JP2013175487A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された一つ以上の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタを覆うように配され、ビアホールとグルーブとを備える絶縁膜と、絶縁膜上に配されてビアホールを通じて薄膜トランジスタと電気的に連結される第１電極と、第１電極とグルーブ上に配され、第１電極を露出させる開口部を備える画素定義膜と、開口部を通じて第１電極と電気的に連結されて有機発光層を備える中間層と、中間層上に形成される第２電極と、を備える有機発光表示装置及びその製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、有機発光層を容易に形成できる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
最近、ディスプレイ装置は、携帯可能な薄型の平板表示装置に代替される勢いである。平板ディスプレイ装置の中でも有機または無機発光表示装置は、自発光型ディスプレイ装置でであって、視野角が広くてコントラストに優れるだけではなく応答速度が速いという長所があって、次世代ディスプレイ装置として注目されている。また発光層の形成物質が有機物で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れて多様な色相を具現できる長所を持っている。
有機発光表示装置は、有機発光層を中心にカソード電極、アノード電極が配された有機発光素子を備える。電極に電圧を加えれば、電極に連結された有機発光層で可視光線を発生する。電極を通じて有機発光層に電荷が供給されるので、有機発光層と電極との接触状態は、有機発光表示装置の光特性に影響を及ぼす。
通常の有機発光表示装置は、下部電極の上部に絶縁膜である画素定義膜を配し、画素定義膜に開口部を形成して下部電極を露出させる。開口部を通じて下部電極上に有機発光層を形成する。この時、画素定義膜の高さ、すなわち、下部電極と画素定義膜との段差によって有機発光層が開口部内に形成され難い。特に、開口部の内側で屈曲が生じる部分で有機発光層も屈曲して、有機発光層が正常に形成されずに有機発光層が下部電極と離隔することもある。これらの離隔部分は、有機発光表示装置の作動時に発光不良を発生させる。
特に、有機発光層を転写方式で下部電極上に形成する場合には、下部電極と画素定義膜間の段差が大きくなるほど有機発光層を開口部内の下部電極に正常に転写し難い。転写が正常になされずに有機発光層が下部電極と離隔する部分が発生する。それらの部分は非正常的な発光をする画素になって、結果的に有機発光表示装置の画質特性を低下させる。
本発明は、有機発光層を容易に形成して画質特性が向上した有機発光表示装置及びその製造方法を提供できる。
本発明は、基板と、前記基板上に形成された一つ以上の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴ）と、前記ＴＦＴを覆うように配され、ビアホールとグルーブとを備える絶縁膜と、前記絶縁膜上に配されて前記ビアホールを通じて前記ＴＦＴと電気的に連結される第１電極と、前記第１電極と前記グルーブとの上に配され、前記第１電極を露出させる開口部を備える画素定義膜と、前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結されて有機発光層を備える中間層と、前記中間層上に形成される第２電極と、を備える有機発光表示装置を開示する。
本発明において、前記画素定義膜は、前記グルーブを満たすように配される。
本発明において、前記グルーブは、前記ＴＦＴのうち、隣接したＴＦＴ間の空間に長く延設される。
本発明において、前記グルーブの深さは、０．５μｍないし１．５μｍである。
本発明の他の側面によれば、基板を備える工程と、前記基板上に一つ以上のＴＦＴを形成する工程と、前記ＴＦＴを覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にビアホールとグルーブとを形成する工程と、前記絶縁膜上に配され、前記ビアホールを通じて前記ＴＦＴと電気的に連結される第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に配され、前記第１電極を露出させる開口部を備える画素定義膜を形成する工程と、前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結され、有機発光層を備える中間層を形成する工程と、前記中間層上に形成される第２電極を形成する工程と、を含む有機発光表示装置の製造方法を開示する。
本発明において、前記中間層は、熱転写法を利用して形成する。
