TWI399125B - 有機發光裝置及包含該裝置的有機發光顯示設備 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種有機發光裝置與包括該有機發光裝置的一種有機發光顯示設備，而且更特別的是，關於一種具有改良特性之一陽極之一種有機發光裝置與包括該具有改良特性之一陽極之一種有機發光裝置之有機發光顯示設備。
近來，顯示設備被可攜式薄平面板顯示設備取代是一種趨勢。在平坦面板顯示設備中，場發射顯示設備是發射型式的顯示設備，作為下一代的平坦顯示設備，因為下列幾個原因而受到相當程度的注意：大視角、高對比與短暫的回應時間。有機發光裝置(其中一有機發光層是由一有機材料所製成)具有高亮度、低驅動電壓、短暫的回應時間而且可以是多色的。
一有機發光顯示設備通常與一有機發光裝置一起建構，該有機發光裝置包括一陽極電極、一陰極電極與配置在該陽極電極與該陰極電極之間的一中間層。該中間層包括一有機發光層與其他有機材料。該有機發光裝置藉著經由電極施加一電壓至該有機發光層發出可見光。
在很多情況下，該陽極電極由氧化銦錫(ITO)製成，氧化銦錫具有一高功函數以平穩地注入電洞至該有機發光層。該陽極電極藉由使用一溼蝕刻法以一特定圖案形成。但是ITO的圖案化並不容易，因為ITO具有非常低的蝕刻率。在溼蝕刻之後，不完全蝕刻的部分，也就是暗點，保留在由ITO製成的
該陽極電極，因此造成電氣故障。
因為上述的理由，要形成具有一定厚度的陽極電極是不容易的，因為被包括在陽極電壓裡的ITO蝕刻速率緩慢，也導致了很多製程上的限制。
因此本發明的一個目的在於提供一改良式有機發光裝置。
另一個目的則是在於提供一具有一陽極電極的有機發光裝置，該陽極電極可以被輕易地圖案化；及提供一具有該有機發光裝置之一有機發光顯示設備。
根據本發明之一方面，一有機發光裝置與一包括氧化銦鎢(IWO)的一第一電極一起建構，一有機發光層形成在該第一電極上，及一第二電極形成在該有機發光層上。
根據本發明的另一個方面，一有機發光裝置與一第一電極一起建構包括一第一層與形成在該第一層上的一第二層，一有機發光層形成在該第一電極上，及一第二電極形成在該有機發光層上。該第一層形成以作為一反射層以反射產生自該有機發光層的光。該第二層被插入在該第一層與該有機發光層之間並包括IWO。
該第一層可以由選自由下列各者構成之群組的一材料製成：Li、Ca、LiF/Al、Al、Mg與Ag。
根據本發明的又另一個方面，一有機發光裝置與一第一電極一起建構包括一第一層、形成在該第一層上的一第二層與形成在第二層上的第三層，一有機發光層形成在該第一電極上，及一第二電極形成在該有機發光層上。該第一層包括IWO。該第二層形成以作為一反射層在該第一層面對該有機發光層的一表面上來反射產生自該有機發光層的光。該第三層被插入在該第
二層與該有機發光層之間並包括IWO。
該第二層可以由選自由下列各者構成之群組的一材料製成：Li、Ca、LiF/Al、Al、Mg與Ag。
該第一電極可以是一陽極，及該第二電極可以是一陰極。
產生自該有機發光層的光可以往該第二電極的方向發射。
根據本發明又一方面，一有機發光顯示設備與一基板一起建構，複數個薄膜電晶體(TFT)形成在該基板上，一絕緣膜覆蓋在該TFT上並且具有一開口，一第一電極形成在該絕緣膜上並且經由該開口電性連接至該TFT，一有機發光層形成在該第一電極上，及一第二電極形成在該有機發光層上，該第一電極包括IWO。該第一層形成以作為一反射層，在該絕緣膜上以反射產生自該有機發光層的光。該第二層被插入在該第一層與該有機發光層之間並包括IWO。
根據本發明又另一方面，一有機發光顯示設備與一基板一起建構，複數個薄膜電晶體(TFT)形成在該基板上，一絕緣膜覆蓋在該TFT上並且具有一開口，一第一電極形成在該絕緣膜上並且經由該開口電性連接至該TFT，及包括一第一層與一第二層，一有機發光層形成在該第一電極上，及一第二電極形成在該有機發光層上，該第一電極包括IWO。該第一層形成以作為在該絕緣膜上的一反射層以反射產生自該有機發光層的光。該第二層被插入在該第一層與該有機發光層之間並包括IWO。
根據本發明之一進一步方面，一有機發光顯示設備與一基板一起建構，複數個薄膜電晶體(TFT)形成在該基板上，一絕緣膜覆蓋在該TFT上並且具有一開口，一第一電極形成在該絕緣膜上並且經由該開口電性連接至該TFT，及包括一第一層、一第二層與一第三層，一有機發光層形成在該第一電極
上，及一第二電極形成在該有機發光層上，該第一電極包括IWO。該第二層形成以作為一反射層在該第一層面對該有機發光層的一表面上來反射產生自該有機發光層的光。該第三層被插入在該第二層與該有機發光層之間並包括IWO。
100‧‧‧有機發光裝置
101‧‧‧基板
130‧‧‧第一電極
140‧‧‧有機發光層
150‧‧‧第二電極
200‧‧‧有機發光裝置
201‧‧‧基板
230‧‧‧第一電極
231‧‧‧第一電極之第一層
232‧‧‧第一電極之第二層
240‧‧‧有機發光層
250‧‧‧第二電極
300‧‧‧有機發光裝置
301‧‧‧基板
330‧‧‧第一電極
331‧‧‧第一電極之第一層
332‧‧‧第一電極之第二層
333‧‧‧第一電極之第三層
340‧‧‧有機發光層
350‧‧‧第二電極
