KR20120041394A - 태양 전지의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정을 이용하여 요철을 형성하여 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있는 태양 전지의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 상기 제 1 전극 표면에 요철을 형성하는 단계; 상기 요철을 포함한 상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 발명은 태양 전지에 관한 것으로, 특히, 광 효율을 증가시킬 수 있는 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 환경에 대한 관심이 높아지면서, 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없는 태양 전지에 대한 관심이 높아지고 있다.
태양 전지는 태양광의 에너지를 전기 에너지로 바꾸는 것으로, 상기 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 반도체층 내에서 정공 및 전자가 발생한다.
상기 반도체층은 P(Positive)형 반도체와 N(Negative)형 반도체를 접합시킨 PN 구조 또는, P형 반도체와 N형 반도체 사이에 진성 반도체 재질의 광 흡수층인 I(Intrinsic)형 반도체를 삽입한 PIN 구조이며, PN접합에서 발생한 전기장에 의해 상기 정공은 P형 반도체 쪽으로, 상기 전자는 N형 반도체 쪽으로 이동하고, 상기 P형 반도체 및 N형 반도체상에 형성된 전극을 통해 전자 또는 정공이 외부 회로로 흘러 전류가 발생된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 일반적인 태양 전지를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 태양 전지의 단면도이다.
도 1과 같이, 일반적인 태양 전지는, 기판(100), 상기 기판(100) 상에 형성된 제 1 전극(110), 상기 제 1 전극(110) 상에 형성된 반도체층(120), 및 상기 반도체층(120) 상에 형성된 제 2 전극(130)으로 이루어진다.
상기 제 1 전극(110)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같이 태양광이 투과할 수 있도록 투명 전도성 산화물(TCO: Transparent Conductive Oxide)로 형성된다.
그리고, 태양광의 경로를 증가시켜 태양광이 상기 반도체층(120) 내에 머무는 시간이 길어져 태양 전지의 효율을 증가시키기 위해 상기 제 1 전극(110) 표면에 인위적으로 요철을 형성한다.
상기 요철을 형성하는 것은, 상기 제 1 기판(110) 상에 도전 박막을 증착한 후 산(acid) 용액인 식각액을 이용한 습식 식각(Wet Etch) 방법을 이용하는데, 상기 습식 식각 방법은 여러 번의 세정 및 건조 공정이 필요하므로, 공정 시간이 많이 소요되고 더불어 제조 비용이 증가하는 문제점이 발생한다.
그리고, 상기 투명 전도성 산화물은 산 또는 염기(Base) 용액에 식각 속도가 매우 빠르므로 최적의 텍스처링(Texturing)의 조건을 잡기가 어려워, 상기 습식 식각 방법으로 형성되는 요철의 형상 및 크기를 균일하게 하거나 형상 및 크기를 제어하는데 한계가 있다.
다른 방법으로, 도전 박막으로 FTO(Fluorine Doped Tin Oxide)를 증착하고 레이저 장비를 이용하여 상기 제 1 전극(110) 표면을 요철 형태로 형성하는 방법도 있지만, 고가의 레이저 장비로 인해 제조비용이 증가하며 고온공정을 필요로 하기 때문에 열에 약한 재질을 이용하는 플렉서블 기판에는 적용하기 어려운 문제점이 있다.
또한, 제 1 전극(110) 표면에 몰드(Mold)를 이용하여 요철을 형성하는 임프린팅(Imprinting) 방식은 내부의 Air bubble(기포)로 인한 불량을 제어하기 위해 진공 상태에서 공정을 진행해야 하며 상기 몰드의 수명 및 상용화 가능성에 대한 검증이 필요하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 태양 전지의 효율을 향상시키기 위해 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정을 이용하여 요철을 형성하는 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 상기 제 1 전극 표면에 요철을 형성하는 단계; 상기 요철을 포함한 상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
상기 반도체층 상에 배면 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진다.
상기 제 1 전극 표면에 요철을 형성하는 단계는, 상기 제 1 전극 표면을 소수 처리하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 잉크 액적을 토출하는 단계; 및 상기 잉크 액적을 경화시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
상기 제 1 전극 표면을 소수 처리하는 단계는, 플라즈마를 이용하거나, 초분자 자기 조립(Hydrophobic Self-assembled Monolayers; SAMs)방법을 이용한다.
