JP2013173227A - 保持装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】平面加工による加工精度を向上させることができる保持装置を提供する。
【解決手段】ウェハ保持装置は、ウェハ30に隣接して設けられ被研磨面31に研磨部材42を当接させてウェハ30の研磨を行うときに研磨部材42の被研磨面31からのはみ出し部分の少なくとも一部を支持するガイド装置70を備えている。そして、ガイド装置70は、周面のうちの研磨部材42側に位置する上端部が上記はみ出し部分の少なくとも一部を支持するように被研磨面31と同一面上に位置する回転自在の複数の回転体を有して構成される。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体ウェハなどの被加工物の被加工面を平坦化する平面加工において被加
工物を保持するための保持装置に関する。
従来、半導体ウェハなどの研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置として、ウェハをそ
の被研磨面が露出する状態で保持するウェハ保持装置と、このウェハ保持装置に保持され
たウェハの被研磨面と対向する研磨パッドが貼り付けられた研磨部材とを備え、これら双
方を回転させた状態で研磨パッドをウェハの被研磨面に押し付け、且つ研磨部材を両者の
接触面内方向に揺動させてウェハを研磨する構成のものが知られている。また、このよう
な機械的研磨に加え、研磨パッドとウェハとの接触面に研磨剤(研磨液)を供給して研磨
剤の化学的作用により上記研磨を促進させる化学的機械的研磨を行うCMP装置も知られ
ている。
この種の研磨装置として、例えば、ウェハよりも径が小さい研磨パッドを用いる研磨装
置や、ウェハよりも径が大きい研磨パッドを用いる(コンベンショナルの)研磨装置が知
られている。ウェハよりも径が小さい研磨パッドを用いる研磨装置では、例えば、ウェハ
チャックにウェハがその被研磨面を上方に向けて(フェイスアップ状態で)真空吸着され
、ウェハチャックとともに回転駆動される。このウェハの上方にこれと対向して研磨ヘッ
ドが配設されており、この研磨ヘッドはウェハの被研磨面と接触する研磨パッドを貼り付
けた研磨部材を有して構成される。このような構成の研磨装置を用いたウェハの研磨加工
は、研磨パッドを回転させながらウェハチャックに回転保持されたウェハの被研磨面に当
接させて行われ、このとき、研磨パッドは回転しながらウェハに対して水平方向へ往復運
動をすることで、ウェハの全表面が均一に研磨加工される。
ところで、このような研磨装置においては、研磨パッドを水平移動させてウェハの端部
近傍を研磨するときに、研磨パッドがウェハに対してはみ出した(オーバーハングした)
状態となる。このとき、上述のような研磨装置では、研磨パッド(研磨部材)がウェハに
対してはみ出したときに研磨パッドが垂れ下がり状態となって、ウェハに偏荷重が作用し
て研磨圧力の分布に変化が生じやすいという問題があった。
そこで、ウェハの被研磨面と同一高さ位置にガイド面を有するリテーナ(リテーナリン
グ)を設けたウェハチャックが考案されている(例えば、特許文献1を参照)。これによ
り、リテーナが研磨パッドのはみ出し部分(オーバーハング部分)をウェハの被研磨面と
同一高さ位置で支持することで、ウェハに偏荷重が作用するのを防止することができる。
特開2000−317817号公報
しかしながら、上記ウェハチャックにおいて、リテーナはウェハチャックに固定されて
ウェハチャックとともに一体に回転をすることになるが、研磨パッドとリテーナとは相対
回転して接触しているため、研磨パッドおよびリテーナの双方に摩擦力や摩擦熱などが印
加されることになる。これにより、研磨パッドがダメージを受けたり、リテーナが摩耗し
て被研磨面とリテーナのガイド面との間で段差が生じて研磨パッドが傾くことによりウェ
ハに偏荷重が作用したりすることで、ウェハ研磨での所望の加工精度(平坦度)を確保す
