JP2013171999A - 発光装置、照明器具および発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体発光素子が発した光を効率よく放出するとともに、半導体発光素子が発した熱を効率よく放散することができる発光装置、当該発光装置の製造方法および当該発光装置を含む照明器具を提供する。
【解決手段】発光装置１は、絶縁基板３と金属板２とを備える。絶縁基板の表面３ａには、熱伝導端子３ｄが形成されている。金属板２は、ＬＥＤチップ８が配置されるとともに、熱伝導端子３ｄに接するようにして絶縁基板３に接合されている。絶縁基板３の裏面３ｂには、放熱端子３ｅが形成されている。放熱端子３ｅと熱伝導端子３ｄとは熱伝導部３ｃによって熱的に接続されている。金属板２の第２面２ｂは高反射加工がなされ、高反射加工がなされていない第１面２ａよりも高い割合で光を反射する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光素子を用いた発光装置、照明器具および発光装置の製造方法に関する。

ＬＥＤに代表される半導体発光素子は、様々な発光装置や照明器具などの光源として広く用いられている。そして、光源として用いられるＬＥＤが発した光は、より効率よく放射されることが望ましい。

特許文献１には、ＬＥＤが発した光を効率よく取り出して放射させるために、ＬＥＤの前方を覆う集光レンズが設置されたディスプレイが記載されている。また、特許文献１には、内面が鏡面処理された凹部にＬＥＤが設置されているディスプレイも記載されている。

特許文献２には、表面が鏡面処理された金属板上にＬＥＤが配置され、配線パターンが形成されている配線板が当該ＬＥＤの周囲を囲うように構成された基板が記載されている。

特許文献３には、内面が金属めっき処理された凹部にＬＥＤが設置されている装置が記載されている。

特開平８−１１６０９７号公報 特開２００７−１０９７０１号公報 特開２００７−１８９００６号公報

ＬＥＤは、流される電流量に応じて、光を発するとともに熱を発する。そして、発した熱によってＬＥＤの温度が上昇すると、発する光の強度が低下する。従って、ＬＥＤの発光効率を高めるには、ＬＥＤの温度上昇を抑制するように構成されていることが望ましい。

特許文献１に記載されているディスプレイ、特許文献２に記載されている基板および特許文献３に記載されている装置では、ＬＥＤが発した熱は当該ＬＥＤが設置されている部材に伝達される。しかし、放熱が十分でなく、ＬＥＤが設置されている部材の温度が上昇すると、ＬＥＤの温度上昇を抑制することが困難になるという問題がある。

本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体発光素子が発した光を効率よく放出するとともに、半導体発光素子が発した熱を効率よく放散することができる発光装置、当該発光装置を含む照明器具および当該発光装置の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明による発光装置は、表面と当該表面に対向する裏面とを有した絶縁基板と、表面上に形成された熱伝導端子と、第１面と当該第１面に対向する第２面とを有し、第１面が熱伝導端子に接するようにして絶縁基板に接合された金属板と、金属板の第２面に配置された半導体発光素子と、絶縁基板の裏面に形成された放熱用の端子である放熱端子と、絶縁基板を貫通し、表面側に形成された熱伝導端子と裏面側に形成された放熱端子とを熱的に接続する熱伝導部とを備え、金属板の第２面には、第１面に比して高い割合で光を反射するように高反射加工がなされていることを特徴とする。

発光装置は、絶縁基板における表面に形成された第１電気接続端子と、絶縁基板における裏面に形成された第２電気接続端子と、絶縁基板を貫通して、第１電気接続端子と第２電気接続端子とを電気的に接続する接続部と、第１電気接続端子と半導体発光素子とを電気的に接続する電線とを備え、金属板と第１電気接続端子との間は電気的に絶縁されていてもよい。

金属板の第２面に複数の半導体発光素子が配置され、第１電気接続端子は、半導体発光素子ごとにそれぞれ形成されていてもよい。そのような構成によれば、複数の半導体発光素子毎に電流量を制御し、各半導体発光素子の発光量を調整することができると共に、複数の半導体発光素子を備えることによって、１個の半導体発光素子を備える場合に比して、発光装置がより強い光を発することができる。

金属板は、絶縁基板の表面において第１電気接続端子が形成されている領域に対応して切り欠きが形成されていてもよい。そのような構成によれば、切り欠き内に電線を通し、第１電気接続端子と半導体発光素子とを容易に電気的に接続することができる。

金属板は、第１面から第２面まで貫かれている貫通孔を有し、電線は、貫通孔を通って第１電気接続端子と半導体発光素子とを接続するように構成されていてもよい。そのような構成によれば、第１電気接続端子と半導体発光素子とを貫通孔を通った電線によって容易に電気的に接続することができる。

貫通孔は、第１面側の開口部が、絶縁基板の表面において第１電気接続端子を取り囲む領域に設けられていてもよい。そのような構成によれば、第１電気接続端子と半導体発光素子とを貫通孔を通った電線によってより容易に電気的に接続することができる。また、電線と第１電気接続端子との接続処理をより容易に行うことが出来る。