1000‧‧‧主動型式有機發光顯示設備
1101‧‧‧基板
1102‧‧‧緩衝層
1110‧‧‧半導體層
1111‧‧‧閘極絕緣薄膜
1112‧‧‧閘極電極
1114‧‧‧中間層絕緣層
1115‧‧‧源極電極
1116‧‧‧汲極電極
1117‧‧‧鈍化膜
1118‧‧‧像素定義層
1119‧‧‧開口
1120‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
1130‧‧‧第一電極
1140‧‧‧有機發光層
1150‧‧‧第二電極
1170‧‧‧有機發光裝置
2000‧‧‧主動型式有機發光顯示設備
2101‧‧‧基板
2102‧‧‧緩衝層
2110‧‧‧半導體層
2111‧‧‧閘極絕緣膜
2112‧‧‧閘極電極
2114‧‧‧中間層絕緣層
2115‧‧‧源極電極
2116‧‧‧汲極電極
2117‧‧‧鈍化膜
2118‧‧‧像素定義層
2120‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
2130‧‧‧第一電極
2131‧‧‧第一電極之第一層
2132‧‧‧第一電極之第二層
2140‧‧‧有機發光層
2150‧‧‧第二電極
2170‧‧‧有機發光裝置
3000‧‧‧主動型式有機發光顯示設備
3101‧‧‧基板
3102‧‧‧緩衝層
3110‧‧‧半導體層
3111‧‧‧閘極絕緣膜
3112‧‧‧閘極電極
3114‧‧‧中間層絕緣層
3115‧‧‧源極電極
3116‧‧‧汲極電極
3117‧‧‧鈍化膜
3118‧‧‧像素定義層
3120‧‧‧薄膜電晶體(TFT)
3130‧‧‧第一電極
3131‧‧‧第一電極之第一層
3132‧‧‧第一電極之第二層
3133‧‧‧第一電極之第三層
3140‧‧‧有機發光層
3150‧‧‧第二電極
3170‧‧‧有機發光裝置
當考慮連結隨附圖式(其中類似的參考符號代表相同或相似的元件)並藉由參照上述詳細說明，對本發明將更完整地理解，而很多伴隨其中的優點輕易地變得明顯，也同樣更易於了解，其中：圖1為根據本發明原則之一有機發光裝置被建構為一實施例之一概略橫截面視圖；圖2為根據本發明原則之一有機發光裝置被建構為另一實施例之一概略橫截面視圖；圖3為圖2之A部分的放大橫截面圖；圖4為根據本發明原則之一有機發光裝置被建構為又另一實施例之一概略橫截面視圖；圖5為圖4之B部分的放大橫截面圖；圖6為根據本發明原則之一主動型式有機發光裝置被建構為一實施例之一概略橫截面視圖；圖7為根據本發明原則之一主動型式有機發光顯示設備被建構為另一實施例之一概略橫截面視圖；圖8為圖7之C部分的放大橫截面圖；圖9為根據本發明原則之一主動型式有機發光顯示設備被建構為又另一實施例之一概略橫截面視圖；圖10為圖9之D部分的放大橫截面圖；
本發明現在將參照隨附圖式做更全面性的說明，該隨附圖式中顯示了本發明的例示性實施例。
圖1為根據本發明原則之一有機發光裝置100被建構為一實施例之一概略橫截面視圖。參照圖1，有機發光裝置100包括一基板101、一第一電極130、一有機發光層140與一第二電極150。
基板101可以由一透明玻璃材料製成，該透明玻璃材料包括二氧化矽以作為一主要成分。但是基板101並不限制於此，也可以是由一透明塑膠材料製成的一塑膠基板。該塑膠基板可以由一絕緣有機材料製成，該絕緣有機材料選自由以下各者構成之群組：聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚硫化苯(PPS)、聚丙烯酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)與醋酸丙酸纖維素(CAP)。
假如有機發光裝置100是一底部發射型式，其中一視頻影像被顯示在從有機發光層140往基板101的方向，基板101一定是由一透明材料製成。假如有機發光裝置100是一頂端發射型式，其中一視頻影像被顯示在相對於基板101的方向，也就是說，從有機發光層140往第二電極150的方向，但是基板101可以不需要由一透明材料製成，而可以由一金屬製成。假如基板101由一金屬製成，該金屬可以由選自以下各者構成之群組至少其中一者製成：碳、鐵、鉻、錳、鎳、鈦、鉬、不銹鋼(SUS)、鐵鎳合金、鎳鉻合金與鐵鎳鉻合金。
但是基板101並不限制於此，而可以由一金屬箔製成。
第一電極130形成在基板101上，而且可以使用一光微影術以一一定圖案形
成。第一電極130由氧化銦鎢(IWO)製成。IWO具有一近似於ITO功函數之功函數，而ITO在當代用於形成第一電極130。但是IWO有比ITO更好的蝕刻率。
更特定來說，IWO與ITO的特性在表格1與表格2中被概述。
表格1概述了IWO與ITO的功函數。從表格1可以看見根據本發明之原則用於形成第一電極130的IWO在以臭氧(UV O3)處理之前與之後具有與ITO相比近似的功函數。ITO為一使用於形成一當代第一電極的材料。因此當第一電極130根據本實施例包括IWO時，與包括ITO的該當代第一電極比較時，該第一電極130的電荷供應特性沒有減少。
表格2概述了在一40℃溫度下之乙酸中蝕刻IWO與ITO的結果。根據本實施例，使用於形成第一電極130的IWO具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率。
