JP2013173082A - 有機薄膜の成膜方法とそれを用いて形成した太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板に均一な有機薄膜を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】有機物半導体の前躯体の液滴を帯電させて静電力で加速し、シリコン単結晶基板４１に衝突させて基板上に有機物半導体の初期段階の薄膜４２を形成する第１の成膜ステップと、初期段階の薄膜４２が形成されたシリコン単結晶基板４１に有機物半導体の溶液を塗布して有機物半導体の塗膜を形成する第２の成膜ステップと、を備えることを特徴とする。このように、二段階の成膜を行うことにより、疎水性を有するシリコン単結晶基板に均一な有機物半導体薄膜を形成することができる。
【選択図】図５
【解決手段】有機物半導体の前躯体の液滴を帯電させて静電力で加速し、シリコン単結晶基板４１に衝突させて基板上に有機物半導体の初期段階の薄膜４２を形成する第１の成膜ステップと、初期段階の薄膜４２が形成されたシリコン単結晶基板４１に有機物半導体の溶液を塗布して有機物半導体の塗膜を形成する第２の成膜ステップと、を備えることを特徴とする。このように、二段階の成膜を行うことにより、疎水性を有するシリコン単結晶基板に均一な有機物半導体薄膜を形成することができる。
【選択図】図５
Description
本発明は、基板上に有機物の薄膜を形成する方法と、その方法を利用して形成した太陽電池に関する。
太陽電池は、光電変換層にシリコンを使用する「シリコン系太陽電池」、シリコン以外の無機化合物を使用する「無機化合物系太陽電池」、有機半導体を使用する「有機系太陽電池」に大別できる。
下記特許文献１には、シリコン単結晶と(水素化)アモルファスシリコンとのヘテロ接合を有するシリコン系太陽電池が記載されている。この太陽電池は、図８に示すように、Ｎ型の単結晶シリコン基板１０の一方の面にＩ型アモルファスシリコン層１１及びＰ型アモルファスシリコン層１２が形成され、他方の面にＩ型アモルファスシリコン層１１及びＮ型アモルファスシリコン層１３が形成され、さらに、両面のアモルファスシリコン層の上に、透明導電膜１４と集電極１５とが形成されており、表裏対称構造を有している。
このアモルファスシリコン層は、プラズマＣＶＤにより形成されている。
下記特許文献１には、シリコン単結晶と(水素化)アモルファスシリコンとのヘテロ接合を有するシリコン系太陽電池が記載されている。この太陽電池は、図８に示すように、Ｎ型の単結晶シリコン基板１０の一方の面にＩ型アモルファスシリコン層１１及びＰ型アモルファスシリコン層１２が形成され、他方の面にＩ型アモルファスシリコン層１１及びＮ型アモルファスシリコン層１３が形成され、さらに、両面のアモルファスシリコン層の上に、透明導電膜１４と集電極１５とが形成されており、表裏対称構造を有している。
このアモルファスシリコン層は、プラズマＣＶＤにより形成されている。
また、下記特許文献２には、この種の太陽電池において、入射光を有効利用するため、図９に示すように、Ｉ／Ｐアモルファスシリコン層１１、１２やＩ／Ｎアモルファスシリコン層１１、１３が形成されるシリコン単結晶基板１０の表面を凹凸形状（テクスチャ構造）に加工することが記載されている。テクスチャ構造は、「光閉じ込め効果」をもたらし、変換効率が向上する。
シリコン単結晶とアモルファスシリコンとのヘテロ接合を備える太陽電池は、高い変換効率を有しており、広く利用されている。
シリコン単結晶とアモルファスシリコンとのヘテロ接合を備える太陽電池は、高い変換効率を有しており、広く利用されている。
しかし、この種の太陽電池は、アモルファスシリコン層の形成にコストが掛かり、また、透明導電膜の形成時に有害物質対策が必要になる等の課題を有している。
本発明者等は、これらの点を考慮して、単結晶シリコン基板と有機半導体薄膜とのヘテロ接合を有する太陽電池について検討してきた。有機半導体膜は、スピンコート法などで簡単、且つ、安全に形成できるためである。
本発明者等は、これらの点を考慮して、単結晶シリコン基板と有機半導体薄膜とのヘテロ接合を有する太陽電池について検討してきた。有機半導体膜は、スピンコート法などで簡単、且つ、安全に形成できるためである。
しかしながら、テクスチャ構造の結晶シリコン基板にスピンコート法で有機半導体膜を形成しても、高い変換効率の太陽電池は得られなかった。
図１０は、テクスチャ構造の結晶シリコン基板に、直接、スピンコート法で有機半導体薄膜を形成した太陽電池の電流−電圧特性を示している。横軸は開放電圧、縦軸は短絡電流を表している。また、図１１は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した結晶シリコン基板のテクスチャ構造を示している。このテクスチャ構造は、清浄化した結晶シリコン基板の表面をエッチングして形成されている。なお、ここでは、有機半導体として導電性が高いＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonae)）を使用し、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水分散液を結晶シリコン基板上にスピンコートした後、乾燥のために１２０〜１５０℃、１０〜３０分間の加熱処理を施してＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を形成している。
