KR20120041395A - 광전소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정을 이용하여 표면에 요철이 형성된 필름을 광전소자에 부착하여 효율을 향상시킬 수 있는 광전소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 광전소자의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판 하부에 필름을 부착하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 필름 표면에 요철이 형성되어 있다.
Description
본 발명은 광전소자에 관한 것으로, 특히, 요철이 형성된 필름을 광전소자에 부착하여 광 효율을 증가시킬 수 있는 광전소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
광전소자는, p-n 접합으로 이루어진 반도체소자의 일종으로, 전기적인 신호를 가하면 다양한 형태의 빛 에너지를 방출하는 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)와, 광을 흡수하여 전기 에너지로 변환하는 태양전지 등을 포함한다. 이 중, 태양전지는, 높은 가격의 문제점 및 이산화탄소 배출로 인한 지구온난화의 원인이 되는 것으로 지적되는 석탄, 석유, 천연가스 등의 화석연료를 대체하기 위한 친환경 재생에너지 중 하나로 주목되고 있다.
태양전지는, 밴드갭 에너지 이상으로 흡수한 광에너지에 의해, 전자가 들뜬 상태가 되어, 전자-정공쌍(electron hole pairs)이 발생되고, 이때 발생된 전자와 정공이 서로 반대방향으로 이동함에 따라 광기전력이 발생되는 광전효과를 이용하여 광에너지를 전기에너지로 변환하는 소자이다.
이하에서는 광전소자의 일례로 태양 전지에 적용하여 설명한다.
태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 반도체층 내에서 정공 및 전자가 발생한다.
상기 반도체층은 P(Positive)형 반도체와 N(Negative)형 반도체를 접합시킨 PN 구조 또는, P형 반도체와 N형 반도체 사이에 진성 반도체 재질의 광 흡수층인 I(Intrinsic)형 반도체를 삽입한 PIN 구조이며, PN접합에서 발생한 전기장에 의해 상기 정공은 P형 반도체 쪽으로, 상기 전자는 N형 반도체 쪽으로 이동하고, 상기 P형 반도체 및 N형 반도체 상에 형성된 전극을 통해 전자 또는 정공이 외부 회로로 흘러 전류가 발생된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 일반적인 태양 전지를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 태양 전지의 단면도이다.
도 1과 같이, 일반적인 태양 전지는, 기판(100), 상기 기판(100) 상에 형성된 제 1 전극(110), 상기 제 1 전극(110) 상에 형성된 반도체층(120), 및 상기 반도체층(120) 상에 형성된 제 2 전극(130)으로 이루어진다.
상기 제 1 전극(110)은 태양광이 투과할 수 있도록 투명 전도성 산화물(TCO: Transparent Conductive Oxide)으로 형성하고, 태양광의 경로를 증가시켜 태양광이 상기 반도체층(120) 내에 머무는 시간이 길어져 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 상기 제 1 전극(110) 표면에 인위적으로 요철을 형성한다.
상기 요철을 형성하는 것은, 상기 제 1 기판(110) 상에 도전 박막을 증착한 후 산(acid) 용액인 식각액을 이용한 습식 식각(Wet Etch) 방법을 이용하는데, 상기 습식 식각 방법은 여러 번의 세정 및 건조 공정이 필요하므로, 공정 시간이 많이 소요되고 더불어 제조 비용이 증가하는 문제점이 발생한다.
그리고, 상기 투명 전도성 산화물은 산 또는 염기(Base) 용액에 식각 속도가 매우 빠르므로 최적의 텍스처링(Texturing)의 조건을 잡기가 어려워, 상기 습식 식각 방법으로 형성되는 요철의 형상 및 크기를 균일하게 하거나 형상 및 크기를 제어하는데 한계가 있다.
다른 방법으로, 도전 박막으로 FTO(Fluorine Doped Tin Oxide)를 증착하고 레이저 장비를 이용하여 상기 제 1 전극(110) 표면을 요철 형태로 형성하는 방법도 있지만, 고가의 레이저 장비로 인해 제조비용이 증가하며 고온공정을 필요로 하기 때문에 열에 약한 재질을 이용하는 플렉서블 기판에는 적용하기 어려운 문제점이 있다.