因此，當第一電極130被圖案化時，因為第一電極130包括IWO，第一電極130可以會輕易地被圖案化。也就是說，使用於形成當代第一電極時，IWO具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率，並且因此，第一電極130可以在沒有影響其他元件下輕易地被圖案化。
有機發光層140與第二電極150形成於第一電極130上。
第二電極150可以被形成作為一透明電極或一反射電極。假如第二電極150被形成作為一透明電極，第二電極150可以會被形成，如此一來在沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或這些材料的化合物以面對一中間層之後，一輔助電極或一匯流排電極線使用一透明傳導材料，像是ITO、IZO、ZnO或In2O3，形成在該金屬上。假如第二電極150被形成作為一反射電極，第二電極150可以以沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或這些材料的化合物來形成。
插入在第一電極130與第二電極150之間的有機發光層140因為第一電極130與第二電極150的驅動而發光。有機發光層140可以由一低分子量有機材料或一聚合物有機材料製成。假如有機發光層140由一低分子量有機材料製成，一電洞傳輸層(沒有顯示)與一電洞注入層(沒有顯示)被堆疊在從有機發光層140往第一電極130的方向，而一電子傳輸層(沒有顯示)與一電子注入層(沒有顯示)被堆疊在從有機發光層140往第二電極150的方向。
除了上述的這些層之外，各種層有必要也可以被堆疊。有機材料可以被使用於形成有機發光層140，該材料包括銅苯二甲藍(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(NPB)、與參-8-羥基奎林鋁(Alq3)，而本發明並不限制於此。
假如有機發光層140由一聚合物有機材料製成，只有一電洞傳輸層(HTL)(
沒有顯示)可以被包括在從有機發光層140往第一電極130的方向。也就是說，該聚合物電洞傳輸層使用聚-(2,4)-次乙基-二羥基-一硫二烯伍環(PEDOT)或聚苯胺(PANI)並藉由噴墨印刷方法或旋轉塗佈方法形成。有機發光層140可以以一彩色圖案形成，並使用像是下列各者之材料：聚苯基乙烯(PPV)、可溶性PPV、氰基-PPV或聚芴(polyfluorene)並藉由使用當代噴墨印刷方法、旋轉塗佈方法或使用雷射之熱傳送方法製成。
根據本實施例，在有機發光裝置100中，第一電極130包括IWO，該IWO具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率。假如蝕刻率高的話，形成一圖案所需時間會減少。假如蝕刻時間長的話，不需要被蝕刻的元件會被一蝕刻溶液影響，並且因此難以獲得一所欲圖案。
假如一材料具有一低蝕刻率，像是ITO，不完全蝕刻的部分可能會在一蝕刻製程後出現。這一類的蝕刻失敗產生一非所欲之圖案，暗點並且因此保留在一包括ITO的陽極電極中並導致電氣故障。
然而根據本實施例，第一電極130包括IWO，該IWO具有高蝕刻率，而蝕刻時間可以因此減少而所欲圖案可以輕易形成，因此預防了一電氣故障。使用來形成第一電極130的IWO具有和ITO一樣高的功函數，因此IWO可以作為一注入電洞至有機發光層140之一陽極電極。
圖2為根據本發明原則之一有機發光裝置被建構為另一實施例之一概略橫截面視圖。圖3為圖2之A部分的放大橫截面圖。
有機發光裝置200包括一基板201、一第一電極230、一有機發光層240與一第二電極250。根據目前實施例之有機發光裝置200具有與圖1中有機發光裝置100類似的構造。但是第一電極230具有不同於圖1中第一電極130的構造，並且為了方便解釋起見，主要說明該不同之處。
第一電極230包括一第一層231與一第二層232。參照圖3，該第一電極230的第一層231形成在基板201上，第二層232形成在第一層231上，及有機發光層240形成在第二層232上。
第一層231是一個反射層，而且可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al或Mg製成。第二層232由IWO製成。第一層231包括具有一高反射率的金屬以作為一反射層。從有機發光層240產生的光被第一層231反射並且往第二電極250的方向發射。也就是說，根據本實施例之有機發光裝置200具有一頂端發射型式構造。
因為第二層232接觸包括IWO的有機發光層240，第二層232具有近似於ITO的功函數，並且因此作為一陽極電極。
IWO具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率。在先前技術中，假如第二層232由ITO製成，因為第一層231與第二層232之間的蝕刻率不同，使用溼蝕刻製程進行第一電極230的圖案化並不容易。
ITO相比於像是銀之類的金屬，具有非常低的蝕刻率。因此在先前技術中，為了圖案化第一電極230，蝕刻時間是根據ITO的蝕刻時間決定。因為該蝕刻時間是根據ITO的蝕刻率決定的，第一電極230的第一層231被蝕刻至一所欲圖案早於第二層232的蝕刻完成之前。結果當第一電極230的蝕刻完成時，第一層231被過度蝕刻，導致一非所欲圖案或蝕刻粒子。