金属板上に、第２面の少なくとも一部、および半導体発光素子を覆う封止材が設けられていてもよい。

封止材が、少なくとも、蛍光体、散乱剤またはチキソ剤のいずれかを含んでいてもよい。

発光装置は、放熱端子に接合された放熱部材を備えることが好ましい。そのような構成によって、半導体発光素子が発した熱を良好に放散することができる。

上記目的を達成するための本発明による照明器具は、以上に述べたような発光装置を有することを特徴とする。

上記目的を達成するための本発明による、発光装置の製造方法は、１枚の金属板および１枚の絶縁基板を用いて、以上に述べたような発光装置を複数並設して形成し、１枚の金属板および１枚の絶縁基板を発光装置が形成されている範囲毎に切り出すことを特徴とする。

本発明の発光装置および照明器具によれば、高反射加工された金属板の第２面が、半導体発光素子によって発せられた光を高い割合で反射するので、半導体発光素子によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置の発光効率を向上させることができる。

また、本発明の発光装置および照明器具によれば、半導体発光素子が配置された金属板が、熱伝導端子および熱伝導部を介して放熱端子に熱的に接続されるので、半導体発光素子が発した熱を効率よく放散し、半導体発光素子の温度上昇を良好に抑制することができる。従って、半導体発光素子の発光効率を向上させ、発光装置および照明器具の発光効率をより一層向上させることができる。

本発明による発光装置の製造方法によれば、以上に述べたような効果を奏する発光装置を容易に製造することができる。

第１実施形態の発光装置の構成例を示す概略上面図である。 図１におけるII−II線に沿う断面図である。 発光装置に用いられる絶縁基板の構成例を示す上面図である。 発光装置に用いられる金属板の構成例を示す上面図である。 金属板に用いられる基材の光の反射率の例を示すグラフである。 第１変形例の発光装置の構成を示す概略上面図である。 第２変形例の発光装置の構成を示す概略上面図である。 本発明による発光装置の製造方法を示す説明図である。 第２実施形態の照明器具の構成例を示す概略断面図である。 照明器具に搭載される発光システムの上面図である。 図１０におけるIX−IX線に沿う発光システムの断面図である。 照明器具に用いられる外装放熱部材の上面図である。

以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨から逸脱しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、本実施形態の説明に用いる図面は、いずれも本発明による発光装置１などの特性を模式的に示すものであって、理解を深めるべく、必要に応じて部分的な強調、拡大、縮小、または省略などを行っている場合がある。更に、用いられている様々な数値は、いずれも一例を示すものであり、必要に応じて様々に変更することが可能である。

（全体構成）
図１は、第１実施形態の発光装置１の構成例を示す概略上面図である。図２は、本発明の第１実施形態の発光装置１の構成例を示す概略断面図である。図２には、図１におけるII−II線に沿う断面が示されている。図３は、発光装置１に用いられる絶縁基板３の構成例を示す上面図である。図４は、発光装置１に用いられる金属板２の構成例を示す上面図である。

図２に示すように、本発明の第１実施形態の発光装置１は、金属板２と絶縁基板３とを備える。図２に示すように、金属板２の一方の面である第１面２ａには、絶縁基板３がその一方の面である表面３ａを第１面２ａに対向させて重ね合わされている。また、図１および図２に示すように、金属板２の他方の面である第２面２ｂの中央部にＬＥＤチップ８が配置されている。

図２および図３に示すように、絶縁基板３の表面３ａには、熱伝導端子３ｄが形成されている。そして、熱伝導端子３ｄは、対向する金属板２の第１面２ａに接合されている。また、図２に示すように、絶縁基板３の他方の面である裏面３ｂにおいて、表面３ａに熱伝導端子３ｄが形成されている領域と少なくとも一部が重なり合う領域には、放熱用の端子である放熱端子３ｅが形成されている。そして、図２に示すように、熱伝導端子３ｄと放熱端子３ｅとは、熱伝導部３ｃを介して熱的に接続されている。なお、図２に示すように、放熱端子３ｅには、放熱部５が接合されている。これら熱伝導部３ｃ、熱伝導端子３ｄ、および放熱端子３ｅについては後に詳述する。

図２および図３に示すように、絶縁基板３の表面３ａには、陽極側電力供給端子１１ａと陰極側電力供給端子１１ｂとが形成されている。また、図２に示すように、絶縁基板３の裏面３ｂには、陽極側回路端子１４ａと陰極側回路端子１４ｂとが形成されている。陽極側回路端子１４ａは、絶縁基板３の裏面３ｂにおいて、表面３ａに陽極側電力供給端子１１ａが形成されている領域と少なくとも一部が重なり合う領域に形成されている。陰極側回路端子１４ｂは、絶縁基板３の裏面３ｂにおいて、表面３ａに陰極側電力供給端子１１ｂが形成されている領域と少なくとも一部が重なり合う領域に形成されている。そして、図２に示すように、陽極側電力供給端子１１ａと陽極側回路端子１４ａとはスルーホール３ｆを介して電気的に接続され、陰極側電力供給端子１１ｂと陰極側回路端子１４ｂとはスルーホール３ｇを介して電気的に接続されている。これら陽極側電力供給端子１１ａ、陰極側電力供給端子１１ｂ、陽極側回路端子１４ａ、陰極側回路端子１４ｂ、スルーホール３ｆ、およびスルーホール３ｇについては後に詳述する。