상기 잉크 액적은, CNT(Carbon Nano Tube), Ag, ZnO(Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide) 중 선택된 물질과 유기 용매를 혼합한 것이다.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 기판 표면에 요철을 형성하는 단계; 상기 요철을 포함한 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
상기 반도체층 상에 배면 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진다.
상기 기판 표면에 요철을 형성하는 단계는, 상기 기판 표면을 소수 처리하는 단계; 상기 기판 상에 잉크 액적을 토출하는 단계; 및 상기 잉크 액적을 경화시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
상기 기판 표면을 소수 처리하는 단계는, 플라즈마를 이용하거나, 초분자 자기 조립(Hydrophobic Self-assembled Monolayers; SAMs)방법을 이용한다.
상기 잉크 액적은, 가용성 실록산(Soluble Siloxane)이다.
상기와 같은 본 발명의 태양 전지의 제조 방법은 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정을 이용하여 노즐 사이즈보다 작은 크기의 요철을 형성할 수 있으므로, 미세한 요철을 통해 광 경로를 증가 되어 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 전기 유체 역학 잉크젯 공정은 잉크 액적의 점도에 크게 영향을 받지 않으므로, 넓은 점도 범위의 잉크 액적을 사용할 수 있다.
도 1은 일반적인 태양 전지의 단면도
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 태양 전지의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
* 제 1 실시예 *
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 2a 내지 도 2f와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 태양전지의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정을 이용하여 상기 제 1 전극 표면에 요철을 형성하는 단계; 상기 요철을 포함한 상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 구체적으로 각 단계를 설명한다.
먼저, 도 2a와 같이, 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어진 기판(200) 상에 투명 전도성 산화물(TCO: Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 제 1 전극(210)을 형성한다.
이때, 상기 제 1 전극(210)은 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 CVD 공정, e빔(e-beam) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, 열 증착법(Thermal evaporation) 등으로 형성되며, 상기 투명 전도성 산화물은 태양광이 투과할 수 있는 ZnO(Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 물질이다.
그리고, 도 2b와 같이, 입사된 태양광의 경로를 증가시키기 위해 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 상기 제 1 전극(210) 표면에 요철(210a)을 형성한다.
일반적인 잉크젯 공정은 노즐 사이즈보다 작은 크기의 잉크 액적 토출이 불가능하여 미세한 요철을 형성할 수 없다.
또한, 점도가 높은 잉크 액적을 토출할 때, 상기 노즐의 측면에 잉크 액적이 달라붙어 공정이 계속되면 노즐이 막힐 수 있으므로, 잉크 액적의 점도 제한이 있으나, 전기 유체 역학 잉크젯 공정은 노즐과 추출기 사이의 전위차를 이용하여 잉크 액적을 토출, 인쇄하는 방법으로, 노즐 사이즈의 1/20 사이즈의 잉크 액적을 토출할 수 있으므로 잉크 액적의 토출량을 펨토(Femto) 리터 단위로 제어가 가능하다. 또한, 전기 유체 역학 잉크젯 공정은 일반적인 잉크젯 공정보다 잉크 액적의 종류 및 점도 특성의 영향을 덜 받으므로, 10 내지 10000 CP(Centipoise) 범위의 점도를 갖는 잉크 액적을 사용할 수 있다.
즉, 잉크젯 공정이 푸싱(Pushing)의 개념이라면, 전기 유체 역학 잉크젯 공정은 노즐과 추출기 사이의 전위차를 이용하여 잉크 액적을 토출하는 풀링(Pulling)의 개념이다.
따라서, 전기 유체 역학 잉크젯 공정은 잉크 액적의 점도에 크게 영향을 받지 않으므로, 다양한 점도의 잉크 액적의 토출이 가능하며, 노즐 사이즈보다 작은 크기의 잉크 액적을 토출하여 미세한 요철을 형성할 수 있으므로 높은 해상도를 구현할 수 있다.
구체적으로, 제 1 전극(210) 표면에 요철(210a)을 형성하는 공정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 제 1 전극(210) 표면을 소수 처리한다.
상기 소수 처리는, 상기 제 1 전극(210) 표면의 수분을 제거하는 것으로, 플라즈마를 이용한 소수 처리 방법 또는 초분자 자기 조립(Hydrophobic Self-assembled Monolayers; SAMs)방법을 이용할 수 있다.
