほどに回路規模の増大を招く。
本発明の目的は、多重サンプリングによりノイズ低減を図る固体撮像装置にて、回路規模の増大を抑制しながらS/Nを向上させることができる固体撮像装置及びその駆動方法を提供することにある。
本発明に係る固体撮像装置は、入射光に応じた電荷を生成する光電変換部を含む複数の画素と、前記複数の画素からの信号を列毎に出力する列出力線と、前記列出力線を介して入力される信号を増幅する増幅回路と、第1の容量及び第1のスイッチが直列に接続された直列回路であって、前記増幅回路に対して並列に接続された複数の直列回路と、前記増幅回路により増幅された画素の信号レベル及びノイズレベルを保持する信号保持手段と、前記信号保持手段に直列に接続され、前記信号保持手段への前記信号レベル及び前記ノイズレベルの入力を制御する第2のスイッチとを有する固体撮像素子と、前記固体撮像素子が有する前記第1のスイッチを制御する第1の制御手段と、前記固体撮像素子が有する前記第2のスイッチの制御を含む前記固体撮像素子の動作タイミングを制御する第2の制御手段と、前記第2の制御手段が前記固体撮像素子を一画面分走査する期間に、前記第1の制御手段により前記第1のスイッチが固定される第1の駆動方法と、前記第2の制御手段が前記固体撮像素子を一画面分走査する期間中に、前記第1の制御手段が前記第1のスイッチを駆動する第2の駆動方法と、を切り替える切り替え手段とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、回路規模の増大を抑制しながらもS/Nを向上させることができる固体撮像装置及びその駆動方法を提供することができる。
本発明の実施形態による固体撮像装置の全体構成の例を示す図である。 本実施形態による固体撮像装置の動作例を示すフローチャートである。 本実施形態における固体撮像素子の構成例を示す図である。 本実施形態における固体撮像素子の第1の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。 本実施形態における固体撮像素子の第2の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。 従来の固体撮像素子の構成を示す図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の一実施形態による固体撮像装置の全体構成の例を示すブロック図である。
図1において、光学系1は、絞り及びレンズを有し、メカニカルシャッター2は、露光時間を決定する機械的なシャッターである。固体撮像素子3は、例えばCMOSイメージセンサであり、光学系1で結像された被写体像(被写体像に係る入射光)を光電変換し電気信号として取り出す。相関二重サンプリング(CDS)回路4は、固体撮像素子3から出力されたアナログ電気信号をサンプリングする。A/D変換器5は、CDS回路4によってサンプリングされたアナログ信号をアナログ−デジタル変換処理しデジタル信号に変換する。
A/D変換器5によりデジタル化された画像信号は、画像メモリ9を介して信号処理回路8により各種信号処理が行われて、記録回路10を介して記録媒体11に記録される。信号処理回路8により行われる信号処理には、例えばホワイトバランス補正、ガンマ補正、ノイズ除去、及び画像圧縮などの処理がある。記録回路10は、記録媒体11とのインターフェイス回路である。また、信号処理回路8による信号処理が施された画像信号は、インターフェイス回路である表示回路12を通して液晶ディスプレイなどの表示装置13に表示することも可能である。
タイミング信号発生回路6は、駆動回路7を通して、光学系1におけるレンズの絞り、メカニカルシャッター2、及び固体撮像素子3の動作タイミングの制御を行うなどして撮像系を駆動する。また、タイミング信号発生回路6は、撮像系の駆動ひいては固体撮像素子3の出力信号に同期して、CDS回路4及びA/D変換器5を駆動・制御する。タイミング信号発生回路6及び駆動回路7により、第1の制御手段及び第2の制御手段としての機能が実現される。
システム制御部14は、揮発性メモリ15に一時記憶されたプログラムを読み出して実行することにより固体撮像装置全体を制御する。本実施形態における固体撮像素子3の第1の駆動方法と第2の駆動方法との切り替え信号も、システム制御部14で生成されてタイミング信号発生回路6に出力される。ROM16は、システム制御部14による制御実行時に転送されるべきプログラムや各種データを格納した不揮発性メモリである。
次に、本実施形態による固体撮像装置の撮影時の動作について説明する。
図2は、本実施形態による固体撮像装置の動作例を示すフローチャートである。