なお、陽極側電力供給端子１１ａと陰極側電力供給端子１１ｂとを総称して、１組の電力供給端子１１ａ，１１ｂともいう。また、陽極側回路端子１４ａと陰極側回路端子１４ｂとを総称して、１組の回路端子１４ａ，１４ｂともいう。スルーホール３ｆとスルーホール３ｇとを総称して、１組のスルーホール３ｆ，３ｇともいう。

前述したように、金属板２の第２面２ｂにおいて、第１面２ａに絶縁基板３の熱伝導端子３ｄが接合される領域の裏側の領域にＬＥＤチップ８が配置されている。図１および図２に示すように、ＬＥＤチップ８の上面には、陽極側の電気接続端子である陽極側接続端子８ａと、陰極側の電気接続端子である陰極側接続端子８ｂとが設けられている。なお、ＬＥＤチップ８の下面は、ダイボンド剤７によって第２面２ｂに接着されて配置されている。

図１および図２に示すように、金属板２において、絶縁基板３の表面３ａに設けられた陽極側電力供給端子１１ａを取り囲む領域には金属板２の縁部に達する切り欠き２ｃが設けられている。また、金属板２において、絶縁基板３の表面３ａに設けられた陰極側電力供給端子１１ｂを取り囲む領域には金属板２の縁部に達する切り欠き２ｄが設けられている。なお、切り欠き２ｃと切り欠き２ｄとを総称して、１組の切り欠き２ｃ，２ｄともいう。図３には、実装状態における切り欠き２ｃ，２ｄに応じた領域が点線で示されている。このような切り欠き２ｃ，２ｄが設けられることにより、陽極側電力供給端子１１ａおよび陰極側電力供給端子１１ｂが金属板２から電気的に絶縁されている。

そして、図１および図２に示すように、絶縁基板３の表面３ａに設けられた陽極側電力供給端子１１ａとＬＥＤチップ８の陽極側接続端子８ａとは、切り欠き２ｃを通る電線１０ａを介して電気的に接続される。つまり、電線１０ａの一端は陽極側電力供給端子１１ａに接続され、他端は陽極側接続端子８ａに接続され、一端と他端との間は切り欠き２ｃを通る。

また、図１および図２に示すように、絶縁基板３の表面３ａに設けられた陰極側電力供給端子１１ｂとＬＥＤチップ８の陰極側接続端子８ｂとは、切り欠き２ｄを通る電線１０ｂを介して電気的に接続される。つまり、電線１０ｂの一端は陰極側電力供給端子１１ｂに接続され、他端は陰極側接続端子８ｂに接続され、一端と他端との間は切り欠き２ｄを通る。

金属板２の第２面２ｂ側には、蛍光部材（封止材）１３が設けられている。図２に示すように、蛍光部材１３は、金属板２の第２面２ｂ側に配置されているＬＥＤチップ８および電線１０ａ，１０ｂを覆う。従って、ＬＥＤチップ８と電線１０ａ，１０ｂとは蛍光部材１３によって保護される。また、蛍光部材１３は、絶縁基板３において、金属板２の切り欠き２ｃに対応する位置に設けられている陽極側電力供給端子１１ａと、切り欠き２ｄに対応する位置に設けられている陰極側電力供給端子１１ｂとを覆う。従って、陽極側電力供給端子１１ａと陰極側電力供給端子１１ｂとは蛍光部材１３によって保護される。

（絶縁基板）
絶縁基板３は、例えば、ガラスエポキシ基板によって成る。熱伝導端子３ｄおよび放熱端子３ｅは、例えば、ガラスエポキシ基板の表面に接合されたアルミニウムや銅等の熱伝導率が高い金属の薄板によって成る。熱伝導部３ｃは、熱伝導端子３ｄと放熱端子３ｅとの間に設けられた貫通孔に、例えば、アルミニウムや銅等の熱伝導率が高い金属が充填されて形成されている。従って、熱伝導端子３ｄと放熱端子３ｅとは金属製の熱伝導部３ｃによって連結され、熱伝導部３ｃが、熱伝導端子３ｄと放熱端子３ｅとを熱的に接続する。

陽極側電力供給端子１１ａおよび陽極側回路端子１４ａは、例えば、ガラスエポキシ基板の表面に接合されたアルミニウムや銅等の導電率が高い金属の薄板によって成る。スルーホール３ｆは、陽極側電力供給端子１１ａと陽極側回路端子１４ａとの間に設けられた貫通孔に、例えば、アルミニウムや銅等の導電率が高い金属が充填されて形成されている。従って、陽極側電力供給端子１１ａと陽極側回路端子１４ａとは金属が充填されたスルーホール３ｆによって連結され、スルーホール３ｆが、陽極側電力供給端子１１ａと陽極側回路端子１４ａとを電気的に接続する。