本発明において、前記グルーブと前記ビアホールとは、一つのマスクで同時にパターニングして形成できる。
本発明に関する有機発光表示装置及びその製造方法は、有機発光層と画素定義膜間の段差を低減させて有機発光層を容易に形成し、画質特性を向上できる。
本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。 本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。
以下、添付した図面に示した本発明に関する実施形態を参照して本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を示した概略的な断面図である。本実施形態に関する有機発光表示装置１００は、基板１０１、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴ）、絶縁膜１１０、有機発光素子１３０及び画素定義膜１２０を備える。有機発光素子１３０は、第１電極１３１、中間層１３２及び第２電極１３３を備える。
基板１０１は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなる。基板１０１は必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材質で形成してもよい。プラスチック材質は、絶縁性有機物であるポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）からなるグループから選択される有機物でありうる。
画像が基板１０１方向に具現される背面発光型である場合に、基板１０１は透明な材質で形成せねばならない。しかし、画像が基板１０１の反対方向に具現される前面発光型である場合に、基板１０１は必ずしも透明な材質で形成する必要はない。この場合、金属で基板１０１を形成できる。金属で基板１０１を形成する場合、基板１０１は炭素、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、これに限定されるものではない。基板１０１は金属箔で形成してもよい。
基板１０１の上部に平滑な面を形成し、基板１０１の上部に不純元素が浸透することを遮断するために、基板１０１の上部にバッファ層１０２を形成できる。バッファ層１０２は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで形成できる。
バッファ層１０２上にはＴＦＴが形成される。このＴＦＴは各画素別に少なくとも一つずつ形成されるが、有機発光素子１３０に電気的に連結される。図１には、３つのＴＦＴを図示している。しかし、これは説明の便宜のためのものであって、本発明はこれに限定されない。
具体的に、バッファ層１０２上に所定パターンの活性層１０３が形成される。活性層１０３は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンのような無機半導体や有機半導体で形成でき、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を備える。
ソース及びドレイン領域は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンで形成した活性層１０３に不純物をドーピングして形成できる。３族元素であるホウ素（Ｂ）でドーピングすれば、ｐ型、５族元素である窒素（Ｎ）でドーピングすれば、ｎ型半導体を形成できる。
活性層１０３の上部にはゲート絶縁膜１０４が形成され、ゲート絶縁膜１０４の上部の所定領域にはゲート電極１０５が形成される。ゲート絶縁膜１０４は、活性層１０３とゲート電極１０５とを絶縁するためのものであって、有機物またはＳｉＮｘ、ＳｉＯ２のような無機物で形成できる。
ゲート電極１０５は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｍｏ、またはＡｌ：Ｎｄ、Ｍｏ：Ｗ合金のような金属または金属の合金からなりうるが、これに限定されず、隣接層との密着性、積層される層の平坦性、電気抵抗及び加工性などを考慮して多様な材料を使用できる。ゲート電極１０５は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。
ゲート電極１０５の上部にはコンタクトホールを備える層間絶縁膜１０６が形成される。コンタクトホールを通じてソース電極１０７及びドレイン電極１０８がそれぞれ活性層１０３のソース及びドレイン領域に接するように形成する。ソース電極１０７及びドレイン電極１０８をなす物質は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ以外にも、Ａｌ、Ｍｏ、またはＡｌ：Ｎｄ合金、ＭｏＷ合金のような２種以上の金属からなる合金を使用でき、これに限定されない。