図1に図示しないスイッチにより固体撮像装置のメイン電源がオンされると、次に、システム制御部14を含むシステム制御系の電源がオンされる(ステップS201)。さらに、光学系1、メカニカルシャッター2、固体撮像素子3、CDS回路4、及びA/D変換器5を含む撮像系の電源がオンされる(ステップS202)。次に、システム制御部14による制御によってメカニカルシャッター2が開かれ(ステップS203)、システム制御部14が固体撮像素子3に駆動設定信号を与える(ステップS204)ことにより、ライブビュー表示が可能となる(ステップS205)。
次に、露光量演算から露出決定までを行うAE(Auto Exposure)処理が行われる(ステップS206)。撮影に先立って露光量を制御するために、システム制御部14は、撮像系からデジタル化された画像信号を画像メモリ9に取得して信号処理回路8に露出演算を行わせる。露出演算では、例えば画像信号から抽出した輝度情報Y=aR+bG+cB (a+b+c=1)を画面のエリア別に重み付け演算して、現在の状態よりも何段明るくすればよいか又は暗くすればよいかを演算する。システム制御部14は、露出演算の演算結果を受けて光学系1における絞りを駆動制御し、次のフレームから適切な明るさの画像を得る。なお、固体撮像素子3が電子シャッター機能を有する場合には、同時に電子シャッターに係るシャッター速度を変更するようにしても良い。また、露出演算は、前述したようなフィードバック形式でも良いし、撮像系とは別に露出計測用センサーを設けて、露出計測用センサーの信号から直接適正な絞り値とシャッター速を得て制御するフィードフォワード形式を使用しても良い。
次に、2段階のストロークを有する固体撮像装置のシャッターレリーズボタン(図示せず)が操作され、その第1ストロークが行われたことを契機として(ステップS207のY)、自動焦点検出処理が行われる(ステップS208)。システム制御部14は、光学系1のフォーカスレンズを複数ステップ駆動して複数の画像信号を得て信号処理回路8に自動焦点検出に係る演算を行わせる。信号処理回路8は、それぞれの画像信号から、最も焦点の合ったフォーカスレンズの位置を決定する。システム制御部14は、自動焦点検出の検出結果を受けて、光学系1におけるフォーカスレンズを駆動制御し、次のフレームから最適なピントの画像を得る。なお、自動焦点検出処理についても、撮像系とは別に測距用センサーを設けて、測距用センサーの信号から直接被写体距離を計測し、フォーカスレンズを駆動する方式を使用しても良い。
以上のようにして適正な露出と合焦が確認された後、固体撮像装置のシャッターレリーズボタンが操作され、その第2ストロークが行われたことを契機として本撮影が開始される(ステップS209のY)。
本撮影に伴う露光(ステップS210)が完了すると、システム制御部14は、固体撮像素子3の出力信号読み出しに際して必要なゲインが所定のしきい値より大きいか否かを判断する(ステップS211)。判断の結果、必要なゲインが所定のしきい値より大きくないと判断した場合には(ステップS211のN)、システム制御部14は、固体撮像素子3の駆動方法として第1の駆動方法を設定する(ステップS212)。一方、必要なゲインが所定のしきい値より大きいと判断した場合には(ステップS211のY)、システム制御部14は、固体撮像素子3の駆動方法として第2の駆動方法を設定する(ステップS213)。固体撮像素子3の出力信号読み出しに際して必要なゲインは、例えばISO感度設定ダイヤルの状態に基づく撮影感度の設定に応じて取得することが可能である。また、例えば撮影するシーンに合わせて撮影感度を決定する自動ISO感度設定モードに設定されている場合でも、決定された撮影感度を基に必要なゲインを取得し、そのゲインに応じて駆動方法を選択し設定することが可能である。
設定された駆動方法により固体撮像素子3を駆動制御することによって固体撮像素子3から出力された画像信号は、CDS回路4でサンプリングされた後に、A/D変換器5でA/D変換され画像メモリ9に一時格納される(ステップS214、S215)。いずれの駆動方法においても、画像メモリ9に一時格納された画像信号は、信号処理回路8により各種信号処理が行われた(ステップS216)後、記録回路10を通して記録媒体11に記録され、一連の撮影動作が完了する。
次に、固体撮像素子3について説明する。
図3は、本実施形態における固体撮像素子3の構成例を示す図である。なお、図3においては、説明の便宜上、行方向及び列方向に複数の画素が配置される画素アレイは、3行×3列の画素アレイを図示しているが、これに限定されるものではない。