ることが困難であるという問題がある。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、平面加工による加工精度を向
上させることができる保持装置を提供することを目的とする。
このような目的達成のため、本発明に係る保持装置は、被加工物の被加工面を加工部材
を用いて平面加工する加工装置に用いられる保持装置であって、被加工物に隣接して設け
られ、被加工面に加工部材を当接させて被加工物の平面加工を行うときに加工部材の被加
工面からのはみ出し部分の少なくとも一部を支持する支持部材を備え、支持部材は、周面
のうちの加工部材側に位置する端部が上記はみ出し部分の少なくとも一部を支持するよう
に被加工面と同一面上に位置する回転自在の複数の回転体を有して構成される。
さらに、本発明に係る研磨装置は、上記構成の保持装置と、被加工物の被加工面を研磨
可能な研磨部材とを備え、研磨部材を被加工物の被加工面に当接させながら相対移動させ
て被加工物の被加工面を研磨するとともに、前記被加工物から周囲へはみ出す研磨部材の
はみ出し部分を回転体が支持するように構成される。
本発明によれば、平面加工による加工精度を向上させることができる。
第1実施形態の保持装置を備えた研磨装置の一例であるCMP装置を示す正面図である。 第1実施形態の保持装置を示す斜視図である。 ウェハおよびガイドローラが研磨パッドに当接した状態を示す正面図である。 保持装置の変形例を示す正面図である。 第2実施形態の保持装置を備えた研磨装置を示す正面図である。 第2実施形態の保持装置の一部を構成するガイド装置を示す斜視図である。
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明の第1実施
形態に係る保持装置(ウェハ保持装置)を備えた研磨装置の代表例であるCMP装置(化
学的機械的研磨装置)を図1に示している。
CMP装置1は、被研磨物たる半導体ウェハ(以下、ウェハと称する)30を保持可能
なウェハ保持装置50と、このウェハ保持装置50の上方位置に設けられ、ウェハ保持装
置50上に保持されたウェハ30の被研磨面31と対向する研磨パッド42が取り付けら
れた研磨部材41を保持してなる研磨ヘッド40とを備えて構成されている。なお、ウェ
ハ保持装置50は、ウェハ30をその上面側に着脱自在に吸着保持可能な吸着装置60と
、この吸着装置60の側方位置に隣接して設けられ、ウェハ30の研磨時にウェハ30か
らその周囲へはみ出す研磨ヘッド40(研磨パッド42)のはみ出し部分(オーバーハン
グ部分)を支持するガイド装置70とを備えて構成されている。
このCMP装置1では、研磨パッド42の寸法(直径)はウェハ30の寸法(直径)よ
りも小さく(すなわち研磨パッド42はウェハ30よりも小径であり)、研磨パッド42
をウェハ30に接触させた状態で双方を相対移動させることにより、ウェハ30の被研磨
面(上面)31全体を研磨できるようになっている。また、このとき、研磨ヘッド40の
揺動運動によって研磨ヘッド40(研磨パッド42)の一部が一時的にウェハ30の被研
磨面31からその周囲(図1において右方)へはみ出すようになっており、これによりウ
ェハ30の被研磨面31のエッジ部近傍をも研磨できるようになっている。
これらウェハ保持装置50と研磨ヘッド40とを支持する支持フレーム20は、水平な
基台21と、この基台21上にY方向(紙面に垂直な方向でこれを前後方向とする)に延
びて設けられたレール(図示せず)上をY方向に移動自在に設けられた第1ステージ22
と、この第1ステージ22から垂直(Z方向)に延びるように設けられた垂直フレーム2
3と、この垂直フレーム23の上部に設けられた第2ステージ24と、この第2ステージ
24上から水平(X方向)に延びるように設けられた水平フレーム25と、この水平フレ
ーム25上をX方向(左右方向)に移動自在に設けられた第3ステージ26とを有して構
成されている。
第1ステージ22内には第1電動モータM1が設けられており、これを回転駆動するこ