假如減少該蝕刻時間以預防第一層231過度蝕刻，包括ITO的第二層232可能被不完全蝕刻，並因此可能不會得到一所欲圖案。因為上述的理由，在先前技術中，第一電極230的圖案化並不容易。
然而根據本實施例之第一電極230之第二層232包括IWO，該IWO不影響第一電極230的電性特性，因為IWO具有近似於ITO之功函數的功函數。因為IWO
具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率，所以第一電極230的圖案化也變得容易。結果就可以製造出具有電氣故障明顯減少之有機發光裝置。
圖4為根據本發明原則之一有機發光裝置300被建構為又另一實施例之一概略橫截面視圖。圖5為圖4之B部分的放大橫截面圖；有機發光裝置300與一基板301、一第一電極330、一有機發光層340與一第二電極350一起建構。根據目前實施例之有機發光裝置300具有近似於圖1之有機發光裝置100的構造。然而有機發光裝置300的第一電極330具有不同於圖1中之第一電極130的構造，並且為了方便解釋起見，主要說明該不同之處。
第一電極330與一第一層331、一第二層332與一第三層333一起建構。參照圖5，第一電極330的第一層331形成在基板301上，第二層332形成在第一層331上，第三層333形成在第二層332上，而有機發光層340形成在第三層333上。
第一層331由IWO製成。因為IWO具有與其他元件的高黏附力，IWO可以增加第一電極330與基板301之間的黏附力。
第二層332形成為一反射層，而且可以由Li、Ca、LiF/Al、Al或Mg製成。第二層332由一具有一高反射率之金屬製成以作為一反射層。產生自有機發光層340的光由第二層332反射並且往第二電極350的方向發射。也就是說，根據本實施例之有機發光裝置300具有一頂端發射型式構造。
第三層333接觸包括IWO的有機發光層340。因為IWO具有近似於ITO功函數之功函數，第一電極330可以作為一陽極電極。
因為IWO具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率，所以第一電極330之第一層331與第三層333相比於由ITO製成之當代第一層與第三層331與333來得更容易蝕
刻。結果就可以製造出具有電氣故障明顯減少之有機發光裝置。
使用根據本發明原則之有機發光裝置可以製造出一有機發光顯示設備。該有機發光顯示設備可以是被動矩陣型式(PM型式)或主動矩陣型式(AM型式)。在目前的實施例中，為了方便解釋起見，說明一AM型式構造；但是本發明也可以被施行在該PM型式構造上。
圖6為根據本發明原則之一主動型式有機發光顯示設備1000被建構為一實施例之一概略橫截面視圖。參照圖6，主動型式有機發光顯示設備1000與一基板1101、一薄膜電晶體(TFT)1120、一鈍化膜1117與一有機發光裝置1170一起建構。有機發光裝置1170與一第一電極1130、一有機發光層1140與一第二電極1150一起建構。
參照圖6，TFT 1120形成在基板1101的頂端表面上，至少一TFT形成在每一像素上並且電性連接至有機發光裝置1170。
基板1101可以由一包括二氧化矽作為一主要成分之透明材料製成。但是基板1101並不限於此，而且可以是一由一透明塑膠材料製成的塑膠基板。該塑膠基板可以由一絕緣有機材料製成，該絕緣有機材料選自由以下各者構成之群組：聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚硫化苯(PPS)、聚丙烯酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纖維素(TAC)與醋酸丙酸纖維素(CAP)。
假如有機發光裝置1170是一底部發射型式，其中一視頻影像被顯示在從有機發光層1170往基板1101的方向，基板1101一定是由一透明材料製成。假如有機發光裝置1170是一頂端發射型式，其中一視頻影像被顯示在相對於基板1101的方向，也就是說，從有機發光層1140到第二電極1150的方向，
但是基板1101可以不需要由一透明材料製成，而可以由一金屬製成。假如基板1101由一金屬製成，該金屬可以由選自以下各者構成之群組至少其中一者製成：碳、鐵、鉻、錳、鎳、鈦、鉬、不銹鋼(SUS)、鐵鎳合金、鎳鉻合金與鐵鎳鉻合金。但是基板1101並不限制於此，而可以由一金屬箔製成。
一緩衝層1102可以形成在基板1101的頂端表面上以提供1101的平面性並且阻障SiO2或/及SiNx之雜質元素的滲透。
更特別的是，具有一一定圖案的半導體層1110形成在緩衝層1102上。半導體層1110可以由一無機半導體材料製成，該無機半導體材料像是非晶矽或多晶矽，也可以與源極區域、汲極區域與一通道區域建構在一起。
一閘極絕緣膜1111使用SiO2或SiNx形成在半導體層1110上。一閘極絕緣膜1111可以由一無機材料製成，該無機材料像是一金屬氧化物或是一金屬氮化物，或者可以由一有機材料製成，像是一絕緣聚合物。