또한, 제 1 전극(110) 표면에 몰드(Mold)를 이용하여 요철을 형성하는 임프린팅(Imprinting) 방식은 내부의 Air bubble(기포)로 인한 불량을 제어하기 위해 진공 상태에서 공정을 진행해야 하며 상기 몰드의 수명 및 상용화 가능성에 대한 검증이 필요하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정을 이용하여 요철이 형성된 필름을 광전소자에 부착하여 소자의 효율을 향상시킬 수 있는 광전소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 광전소자의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판 하부에 필름을 부착하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 필름 표면에 요철이 형성된다.
상기 필름 표면의 요철은 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 형성된다.
상기 전기 유체 역학 잉크젯 공정은, 상기 필름 상에 잉크 액적을 토출하는 단계; 및 상기 잉크 액적을 경화시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
상기 잉크 액적은, 가용성 실록산(Soluble Siloxane) 또는 아크릴레이트(Acrylate)이다.
상기 기판 하부에 필름을 부착하는 단계는, 필름의 요철이 형성되지 않은 쪽이 상기 기판과 접하도록 부착하거나, 필름의 요철이 형성된 쪽이 상기 기판과 접하도록 부착한다.
상기 반도체층 상에 배면 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진다.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 광전소자는, 기판 하부에 부착되며 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 표면에 요철이 형성된 필름; 상기 기판 상부에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하여 이루어진다.
상기 요철은 가용성 실록산(Soluble Siloxane) 또는 아크릴레이트(Acrylate)이다.
상기 필름은, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에스테르설폰, 사이클로 올레핀 폴리머, 무색 투명 폴리이미드, 폴리카보네이트, ABS 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 중 선택된 물질이다.
상기 필름은, 요철이 형성되지 않은 쪽이 상기 기판과 접하도록 부착되거나, 요철이 형성된 쪽이 상기 기판과 접하도록 부착된다.
상기 반도체층 상에 형성된 배면 반사층을 더 포함하여 이루어진다.
본 발명의 광전소자 및 이의 제조 방법은, 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정을 이용하여 필름 상에 노즐 사이즈보다 작은 크기의 요철을 형성하고, 표면에 요철이 형성된 상기 필름을 광전소자에 부착하여 상기 요철이 광경로를 증가시켜 광전소자의 효율이 향상된다.
도 1은 일반적인 태양 전지의 단면도
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 태양 전지의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도 3은 도 2d의 필름의 공정 단면도
도 4a 및 4b는 본 발명의 태양 전지의 단면도
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 태양 전지의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도
도 3은 도 2d의 필름의 공정 단면도
도 4a 및 4b는 본 발명의 태양 전지의 단면도
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 광전소자의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
이하에서 구체적인 실시예는, 광전소자의 일례로 태양 전지에 적용하여 설명한다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 태양 전지의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d와 같이, 본 발명의 태양 전지의 제조 방법은, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판 하부에 필름을 부착하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 상기 필름 표면에 형성된 요철이 상기 기판으로 입사되는 태양광의 경로를 증가시켜 태양 전지의 효율이 향상된다. 특히, 노즐과 추출기 사이의 전자기력을 조절하여 잉크 액적을 토출하는 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 필름 표면에 요철을 형성하므로, 상기 요철의 형태 및 크기를 효과적으로 제어할 수 있다.
이하, 구체적으로 각 단계를 설명한다.
먼저, 도 2a와 같이, 유리 또는 투명한 플라스틱으로 이루어진 기판(200) 상에 투명 전도성 산화물(TCO: Transparent Conductive Oxide)로 이루어진 제 1 전극(210)을 형성한다.
이때, 상기 제 1 전극(210)은 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 CVD 공정, e빔(e-beam) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, 열 증착법(Thermal evaporation) 등으로 형성되며, 상기 투명 전도성 산화물은 태양광이 투과할 수 있는 ZnO(Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등과 같은 물질이다.