図3において、固体撮像素子3の各画素は、入射光に応じた信号電荷を生成する光電変換部としてのフォトダイオードDmn、及びフォトダイオードDmnからの信号電荷を電圧信号に変換するフローティングディフュージョン部を有する。ここで、添え字mは、それがm行目の構成要素であることを示し、添え字nは、それがn列目の構成要素であることを示す。例えば、フォトダイオードD23は、第2行第3列のフォトダイオードであることを示す。
フォトダイオードDmnとフローティングディフュージョン部とは、転送ゲートM1mnを介して接続される。転送ゲートM1mnは、ゲートに接続された転送パルスPTXmによりオン/オフ(導通/非導通)が制御される。また、フローティングディフュージョン部は、フローティングディフュージョン部の電位を電源電位にリセットするためのリセットトランジスタM2mnを介して電源電位に接続される。リセットトランジスタM2mnは、ゲートに接続されたリセットパルスPRESmによりオン/オフ(導通/非導通)が制御される。増幅MOSトランジスタM3mnは、フローティングディフュージョン部の電位がゲートに入力される。増幅MOSトランジスタM3mnは、垂直出力線(列出力線)Vnに接続された定電流源Inによってソースフォロワアンプを形成している。行選択トランジスタM4mnは、増幅MOSトランジスタM3mnの出力と垂直出力線Vnとの接続を制御する。行選択トランジスタM4mnは、ゲートに接続された行選択パルスPSELmによりオン/オフ(導通/非導通)が制御される。
固体撮像素子3の各画素からは列方向に共通の垂直出力線(列出力線)Vnが延伸されていて、行選択パルスPSELmにより任意の行に存在する画素から出力電圧信号を読み出すことができる。例えば、図3に示した構成の場合には、リセットパルスPRESmも同期駆動することで、フォトダイオードDmnでの光電変換により得られた信号電荷をフローティングディフュージョン部に読み出す前のリセット電位をノイズレベルとして読み出す。そして、信号電荷をフローティングディフュージョン部に読み出した後の電位を光信号レベルとして読み出して、ノイズレベルと光信号レベルの差分を出力する読み出し方法が可能であり、固体撮像素子の低ノイズ化に寄与している。
より具体的には、各列の垂直出力線Vnに、第2のスイッチとしての転送用スイッチング素子M5n、M7n(それぞれの制御線をPTS,PTNとする。)を介して信号保持用キャパシタCTSn,CTNnが接続されている。また、信号保持用キャパシタCTSn,CTNnは、転送用スイッチング素子M6n、M8nを介して水平出力線に接続されている。信号保持用キャパシタCTSn,CTNnには、それぞれに一行分の光信号レベル、ノイズレベルが格納される。信号保持用キャパシタCTSn,CTNnは、いわばラインメモリとしての役割を果たす。信号保持用キャパシタCTSn,CTNnに格納された光信号レベル及びノイズレベルの各々は、水平走査回路ブロック121の制御に従って水平出力線に順次読み出され、それらの差分を差動回路131で演算して出力する。
信号保持用キャパシタCTSn,CTNnに、光信号レベル及びノイズレベルを格納する前に、増幅回路10nによる信号電圧の増幅が可能となっている。増幅回路10nの反転入力端子にはクランプ容量C0nでカップリングされた垂直出力線Vnの電位が、非反転入力端子には基準電位となるVC0Rが接続されている。また、増幅回路10nを電圧フォロワ状態とするためのスイッチがあり、その制御線をPC0Rとしている。増幅回路10nの出力ノードを電気的に遮断するための第3のスイッチとしてのスイッチング素子があり、その制御線をPM0としている。
さらに、各増幅回路10nに対してゲイン調整部Gnを有する。ゲイン調整部Gnは、第1の容量としての帰還容量Cin(iは2以上の自然数)と制御線PCiによってオン/オフ制御される第1のスイッチとが直列に接続された直列回路をi個有する。ゲイン調整部Gnが有するi個の直列回路は、増幅回路10nの反転入力端子と出力端子との間に並列に接続されている。本実施形態における第1の駆動方法では、一画面分走査する期間において、第1のスイッチのオン/オフ状態を固定してゲイン設定する。また、本実施形態における第2の駆動方法では、一画面分走査する期間中において、第1のスイッチをノイズレベル及び光信号レベルのサンプリングに合わせて適宜駆動することによって帰還容量Cniを信号保持用キャパシタとして活用する。
次に、図4及び図5を参照して、本実施形態における固体撮像素子の第1の駆動方法及び第2の駆動方法について説明する。なお、以下の説明では、固体撮像素子における第1行の画素に係る駆動を一例として説明するが、他の行に係る駆動も同様にして順に実行される。また、以下では、信号のハイレベルを“H”と記し、ローレベルを“L”と記す。