一閘極電極1112形成在閘極絕緣膜1111的一定區域上。閘極電極1112被連接至一閘極線(沒有顯示)，該閘極線施加用於TFT 1120的啟動/截止訊號。閘極電極1112可以由一金屬製成，該金屬像是金、銀、銅、鎳、鉑、鈀、鋁或鉬，或是一金屬合金，像是鋁：釹或鉬：鎢。但是閘極電極1112並不限制於此。
一中間層絕緣層1114形成在閘極電極1112上，而一源極電極1115與汲極電極1116被形成以經由接觸洞分別接觸該源極與汲極區域。源極電極1115與汲極電極1116可以由一材料像是：金、鈀、鉑、鎳、銠、釕、銥或鋨，而且也可以由鋁或鉬或是由至少兩種金屬製成，像是一鋁：釹合金或鉬鎢合金。然而源極電極1115與汲極電極1116並不限制於此。
以這種方式形成的TFT 1120被鈍化膜1117覆蓋以保護TFT 1120。鈍化膜1117可以被形成為一無機絕緣膜或一有機絕緣膜。該無機絕緣膜可以由SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HFO2、ZrO2、BST或PZT製成，而該有機絕緣膜可以由一通用聚合物製成，像是PMMA或PS、具有一酚基之聚合物衍生物、一丙烯醛基聚合物、一亞醯胺基聚合物、一酯基聚合物、一醯胺基聚合物、一氟基聚合物、一對二甲苯基聚合物、一乙烯醇基聚合物或這些聚合物的混合。或者，鈍化膜1117可以形成在一包括該無機絕緣膜與該有機絕緣膜的複合堆疊中。
第一電極1130將會是一陽極電極，形成在鈍化膜1117上。一像素定義層1118被形成以覆蓋第一電極1130，而該像素定義層1118由一絕緣材料所製成。在形成一開口1119在一像素定義層1118中之後，有機發光層1140形成在由開口1119定義的一區域之中。之後，該第二電極1150將會是一陰極電極，被形成以覆蓋全部像素。
第一電極1130可以使用一光學微影術方法被圖案化至一一定圖案。第二電極1150被配置在第一電極1130上，而且可以藉由連接至一外部終端(沒有顯示)被使用作為一陰極電極。在該AM型式有機發光顯示設備的情形中，第一電極1130可以形成在全部的主動區域之上，在主動區域上會顯示一影像。
第一電極1130由IWO製成，該IWO具有近似於ITO的功函數，而ITO主要使用於形成一當代第一電極，因此根據本實施例由IWO製成的第一電極1130具有等效於由ITO製成之當代第一電極之電荷供應特性。
IWO也具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率。因此當第一電極1130被圖案化時，因為第一電極1130包括IWO，根據本實施例之第一電極1130可以輕易地被圖案化。也就是說，IWO具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率，而ITO主要使用
於形成一當代第一電極，因此，在主動型式有機發光顯示設備1000中的第一電極1130可以在沒有影響其他元件下輕易地被圖案化。
第二電極1150可以被形成作為一透明電極或一反射電極。假如第二電極1150被形成作為一透明電極，第二電極1150可以被形成，如此一來在沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或這些材料的化合物以面對一中間層之後，一輔助電極或一匯流排電極線使用一透明傳導材料，像是ITO、IZO、ZnO或In2O3，形成在該金屬上。假如第二電極150被形成作為一反射電極，第二電極1150可以以沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或這些材料的化合物來形成。
插入在第一電極1130與第二電極1150之間的有機發光層1140因為第一電極1130與第二電極1150的電性驅動而發光。有機發光層1140可以由一低分子量有機材料或一聚合物有機材料製成。假如有機發光層1140由一低分子量有機材料製成，一電洞傳輸層(沒有顯示)與一電洞注入層(沒有顯示)被堆疊在從有機發光層1140往第一電極1130的方向，而一電子傳輸層(沒有顯示)與一電子注入層(沒有顯示)被堆疊在從有機發光層1140往第二電極1150的方向。
除了上述的這些層之外，各種層有必要也可以被堆疊。有機材料可以被使用於形成有機發光層1140，該材料包括銅苯二甲藍(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(NPB)、與三-8-羥基奎林鋁(Alq3)，而本發明並不限制於此。
假如有機發光層1140由一聚合物有機材料製成，只有一電洞傳輸層(HTL)(沒有顯示)可以被包括在從有機發光層1140往第一電極1130的方向。也就是說，該聚合物電洞傳輸層使用聚-(2,4)-次乙基-二羥基-一硫二烯伍環(PEDOT)或聚苯胺(PANI)並藉由噴墨印刷方法或旋轉塗佈方法形成。
有機發光層1140可以以一彩色圖案形成，並使用像是下列各者之材料：聚苯基乙烯(PPV)、可溶性PPV、氰基-PPV或聚芴(polyfluorene)並藉由使用當代噴墨印刷方法、旋轉塗佈方法或使用雷射之熱傳送方法製成。