このように形成されたＴＦＴは、絶縁膜１１０で覆われて保護される。絶縁膜１１０は、無機絶縁膜及び／または有機絶縁膜を使用できるが、無機絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴなどを含むことができ、有機絶縁膜は、一般汎用高分子（ＰＭＭＡ、ＰＳ）、フェノール基を持つ高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びこれらのブレンドなどを含むことができる。絶縁膜１１０は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との複合積層体でも形成できる。
図示していないが、絶縁膜１１０は複数の層で形成できる。すなわち、ＴＦＴを覆うパッシベーション膜及びパッシベーション膜上部の平坦化膜などで形成できる。パッシベーション膜は、前述した絶縁膜１１０の材料を利用して形成し、平坦化膜はアクリル系高分子などを利用して形成できる。絶縁膜１１０を複数の層で形成する場合、グルーブ１１２は上部の絶縁膜である平坦化膜に形成できる。
絶縁膜１１０は、ビアホール１１１及びグルーブ１１２を備える。ビアホール１１１は、下部のＴＦＴを露出させるように形成する。図１を参照すれば、ビアホール１１１を通じてドレイン電極１０８を露出させる。
グルーブ１１２は所定の深さで形成する。一般的なエッチング方法を利用して絶縁膜１１０にグルーブ１１２を形成できる。グルーブ１１２を形成する時、下部のＴＦＴを露出しない範囲の厚さを持たせる。グルーブ１１２の深さは０．５μｍ以上にする。グルーブ１１２の深さが０．５μｍより浅くなれば、画素定義膜１２０がグルーブ１１２に陥入する量が小さくなるためである。
グルーブ１１２の深さは１．５μｍ以下にする。グルーブ１１２の深さが１．５μｍを超過すれば、絶縁膜下部のＴＦＴに影響をおよぼすためである。
図１を参照すれば、グルーブ１１２は、隣接したＴＦＴ間の空間に長く延設される。図１には、隣接したＴＦＴ間の空間に一つのグルーブ１１２が形成されたことが図示されているが、複数のグルーブ１１２が形成されてもよい。
グルーブ１１２の平面形態、すなわち、図１の上部から見た時、グルーブ１１２の形態は方形、円その他の多様な形態でありうる。またグルーブ１１２の底面は平らに示してあるが、これに限定されるものではない。すなわち、グルーブ１１２の底面に凹凸が形成されてもよい。
本発明は、これに限定されず、多様な形態のグルーブ１１２を備えることができる。
絶縁膜１１０の上部には有機発光素子１３０のアノード電極になる第１電極１３１が形成される。
第１電極１３１上に第１電極１３１を覆うように絶縁物で画素定義膜１２０が形成される。画素定義膜１２０に所定の開口を形成して第１電極１３１を露出させる。露出された第１電極１３１上に、有機発光素子１３０の中間層１３２を形成する。そして、全体画素をいずれも覆うように、有機発光素子１３０のカソード電極になる第２電極１３３が形成される。
第２電極１３３の方向に画像を具現する前面発光型である場合、第１電極１３１は反射電極で備えられ、第２電極１３３は透明電極で備えられる。この時、第１電極１３１になる反射電極は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物で反射膜を形成する。
そして、第２電極１３３になる透明電極は、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物を蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明導電物質で補助電極層やバス電極ラインを形成できる。
両面発光型の場合、第１電極１３１と第２電極１３３いずれも透明電極で形成できる。
基板１０１方向に画面を具現する背面発光型の場合、第１電極１３１は透明電極になり、第２電極１３３は反射電極になる。第１電極１３１は、仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３で形成され、第２電極１３３は、仕事関数の小さな金属、すなわち、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａなどで形成できる。第１電極１３１はカソード電極になり、第２電極１３３はアノード電極になりうる。