이어, 도 2b와 같이, 상기 제 1 전극(210) 상에 반도체층(220)을 형성한다. 상기 반도체층(220)은 P형 실리콘층, I형 실리콘층, N형 실리콘층을 차례로 적층한 구조이며, PECVD, ICP(Inductive Coupled Plasma) CVD, HDP(High Density Plasma) CVD와 같은 CVD 공정으로 형성한다.
여기서, P형 실리콘층은 붕소(boron) 등의 제3족 원소인 p형 불순물이 도핑된 층이며, I형 실리콘층은 불순물이 포함되지 않은 실리콘층인 유전체층이며, N형 실리콘층은 인(P:Phosphorous), 질소(N:Nitrogen) 등과 같이 n형의 불순물이 도핑(doping)된 층이다.
이때, 상기 반도체층(220)은 높은 광변환 효율을 갖도록 상기 P형 실리콘층, I형 실리콘층, N형 실리콘층의 PIN 구조가 두 번 적층된 구조거나, 상기 PIN 구조가 세 번 적층된 구조일 수 있다.
한편, 상기 반도체층(220)은 CuInGaSe 또는 CdTe화합물의 단층으로 형성될 수 있다.
그리고, 도시하지는 않았지만, 상기와 같이 반도체층(220)을 형성한 후, 상기 반도체층(220) 상에 태양광에 대한 반사율을 낮추기 위해 질화규소(SiNx) 등으로 반사 방지막을 더 형성할 수 있다.
이어, 도 2c와 같이, 상기 반도체층(220) 상에 배면 반사층(230)과 제 2 전극(240)을 차례로 형성한다.
상기 배면 반사층(230)은 상기 반도체층(220)에서 입사되는 빛의 경로를 증가시켜 태양 전지의 효율을 향상시키기 위한 것으로, 상기 배면 반사층(230)은 ZnO 또는 상기 제 1 전극(210)과 동일하게 투명 전도성 산화물로 이루어지며, 스퍼터링 공정으로 형성된다.
그리고, 상기 BR층(230) 상에 알루미늄(Al), 텅스텐(W)과 같은 도전 금속을 증착하여 제 2 전극(240)을 형성한다. 상기 도전 금속은 MOCVD, PECVD와 같은 CVD 공정, e빔(e-beam) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정 등으로 형성된다.
이어, 도 2d와 같이, 기판으로 입사되는 태양광 경로를 증가시키기 위해 상기 기판(200) 하부에 표면에 요철이 형성된 필름(250)을 부착한다. 도면에서는 필름(250)의 요철(250a)이 형성되지 않은 쪽이 기판과 부착된 것을 도시하고 있으나, 필름(250)의 요철(250a)이 형성된 쪽이 기판과 부착될 수 있다.
그리고, 상기 필름(250)과 기판(200)을 부착할 때는, 에틸렌 비닐아세테이트(Ethylene Vinylacetate; EVA)와 같은 접착제를 이용할 수 있으며, 상기 필름(250)과 기판(200)이 잘 부착되도록 상기 필름(250)을 롤러로 가압할 수도 있다.
이하 구체적으로 상기 필름(250) 표면에 요철(250a)을 형성하는 공정을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3은 도 2d의 필름의 공정 단면도이다.
도 3과 같이, 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정을 이용하여 필름(250) 표면에 요철(250a)을 형성한다.
전기 유체 역학 잉크젯 공정은 노즐과 추출기 사이의 전위차를 이용하여 잉크 액적을 토출, 인쇄하는 방법이다.
상기 필름(250) 표면에 잉크 액적을 떨어뜨리면 상기 잉크 액적이 뭉쳐 렌즈 형상의 요철(250a)이 형성된다. 이때, 상기 잉크 액적이 잘 뭉치도록 상기 필름(250) 표면의 수분을 제거하기 위해 상기 필름(250)을 소수 처리할 수 있다.
그리고, 상기 잉크 액적은 가용성 실록산(Soluble Siloxane) 또는 아크릴레이트(Acrylate)와 같이 투과율과 굴절률이 좋은 물질이다.