陰極側電力供給端子１１ｂおよび陰極側回路端子１４ｂは、例えば、ガラスエポキシ基板の表面に接合されたアルミニウムや銅等の導電率が高い金属の薄板によって成る。スルーホール３ｇは、陰極側電力供給端子１１ｂと陰極側回路端子１４ｂとの間に設けられた貫通孔に、例えば、アルミニウムや銅等の導電率が高い金属が充填されて形成されている。従って、陰極側電力供給端子１１ｂと陰極側回路端子１４ｂとは金属が充填されたスルーホール３ｇによって連結され、スルーホール３ｇが、陰極側電力供給端子１１ｂと陰極側回路端子１４ｂとを電気的に接続する。スルーホール３ｆ，３ｇは、貫通孔の内壁に導電率が高い金属がめっき処理されて形成されていてもよい。

なお、図２に示す例では、１組の電力供給端子１１ａ，１１ｂと１組のスルーホール３ｆ，３ｇとがそれぞれ直接に接続されているが、１組の電力供給端子１１ａ，１１ｂと１組のスルーホール３ｆ，３ｇとは、絶縁基板３の表面３ａに形成された配線パターンを介して間接的に接続されていてもよい。

また、図２に示す例では、１組の回路端子１４ａ，１４ｂと１組のスルーホール３ｆ，３ｇとがそれぞれ直接に接続されているが、１組の回路端子１４ａ，１４ｂと１組のスルーホール３ｆ，３ｇとは、絶縁基板３の裏面３ｂに形成された配線パターンを介して間接的に接続されていてもよい。そして、当該配線パターンまたは１組の回路端子１４ａ，１４ｂは、例えば、ＬＥＤチップ８を駆動するための電力を供給するための電源に接続された外部配線に接続される。

（金属板）
図２に基づき前述したように、金属板２は、第１面２ａと第２面２ｂとを有する。また、図１、図２および図４に示すように、金属板２は、切り欠き２ｃ，２ｄを有する板状の直方体である。そして、図２に示すように、金属板２の第２面２ａに、ＬＥＤチップ８がダイボンド剤７によって配置されている。図１には、ＬＥＤチップ８の実装位置が破線で示されている。また、切り欠き２ｃ，２ｄは、金属板２の第１面２ａの外形を構成する４辺のうち、向かい合う２辺の中程に形成されている。図２に基づき前述したように、切り欠き２ｃ，２ｄは、第１面２ａから第２面２ｂに達する切り欠きである。図１および図４に示す例では、切り欠き２ｃ，２ｄは、それぞれ蒲鉾形（円筒の縦断面形状）に切り欠かれて形成されている。

金属板２の第２面２ｂには、高反射処理がなされている。高反射処理とは、照射された光を当該高反射処理がなされていない場合（例えば、第１面２ａ）よりも高い割合で反射するためになされた処理である。具体的には、例えば、金属板２の第２面２ｂに、屈折率が互いに異なる複数の酸化防止膜を積層して形成する処理や、アルミニウムや銀の層を形成する処理や、金属板２の第２面２ｂを研磨する処理等である。従って、第２面２ｂは、高反射加工がなされているので、高反射加工がなされていない第１面２ａよりも高い割合で光を反射する。なお、表面が酸化すると光の反射率が低下するから、一般に、高反射処理は、酸化防止効果を発揮するための処理も含まれる。

図５は、金属板２に用いられる基材の光の反射率の例を示すグラフである。金属板２の基材には、一般に、銅やアルミニウムが用いられる。しかし、銅やアルミニウムの表面は酸化防止効果を発揮するための処理がなされていないと酸化しやすいことが知られている。図５において、高反射処理がなされずに表面が酸化した基材による光の反射率の例が破線で示されている。また、図５において、高反射処理がなされた基材による光の反射率の例が実線で示されている。図５に示すように、高反射処理がなされた基材は、高反射処理がなされていない場合よりも高い割合で光を反射する。

（放熱部）
絶縁基板３の裏面３ｂにおいて、放熱端子３ｅには、ＬＥＤチップ８が発した熱を放散するための放熱部５が接合されている。図２に示す例の放熱部５には、金属板２から離間する方向に放熱用の複数のフィン６が設けられている。しかし、図２に示す放熱部５の形状は一例であって、フィン６の数等は、必要な放熱特性や設置条件等に応じて適切に設計可能であり、放熱部５は、フィンが設けられていない直方体形状のヒートシンクであってもよい。

ここで、前述したように、金属板２において、ダイボンド剤７でＬＥＤチップ８が配置されている位置の裏側に絶縁基板３の熱伝導端子３ｄが接合されている。また、前述したように、絶縁基板３において、熱伝導端子３ｄの裏側に放熱端子３ｅが形成され、熱伝導端子３ｄと放熱端子３ｅとは熱伝導部３ｃで熱的に接続されている。そして、放熱端子３ｅに放熱部５が接合される。よって、ＬＥＤチップ８が発した熱は、熱伝導率が高い金属によって成る熱伝導端子３ｄ、熱伝導部３ｃおよび放熱端子３ｅを介して放熱部５に伝達される。従って、ＬＥＤチップ８が発した熱が効率よく放熱部５に伝達される。そして、放熱部５は、伝達された熱を放散する。よって、ＬＥＤチップ８における当該ＬＥＤチップ８が発した熱による温度上昇を良好に抑制することができる。