第１電極１３１及び第２電極１３３は、必ずしも前述した物質で形成されるのに限定されず、導電性有機物や、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｕなど導電粒子が含まれた導電性ペーストなどで形成することもできる。これらの導電性ペーストを使用する場合、インクジェットプリンティング方法を使用してプリンティングでき、プリンティング後には焼成して電極として形成できる。また第１電極１３１と第２電極１３３との極性は互いに変わりうる。
画素定義膜１２０は、グルーブ１１２上に形成されてグルーブ１１２を満たすようになる。画素定義膜１２０がグルーブ１１２に満たされるので、第１電極１３１と画素定義膜１２０との段差が低くなる。すなわち、第１電極１３１の上部面の延長線と画素定義膜１２０の上部面間の間隔が縮まる。
第１電極１３１と第２電極１３３のとの間に介された中間層１３２は、可視光線を発生させる有機発光層を備える。中間層１３２は、第１電極１３１と第２電極１３３との電気的駆動により発光する。
中間層１３２は、画素定義膜１２０の開口部を通じて第１電極１３１上に形成される。すなわち、画素定義膜１２０の開口部に露出された第１電極１３１の上部に形成され、開口部の側面及び画素定義膜１２０の上面に延設される。
中間層１３２と第１電極１３１との接触特性は、有機発光素子１３０の発光特性に影響を及ぼす。すなわち、中間層１３２と第１電極１３１との間に離隔された空間が生じれば、かかる空間に対応する部分での発光効率が悪くて、結果的に非発光または低輝度領域として存在する。結果的に、かかる領域を含む画素の発光特性は全体的に低減する。
特に、これらの問題はコーナー部で発生する。すなわち、画素定義膜１２０の開口部内で第１電極１３１が画素定義膜１２０と接する部分で問題が発生する。その部分では、中間層１３２が第１電極１３１と正常に接せずに、第１電極１３１と離隔しやすい。
中間層１３２は、第１電極１３１と画素定義膜１２０上に形成されるので、中間層１３２は段差が生じる。中間層１３２は、段差によって屈曲が生じるが、画素定義膜１２０の開口部内で第１電極１３１が画素定義膜１２０と接する部分で、中間層１３２に屈曲が生じる。かかる屈曲では下部層との接触特性が低減するので、中間層１３２の部分のうち、特に中間層１３２が屈曲する領域で第１電極１３１と接触せずに離隔されうる。
第１電極１３１と画素定義膜１２０との段差が大きくなるほど、このような問題は大きくなる。第１電極１３１の上面の延長線と画素定義膜１２０の上面間の距離が大きくなるほど、中間層１３２と第１電極１３１間の接触特性が低減する。
これを解決するために、画素定義膜１２０の全体的な厚さを低減させる方法があるが、画素定義膜１２０を形成する材料的特性によって厚さを縮めつつ厚さの均一性を確保するのに限界がある。また過度に薄く画素定義膜１２０を形成する場合、絶縁特性が低減する恐れがある。
しかし、本実施形態では、絶縁膜１１０にグルーブ１１２を形成する。グルーブ１１２に画素定義膜１２０が配されて画素定義膜１２０がグルーブ１１２に満たされる。画素定義膜１２０の相当部分がグルーブ１１２に満たされる。
これを通じて画素定義膜１２０の全体的な厚さを縮めなくても第１電極１３１と画素定義膜１２０との段差、すなわち、第１電極１３１の上面の延長線と画素定義膜１２０の上面との距離を狭めることができる。また中間層１３２の段差が減少する。すなわち、第１電極１３１の上部での中間層１３２の上面と画素定義膜１２０上部での中間層１３２の上面との高さ差が減少する。
本発明は、画素定義膜１２０を形成する材料の量をあまり変化させないので、画素定義膜１２０の全体的な厚さはあまり変わらない。画素定義膜１２０の全体的な厚さが変わらないので、画素定義膜１２０の絶縁特性及び誘電特性を低下させない。また画素定義膜１２０の厚さが減少しないので、画素定義膜１２０の厚さの均一性を確保しやすい。
中間層１３２は有機物で形成できる。中間層１３２の有機発光層が低分子有機物で形成される場合、有機発光層を中心に第１電極１３１の方向にホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）及びホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）などが積層され、第２電極１３３方向に電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが積層されうる。それ以外にも必要に応じて多様な層が積層されうる。使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用できる。