まず、本実施形態における第1の駆動方法について説明する。
図4は、本実施形態における固体撮像素子の第1の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。図2に示したフローチャートのステップS212において第1の駆動方法が設定された場合に、図4に示すように固体撮像素子3が駆動される。なお、固体撮像素子の第1の駆動方法においては、一画面分走査する期間において制御線PM0は常に“H”である。
まず、垂直走査回路ブロック111により行選択パルスPSEL1が“L”から“H”になり、第1行の画素についての出力信号読み出しが開始される。行選択パルスPSEL1が“H”である間、行選択トランジスタM41nがオンし、フローティングディフュージョン部の電位が垂直出力線Vnに現れる。
まず、フォトダイオードD1nからの信号電荷の読み出しに先立って、垂直走査回路ブロック111によりリセットパルスPRES1が“H”となって、リセットトランジスタM21nがオンし、フローティングディフュージョン部が電源電位にリセットされる。以下、これをリセット電位と呼ぶ。リセットパルスPRES1が“L”になって、リセットトランジスタM21nがオフしフローティングディフュージョン部が電源と遮断された後、制御線PC0Rが“H”となり、リセット電位がクランプ容量C0nの基準となる。
制御線PC0Rが“L”になると、制御線PC0Rで制御したゲートの下に蓄積されていた電荷の一部が増幅回路10nの入力に注入される。この電荷によって増幅回路10nの入力電位は一時的に低下するが、やがてイマジナリーショートによって基準電圧VC0Rに戻り、増幅回路10nの出力ノードには前記低下電位をゲイン倍した電位に基準電圧VC0Rを加えたノイズレベルが出力される。このノイズレベルには、増幅回路10nの列毎のオフセット等が含まれる。また、ゲインとは、制御線PCiによって制御される、ゲイン調整部Gnにある第1のスイッチのオン/オフ状態により決定されたゲインである。
次に、制御線PTNが“H”になり、ノイズレベルの転送用スイッチング素子M7nがオンして、増幅回路10nの出力ノードに出力されたノイズレベルが、信号保持用キャパシタCTNnに保持される。
その後、転送パルスPTX1が“H”となり、固体撮像素子3の露光期間中にフォトダイオードD1nに蓄積された信号電荷がフローティングディフュージョン部に転送される。フローティングディフュージョン部の電位は、フォトダイオードD1nからの信号電荷分変動(低下)し、その変動分が増幅MOSトランジスタM31n及び定電流負荷Inにより形成されるソースフォロワアンプによって電流増幅される。これにより、変動分の電位とリセット電位とを合算した電位が垂直出力線Vnに出力される。前述したようにリセット電位でクランプされているため、増幅回路10nの入力電位は、基準電圧VC0Rから前述の変動分の電位だけ一時的に低下する。その後、増幅回路10nの入力電位は、イマジナリーショートによって基準電圧VC0Rに戻り、増幅回路10nの出力ノードには前記変動分の電位をゲイン倍した電位に基準電圧VC0Rを加えた光信号レベルが出力される。
次に、制御線PTSが“H”になり、光信号レベルの転送用スイッチング素子M5nがオンして、増幅回路10nの出力ノードに出力された光信号レベルが、信号保持用キャパシタCTSnに保持される。信号保持用キャパシタCTSnへの光信号レベルの保持が完了した時点で、行選択パルスPSEL1を“L”にする。
ここまでの動作で、第1行に配置された各画素からのノイズレベルと信号レベルが、それぞれの列に接続された信号保持用キャパシタCTNnとCTSnに保持される。その後、水平走査回路ブロック121の動作開始により各列の転送用スイッチング素子M6n、M8nが順次オンし、水平出力線を介して光信号レベルとノイズレベルが読み出され、差動回路131にてそれらの差分を出力する。
このようにして、第1行に配置された画素からの出力信号読み出しが完了する。以下、同様に第2行から第m行に配置された画素からの出力信号読み出しが1行ずつ順次行われ、全画素の読み出しが完了する。なお、一連の読み出し動作の間、設定されたゲイン、例えば撮影感度により決定されたゲインに応じて制御された制御線PCiに従って、帰還容量Cinが増幅回路10nに対して並列に接続される。図4に示した例では、制御線PC1〜PC4のすべてが“H”であるので、ゲインはC0/(C1n+C2n+C3n+C4n)に固定されている。
次に、本実施形態における第2の駆動方法について説明する。