図１０は、テクスチャ構造の結晶シリコン基板に、直接、スピンコート法で有機半導体薄膜を形成した太陽電池の電流−電圧特性を示している。横軸は開放電圧、縦軸は短絡電流を表している。また、図１１は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した結晶シリコン基板のテクスチャ構造を示している。このテクスチャ構造は、清浄化した結晶シリコン基板の表面をエッチングして形成されている。なお、ここでは、有機半導体として導電性が高いＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonae)）を使用し、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水分散液を結晶シリコン基板上にスピンコートした後、乾燥のために１２０〜１５０℃、１０〜３０分間の加熱処理を施してＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を形成している。
図１０の特性は、多くのシリコン系太陽電池の特性と比べて、かなり劣っている。
この原因は、テクスチャの斜面に有機半導体膜が形成されていないことに在る。図１２は、スピンコート法で有機半導体膜を形成したテクスチャ構造の結晶シリコン基板を真上から撮った顕微鏡写真である。有機半導体は、テクスチャ構造の谷の部分に溜まっており、テクスチャの斜面には膜が形成されていない。
これは、結晶シリコン基板の表面の自然酸化膜を除去して清浄化すると、水素終端表面が形成されて、基板表面が疎水性となるためであり、有機半導体膜は、テクスチャの斜面に止まることができず、テクスチャ構造の谷の部分に凝集する。
疎水性のシリコン基板表面では、基板表面が平坦であっても、スピンコートした有機半導体膜は凝集し、均一な膜は得られない。
この原因は、テクスチャの斜面に有機半導体膜が形成されていないことに在る。図１２は、スピンコート法で有機半導体膜を形成したテクスチャ構造の結晶シリコン基板を真上から撮った顕微鏡写真である。有機半導体は、テクスチャ構造の谷の部分に溜まっており、テクスチャの斜面には膜が形成されていない。
これは、結晶シリコン基板の表面の自然酸化膜を除去して清浄化すると、水素終端表面が形成されて、基板表面が疎水性となるためであり、有機半導体膜は、テクスチャの斜面に止まることができず、テクスチャ構造の谷の部分に凝集する。
疎水性のシリコン基板表面では、基板表面が平坦であっても、スピンコートした有機半導体膜は凝集し、均一な膜は得られない。
こうした知見から、単結晶シリコン基板と有機半導体薄膜とのヘテロ接合を有する太陽電池を得るためには、有機物薄膜の載り難い基板に対して均一な有機薄膜を形成する基礎技術が必要なことが明らかになった。
本発明は、こうした事情に基づいて創案したものであり、基板に均一な有機薄膜を形成する成膜方法を提供し、また、その方法を用いて形成した太陽電池を提供することを目的としている。
本発明は、基板上に有機物薄膜を形成する成膜方法であって、有機物の前躯体の液滴を帯電させて静電力で加速し、基板に衝突させて基板上に有機物の初期段階の薄膜を形成する第１の成膜ステップと、初期段階の薄膜が形成された基板に有機物の溶液を塗布して有機物の塗膜を形成する第２の成膜ステップと、を備えることを特徴とする。
このように、二段階の成膜を行うことにより、基板上に均一な有機物薄膜を形成することができる。
このように、二段階の成膜を行うことにより、基板上に均一な有機物薄膜を形成することができる。
また、本発明の成膜方法では、第１の成膜ステップを、静電塗装法で行うことができる。
静電塗装法では、有機物の前躯体の溶液と基板との間に電圧を加えた状態で溶液の噴霧が行われる。
静電塗装法では、有機物の前躯体の溶液と基板との間に電圧を加えた状態で溶液の噴霧が行われる。
また、本発明の成膜方法では、第１の成膜ステップの液滴を超音波霧化法で生成し、霧化された液滴と基板との間に電圧を印加するようにしても良い。
また、本発明の成膜方法では、第２の成膜ステップをスピンコート法で行うことが望ましい。
スピンコート法により有機物の塗膜を簡単に形成することができる。
スピンコート法により有機物の塗膜を簡単に形成することができる。
また、本発明は、単結晶シリコン基板上に有機物半導体の薄膜を形成した太陽電池であり、前述する二段階の成膜を行うことで、単結晶シリコン基板上に有機物半導体の均一な薄膜を形成することができる。
この太陽電池は、従来のシリコン系太陽電池に比べて製造が容易であり、また、従来のシリコン系太陽電池に追随する変換特性を有している。
この太陽電池は、従来のシリコン系太陽電池に比べて製造が容易であり、また、従来のシリコン系太陽電池に追随する変換特性を有している。
また、本発明の太陽電池は、テクスチャ構造を有する単結晶シリコン基板を用いることが可能である。
テクスチャ構造の単結晶シリコン基板に対して均一な有機物半導体の薄膜が形成できるため、「光閉じ込め効果」による変換効率の向上が可能になる。
テクスチャ構造の単結晶シリコン基板に対して均一な有機物半導体の薄膜が形成できるため、「光閉じ込め効果」による変換効率の向上が可能になる。
本発明の成膜方法を用いれば、有機物の塗膜が載り難い基板の上にも、均一な有機物薄膜を形成することができる。
また、この方法を太陽電池に適用することで、太陽電池を簡単、且つ、安全に製造することができる。
また、この方法を太陽電池に適用することで、太陽電池を簡単、且つ、安全に製造することができる。
本発明の成膜方法により、単結晶シリコン基板と有機半導体薄膜とのヘテロ接合を有する太陽電池を製造する場合について説明する。
ここでは、有機半導体として、導電性が高く塗布形成が可能なＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを使用している。
ここでは、有機半導体として、導電性が高く塗布形成が可能なＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを使用している。
単結晶シリコン基板上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの薄膜を形成するために、