とにより第1ステージ22を上記レールに沿ってY方向に移動させることができる。また
、第3ステージ26内には第2電動モータM2が設けられており、これを回転駆動するこ
とにより第3ステージ26を水平フレーム25に沿ってX方向に移動させることができる
。このため、上記電動モータM1,M2の回転動作を組み合わせることにより、第3ステ
ージ26をウェハ保持装置50(吸着装置60)上方の任意の位置に移動させることが可
能である。
研磨ヘッド40は第3ステージ26から下方に垂直に延びて設けられたスピンドル29
の下端部に取り付けられている。このスピンドル29は第3ステージ26内に設けられた
第4電動モータM4を回転駆動することにより回転されるようになっており、これにより
研磨ヘッド40全体を回転させて研磨パッド42をXY平面(水平面)内で回転させるこ
とができる。
吸着装置60は基台21上に設けられたテーブル支持部27から上方に垂直に延びて設
けられた回転軸28の上端部に水平姿勢に取り付けられている。この回転軸28はテーブ
ル支持部27内に設けられた第3電動モータM3を回転駆動することにより回転されるよ
うになっており、これにより吸着装置60をXY平面(水平面)内で回転させることがで
きる。
吸着装置60は、セラミック材料等を用いて円盤状に形成され、上面側に形成された吸
着部61においてウェハ30を吸着保持可能に構成されている。この吸着部61は、詳細
図示を省略するが、上面に多数のピン形状の突起(図示せず)が形成された構成となって
おり、この突起の間に位置する凹部には、図示しない真空源(真空ポンプ)に繋がる多数
の吸着穴(図示せず)が設けられている。そして、ウェハ30の裏面(被吸着面)32を
吸着部61(突起)の上面に接触させて吸着穴に負圧を作用させることで、ウェハ30の
被吸着面32が吸着部61(すなわち、吸着装置60)の上面に真空吸着されるようにな
っている。このようにして、ウェハ30の被吸着面32が吸着部61(突起)の上面に真
空吸着された状態で、ウェハ30が吸着装置60に吸着保持される。
さて、ガイド装置70は、研磨ヘッド40の揺動軌跡の直下に位置するように、吸着装
置60の側方に隣接してテーブル支持部27上に設けられている。このガイド装置70は
、図2および図3に示すように、テーブル支持部27上に固設された支持台71と、この
支持台71上に設けられ、水平面内で所定の曲率(吸着部材60の外周部に沿った曲率)
を有して形成された内側板72、この内側板72に一定の間隔を有して対向配置された外
側板73、およびこれら側板72,73の下端部間を繋いで連結させる平面視略扇形状の
底板74からなるフレーム部材75と、内側板72および外側板73の間で放射状等間隔
に水平方向に延びて形成された複数の支持軸76と、この支持軸76に軸受部材(図示し
ない)を介して回転自在に支持された複数のガイドローラ80とを有して構成される。
各ガイドローラ80は、ステンレスやセラミック等の高い剛性を有する材料、あるいは
、テフロン(登録商標)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等の樹脂材料を用い
て中空円筒状に形成されており、吸着装置60の外周部近傍位置から水平な姿勢で放射状
等間隔にそれぞれ配置されている。また、各ガイドローラ80の外周面上端部(稜線部分
)は吸着装置60に保持されたウェハ30の被研磨面31と同じ高さとなるように設定さ
れている。
各ガイドローラ80の外周部には、周方向に沿って所定の深さを有する一対の切欠溝8
1が形成されており、ガイドローラ80の寿命(交換タイミング)を示すインジケータと
しての役割を果たすようになっている。このようにすることにより、ガイドローラ80の
外周部の摩耗によって変動する外周面と切欠溝81との段差の境界を逐次確認することで
、ガイドローラ80の寿命(交換タイミング)を容易に把握することができ、メンテナン
ス性が向上されるとともに、ガイドローラ80による研磨パッド42の支持不良によって