金属板２と熱伝導端子３ｄとの間、および放熱端子３ｅと放熱部５との間は、導電性接着剤で接着されていることが好ましい。導電性接着剤は、放熱部５において金属板２の第１面２ａに向かい合う面、および絶縁基板３における放熱端子３ｅのうち少なくとも一方に塗布され、放熱部５を金属板２に固着する。一般に、絶縁性接着剤の熱伝導率は０．２Ｗ／ｍ・Ｋ程度であるのに対して、導電性接着剤の熱伝導率は、１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。本実施形態の導電性接着剤として用いられる導電性接着剤の熱伝導率は、５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１０．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましく、２０．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが特に好ましい。なお、本実施形態の導電性接着剤の熱伝導率は、２５．０Ｗ／ｍ・Ｋであるとする。

そのような熱伝導率を達成するために、導電性接着剤は、銀、アルミニウム、銅および金等の金属を含有している。本実施形態の導電性接着剤は、銀を含有している。そして、導電性接着剤の銀含有率は、８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが特に好ましい。本実施形態の導電性接着剤の銀含有率は、９５％であるとする。本実施形態の発光装置１において、放熱部５と放熱端子３ｅとの接着に導電性接着剤が用いられた場合には、放熱部５と放熱端子３ｅとの接着に絶縁性接着剤が用いられた場合に比べて放熱端子３ｅと放熱部５との間の熱抵抗を小さくすることができる。従って、ＬＥＤチップ８と放熱部５との間の熱抵抗を小さくし、ＬＥＤチップ８が発した熱を効率よく放熱部５に伝達することができる。

なお、ＬＥＤチップ８は金属板２に対して絶縁性のダイボンド剤７によって絶縁されている。また、スルーホール３ｆ，３ｇは金属板２に対して絶縁されている。従って、金属板２と放熱部５との間を絶縁するための構成を設ける必要はない。

（ＬＥＤチップ）
ＬＥＤチップ８は、例えば、最大ピーク波長が３８０ｎｍ以上であって４２０ｎｍ以下である光を発する紫色ＬＥＤチップである。なお、ＬＥＤチップ８は、最大ピーク波長が３５０ｎｍ以上であって５２０ｎｍ以下の光、より好ましくは最大ピーク波長が４２０ｎｍ以上であって４８０ｎｍ以下の光を発する青色ＬＥＤチップであってもよい。

一般的な紫色および青色ＬＥＤチップ８は、例えば、一般式Ａｌ_aＩｎ_bＧａ_1-a-bＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）で表されるＧａＮ系半導体を用いて構成されたｐｎ接合型の発光構造を備える。また、一般的な紫色および青色ＬＥＤチップ８は、サファイア基板上にＭＯＶＰＥ法によりＧａＮ系半導体をエピタキシャル成長させる工程を経て製造される。この工程では、サファイア基板上にバッファ層を介してｎ型導電層が形成され、そのｎ型導電層の上に活性層とｐ型導電層とが順次形成される。電極は、ｐ型導電層の表面と、ｐ型導電層側に露出するｎ型導電層の表面とにそれぞれ形成される。

なお、好ましく使用される基板としては、サファイア、スピネル、炭化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＮＧＯ（ＮｄＧａＯ₃）、ＬＧＯ（ＬｉＧａＯ₂）、ＬＡＯ（ＬａＡｌＯ₃）などからなる単結晶基板が挙げられる。また、ＬＥＤチップは、フェイスアップまたはフェイスダウン（フリップチップ）でパッケージに実装することができる。

（蛍光部材）
蛍光部材１３は、金属板２の第２面２ｂ上に配置され、ＬＥＤチップ８を覆う。そして、蛍光部材１３は、ＬＥＤチップ８が発した光の一部を通過させると共に、残部の波長を変換した蛍光を発する。蛍光部材１３は、少なくとも、波長を変換する蛍光体と、例えば、シリコーン樹脂からなる充填剤とからなる。なお、蛍光体が含まれる蛍光部材１３に代えて、散乱剤またはチキソ材のいずれかが含まれる封入部材が用いられてもよい。蛍光部材１３に蛍光体が含まれる場合には、発光装置１から発する光の相関色温度や、ＬＥＤチップ８が紫色ＬＥＤチップであるのか、または青色ＬＥＤチップであるのか等に応じて、１種類の蛍光体が用いられたり、複数種類の蛍光体が混合されて用いられたりする。具体的には，例えば、ＬＥＤチップ８が紫色ＬＥＤチップである場合には、青色蛍光体と赤色蛍光体と緑色蛍光体と黄色蛍光体とが発光装置１から発する光の相関色温度に応じた割合で混合されて蛍光部材１３に含まれる。また、例えば、ＬＥＤチップ８が青色ＬＥＤチップである場合には、赤色蛍光体と緑色蛍光体と黄色蛍光体とが発光装置１から発する光の相関色温度に応じた割合で混合されて蛍光部材１３に含まれる。

蛍光体部１３に用いられる蛍光体の例について以下に述べる。なお、これら蛍光体は本実施形態において好適な蛍光体を例示するものであるが、適用可能な蛍光体は以下に限定されるものではなく、本発明の要旨から逸脱しない限りにおいて、様々な種類の蛍光体や、それら蛍光体の組み合わせを適用することが可能である。