상기 플라즈마를 이용한 소수 처리 방법은, 플루오르계 가스를 이용하여 상기 제 1 전극(210) 표면이 소수 특성을 갖도록 하는 것으로, CF4 가스를 이용하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 초분자 자기 조립 방법은, 상기 제 1 전극(210) 상에 소수성 박막을 코팅하는 것으로, 상기 소수성 박막은 CF3(CF2)7(CH2)2SiCl3(FDTS), CF3(CF2)5(CH2)2SiCl3(FOTS), CF3(CF2)5(CH2)2Si(OC2H5)3(FOTES), CF3(CF2)5(CH2)2Si(CH3)Cl2(FOMDS), CH3(CH2)17SiCl3(OTS) 등의 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
이어, 전기 유체 역학 잉크젯 공정으로 CNT(Carbon Nano Tube), Ag, ZnO, ITO 중 선택된 물질을 에탄올, IPA(Isopropyl Alcohol) 등의 유기 용매에 혼합한 잉크 액적을 소수 처리를 한 제 1 전극(210) 상에 떨어뜨리면, 상기 제 1 전극(210) 표면에 상기 잉크 액적이 뭉쳐 렌즈 형상의 요철(210a)이 형성된다.
상기와 같이, 전기 유체 역학 잉크젯 공정을 이용하여 상기 제 1 전극(210) 표면에 요철(210a)을 형성하면, 노즐과 추출기 사이의 전위차를 조절하여 상기 요철(210a)의 크기와 형상을 효과적으로 제어할 수 있으므로 태양 전지의 효율이 증가한다.
이어, 도 2c와 같이, 상기 요철(210a)을 포함한 상기 제 1 전극(210) 상에 반도체층(220)을 형성한다. 상기 반도체층(220)은 상기 제 1 전극(210) 표면에 형성된 요철(210a) 형태를 가지면서 형성된다. 상기 반도체층(220)은 상기 요철(210a)을 따라 P형 실리콘층, I형 실리콘층, N형 실리콘층을 차례로 적층한 구조이며, PECVD, ICP(Inductive Coupled Plasma) CVD, HDP(High Density Plasma) CVD와 같은 CVD 공정으로 형성한다.
여기서, P형 실리콘층은 붕소(boron) 등의 제3족 원소인 p형 불순물이 도핑된 층이며, I형 실리콘층은 불순물이 포함되지 않은 실리콘층인 유전체층이며, N형 실리콘층은 인(P:Phosphorous), 질소(N:Nitrogen) 등과 같이 n형의 불순물이 도핑(doping)된 층이다.
이때, 상기 반도체층(220)은 높은 광변환 효율을 갖도록 상기 P형 실리콘층, I형 실리콘층, N형 실리콘층의 PIN 구조가 두 번 적층된 구조 이거나, 상기 PIN 구조가 세 번 적층된 구조일 수 있다.
한편, 상기 반도체층(220)은 CuInGaSe 또는 CdTe화합물의 단층으로 형성될 수 있다.
도시하지는 않았지만, 상기와 같이 반도체층(220)을 형성한 후, 상기 반도체층(220) 상에 태양광에 대한 반사율을 낮추기 위해 SiNx 등으로 반사 방지막을 더 형성할 수 있다.
그리고, 도 2d와 같이, 상기 반도체층 상에 배면 반사층(230)을 더 형성할 수 있다.
상기 배면 반사층(230)은 상기 반도체층에서 입사되는 빛의 경로를 증가시켜 태양 전지의 효율을 향상시키기 위한 것이다. 상기 BR층(230)은 ZnO 또는 상기 제 1 전극(210)과 동일하게 투명 전도성 산화물로 이루어지며, 스퍼터링 공정으로 형성한다.
이어, 도 2e와 같이, 상기 배면 반사층(230) 상에 알루미늄(Al), 텅스텐(W)과 같은 도전 금속을 증착하여 제 2 전극(240)을 형성한다. 상기 도전 금속은 MOCVD, PECVD와 같은 CVD 공정, e빔(e-beam) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정 등으로 형성된다.
이때, 상기 BR층(230)과 제 2 전극(240)은 상기 반도체층(220)과 같이 상기 제 1 전극(210) 표면에 형성된 요철(210a)을 따라 형성된다.