（１）第１段階として、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳに変わる物質（前躯体）の液滴を帯電させて静電力で加速し、単結晶シリコン基板に衝突させて基板上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜を形成する。
（２）第２段階として、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が形成された単結晶シリコン基板にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水分散液をスピンコートしてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を形成する。
（１）第１段階として、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳに変わる物質（前躯体）の液滴を帯電させて静電力で加速し、単結晶シリコン基板に衝突させて基板上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜を形成する。
（２）第２段階として、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が形成された単結晶シリコン基板にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水分散液をスピンコートしてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を形成する。
第１段階では、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの前躯体の液滴を帯電させるため、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを、帯電可能な誘電率を有し、単結晶シリコン基板に被着後に簡単に蒸発する沸点を有する溶媒に溶解し、この溶液を単結晶シリコン基板に静電塗装して、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜を形成する。
ここでは、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの溶媒として、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、Ａｃｅｔｏｎｉｔｒｉｌ（アセトニトリル）を使用している。図７には、これらの溶媒の誘電率及び沸点を示している。
ここでは、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの溶媒として、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、Ａｃｅｔｏｎｉｔｒｉｌ（アセトニトリル）を使用している。図７には、これらの溶媒の誘電率及び沸点を示している。
図１は、静電塗装に用いる装置を模式的に示している。この装置は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの溶液を収容する収容部を有し、収容部の先端に８０μｍの径の噴霧孔を備えたキャピラリー２１と、キャピラリー２１の収容部に収容された溶液と基板２２との間に１２ｋＶの電圧を印加する直流電源２３とを備えている。
キャピラリー２１に収容されたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液は、先端の噴霧孔から帯電した小さな液滴となって排出され、基板２２の電位に引き寄せられて、加速した状態で基板２２に衝突する。
キャピラリー２１に収容されたＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液は、先端の噴霧孔から帯電した小さな液滴となって排出され、基板２２の電位に引き寄せられて、加速した状態で基板２２に衝突する。
図２は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液がキャピラリー２１の噴霧孔から小さな液滴となって噴出する状態を示している。図２（ａ）は、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液の９０質量％がＩＰＡの場合、図２（ｂ）は、７０質量％がＤＭＦの場合、また、図２（ｃ）は、９０質量％がアセトニトリルの場合を示している。
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液の濃度は、０．１％〜４０％程度の薄い濃度に設定する。溶媒としては、液滴がキャピラリー２１を離れてから基板２２に到達するまではＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの前躯体を溶かした状態で存在し、基板２２に到達すると、直ぐに蒸発してＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が基板２２上に生成されるようなものが望ましい。
また、基板２２に熱を加え、基板２２に到達した液滴から直ぐに溶媒が蒸発してＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が生成されるようにしても良い。
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液の濃度は、０．１％〜４０％程度の薄い濃度に設定する。溶媒としては、液滴がキャピラリー２１を離れてから基板２２に到達するまではＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの前躯体を溶かした状態で存在し、基板２２に到達すると、直ぐに蒸発してＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が基板２２上に生成されるようなものが望ましい。