図5は、本実施形態における固体撮像素子の第2の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。第2の駆動方法を実現するためには、固体撮像素子3に対して増幅回路10nの出力ノードを後段と切断可能なスイッチがあることが望ましい。図2に示したフローチャートのステップS213において第2の駆動方法が設定された場合に、図5に示すように固体撮像素子3が駆動される。
まず、垂直走査回路ブロック111により行選択パルスPSEL1が“L”から“H”になり、第1行の画素についての出力信号読み出しが開始される。行選択パルスPSEL1が“H”である間、行選択トランジスタM41nがオンし、フローティングディフュージョン部の電位が垂直出力線Vnに現れる。
まず、フォトダイオードD1nからの信号電荷の読み出しに先立って、垂直走査回路ブロック111によりリセットパルスPRES1が“H”となって、リセットトランジスタM21nがオンし、フローティングディフュージョン部が電源電位にリセットされる。リセットパルスPRES1が“L”になって、リセットトランジスタM21nがオフしフローティングディフュージョン部が電源と遮断された後、制御線PC0Rが“H”となり、リセット電位がクランプ容量C0nの基準となる。
制御線PC0Rが“L”になると、制御線PC0Rで制御したゲートの下に蓄積されていた電荷の一部が増幅回路10nの入力に注入される。この電荷によって増幅回路10nの入力電位は一時的に低下するが、やがてイマジナリーショートによって基準電圧VC0Rに戻り、増幅回路10nの出力ノードには前記低下電位をゲイン倍した電位に基準電圧VC0Rを加えたノイズレベルが出力される。このノイズレベルには、増幅回路10nの列毎のオフセット等が含まれる。
また、ゲインとは、制御線PCiによって制御される、ゲイン調整部Gnにある第1のスイッチのオン/オフ状態により決定されたゲインである。図5に示す例では、このとき決定されたゲインに応じて制御線PC1〜PC4のうち制御線PC1だけが“H”であるので、増幅回路10nに対しては帰還容量C1のみが並列接続されていることとなる。したがって、図4に示した例でのゲインC0/(C1n+C2n+C3n+C4n)の4倍であるゲイン(C0/C1n)に設定されている。なお、簡略化のため、C1n=C2n=C3n=C4nとする(以下同じ。)。
次に、制御線PC1を“L”にすると、帰還容量C1の両端電位差はノイズレベルに等しくなり、増幅回路10nの出力ノードに出力されたノイズレベルが帰還容量C1に保持されたことになる。
次に、制御信号PC2のみを“H”としてゲインを(C0/C2n)とする。このとき、増幅回路10nの出力は、リセットレベルが(C0/C2n)倍された第2のノイズレベルとなる。制御線PC2を“L”にすると、帰還容量C2の両端電位差はノイズレベルに等しくなり、増幅回路10nの出力ノードに出力されたノイズレベルが帰還容量C2に保持されたことになる。
その後、転送パルスPTX1が“H”となり、固体撮像素子3の露光期間中にフォトダイオードD1nに蓄積された信号電荷がフローティングディフュージョン部に転送される。フローティングディフュージョン部の電位は、フォトダイオードD1nからの信号電荷分変動(低下)し、その変動分が増幅MOSトランジスタM31n及び定電流負荷Inにより形成されるソースフォロワアンプによって電流増幅される。これにより、変動分の電位とリセット電位とを合算した電位が垂直出力線Vnに出力される。前述したようにリセット電位でクランプされているため、増幅回路10nの入力電位は、基準電圧VC0Rから前述の変動分の電位だけ一時的に低下する。その後、増幅回路10nの入力電位は、イマジナリーショートによって基準電圧VC0Rに戻り、増幅回路10nの出力ノードには前記変動分の電位をゲイン倍した電位に基準電圧VC0Rを加えた光信号レベルが出力される。
ノイズレベルの読み出し時と同様に、ここでは、決定されたゲインに応じて制御線PC3だけが“H”になっているものとすると、増幅回路10nに対しては帰還容量C3のみが並列接続されていることとなる。したがって、ゲインは(C0/C3)に設定されている。次に、制御線PC3を“L”にすると、帰還容量C3の両端電位差は光信号レベルに等しくなり、増幅回路10nの出力ノードに出力された光信号レベルが帰還容量C3に保持されたことになる。
次に、制御信号PC4のみを“H”としてゲインを(C0/C4n)とする。このとき、増幅回路10nの出力は、光信号レベルが(C0/C4n)倍された第2の光信号レベルとなる。制御線PC4を“L”にすると、帰還容量C4の両端電位差は光信号レベルに等しくなり、増幅回路10nの出力ノードに出力された光信号レベルが帰還容量C4に保持されたことになる。