一方、中間層１３２の有機発光層が高分子有機物で形成される場合には、有機発光層を中心に、第１電極１３１の方向にホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）のみ含まれうる。前記高分子ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ｐｏｌｙ−（２，４）−ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉｈｙｄｒｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用して、インクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により第１電極１３１の上部に形成され、高分子有機発光層はＰＰＶ、可溶性ＰＰＶ、シアノＰＰＶ、ポリフルオレンなどを使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンが形成できる。
基板１０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）が配されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素などから有機発光素子１３０を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このためにガラス、プラスチックまたは有機物と無機物の複数の重なった構造にもなりうる。
図２ないし図９は、本発明が一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法を順次に示した概略的な断面図である。
具体的に本実施形態の有機発光表示装置の製造方法は、図１に示した有機発光表示装置１００の製造方法でありうる。しかし、これに限定されるものではない。説明の便宜のために本実施形態は、図１に示した有機発光表示装置を例に挙げて説明する。
本実施形態の有機発光表示装置の製造方法は、基板１０１を備える工程、基板１０１上に一つ以上のＴＦＴを形成する工程、ＴＦＴを覆うように絶縁膜１１０を形成する工程、絶縁膜１１０にビアホール１１１とグルーブ１１２を形成する工程、絶縁膜１１０上に配されてビアホール１１１を通じてＴＦＴと電気的に連結される第１電極１３１を形成する工程、第１電極１３１上に配されて第１電極１３１を露出させる開口部を備える画素定義膜１２０を形成する工程、開口部を通じて第１電極１３１と電気的に連結されて、有機発光層を備える中間層１３２を形成する工程、及び中間層１３２上に形成される第２電極１３３を形成する工程を含む。
図２を参照すれば、基板１０１上にＴＦＴが形成されており、ＴＦＴを覆うように絶縁膜である絶縁膜１１０を形成する。説明の便宜のために、図２には一つのＴＦＴを示したが、本発明はこれに限定されず、複数のＴＦＴを備えることができる。
具体的に、基板１０１上にバッファ層１０２が形成され、バッファ層１０２上に活性層１０３を形成する。活性層１０３上にゲート絶縁膜１０４を形成し、ゲート絶縁膜１０４上にゲート電極１０５を形成する。ゲート電極１０５を覆うように層間絶縁膜１０６を形成し、層間絶縁膜１０６に形成されたコンタクトホールを通じて、ソース電極１０７及びドレイン電極１０８が活性層１０３と連結される。これらの部材は、前述した実施形態の材質と同じところ、詳細な説明は省略する。
このように形成したＴＦＴは、絶縁膜１１０で覆って保護する。絶縁膜１１０も、前述したように多様な絶縁物で形成できる。
図３を参照すれば、絶縁膜１１０にビアホール１１１及びグルーブ１１２を形成する。ビアホール１１１は、ドレイン電極１０８を露出させるように形成する。
グルーブ１１２は適切な深さｔ１を持つように形成できる。グルーブ１１２の深さｔ１は０．５μｍ以上にする。グルーブ１１２の深さｔ１が０．５μｍより小さくなれば、画素定義膜がグルーブ１１２に陥入する量が小さくなるためである。
そして、グルーブ１１２の深さｔ１は１．５μｍ以下にする。グルーブ１１２の深さｔ１が１．５μｍを超過すれば、絶縁膜下部のＴＦＴに影響を及ぼすためである。
図示していないが、グルーブ１１２は隣接したＴＦＴ間の空間に長く延設できる。また、隣接したＴＦＴ間の空間に、複数のグルーブ１１２を形成することもできる。
グルーブ１１２とビアホール１１１とを別途にパターニングできるが、１個のマスクを利用して同時にパターニングしてもよい。そのためには、グルーブ１１２がパターンに対応する部分はハーフトーン形態で形成されたマスクを使用できる。グルーブ１１２の平面形態、すなわち、図３の上部から見た時、グルーブ１１２の形態は方形、円その他の多様な形態でありうる。またグルーブ１１２の底面は平らに形成されてもよく、屈曲があってもよい。