* 제 2 실시예 *
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
제 2 실시예와 제 1 실시예의 다른 점은, 제 2 실시예는 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정을 이용하여 기판 표면에 요철을 형성하는 것이다.
구체적으로 설명하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 전기 유체 역학 잉크젯 공정을 이용하여 기판 표면에 요철을 형성하는 단계; 상기 요철을 포함한 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 구체적으로 각 단계를 설명한다.
먼저, 도 3a와 같이, 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어진 기판(300) 표면에 전기 유체 역학 잉크젯 공정으로 요철(300a)을 형성한다. 상기 요철(300a)은 입사된 태양광의 경로를 증가시키기 위한 것이다.
구체적으로, 상기 기판(300) 표면에 요철(300a)을 형성하는 공정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상기 기판(300) 표면을 플라즈마를 이용한 소수 처리 방법 또는 초분자 자기 조립(Hydrophobic Self-assembled Monolayers; SAMs)방법을 이용하여 소수 처리한 후, 전기 유체 역학 잉크젯 공정으로 소수 처리를 한 기판(300) 상에 잉크 액적을 떨어뜨리면, 상기 기판(300) 표면에 상기 잉크 액적이 뭉쳐 렌즈 형상의 요철(300a)이 형성된다.
상기 잉크 액적은 가용성 실록산(Soluble Siloxane)이며, 상기 가용성 실록산은 고분자 실리콘계열 수지, 저분자 실리콘계열 수지, 개시제, 용매 및 계면 활성제를 혼합한 것이다.
상기 고분자 실리콘계열 수지는 실세스퀴옥산(Silsesquioxane)인 것이 바람직하며, 상기 저분자 실리콘계열 수지는 실란 올리고머(Silane oligomer) 또는 모노머(Monomer)인 것이 바람직하다. 또한, 상기 개시제는 아크릴의 광경화가 가능한 물질이며, 상기 용매는 코팅성 확보를 위한 점도 조절 용제로 에틸 알코올(Ethyl alcohol) 또는 IPA(Isopropyl Alcohol)등의 물질을 사용할 수 있다.
예를 들어, 상기 잉크 액적은 고분자 실리콘계열 수지 40%, 저분자 실리콘계열 수지 35%, 개시제 3%, 용매 20% 및 계면 활성제 2%를 혼합하여 형성될 수 있다.
상기와 같이, 전기 유체 역학 잉크젯 공정을 이용하여 상기 기판(300) 표면에 요철(300a)을 형성하면, 노즐과 추출기 사이의 전위차를 조절하여 상기 요철(300a)의 크기와 형상을 효과적으로 제어할 수 있으므로 태양 전지의 효율이 증가한다.
이어, 도 3b와 같이, 상기 요철(300a)을 포함한 상기 기판(300) 상에 상기 요철(300a)의 형태를 따라 투명 전도성 산화물(TCO: Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 제 1 전극(310)을 형성한다.
이때, 상기 제 1 전극(310)은 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 CVD 공정, e빔(e-beam) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, 열 증착법(Thermal evaporation) 등으로 형성되며, 상기 투명 전도성 산화물은 태양광이 투과할 수 있는 ZnO(Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 물질이다.
도 3c와 같이, 상기 제 1 전극(310) 상에 반도체층(320)을 형성한다. 상기 반도체층(320)은 상기 제 1 전극(310)이 요철 형태를 가짐에 따라, 요철 형태를 가지면서 형성된다. 상기 반도체층(310)은 P형 실리콘층, I형 실리콘층, N형 실리콘층이 차례로 적층된 구조이며, 상기 반도체층(320)은 PECVD, ICP(Inductive Coupled Plasma) CVD, HDP(High Density Plasma) CVD와 같은 CVD 공정으로 형성한다.
여기서, 상기 P형 실리콘층은 붕소(boron) 등의 제3족 원소인 p형 불순물이 도핑된 층이며, 상기 I형 실리콘층은 불순물이 포함되지 않은 실리콘층인 유전체층이며, 상기 N형 실리콘층은 인(P:Phosphorous), 질소(N:Nitrogen) 등과 같이 n형의 불순물이 도핑(doping)된 층이다.
이때, 상기 반도체층(320)은 높은 광변환 효율을 갖도록 상기 P형 실리콘층, I형 실리콘층, N형 실리콘층의 PIN 구조가 두 번 적층된 구조 이거나, 상기 PIN 구조가 세 번 적층된 구조일 수 있다.