偏荷重が生じてウェハ30の研磨精度が低下するのを未然に防止することができる。なお
、ガイドローラ80の外周部に形成される切欠溝81の深さは、研磨対象物たるウェハ3
0の厚みによって定まるものであり、ウェハ30の厚さよりも小さく(浅く)設定するこ
とが好ましい。
このようなガイド装置70においては、各ガイドローラ80の外周面上端部によって形
成される稜線部を含む平面領域(水平面内の領域)により、ウェハ30の被研磨面31に
高さが合わされたガイド面が形成されており、このガイド面内で研磨パッド42の研磨面
が各ガイドローラ80の外周面上端部に接触可能に構成されている。これにより、ガイド
ローラ80(の外周面上端部)が研磨パッド42のウェハ30からのオーバーハング部分
を支持することができるようになっている。また、ガイドローラ80が回転する研磨パッ
ド42に当接してこの研磨パッド42の回転力によってつれ回りすることにより、ガイド
ローラ80の外周面の一部分のみが集中的に摩耗することがない。さらには、フレーム部
材75の内側板72により、ウェハ30による被吸着面32の延長面上での移動を規制で
きるようになっている。
このような構成のCMP装置1を用いてウェハ30の研磨を行うには、まず、吸着装置
60の上面に研磨対象となるウェハ30を吸着取り付けする(このときウェハ30の中心
は吸着装置60の回転中心に一致させる)。次に、電動モータM3により回転軸28を駆
動して吸着装置60およびウェハ30を回転させる。続いて、電動モータM1,M2を駆
動して第3移動ステージ26をウェハ30の上方に位置させ、電動モータM4によりスピ
ンドル29を駆動して研磨ヘッド40を回転させる。次に、研磨ヘッド40を上下動させ
るエアシリンダ(図示せず)を用いて研磨ヘッド40を降下させ、研磨パッド42の下面
(研磨面)をウェハ30の被研磨面31に押し当てるようにする。
このとき、図示しないエア供給源から研磨ヘッド40内に所定のエアを供給して、研磨
ヘッド40内のエア圧によりウェハ30と研磨パッド42との接触圧を所定の値に設定す
る。そして、電動モータM2を駆動して研磨ヘッド40をX方向に揺動させる。また、こ
のとき同時に、図示しない研磨剤供給装置より研磨剤を圧送し、研磨パッド42の下面側
に研磨剤を供給させる。これにより、ウェハ30の被研磨面31は、研磨剤の供給を受け
つつウェハ30自身の回転運動と研磨ヘッド40の(すなわち研磨パッド42の)回転お
よび揺動運動とにより研磨される。
ここで、研磨ヘッド40の揺動運動においては、図3に示すように、ウェハ30のエッ
ジ部(外周部)近傍の研磨の際に研磨ヘッド40の一部が一時的にウェハ30からその周
囲(図3において右方)へはみ出すようになっている。このとき、ウェハ30のエッジ部
(外周部)に近接した位置にはウェハ30の被研磨面31とほぼ面一でガイド装置70の
ガイドローラ80が配設されるため、研磨部材41がウェハ30からはみ出す場合に、研
磨部材41(研磨パッド42)のウェハ30からのはみ出し部分をガイド装置70(ガイ
ドローラ80)が支持することで、研磨部材41の偏荷重をガイド装置70で受けること
ができ(研磨部材41がウェハ30からはみ出していない状態と実質的に同等の状態とす
ることができ)、ウェハ30の外周部近傍におけるユニフォーミティ(平坦性)を向上さ
せることができる。すなわち、ウェハ30のエッジ部(外周部)における均一性等の評価
対象外となる領域であるエッジイクスクルージョンを小さくすることが期待できる。
さらに、ガイド装置70の各ガイドローラ80は支持軸76を回転軸として回転可能に
保持されているため、研磨部材41(研磨パッド42)の回転力を受けて各ガイドローラ
80は(研磨パッド42の回転力を解放するように)研磨パッド42につれ回りするよう
になっている。このため、各ガイドローラ80が研磨パッド42の研磨面に当接すること
で研磨パッド42の回転運動に対して大きな抵抗となることがなく、研磨パッド42にね
じれが生じるのを防止することができる。これにより、ガイドローラ80との摩擦などに