密封有機發光裝置1170之一密封構件(沒有顯示)形成在有機發光裝置1170上。該密封構件被形成以保護有機發光裝置1170免於外部溼氣或氧氧。在一頂端發射型式有機發光顯示設備中，該密封構件由一透明材料製成。為了這個目的，該密封構件可以是一玻璃基板、一塑膠基板，或是一有機材料與一無機材料的複數個重疊構造。
在根據本實施例之主動型式有機發光顯示設備1000中，由IWO製成的第一電極1130具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率。假如該蝕刻率高的話，用於形成一所欲圖案的所需時間也會減少。
因為第一電極1130的蝕刻率高，第一電極1130可以被輕易蝕刻，並且因此可以輕易形成一所欲圖案。從而可以避免不完全蝕刻部分的形成，因此預防了一電氣故障。使用於形成第一電極1130的IWO也具有近似於ITO功函數之高功函數，因此第一電極1130可以作為一陽極電極，注入電洞至有機發光層1140。
圖7為根據本發明原則之一主動型式有機發光顯示設備2000被建構為另一實施例之一概略橫截面視圖。圖8為圖7之C部分的放大橫截面圖。
主動型式有機發光顯示設備2000與一基板2101、一TFT2120、一鈍化膜2117與一有機發光裝置2170一起建構。有機發光裝置2170與一第一電極2130、一有機發光層2140與一第二電極2150一起建構。
根據本實施例之主動型式有機發光顯示設備2000具有近似於顯示在圖6中之主動型式有機發光顯示設備1000之構造；但是主動型式有機發光顯示設備
2000的第一電極2130具有不同於顯示在圖6中主動型式有機發光顯示設備1000之第一電極1130的構造。在第一電極2130之下的基板2101與TFT2120近似於圖6中的基板1101與TFT 1120，因此其中的說明不會重覆，並且為了方便解釋起見，主要說明來自前述實施例的不同之處。
第一電極2130與一第一層2131與一第二層2132一起建構。參照圖8，第一電極2130的第一層2131形成在鈍化膜2117上，第二層2132形成在第一層2131上，而有機發光層2140形成在第二層2132上。
第一層2131是一個反射層，而且可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al或Mg。
製成。第二層2132由IWO製成。第一層2131包括具有一高反射率的金屬以作為一反射層。從有機發光層2140產生的光被第一層2131反射並且以往第二電極2150的方向發射。也就是說，根據本實施例之有機發光裝置2000具有一頂端發射型式構造。
因為第二層2132接觸包括IWO的有機發光層2140，第二層2132具有近似於ITO之功函數的功函數，並且因此作為一陽極電極。
IWO具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率。在先前技術中，假如第二層2132由ITO製成，因為第一層2131與第二層2132之間的蝕刻率不同，使用溼蝕刻製程進行第一電極2130的圖案化並不容易。
ITO相比於像是銀之類的金屬，具有顯著緩慢的蝕刻率。因此在先前技術中，為了圖案化第一電極2130，蝕刻時間是根據ITO的蝕刻時間決定。因為該蝕刻時間是根據ITO的蝕刻率決定的，第一電極2130的第一層2131被蝕刻至一所欲圖案早於第二層2132的蝕刻完成之前。結果當第一電極2130的蝕刻完成時，第一層2131被過度蝕刻，導致一非所欲圖案或蝕刻粒子。
假如減少該蝕刻時間以預防第一層2131過度蝕刻，包括ITO的第二層2132可能被不完全蝕刻，並因此可能不會得到一所欲圖案。因為上述的理由，在先前技術中，第一電極2130的圖案化並不容易。
然而根據本實施例之第一電極2130之第二層2132包括IWO，該IWO不影響第一電極2130的電性特性，因為IWO具有近似於ITO之功函數的功函數。因為IWO具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率，所以第一電極2130的圖案化也變得容易。結果就可以製造出具有電氣故障明顯減少之有機發光裝置。
圖9為根據本發明原則之一主動型式有機發光顯示設備3000被建構為又另一實施例之一概略橫截面視圖。圖10為圖9之D部分的放大橫截面圖。
主動型式有機發光裝置3000與一基板3101、一TFT3120、一鈍化膜3117與一有機發光裝置3170一起建構。有機發光裝置3170與一第一電極3130、一有機發光層3140與一第二電極3150一起建構。
基板3101在第一電極3130與TFT3120之下的情況近似於先前實施例中的基板2101與TFT2120，因此其中的說明不會重覆，並且為了方便解釋起見，主要說明來自前述實施例的不同之處。
第一電極3130與一第一層3131、一第二層3132與一第三層3133一起建構。參照圖10，第一電極3130的第一層3131形成在鈍化膜3117上，第二層3132形成在第一層3131上，第三層3133形成在第二層3132上，而有機發光層3140形成在第三層3133上。
第一層3131由IWO製成。因為IWO具有與其他元件的高黏附力，IWO可以增加第一電極3130與鈍化膜3117之間的黏附力。如同上述所說明的，鈍化膜3117藉由覆蓋TFT3120保護並絕緣TFT3120，而為了這麼做，鈍化膜3117可以是一有機絕緣薄膜或一無機絕緣薄膜。IWO具有與金屬相比來得高的黏