このようにして、複数のノイズレベルと複数の光信号レベルが、帰還容量に保持された後、制御線PM0が“L”になることで増幅回路10nの出力ノードが切断される。その後、制御線PC1、PC2、及びPTNが“H”になり、帰還容量C1n、C2nに保持されたノイズレベルが、ノイズレベルの転送用スイッチング素子M7nを介して、信号保持用キャパシタCTNnに保持される。また、制御線PC3、PC4、及びPTSが“H”になり、帰還容量C3n、C4nに保持された光信号レベルが、光信号レベルの転送用スイッチング素子M5nを介して、信号保持用キャパシタCTSnに保持される。制御線PM0により第3のスイッチをオフとすることで、制御線PC1〜PC4を順次“H”にし第1のスイッチをオンしても増幅回路10nからの出力変化に影響されずに信号保持用キャパシタCTNn,CTSnに信号を移すことが可能となる。
なお、帰還容量C1nとC2nは、信号保持用キャパシタCTNnに対して並列に接続されているので、帰還容量C1nとC2nに保持された電圧レベルの平均値に比例した電圧レベルが、信号保持用キャパシタCTNnに出力される。また、帰還容量C3nとC4nは、信号保持用キャパシタCTSnに対して並列に接続されているので、帰還容量C3nとC4nに保持された電圧レベルの平均値に比例した電圧レベルが、信号保持用キャパシタCTSnに出力される。したがって、図5に示した例では、ノイズレベル及び光信号レベルについて、N=2である2回の多重サンプリングが実行されたことになる。
その後、水平走査回路ブロック121の動作開始により各列の転送用スイッチング素子M6n、M8nが順次オンし、水平出力線を介して光信号レベルとノイズレベルが読み出され、差動回路131にてそれらの差分を出力する。このようにして、第1行に配置された画素からの出力信号読み出しが完了する。以下、同様に第2行から第m行に配置された画素からの出力信号読み出しが1行ずつ順次行われ、全画素の読み出しが完了する。
なお、帰還容量へのノイズレベルの保持及び光信号レベルの保持の回数や順序は、前述した例に限定されない。すなわち本実施形態では、制御線PC1、PC2を制御して第1のスイッチを順次駆動することによって、ノイズレベルを2回、帰還容量C1nとC2nに保持した。また、制御線PC3、PC2を制御して第1のスイッチを順次駆動することによって、光信号レベルを2回、帰還容量C3nとC4nに保持した。その後に、ノイズレベルの加算平均を信号保持用キャパシタCTNnに移し、光信号レベルの加算平均を信号保持用キャパシタCTSnに移す構成を採用した。しかし、これに限らず、ノイズレベルを複数回、帰還容量に保持した後、すぐにその加算平均を信号保持用キャパシタCTNnに移し、信号レベルを複数回、帰還容量に保持した後、すぐにその加算平均を信号保持用キャパシタCTSnに移すという構成でもよい。
また、帰還容量C1,C2に保持されたノイズレベル及び帰還容量C3,C4に保持された光信号レベルを、固体撮像素子3内で平均化加算することなく個別に読み出す。そして、固体撮像素子3外の画像メモリ9上で加算した後、信号処理回路8にて2で除算するように構成しても構わない。
また、増幅回路10nの出力ノード切断後、信号保持用キャパシタCTNn,CTSnへ信号を移すのに先立って、事前に信号保持用キャパシタCTS,CTNをリセットするステップがあってもよい。また、制御線PC0Rによって基準電圧VC0Rにリセットするステップがあってもよい。
本実施形態によれば、例えば撮影感度が低い場合など必要なゲインが小さい場合には、増幅回路10nの帰還容量を利用してゲインを下げて信号を読み出す。一方、撮影感度が高い場合など必要なゲインが大きい場合には、増幅回路10nの帰還容量を利用した多重サンプリングを行うのでS/Nを向上させることができる。したがって、必要なゲインが大きい場合に対しても大きな機能付加をせずに高S/N化が達成できるので、回路規模を維持しながら高S/N信号を得ることが可能となる。
なお、前記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
3 固体撮像素子、6 タイミング信号発生回路、7 駆動回路、14 システム制御部、Dmn フォトダイオード、Vn 垂直出力線(列出線)、101 増幅回路、CTS信号保持用キャパシタ(光信号レベル)、CTN 信号保持用キャパシタ(ノイズレベル)

Claims (6)

  1. 入射光に応じた電荷を生成する光電変換部を含む複数の画素と、
    前記複数の画素からの信号を列毎に出力する列出力線と、