よって研磨パッド42に付与するダメージを低減するができるため、ウェハ30の研磨に
おける加工精度を向上させることができる。
また、ガイドローラ80は研磨部材41(研磨パッド42)の回転力によって回転(つ
れ回り)しながら、研磨パッド42のウェハ30からのはみ出し部分を支持するため、こ
のガイドローラ80の一部分のみが集中的に摩耗することがないので、ガイドローラ80
の寿命を延ばすことができる。このため、ガイドローラ80の摩耗による交換頻度が低減
されメンテナンス性が向上するとともに、ガイドローラ80が研磨パッド42のウェハ3
0からのはみ出し部分を精度良く長期に亘り安定して支持(研磨部材41の偏荷重を防止
)することが可能になる。
そして、以上のような構成のウェハ保持装置50を備えたCMP装置1によれば、ウェ
ハ30の研磨を均一に行うことができ、ウェハ30の加工精度および歩留まりを向上させ
ることができる。
なお、上述の実施形態において、ガイド装置70は吸着装置60に隣接して研磨ヘッド
40の揺動軌跡における直下位置近傍にのみ配設されているが、これに限られるものでは
なく、吸着装置60およびウェハ30の周囲(外周部全体)を囲むように配設してもよい
。これによれば、研磨パッド42(研磨面)の直径がウェハ30(被研磨面)の直径より
も大きいコンベンショナルの研磨装置に適用した場合でも、研磨パッド42のはみ出し部
分(外周縁部全体)を確実に支持することができる。
また、上述の実施形態において、図1に示すように、研磨部材41の下方においてウェ
ハ保持装置50によりウェハ30が保持される研磨装置について説明したが、これに限ら
れるものではなく、研磨部材の上方においてウェハ保持装置によりウェハが保持される構
成の研磨装置にも適用することができる。
さらに、上述の実施形態において、ガイドローラ80は(中空)円筒状に形成されてい
るが、これに限られるものではなく、図4に示すように、円錐台形状のガイドローラ90
を用いて構成してもよい。このガイドローラ90が研磨パッド42のウェハ30からのは
み出し部分を支持するときに、研磨パッド42の径方向での周速度の違い(回転中心から
の距離が大きくなるほど周速度が大きくなる)に対応して、内側板92側から外側板93
側に向かって移行するにつれてガイドローラ90の円周長を大きく(すなわち、ガイドロ
ーラ90のつれ回りによる周速度を大きく)することにより、研磨パッドと、この研磨パ
ッド42によってつれ回りするガイドローラ90との接触領域内における互いの回転力の
アンバランスを低減させ、研磨パッド42にねじれが生じるのを防止することができる。
また、上述の実施形態において、ガイド装置70および吸着装置60が上下方向に相対
移動可能に構成してもよい。これによれば、ガイドローラ80の摩耗、ガイド装置70お
よび吸着装置60の取り付け精度、ウェハ30の吸着(取付)精度などに関わらず、吸着
装置60に保持されるウェハ30の被研磨面31とガイド装置70の各ガイドローラ80
の外周面上端部(稜線部)との高さが常に同一となるように調整することができる。
次に、第2実施形態に係る保持装置(ウェハ保持装置)について説明する。第2実施形
態のウェハ保持装置150を備えたCMP装置101を図5に示している。なお、この実
施形態においては、第1の実施形態と同一の構成要素は同一の符号を付して、第1の実施
形態との相違点を中心に説明する。
CMP装置101は、第1実施形態の(ウェハ保持装置50を備えた)CMP装置1と
同様に、被研磨物たるウェハ30を保持可能なウェハ保持装置150と、ウェハ30の被
研磨面31と対向する研磨パッド42が取り付けられた研磨部材41を保持してなる研磨
ヘッド40とを備えて構成されている。また、ウェハ保持装置150は、ウェハ30をそ
の上面側に着脱自在に吸着保持可能な吸着装置60と、この吸着装置60の周囲(外周部
全体)を囲むように設けられ、ウェハ30の研磨時にウェハ30からその周囲へはみ出す