한편, 상기 반도체층(320)은 CuInGaSe 또는 CdTe화합물의 단층으로 형성될 수 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 상기와 같이 반도체층(320)을 형성한 후, 상기 반도체층(320) 상에 태양광에 대한 반사율을 낮추기 위해 SiNx 등으로 반사 방지막을 더 형성할 수 있다.
그리고, 도 3d와 같이, 상기 반도체층(320) 상에 배면 반사층(330)이 더 형성될 수 있다.
상기 배면 반사층(330)은 상기 반도체층(320)에서 입사되는 빛의 경로를 증가시켜 태양 전지의 효율을 향상시키기 위한 것으로, ZnO 또는 상기 제 1 전극(310)과 동일하게 투명 전도성 산화물로 이루어지며, 스퍼터링 공정으로 형성한다.
이어, 도 3e와 같이, 상기 배면 반사층(330) 상에 알루미늄(Al), 텅스텐(W)과 같은 도전 금속을 증착하여 제 2 전극(340)을 형성한다. 상기 도전 금속은 MOCVD, PECVD와 같은 CVD 공정, e빔(e-beam) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정 등으로 형성된다.
이때, 상기 배면 반사층(330)과 제 2 전극(340)은 상기 반도체층(320)과 같이 상기 기판(300) 표면에 형성된 요철(300a)을 따라 형성된다.
이상과 같이, 본 발명에 따라 제조된 태양 전지는 기판 또는 제 1 전극 표면에 요철을 형성하여 태양 전지 내부로 들어온 광의 경로를 증가시키므로 광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 전기 유체 역학 잉크젯 공정을 이용하여 노즐과 추출기 사이의 전자기력을 조절하여 요철의 형태 및 크기를 다양하게 제어할 수 있다. 특히, 미세한 요철을 형성하여 광 경로를 증가시켜 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
200: 기판 210: 제 1 전극
210a: 요철 220: 반도체층
230: 배면 반사층 240: 제 2 전극
210a: 요철 220: 반도체층
230: 배면 반사층 240: 제 2 전극
Claims (10)
- 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 상기 제 1 전극 표면에 요철을 형성하는 단계;
상기 요철을 포함한 상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 반도체층 상에 배면 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극 표면에 요철을 형성하는 단계는, 상기 제 1 전극 표면을 소수 처리하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 잉크 액적을 토출하는 단계; 및
상기 잉크 액적을 경화시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 전극 표면을 소수 처리하는 단계는, 플라즈마를 이용하거나, 초분자 자기 조립(Hydrophobic Self-assembled Monolayers; SAMs)방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 잉크 액적은, CNT(Carbon Nano Tube), Ag, ZnO(Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide) 중 선택된 물질과 유기 용매를 혼합한 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법. - 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 기판 표면에 요철을 형성하는 단계;
상기 요철을 포함한 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및
상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 반도체층 상에 배면 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 기판 표면에 요철을 형성하는 단계는, 상기 기판 표면을 소수 처리하는 단계;
상기 기판 상에 잉크 액적을 토출하는 단계; 및
상기 잉크 액적을 경화시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 기판 표면을 소수 처리하는 단계는, 플라즈마를 이용하거나, 초분자 자기 조립(Hydrophobic Self-assembled Monolayers; SAMs)방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법. - 제 8 항에 있어서,
상기 잉크 액적은, 가용성 실록산(Soluble Siloxane)인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
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|---|---|---|---|---|
| WO2013168973A1 (ko) * | 2012-05-07 | 2013-11-14 | 주식회사 엘지화학 | 잉크젯 프린팅법에 의해 형성된 투명 전도성 고분자 전극, 이를 포함하는 표시장치 및 그 제조방법 |
| US9085140B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-07-21 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Active cliche for large-area printing, manufacturing method of the same, and printing method using the same |
| KR20160045125A (ko) * | 2013-08-19 | 2016-04-26 | 노발레드 게엠베하 | 고정된 얇은 분자 층을 포함하는 전자 또는 광전자 장치, 이의 제조 공정 및 그에 사용되는 화합물 |
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-
2010
- 2010-10-21 KR KR1020100102821A patent/KR20120041394A/ko not_active Application Discontinuation
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