（赤色蛍光体）
赤色蛍光体が用いられる場合に、下記式［１］で表される化学組成を有する結晶相を含有し、Ｍ⁴とＭｎとの合計モル数に対するＭｎの割合が０．１モル％以上４０モル％以下の蛍光体であってもよい。
Ｍ¹ ₂Ｍ⁴Ｆ₆：Ｒ ・・・［１］
（式［１］中、Ｍ¹は、Ｋ、及びＮａからなる群から選ばれる１種以上の元素を含有し、Ｍ⁴は、Ｓｉを含有する金属元素、Ｒは、少なくともＭｎを含有する付活元素を表す。）

上記式［１］において、Ｍ¹はカリウム（Ｋ）及びナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれる元素を含有する。これらの元素のうち何れか一方を単独で含有していてもよく、二種を任意の比率で併有していてもよい。また、上記のほかにその性能に影響を与えない限りにおいて、Ｌｉ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属元素や、（ＮＨ₄）を一部含有していてもよい。Ｌｉ、Ｒｂ、Ｃｓ、（ＮＨ₄）の含有量としては通常全Ｍ¹量に対して１０モル％以下である。

このうちＭ¹としては、少なくともＫを含有していることが好ましい。通常、全Ｍ¹量に対してＫが９０モル％以上を占め、好ましくは９７モル％以上を占める場合であり、より好ましくは９８モル％以上を占める場合であり、さらに好ましくは９９モル％以上を占める場合であり、Ｋのみを用いることが特に好ましい。

上記式［１］において、Ｍ⁴は、少なくともＳｉを含有する。通常、全Ｍ⁴量に対してＳｉが９０モル％以上を占め、好ましくは９７モル％以上を占める場合であり、より好ましくは９８モル％以上を占める場合であり、さらに好ましくは９９モル％以上を占める場合であり、Ｓｉのみを用いることが特に好ましい。即ち、式［１］で表される化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体は、下記式［２］で表される化学組成を有する結晶相を含有することが特に好ましい。
Ｍ¹ ₂ＳｉＦ₆：Ｒ …［２］
（式［２］中、Ｍ¹は、Ｋ、及びＮａからなる群から選ばれる１種以上の元素を含有し、Ｒは、少なくともＭｎを含有する付活元素を表す。）

なお、上記式［１］において、Ｍ⁴としてＳｉ以外に含まれていてもよい元素としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、及びＭｇよりなる群から選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。

上記式［１］及び［２］において、Ｒは、少なくともＭｎを含有する付活元素であり、ＲとしてＭｎ以外に含まれていてもよい付活元素としては、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、及びＡｇよりなる群から選ばれる１種又は２種以上が挙げられる。

Ｒは、Ｍｎを通常全Ｒ量に対して９０モル％以上含むことが好ましく、より好ましくは９５モル％以上、特に９８モル％以上含むことが好ましく、Ｍｎのみを含むことが特に好ましい。

赤色蛍光体が用いられる場合に、Ｍ⁴とＭｎとの合計モル数に対するＭｎの割合（本発明において、この割合を以下「Ｍｎ濃度」と称す。）が０．１モル％以上４０モル％以下の蛍光体であってもよい。このＭｎ濃度が低すぎると、蛍光体による励起光の吸収効率が低くなるので、輝度が低下する傾向にあり、高すぎると、吸収効率は高くなるものの、濃度消光により内部量子効率及び輝度が低下する傾向にある。より好ましいＭｎ濃度の下限は、０．４モル％以上、さらに好ましくは１モル％以上、特に好ましくは２モル％以上である。また、より好ましいＭｎ濃度の上限は２０モル％以下、さらに好ましくは８モル％以下、特に好ましくは６モル％以下である。

そして、発光ピーク波長が、通常は５７０ｎｍ以上、好ましくは５８０ｎｍ以上、より好ましくは５８５ｎｍ以上であって、通常は７８０ｎｍ以下、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６８０ｎｍ以下の波長範囲の赤色蛍光体が好適である。なかでも、赤色蛍光体として、例えば、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＡｌＳｉ（Ｎ，Ｏ）₃：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）₃ＳｉＯ₅：Ｅｕ、ＳｒＡｌＳｉ₄Ｎ₇：Ｅｕ、（Ｌａ，Ｙ）₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ、Ｋ₂ＳｉＦ₆：Ｍｎが好ましく、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉ（Ｎ，Ｏ）₃：Ｅｕ、ＳｒＡｌＳｉ₄Ｎ₇：Ｅｕ、（Ｌａ，Ｙ）₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ、Ｋ₂ＳｉＦ₆：Ｍｎがより好ましく、上記式［１］，［２］を満たすＫ₂ＳｉＦ₆：Ｍｎが特に好ましい。

（緑色蛍光体）
緑色蛍光体が用いられる場合に、発光ピーク波長が、通常は５００ｎｍ以上、好ましくは５１０ｎｍ以上、より好ましくは５１５ｎｍ以上であって、通常は５５０ｎｍ以下、好ましくは５４２ｎｍ以下、より好ましくは５３５ｎｍ以下の波長範囲にある緑色蛍光体が用いられることが好適である。なかでも、緑色蛍光体として、例えば、ＣａＳｃ₂Ｏ₄：Ｃｅ、Ｃａ₃（Ｓｃ，Ｍｇ）₂Ｓｉ₃Ｏ₁₂：Ｃｅ、（Ｓｉ，Ａｌ）₆（Ｏ，Ｎ）₈：Ｅｕ（β−サイアロン）、（Ｂａ，Ｓｒ）₃Ｓｉ₆Ｏ₁₂Ｎ₂：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ，Ｍｎが好ましい。