研磨ヘッド40(研磨パッド42)のはみ出し部分(オーバーハング部分)を支持するガ
イド装置170とを備えて構成されている。
ガイド装置170は、吸着装置60と同軸に吸着装置60の周囲を囲むようにテーブル
支持部27上に固設された中空円筒状の支持台171と、この支持台171の上面に設け
られ、複数のガイドボール(球体)180を備えたフリーベアリング172とを有して構
成される。
フリーベアリング172は、上方に開口する半球状の収容溝174が複数設けられた中
空円筒状のハウジング173と、各収容溝174内に配設された複数の小ボール175と
、各収容溝174内において複数の小ボール175によって任意の方向(360度)に転
がり自在に底部が保持される複数のガイドボール180と、ハウジング173の上部を覆
うキャップ部176とを有して構成される。
各ガイドボール180は、ステンレスやセラミック等の高い剛性を有する材料、あるい
は、テフロン(登録商標)やポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等の樹脂材料を用
いて球状に形成されており、ハウジング173内において径方向に2列で周方向等間隔に
配置されている(図6を参照)。そして、各ガイドボール180は、その上方部がハウジ
ング173における各収容溝174の開口位置に対応してキャップ部176に形成された
開口部177から上方に突出(露出)しており、キャップ部176によってハウジング1
73から離脱しないよう規制保持されている。また、各ガイドボール180の最上部(球
面端部)は吸着装置60に保持されたウェハ30の被研磨面31と同じ高さとなるように
設定されている。
このようなガイド装置170においては、各ガイドボール180の最上部に位置する頂
点(球面端部)を含む平面領域(水平面内の領域)により、ウェハ30の被研磨面31に
高さが合わされたガイド面が形成されており、このガイド面内で研磨パッド42の研磨面
が各ガイドボール180の頂点に接触可能に構成されている。これによりガイドボール1
80(の最上部に位置する頂点)が研磨パッド42のウェハ30からのはみ出し部分を支
持することができるようになっている。また、ガイドボール180が回転する研磨パッド
42に当接してこの研磨パッド42の回転力によってつれ回りすることにより、ガイドボ
ール180の球面の一部分のみが集中的に摩耗することがない。さらには、ガイド部材1
70(フリーベアリング172)の内側壁によって、ウェハ30による被吸着面32の延
長面上での移動を規制できるようになっている。
このような第2実施形態のウェハ保持装置150を備えたCMP装置101を用いても
、第1実施形態の(ウェハ保持装置50を備えた)CMP装置1と同様にしてウェハ30
の研磨を行うことができる。このとき、被研磨物たるウェハ30の周囲には被研磨面31
とほぼ面一でガイド装置170のガイドボール180が配設されるため、研磨部材41が
ウェハ30からはみ出す場合に、研磨部材41(研磨パッド42)のウェハ30からのは
み出し部分をガイド装置170(ガイドボール180)が支持することで、研磨部材41
の偏荷重をガイド装置で170受けることができ(研磨部材41がウェハ30からはみ出
していない状態と実質的に同等の状態とすることができ)、ウェハ30のエッジ部(外周
部)近傍におけるユニフォーミティ(平坦性)を向上させることができる。これにより、
第1実施形態のCMP装置1と同様に、エッジイクスクルージョンを小さくすることが期
待できる。
さらに、ガイド装置170の各ガイドボール180は、任意の方向(360度)に回転
可能に保持されるため、研磨部材41(研磨パッド42)の回転力を受けて各ガイドボー
ル180は(研磨パッド42の回転力を解放するように)研磨パッド42につれ回りする
ようになっている。このため、各ガイドボール180が研磨パッド42の研磨面に当接す
ることで研磨パッド42の回転運動に対して大きな抵抗となることがなく、研磨パッド4