이어, 상기 필름(250)을 열광화 또는 광경화하여 상기 요철(250a)을 경화시킨다.
상기 열경화는 고온의 핫플레이트에 상기 필름(250)을 위치시켜 상기 요철(250a)을 경화시키는 것이며, 상기 광경화는 상기 필름(250) 표면에 UV(Ultra Violet)를 조사하여 상기 요철(250a)을 경화시키는 것이다.
상기와 같이, 전기 유체 역학 잉크젯 공정을 이용하면, 노즐과 추출기 사이의 전위차를 이용하여 필름(250) 표면에 잉크 액적을 토출하므로 상기 잉크 액적의 점도 제한이 없으며, 노즐 사이즈의 1/20 사이즈의 잉크 액적을 토출할 수 있으므로, 선폭이 1㎛ 내지 9㎛인 요철(250a)을 형성하여 높은 해상도를 구현할 수 있다.
즉, 잉크 액적의 종류 및 점도 특성의 영향을 덜 받으므로, 10 내지 10000 CP(Centipoise) 범위의 점도를 갖는 잉크 액적을 사용할 수 있으며, 잉크 액적의 토출량을 펨토(Femto) 리터 단위로 제어가 가능하다.
따라서, 노즐과 추출기 사이의 전위차를 조절하면 상기 요철(250a)의 크기와 형상을 효과적으로 제어할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 광전소자를 상세히 설명하면 다음과 같다.
이하에서 구체적인 실시예는, 광전소자의 일례로 태양 전지에 적용하여 설명한다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 태양 전지의 단면도이다.
도 4a 및 4b를 참조하면, 본 발명의 태양 전지는 기판(200) 하부에 부착되며 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 표면에 요철(250a)이 형성된 필름(250); 상기 기판(200) 상부에 형성된 제 1 전극(210); 상기 제 1 전극(210) 상에 형성된 반도체층(220); 및 상기 반도체층(220) 상에 형성된 제 2 전극(240)을 포함하여 이루어진다.
그리고, 본 발명의 태양 전지는, 상기 반도체층(220)에서 입사되는 빛의 경로를 증가시켜 태양 전지의 효율을 향상시키기 위해, 상기 반도체층(220) 상부에 형성된 배면 반사층(230)과, 상기 반도체층(220) 상에 태양광에 대한 반사율을 낮추기 위해 질화규소(SiNx) 등으로 형성된 반사 방지막(미도시)를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 필름(250) 표면에는 요철(250a)이 형성되어 있는데 상기 요철(250a)은 전기 유체 역학 잉크젯 공정으로 형성되며, 전기 유체 역학 잉크젯 공정은 노즐과 추출기 사이의 전위차를 이용하여 잉크 액적을 토출, 인쇄하는 방법이다.
따라서, 전기 유체 역학 잉크젯 공정은 노즐 사이즈보다 작은 크기의 잉크 액적 토출이 가능하며, 잉크 액적의 점도에 크게 영향을 받지 않으므로 수천 CP(Centipoise)의 점도를 가지는 잉크 액적의 토출이 가능하다.
또한, 전기 유체 역학 잉크젯 공정을 이용하여 노즐과 추출기 사이의 전자기력을 조절하여 요철(250a)의 형태 및 크기를 다양하게 제어할 수 있으므로, 미세한 요철(250a)을 형성하여 태양광 경로를 증가시켜 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 4a는 필름(250)의 요철(250a)이 형성되지 않은 쪽이 상기 기판(200)과 부착된 것을 도시하고 있으며, 도 4b는 필름(250)의 요철(250a)이 형성된 쪽이 상기 기판(200)과 부착된 것을 도시하고 있다.