    前記列出力線を介して入力される信号を増幅する増幅回路と、
    第1の容量及び第1のスイッチが直列に接続された直列回路であって、前記増幅回路に対して並列に接続された複数の直列回路と、
    前記増幅回路により増幅された画素の信号レベル及びノイズレベルを保持する信号保持手段と、
    前記信号保持手段に直列に接続され、前記信号保持手段への前記信号レベル及び前記ノイズレベルの入力を制御する第2のスイッチとを有する固体撮像素子と、
    前記固体撮像素子が有する前記第1のスイッチを制御する第1の制御手段と、
    前記固体撮像素子が有する前記第2のスイッチの制御を含む前記固体撮像素子の動作タイミングを制御する第2の制御手段と、
    前記第2の制御手段が前記固体撮像素子を一画面分走査する期間に、前記第1の制御手段により前記第1のスイッチが固定される第1の駆動方法と、前記第2の制御手段が前記固体撮像素子を一画面分走査する期間中に、前記第1の制御手段が前記第1のスイッチを駆動する第2の駆動方法と、を切り替える切り替え手段とを備えることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記画素は、前記光電変換部により生成された電荷を転送するための転送ゲートを有し、
    前記第2の駆動方法では、
    前記転送ゲートを閉じた状態で前記第1のスイッチを順次駆動して前記ノイズレベルを前記第1の容量に保持し、
    前記転送ゲートを開いた状態で前記第1のスイッチを順次駆動して前記信号レベルを前記第1の容量に保持することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記固体撮像素子は、前記増幅回路の出力ノードに直列に接続された第3のスイッチを有し、
    第2の駆動方法では、
    前記第3のスイッチにより前記増幅回路の出力ノードを電気的に遮断した後に前記第1の容量に保持した前記ノイズレベルを前記信号保持手段にて加算するとともに、
    前記第3のスイッチにより前記増幅回路の出力ノードを電気的に遮断した後に前記第1の容量に保持した前記信号レベルを前記信号保持手段にて加算することを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  4. 前記切り替え手段は、前記増幅回路に対して設定するゲインに基づいて、前記第1の駆動方法と前記第2の駆動方法との切り替えを行うことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の固体撮像装置。
  5. 前記切り替え手段は、設定するゲインがしきい値より大きい場合には前記第2の駆動方法を選択し、設定するゲインが前記しきい値より大きくない場合には前記第1の駆動方法を選択することを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。
  6. 入射光に応じた電荷を生成する光電変換部を含む複数の画素と、前記複数の画素からの信号を列毎に出力する列出力線と、前記列出力線を介して入力される信号を増幅する増幅回路と、第1の容量及び第1のスイッチが直列に接続された直列回路であって、前記増幅回路に対して並列に接続された複数の直列回路と、前記増幅回路により増幅された画素の信号レベル及びノイズレベルを保持する信号保持手段と、前記信号保持手段に直列に接続され、前記信号保持手段への前記信号レベル及び前記ノイズレベルの入力を制御する第2のスイッチとを有する固体撮像素子を備えた固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記固体撮像素子の第1の駆動方法と、前記固体撮像素子の第2の駆動方法と、を切り替える切り替え工程を有し、
    前記第1の駆動方法では、前記固体撮像素子が有する前記第2のスイッチの制御を含む前記固体撮像素子の動作タイミングを制御する制御手段が前記固体撮像素子を一画面分走査する期間において、前記第1のスイッチを固定し、
    前記第2の駆動方法では、前記第2の制御手段が前記固体撮像素子を一画面分走査する期間中において、前記第1のスイッチを駆動することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2019068318A (ja) * 2017-10-03 2019-04-25 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
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