また、基板２２に熱を加え、基板２２に到達した液滴から直ぐに溶媒が蒸発してＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が生成されるようにしても良い。
キャピラリー２１の噴霧孔から噴出した液滴は、静電力で基板２２に引き寄せられ、加速して基板２２に到達するため、基板２２の表面が疎水性であっても、凝集することなく、基板の表面に均一に付着する。そのため、液滴に含まれる前躯体から、基板２２の全面にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が形成される。
しかし、この方法の成膜速度は遅いため、第２段階では、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が形成された単結晶シリコン基板にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水分散液をスピンコートしてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を形成する。
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が形成された単結晶シリコン基板をスピンコーターに固定し、その上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水分散液を数滴たらして基板表面に行渡らせ、１５００〜３０００ｒｐｍの回転数でスピンコートし、５ｎｍ〜５０ｎｍ程度の膜厚のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を成膜する。その後、１２０〜１５０℃で１０〜３０分間加熱して乾燥し、均一なＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を得る。
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が形成された単結晶シリコン基板をスピンコーターに固定し、その上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水分散液を数滴たらして基板表面に行渡らせ、１５００〜３０００ｒｐｍの回転数でスピンコートし、５ｎｍ〜５０ｎｍ程度の膜厚のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を成膜する。その後、１２０〜１５０℃で１０〜３０分間加熱して乾燥し、均一なＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を得る。
単結晶シリコン基板上には、既に全面にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜が形成されているため、スピンコートによるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜は、基板上で凝集することなく、基板全面に均一に形成される。
図３は、第１段階及び第２段階の二段階でテクスチャ構造の結晶シリコン基板にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を形成したときのＳＥＭ画像を示している。ピラミッドの斜面にも均一な膜が形成されていることが分かる。
図３は、第１段階及び第２段階の二段階でテクスチャ構造の結晶シリコン基板にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を形成したときのＳＥＭ画像を示している。ピラミッドの斜面にも均一な膜が形成されていることが分かる。
このように、第１段階で、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳに変わる物質（前躯体）の液滴を帯電させて静電力で加速し、基板に衝突させて基板上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期段階の薄膜を形成し、第２段階で、この基板上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ水分散液をスピンコートして、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を形成する方法は、疎水性基板上に高分子塗布形成膜を均一に形成する方法として極めて有効である。
なお、前躯体の液滴を帯電させるために、図４に示すように、超音波振動子３０を備える超音波霧化装置を用いてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ溶液を霧化しても良い。霧化した液滴はキャリアガス３１とともに管中を移送され、メッシュ状の電極３２を通過する時点で帯電する。帯電した液滴は、アースされた電極３３上に置かれている基板３４に加速して衝突する。
次に、この方法により単結晶シリコン基板上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜を形成した太陽電池の特性について説明する。
図５は、特性測定用に作成した太陽電池の構成を示している。この太陽電池では、厚さが３００μｍのＮ型単結晶シリコン４１の下面にアルミ電極４０を配置し、Ｎ型単結晶シリコン４１の上面に図１の装置を用いてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜４２を形成し、その上に、スピンコートで５０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜４３を形成し、その上に銀集電極４４を配置している。