2にねじれが生じるのを防止することができる。これにより、ガイドボール180との摩
擦などによって研磨パッド42に付与するダメージを低減することができため、ウェハ3
0の研磨における加工精度を向上させることができる。
また、ガイドボール180は研磨部材41(研磨パッド42)の回転力によって回転(
つれ回り)しながら、研磨パッド42のウェハ30からのはみ出し部分を支持するため、
ガイドボール180の一部分のみが集中的に摩耗することがないので、ガイドボール18
0の寿命を延ばすことができる。このため、ガイドボール180の摩耗による交換頻度が
低減されメンテナンス性が向上するとともに、ガイドボール180が研磨パッド42のウ
ェハ30からのはみ出し部分を精度良く長期に亘り安定して支持することが可能になる。
さらに、ガイド装置170はウェハ30の周囲を囲むように配設されているため、研磨
ヘッド40をXY方向(水平面内)の広範囲に揺動させても研磨パッド42のウェハ30
からのはみ出し部分をガイド装置170が支持することができるため、ウェハ30の研磨
における平坦性をより向上させることができる。
そして、以上のような構成のウェハ保持装置150を備えたCMP装置101によれば
、ウェハ30の研磨を均一に行うことができ、ウェハ30の加工精度および歩留まりを向
上させることができる。
なお、上述の実施形態において、研磨パッド42の直径はウェハ30の直径よりも小さ
くなっているが、これに限られるものではなく、研磨パッド(研磨面)の直径がウェハ3
0(被研磨面31)の直径よりも大きくなるように(コンベンショナルの研磨装置として
)構成されてもよい。
また、上述の実施形態において、ガイド装置170は吸着装置60(およびウェハ30
)の周囲を囲むようにしてテーブル支持部27上に固設されているが、これに限られるも
のではなく、ガイド装置を吸着装置に取り付けて、ガイド装置が吸着装置の中心軸を回転
軸として吸着装置と一体的に回転する構成としてもよい。
また、上述の実施形態において、ガイド装置のハウジング内に常時供給されるエア圧に
よってガイドボールを浮上させることで研磨パッド42のウェハ30からのはみ出し部分
を常に一定圧で支持するように構成してもよい。
なお、上述した実施形態では、保持装置(ウェハ保持装置)が研磨装置の一例であるC
MP装置に備えられて適用された例について説明したが、これに限られるものではなく、
他の加工装置(平面研磨装置など)、その他種々の加工装置に備えられて適用されるもの
である。また、保持装置の被保持体は半導体ウェハに限定されるものではなく、半導体ウ
ェハ以外の基板(ガラス基板等)などを保持するように構成してもよい。さらに、保持装
置による半導体ウェハなどの被保持体の保持方法は真空源を用いた真空吸着に限定される
ものではなく、被保持体の周縁部等を把持する複数の爪部を有したチャックなどにより保
持する構成としてもよい。
1 CMP装置(第1実施形態)
30 半導体ウェハ 31 被研磨面
42 研磨部材 50 ウェハ保持装置
60 吸着装置 70 ガイド装置
80 ガイドローラ 81 切欠溝
90 ガイドローラ
101 CMP装置(第2実施形態)
150 ウェハ保持装置 170 ガイド装置
172 フリーベアリング 180 ガイドボール

Claims (1)

  1. 被加工物の被加工面を加工部材を用いて平面加工する加工装置に用いられる保持装置で
    あって、
    前記被加工物に隣接して設けられ、前記被加工面に前記加工部材を当接させて前記被加
    工物の平面加工を行うときに前記加工部材の前記被加工面からのはみ出し部分の少なくと
    も一部を支持する支持部材を備え、
    前記支持部材は、周面のうちの前記加工部材側に位置する端部が前記はみ出し部分の少
    なくとも一部を支持するように前記被加工面と同一面上に位置する回転自在の複数の回転
    体を有して構成されることを特徴とする保持装置。
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