（黄色蛍光体）
黄色蛍光体部が用いられる場合に、発光ピーク波長が、通常は５３０ｎｍ以上、好ましくは５４０ｎｍ以上、より好ましくは５５０ｎｍ以上であって、通常は６２０ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲にある黄色蛍光体が用いられることが好適である。なかでも、黄色蛍光体として、例えば、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）₃Ａｌ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）₂ＳｉＯ₄：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓｉ₂Ｎ₂Ｏ₂：Ｅｕ（α−サイアロン）、Ｌａ₃Ｓｉ₆Ｎ₁₁：Ｃｅ（ただし、その一部がＣａやＯで置換されていてもよい）が好ましい

（青色蛍光体）
青色蛍光体が用いられる場合には、発光ピーク波長が、通常は４２０ｎｍ以上、好ましくは４３０ｎｍ以上、より好ましくは４４０ｎｍ以上であって、通常は５００ｎｍ未満、好ましくは４９０ｎｍ以下、より好ましくは４８０ｎｍ以下、更に好ましくは４７０ｎｍ以下、特に好ましくは４６０ｎｍ以下の波長範囲にある青色蛍光体が用いられることが好適である。なかでも、青色蛍光体として、例えば、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）₁₀（ＰＯ₄）₆（Ｃｌ，Ｆ）₂：Ｅｕが好ましい。

（発光装置の効果）
本実施形態によれば、高反射加工された金属板２の第２面２ｂが、ＬＥＤチップ８によって発せられた光を高い割合で反射するので、ＬＥＤチップ８によって発せられた光をより有効に活用し、発光装置１の発光効率を向上させることができる。

また、ＬＥＤチップ８が配置された金属板２が、熱伝導端子３ｄおよび熱伝導部３ｃを介して放熱端子３ｅに熱的に接続されているので、ＬＥＤチップ８が発した熱を効率よく放散することが可能になる。特に、放熱端子３ｅに放熱部５が接合されているので、ＬＥＤチップ８が発した熱をより効率よく放散することが可能になる。従って、ＬＥＤチップ８が発した熱による温度上昇を良好に抑制することができる。この結果、ＬＥＤチップ８の発光効率を向上させ、発光装置１の発光効率をより一層向上させることができる。

熱伝導端子３ｄと金属板２との間の接合や、放熱端子３ｅと放熱部５との間の接合に導電性接着剤が用いられた場合には、ＬＥＤチップ８が発した熱を効率よく放散することが可能になる。従って、ＬＥＤチップ８が発した熱による温度上昇をより良好に抑制することができる。

熱伝導端子３ｄが金属板２におけるＬＥＤチップ８が配置された位置の裏側を覆うように金属板２と絶縁基板３とが接合されているので、ＬＥＤチップ８が発した熱をより効率よく放熱端子３ｅに伝達し、ＬＥＤチップ８が発した熱をより効率よく放散することが可能になる。従って、ＬＥＤチップ８が発した熱による温度上昇を更に良好に抑制することができる。

（第１変形例）
図６は、第１変形例の発光装置１０１の構成を示す概略上面図である。第１実施形態の発光装置１は、図１および図２に示すように、１つのＬＥＤチップ８を有する。それに対して、図６に示す本変形例の発光装置１０１は、２つのＬＥＤチップ８−１，８−２を有する。

具体的には、第１実施形態の発光装置１は、金属板２、絶縁基板（図示せず）、および１つのＬＥＤチップ８と、当該１つのＬＥＤチップ８に対応して、１つの熱伝導端子３ｄ、１組の切り欠き２ｃ，２ｄ、１組の接続端子１４ａ，１４ｂ、１組の電線１０ａ，１０ｂ、１組のスルーホール３ｆ，３ｇ、１組の電力供給端子１１ａ，１１ｂおよび１組の回路端子１４ａ，１４ｂとを有する。

それに対して、図６に示す本変形例の発光装置１０１は、１枚の金属板２および１枚の絶縁基板３に、第１実施形態の発光装置１における金属板２に設けられた構成要素および絶縁基板３に設けられた構成要素が２組並設されて構成されている。

具体的には、図６に示す本変形例の発光装置１０１は、２つのＬＥＤチップ８−１，８−２を有する。そして、１つのＬＥＤチップ８−１に対応して、１つの熱伝導端子３ｄ−１、１つの熱伝導部（図示せず）、１つの放熱端子（図示せず）、１つの放熱部（図示せず）、１組の切り欠き２ｃ−１，２ｄ−１、１組の接続端子８ｃ，８ｄ、１組の電線１０ｃ，１０ｄ、１組のスルーホール３ｆ−１，３ｇ−１、１組の電力供給端子１１ｃ，１１ｄおよび１組の回路端子（図示せず）を有する。