도 4a 및 도 4b와 같이, 상기 필름(250)과 기판(200)을 부착할 때는 에틸렌 비닐아세테이트(Ethylene Vinylacetate; EVA)와 같은 접착제를 이용할 수 있으며, 특히, 도 4b와 같이, 필름(250)의 요철(250a)이 형성된 쪽이 상기 기판(200)과 부착될 때는, 상기 기판(200)과 필름(250) 사이의 빈 공간(250b)에 폴리비닐 아세테이트(Polyvinyl Acetate; PVA)와 같은 물질을 채워 상기 기판(200)과 필름(250)이 잘 부착되도록 한다.
상기 필름(250)은 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphtalate; PEN), 폴리에스테르설폰(Polyethersulfone; PES), 사이클로 올레핀 폴리머(Cyclo Clefin Polymer;COP), 무색 투명 폴리이미드, 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), ABS 수지(Acrylonitrile Butadiene Styrene; ABS), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate; PET) 중 선택된 물질이며, 상기 잉크 액적은 가용성 실록산(Soluble Siloxane) 또는 아크릴레이트(Acrylate)와 같이 투과율과 굴절률이 좋은 물질이다.
이상과 같이, 본 발명에 따라 제조된 태양 전지는 기판 하부에 부착된 필름 표면의 요철을 통해 태양 전지 내부로 들어온 태양광의 경로를 증가시키므로 광 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 태양 전지는 광에너지를 전기에너지로 변환하는 반도체층을 형성하는 물질에 따라, 실리콘 태양전지, CdTe 태양전지(CdTe: Cadmium Telluride, 카드뮴, 텔루라이드 화합물), CIGS/CIS 태양전지(CIGS: Copper-Indium-Gallum-Selenide, 구리-인듐-갈륨-셀레늄 화합물, CIS: Copper-Indium-Selenide), 염료감응 태양전지 등과 같은 다양한 종류의 태양 전지이다.
또한, 도시하지는 않았지만, 본 발명은 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)와 같은 다른 광전소자에도 적용할 수 있다.
발광 다이오드는 기판, N형 전극, N형 반도체층, 활성층, P형 반도체층 및 P형 전극으로 구성되며, 상기 발광 다이오드의 광이 방출되는 쪽에 요철이 형성된 필름을 부착하여 소자의 효율을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
200: 기판 210: 제 1 전극
220: 반도체층 230: 배면 반사층
240: 제 2 전극 250: 필름
250a: 요철
220: 반도체층 230: 배면 반사층
240: 제 2 전극 250: 필름
250a: 요철
Claims (11)
- 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 기판 하부에 필름을 부착하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 필름 표면에 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 필름 표면의 요철은 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 전기 유체 역학 잉크젯 공정은, 상기 필름 상에 잉크 액적을 토출하는 단계; 및
상기 잉크 액적을 경화시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 잉크 액적은, 가용성 실록산(Soluble Siloxane) 또는 아크릴레이트(Acrylate)인 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판 하부에 필름을 부착하는 단계는, 필름의 요철이 형성되지 않은 쪽이 상기 기판과 접하도록 부착하거나, 필름의 요철이 형성된 쪽이 상기 기판과 접하도록 부착하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 반도체층 상에 배면 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전소자의 제조 방법. - 기판 하부에 부착되며 전기 유체 역학(Electrohydrodynamics; EHD) 잉크젯 공정으로 표면에 요철이 형성된 필름;
상기 기판 상부에 형성된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 형성된 반도체층; 및
상기 반도체층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전소자. - 제 7 항에 있어서,
상기 요철은 가용성 실록산(Soluble Siloxane) 또는 아크릴레이트(Acrylate)인 것을 특징으로 하는 광전소자. - 제 7 항에 있어서,
상기 필름은, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에스테르설폰, 사이클로 올레핀 폴리머, 무색 투명 폴리이미드, 폴리카보네이트, ABS 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 중 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 광전소자. - 제 7 항에 있어서,
상기 필름은, 요철이 형성되지 않은 쪽이 상기 기판과 접하도록 부착되거나, 요철이 형성된 쪽이 상기 기판과 접하도록 부착되는 것을 특징으로 하는 광전소자. - 제 7 항에 있어서,
상기 반도체층 상에 형성된 배면 반사층을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전소자.
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