附力。藉由使用IWO形成第一層3131，可以增加第一電極3130與鈍化膜3117之間的黏附力，而該IWO為接觸鈍化膜3117之第一電極3130的一部分。
第二層3132形成為一反射層，而且可以由Li、Ca、LiF/Ca、Al或Mg製成。第二層3132由一具有一高反射率之金屬製成以作為一反射層。產生自有機發光層3140的光由第二層3132反射並且往第二電極3150的方向發射。也就是說，根據本實施例之有機發光顯示設備3000具有一頂端發射型式構造。
接觸有機發光層3140的第三層3133包括IWO。因為IWO具有近似於ITO功函數之功函數，第一電極3130可以作為一陽極電極。
因為IWO具有ITO兩倍快或更快的蝕刻率，所以第一電極3130之第一層3131與第三層3133相比於由ITO製成之當代第一層與第三層來得更容易蝕刻。結果就可以製造出具有電氣故障明顯減少之有機發光裝置。
根據本發明之原則之一有機發光裝置與一有機發光顯示設備包括具有改良特性之一陽極電極。因此該陽極電極可以輕易圖案化，可以減少該有機發光裝置的電氣故障。
當本發明參照例示性實施例特別顯示與說明，熟於此技術者將可了解的是，可以在不偏離由下列申請專利範圍所定義之本發明的精神與範疇下，進行各種形式上與細節上的改變。
100‧‧‧有機發光裝置
101‧‧‧基板
130‧‧‧第一電極
140‧‧‧有機發光層
150‧‧‧第二電極
Claims (16)
- 一種有機發光裝置，該裝置包含：一第一電極，該第一電極包含氧化銦鎢(IWO)；一有機發光層，該有機發光層形成在該第一電極上；及一第二電極，該第二電極形成在該有機發光層上；其中，該第一電極包含：一第一層，形成以作為一反射層來反射產生自該有機發光層的光；以及一第二層，插入於該第一層與該有機發光層之間，且包含氧化銦鎢(IWO)。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，由下列組成：該第一電極，作為一陽極電極；及該第二電極，作為一陰極電極。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，由下列組成：產生自該有機發光層的光以往該第二電極的方向發射。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，由下列組成：該第一層由選自由下列各者構成之群組的一材料製成：Li、Ca、LiF/Al、Al、Mg與Ag。
- 一種有機發光裝置，該裝置包含：一第一電極，該第一電極包含氧化銦鎢(IWO)；一有機發光層，該有機發光層形成在該第一電極上；及一第二電極，該第二電極形成在該有機發光層上；該第一電極，包含：一第一層，包含氧化銦鎢(IWO)；一第二層，形成以作為一反射層，且在該第一層面對該有機發光層的一 表面上來反射產生自該有機發光層的光；及一第三層，插入在該第二層與該有機發光層之間，及包含氧化銦鎢(IWO)。
- 如申請專利範圍第5項所述之有機發光裝置，由下列組成：該第一電極，作為一陽極電極；及該第二電極，作為一陰極電極。
- 如申請專利範圍第5項所述之有機發光裝置，由下列組成：產生自該有機發光層的光以往該第二電極的方向發射。
- 如申請專利範圍第5項所述之有機發光裝置，由下列組成：該第二層由選自由下列各者構成之群組的一材料製成：Li、Ca、LiF/Al、Al、Mg與Ag。
- 一種有機發光顯示設備，該有機發光顯示設備包含：一基板；複數個薄膜電晶體(TFT)，該些薄膜電晶體形成在該基板上；一絕緣膜，該絕緣膜覆蓋該些薄膜電晶體(TFT)且具有一開口；一第一電極，該第一電極形成在該絕緣膜上且經由該開口電性連接至該些薄膜電晶體(TFT)；一有機發光層，該有機發光層形成在該第一電極上；及一第二電極，該第二電極形成在該有機發光層上，其中該第一電極包含氧化銦鎢(IWO)；其中，該第一電極包含：一第一層，形成在該絕緣膜上，且電性連接至該些薄膜電晶體之汲極電極與源極電極之其中之一，以作為一反射層來反射產生自該有機發光層的光；以及一第二層，插入在該第一層與該有機發光層之間，且包含氧化銦鎢(IWO)。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示設備，由下列組成：該第一電極，作為一陽極電極；及該第二電極，作為一陰極電極。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示設備，由下列組成：產生自該有機發光層的光以往該第二電極的方向發射。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示設備，由下列組成：該第一層由選自由下列各者構成之群組的一材料製成：Li、Ca、LiF/Al、Al、Mg與Ag。