図４を参照すれば、ビアホール１１１を通じて、ドレイン電極１０８と連結されるように第１電極１３１を形成する。第１電極１３１は、フォトリソグラフィー法により所定のパターンで形成できる。第１電極１３１のパターンは受動駆動型（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ：ＰＭ）の場合には、互いに所定間隔離れたストライプ状のラインで形成でき、能動駆動型（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ：ＡＭ）の場合には、画素に対応する形態で形成できる。第１電極１３１は、ビアホール１１１を通じてドレイン電極１０８と連結される。
第１電極１３１を形成する具体的材料及び構成については、前述した実施形態と同一であるので、説明を省略する。
図５を参照すれば、第１電極１３１上に画素定義膜１２０を形成する。この時、画素定義膜１２０を形成する材料の量は従来の条件と同一でありうる。画素定義膜１２０は、グルーブ１１２を満たすように配される。画素定義膜１２０がグルーブ１１２を満たすように配されるので、第１電極１３１と画素定義膜１２０との段差、すなわち、第１電極１３１の上面の延長線と画素定義膜１２０の上面との距離ｔ３は、従来より顕著に狭まる。また、これらの距離は、第１電極１３１の上面と画素定義膜１２０の上面の延長線との距離とも同じである。
画素定義膜１２０は全体的な厚さｔ２を持つ。画素定義膜１２０を形成する材料の量を低減させないので、画素定義膜１２０の厚さｔ２は従来構造とほぼ類似している。しかし、絶縁膜１１０に形成されたグルーブ１１２の深さｔ１によって、第１電極１３１と画素定義膜１２０との段差、すなわち、第１電極１３１の上面の延長線と画素定義膜１２０の上面との距離ｔ３は狭まる。
図６を参照すれば、画素定義膜１２０の開口部に露出された第１電極１３１上に中間層１３２を形成する。中間層１３２は有機発光層を備える。第１電極１３１と画素定義膜１２０との段差ｔ３が減少して中間層１３２の段差ｔ４、すなわち、第１電極１３１と接する中間層１３２の上部面と画素定義膜１２０の上部面に形成された中間層１３２の上部面との間の高さが低減する。
これを通じて中間層１３２が屈曲する部分も、その下部の第１電極１３１とよく接触して第１電極１３１と離隔されることを防止する。
特に、中間層１３２を熱転写法を利用して形成する場合に、このような効果は増大する。図７は、これを説明するためのものであり、熱転写法を利用して中間層１３２を形成することを示した概略的な断面図である。
画素定義膜１２０が形成された工程後に、画素定義膜１２０の上部に熱転写法を利用するための熱源１８０、ドナーフィルム１９０を配する。
熱源１８０はレーザー照射装置を備えることができる。所望の部分にレーザーを照射するためにマスク（図示せず）及びレンズ（図示せず）を備えることができる。
ドナーフィルム１９０は、基材部１９１及び光−熱変換層１９２を含む。ドナーフィルム１９０の下部には、転写層の中間層１３２がついている。
熱源１８０からレーザービームなどをドナーフィルム１９０の上部に照射する。それにより、ドナーフィルム１９０についていた転写層である中間層１３２がドナーフィルム１９０から離れて第１電極１３１上に転写される。この時、マスク（図示せず）を利用して所望の部分に中間層１３２を転写できる。
従来には、このように熱転写法で中間層１３２を転写する場合に、中間層１３２と第１電極１３１とが接触せずに離隔する部分が生じる問題が発生した。特に、中間層１３２が屈曲するコーナー部でこのようなエッジオープンといわれる現象が発生した。
これは、第１電極１３１上に中間層１３２を形成する時、第１電極１３１と画素定義膜１２０間の段差によって中間層１３２に屈曲が生じ、中間層１３２が屈曲するという点で、中間層１３２が第１電極１３１上に正常に転写されず、第１電極１３１と離隔して生じる現象である。
しかし、本実施形態では熱転写法で中間層１３２を形成する場合に、中間層１３２の段差を狭めて、中間層１３２と第１電極１３１とが離隔することを効果的に防止できる。
図８は、図７のＡの拡大図である。図８を参照すれば、中間層は、底部１３２ａ、屈曲部１３２ｂ、側面部１３２ｃを備える。有機発光素子１３０の発光特性を左右するものは、中間層１３２の部分のうち、第１電極１３１と接する底部１３２ａ及び屈曲部１３２ｂである。
従来には、熱転写法で中間層１３２を形成する場合に、第１電極１３１と画素定義膜１２０との段差によって中間層１３２、特に、中間層１３２の屈曲部１３２ｂが第１電極１３１と離隔する場合が多くて発光不良を発生した。
しかし、本実施形態では、熱転写法で中間層１３２を形成する場合にも、図８に示したように、底部１３２ｂ及び屈曲部１３２ｂが第１電極１３１と離隔せずに接触されるように容易に転写できる。
本実施形態では、絶縁膜１１０にグルーブ１１２を形成して、第１電極１３１と画素定義膜１２０間の段差を顕著に低減させ、中間層１３２が第１電極１３１上に容易に転写されるようにして、第１電極１３１と中間層１３２とが離隔することを防止する。