この太陽電池において、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜４３は透明電極として機能している。
図５は、特性測定用に作成した太陽電池の構成を示している。この太陽電池では、厚さが３００μｍのＮ型単結晶シリコン４１の下面にアルミ電極４０を配置し、Ｎ型単結晶シリコン４１の上面に図１の装置を用いてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜４２を形成し、その上に、スピンコートで５０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜４３を形成し、その上に銀集電極４４を配置している。
この太陽電池において、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜４３は透明電極として機能している。
図６は、この太陽電池の電流−電圧特性を示しており、横軸は開放電圧、縦軸は短絡電流を表している。また、曲線Ｆは、Ｎ型単結晶シリコン４１の表面が平坦な太陽電池の特性を示し、曲線Ｔは、Ｎ型単結晶シリコン４１がテクスチャ構造を有する場合の特性を示している。
また、Ｎ型単結晶シリコン４１の表面が平坦な太陽電池の変換効率は６．３％、Ｎ型単結晶シリコン４１がテクスチャ構造を有する太陽電池の変換効率は７．５％であった。
この太陽電池では、Ｎ型単結晶シリコン４１上に均質なＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜４３が形成されているため、図６と図１０とを比較して明らかなように、特性が大幅に改善している。
また、この太陽電池は、表裏対称構造の採用など、機械的な構造を改良したり、有機半導体自体の特性を改善したりすることで、特性のさらなる向上が期待できる。
また、Ｎ型単結晶シリコン４１の表面が平坦な太陽電池の変換効率は６．３％、Ｎ型単結晶シリコン４１がテクスチャ構造を有する太陽電池の変換効率は７．５％であった。
この太陽電池では、Ｎ型単結晶シリコン４１上に均質なＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜４３が形成されているため、図６と図１０とを比較して明らかなように、特性が大幅に改善している。
また、この太陽電池は、表裏対称構造の採用など、機械的な構造を改良したり、有機半導体自体の特性を改善したりすることで、特性のさらなる向上が期待できる。
なお、ここでは、本発明の成膜方法を用いて太陽電池を製造する場合について説明したが、本発明の成膜方法は、それだけに限らず、電界効果トランジスタや電界発光素子への有機半導体の形成、あるいは、フロントガラスへの高分子膜の形成などにも、広く用いることができる。
また、第２段階の塗布の方法としては、スピンコート法に限らず、刷毛塗り法、印刷法、ディップコート法など、広く知られた塗布方法を用いても良い。
また、第２段階の塗布の方法としては、スピンコート法に限らず、刷毛塗り法、印刷法、ディップコート法など、広く知られた塗布方法を用いても良い。
本発明は、太陽電池の製造分野を始めとして、有機半導体の薄膜を基板等に形成する各種分野、あるいは、高分子膜をガラスなどに形成する各種分野で広く利用することができる。
１０ 単結晶シリコン基板
１１ Ｉ型アモルファスシリコン層
１２ Ｐ型アモルファスシリコン層
１３ Ｎ型アモルファスシリコン層
１４ 透明導電膜
１５ 集電極
２１ キャピラリー
２２ 基板
２３ 直流電源
３０ 超音波振動子
３１ キャリアガス
３２ メッシュ状電極
３３ アース電極
４０ アルミ電極
４１ Ｎ型単結晶シリコン
４２ ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜
４３ ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜
４４ 銀集電極
１１ Ｉ型アモルファスシリコン層
１２ Ｐ型アモルファスシリコン層
１３ Ｎ型アモルファスシリコン層
１４ 透明導電膜
１５ 集電極
２１ キャピラリー
２２ 基板
２３ 直流電源
３０ 超音波振動子
３１ キャリアガス
３２ メッシュ状電極
３３ アース電極
４０ アルミ電極
４１ Ｎ型単結晶シリコン
４２ ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの初期薄膜
４３ ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ薄膜
４４ 銀集電極
Claims (6)
- 基板上に有機物薄膜を形成する成膜方法であって、
前記有機物の前躯体の液滴を帯電させて静電力で加速し、基板に衝突させて該基板上に前記有機物の初期段階の薄膜を形成する第１の成膜ステップと、
前記初期段階の薄膜が形成された前記基板に前記有機物の溶液を塗布して前記有機物の塗膜を形成する第２の成膜ステップと、
を備えることを特徴とする有機物薄膜の成膜方法。 - 請求項１に記載の有機物薄膜の成膜方法であって、前記第１の成膜ステップが、静電塗装法で行われることを特徴とする有機物薄膜の成膜方法。
- 請求項１に記載の有機物薄膜の成膜方法であって、前記第１の成膜ステップの前記液滴が超音波霧化法で生成され、霧化された前記液滴と前記基板との間に電圧が印加されることを特徴とする有機物薄膜の成膜方法。
- 請求項１から３のいずれかに記載の有機物薄膜の成膜方法であって、前記第２の成膜ステップが、スピンコート法で行われることを特徴とする有機物薄膜の成膜方法。
- 請求項１に記載の成膜方法を用いて、単結晶シリコン基板上に有機物半導体の薄膜を形成したことを特徴とする太陽電池。
- 請求項５に記載の太陽電池であって、前記単結晶シリコン基板がテクスチャ構造を有することを特徴とする太陽電池。
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