- 一種有機發光顯示設備，該有機發光顯示設備包含：一基板；複數個薄膜電晶體(TFT)，該些薄膜電晶體形成在該基板上；一絕緣膜，該絕緣膜覆蓋該些薄膜電晶體(TFT)且具有一開口；一第一電極，該第一電極形成在該絕緣膜上且經由該開口電性連接至該些薄膜電晶體(TFT)；一有機發光層，該有機發光層形成在該第一電極上；及一第二電極，該第二電極形成在該有機發光層上，其中該第一電極包含氧化銦鎢(IWO)；該第一電極包含：一第一層，形成在該絕緣膜上‧且電性連接至該些薄膜電晶體之汲極電極與源極電極之其中之一，且該第一層包含氧化銦鎢(IWO)；一第二層，形成以作為一反射層在該第一層面對該有機發光層的一表面上來反射產生自該有機發光層的光；及一第三層，插入在該第二層與該有機發光層之間，及包含氧化銦鎢(IWO)。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示設備，由下列組成：該第一電極，作為一陽極電極；及該第二電極，作為一陰極電極。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示設備，由下列組成：產生自該有機發光層的光以往該第二電極的方向發射。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示設備，由下列組成：該第二層由選自由下列各者構成之群組的一材料製成：Li、Ca、LiF/Al、Al、Mg與Ag。
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
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| KR102450340B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-10-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
| WO2020257971A1 (en) * | 2019-06-24 | 2020-12-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, method for manufacturing display substrate, and display apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004050643A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜積層体 |
| US20070111369A1 (en) * | 2005-11-12 | 2007-05-17 | Pil-Geun Chun | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| EP1806724A2 (en) * | 2006-01-07 | 2007-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device and electronic device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231054A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Stanley Electric Co Ltd | 透明電極材料およびそれを用いた電子素子 |
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| JP2006092936A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toyota Industries Corp | 有機ｅｌ装置 |
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| JPWO2006104256A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2008-09-11 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004050643A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜積層体 |
| US20070111369A1 (en) * | 2005-11-12 | 2007-05-17 | Pil-Geun Chun | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| EP1806724A2 (en) * | 2006-01-07 | 2007-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device and electronic device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI611613B (zh) * | 2014-06-17 | 2018-01-11 | 佳能股份有限公司 | 有機發光裝置及該裝置的製造方法 |
Also Published As
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