図９を参照すれば、中間層１３２上に第２電極１３３を形成する。中間層１３２及び第２電極１３３を形成する材料は、前述した実施形態と同一であるので説明を省略する。
図示していないが、基板１０１の一面に対向するように密封部材（図示せず）が配されうる。密封部材（図示せず）は、外部の水分や酸素から有機発光素子１３０を保護するために形成するものであって、密封部材（図示せず）は透明な材質で形成される。このためにガラス、プラスチック、または有機物と無機物の複数の重なった構造でもありうる。
図面に示した実施形態を参考に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
１００ 有機発光表示装置
１０１ 基板
１０２ バッファ層
１０３ 活性層
１０４ ゲート絶縁膜
１０５ ゲート電極
１０６ 層間絶縁膜
１０７ ソース電極
１０８ ドレイン電極
１１０ 絶縁膜
１２０ 画素定義膜
１３１ 第１電極
１３２ 中間層
１３３ 第２電極
１３０ 有機発光素子
１８０ 熱源
１９０ ドナーフィルム

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された一つ以上の薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタを覆うように配され、ビアホールとグルーブとを備える絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に配されて、前記ビアホールを通じて前記薄膜トランジスタと電気的に連結される第１電極と、
    前記第１電極と前記グルーブとの上に配され、前記第１電極を露出させる開口部を備える画素定義膜と、
    前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結されて、有機発光層を備える中間層と、
    前記中間層上に形成される第２電極と、を備え、
    前記グルーブと前記ビアホールは互いに重畳されずに離隔されるように配置される、有機発光表示装置。
  2. 前記画素定義膜は、前記グルーブを満たすように配されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記グルーブは、前記薄膜トランジスタのうち、隣接した薄膜トランジスタ間の空間に長く延設されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記グルーブの深さは、０．５μｍないし１．５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
  5. 基板を備える工程と、
    前記基板上に一つ以上の薄膜トランジスタを形成する工程と、
    前記薄膜トランジスタを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜にビアホールとグルーブとを形成する工程と、
    前記絶縁膜上に配され、前記ビアホールを通じて前記薄膜トランジスタと電気的に連結される第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極上に配され、前記第１電極を露出させる開口部を備える画素定義膜を形成する工程と、
    前記開口部を通じて前記第１電極と電気的に連結され、有機発光層を備える中間層を形成する工程と、
    前記中間層上に形成される第２電極を形成する工程と、を含み、
    前記グルーブと前記ビアホールは互いに重畳されずに離隔されるように配置される、有機発光表示装置の製造方法。
  6. 前記中間層は、熱転写法を利用して形成することを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  7. 前記グルーブと前記ビアホールとは、一つのマスクで同時にパターニングして形成することを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  8. 前記画素定義膜は、前記グルーブを満たすように形成することを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  9. 前記グルーブは、前記薄膜トランジスタのうち、隣接した薄膜トランジスタ間の空間に長く延設することを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  10. 前記グルーブの深さは、０．５μｍないし１．５μｍに形成することを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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