また、１つのＬＥＤチップ８−２に対応して、１つの熱伝導端子３ｄ−２、１つの熱伝導部（図示せず）、１つの放熱端子（図示せず）、１つの放熱部（図示せず）、１組の切り欠き２ｃ−２，２ｄ−２、１組の接続端子８ｅ，８ｆ、１組の電線１０ｅ，１０ｆ、１組のスルーホール３ｆ−２，３ｇ−２、１組の電力供給端子１１ｅ，１１ｆおよび１組の回路端子（図示せず）を有する。

従って、図６に示す本変形例の発光装置１０１には、２つのＬＥＤチップ８−１，８−２に対応して、２つの熱伝導端子３ｄ−１，３ｄ−２、２つの熱伝導部、２つの放熱端子、２つの放熱部、２組の切り欠き２ｃ−１，２ｄ−１，２ｃ−２，２ｄ−２、２組の接続端子８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ、２組の電線１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ、２組のスルーホール３ｆ−１，３ｇ−１，３ｆ−２，３ｇ−２、２組の電力供給端子１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆおよび２組の回路端子が設けられている。

なお、ＬＥＤチップ８−１，８−２は第１実施形態におけるＬＥＤチップ８と同様な構成である。切り欠き２ｃ−１，２ｄ−１の組と、切り欠き２ｃ−２，２ｄ−２の組とは、それぞれ第１実施形態における１組の切り欠き２ｃ，２ｄと同様の構成である。接続端子８ｃ，８ｄの組と、接続端子８ｅ，８ｆの組とは、それぞれ第１実施形態における１組の接続端子８ｃ，８ｄと同様の構成である。電線１０ｃ，１０ｄの組と、電線１０ｅ，１０ｆの組とは、それぞれ第１実施形態における１組の電線１０ａ，１０ｂと同様の構成である。スルーホール３ｆ−１，３ｇ−１の組と、スルーホール３ｆ−２，３ｇ−２の組とは、それぞれ第１実施形態における１組のスルーホール３ｆ，３ｇと同様の構成である。電力供給端子１１ｃ，１１ｄの組と、電力供給端子１１ｅ，１１ｆの組とは、それぞれ第１実施形態における１組の電力供給端子１１ａ，１１ｂと同様の構成である。ＬＥＤチップ８−１に対応する回路端子の組と、ＬＥＤチップ８−２に対応する回路端子の組とは、それぞれ第１実施形態における１組の回路端子１４ａ，１４ｂと同様の構成である。

なお、本変形例の発光装置１０１を構成する蛍光部材１３等のその他の構成は図１から図４に示す発光装置１における構成と同様なため、説明を省略する。よって、本変形例の発光装置１０１の金属板２の第２面２ｂには高反射処理がなされ、第２面２ｂ側には、第１実施形態における蛍光部材１３と同様の構成の蛍光部材１３が設けられている。なお、ＬＥＤチップ８−１，８−２に対応して、第１実施形態の放熱部５と同様の構成の放熱部がそれぞれ設けられていてもよいし、ＬＥＤチップ８−１，８−２に対応した２つの放熱端子に接合された１つの放熱部が設けられていてもよい。

また、ＬＥＤチップ８−１に対応する熱伝導端子３ｄ−１は、金属板２の第１面において、第２面２ｂにＬＥＤチップ８−１が配置されている位置の裏側に接合されている。また、第１実施形態の発光装置１における構成と同様に、絶縁基板において、熱伝導端子３ｄ−１の裏側に放熱端子が形成され、熱伝導端子３ｄ−１と放熱端子とは熱伝導部で熱的に接続されている。そして、放熱端子に放熱部が接合される。従って、ＬＥＤチップ８−１が発した熱は、熱伝導率が高い金属によって成る熱伝導端子３ｄ−１、熱伝導部および放熱端子を介して放熱部に伝達される。そして、放熱部は、伝達された熱を放散する。従って、ＬＥＤチップ８−１における当該ＬＥＤチップ８−１が発した熱による温度上昇を良好に抑制することができる。

ＬＥＤチップ８−２に対応する熱伝導端子３ｄ−２は、金属板２の第１面において、第２面２ｂにＬＥＤチップ８−２が配置されている位置の裏側に接合されている。また、第１実施形態の発光装置１における構成と同様に、絶縁基板において、熱伝導端子３ｄ−２の裏側に放熱端子が形成され、熱伝導端子３ｄ−２と放熱端子とは熱伝導部で熱的に接続されている。そして、放熱端子に放熱部が接合される。従って、ＬＥＤチップ８−２が発した熱は、熱伝導率が高い金属によって成る熱伝導端子３ｄ−２、熱伝導部および放熱端子を介して放熱部に伝達される。そして、放熱部は、伝達された熱を放散する。従って、ＬＥＤチップ８−２における当該ＬＥＤチップ８−２が発した熱による温度上昇を良好に抑制することができる。

この結果、金属板２の第２面２ｂに高反射処理がなされていることと相まって、発光装置１０１の発光効率を向上させることができる。

図６に示すように、ＬＥＤチップ８−１，８−２は、金属板２の第２面２ｂに設置されている。また、２組の切り欠き２ｃ−１，２ｄ−１，２ｃ−２，２ｄ−２は、金属板２の外形を構成する４辺のうち、向かい合う２辺に設けられている。具体的には、向かい合う２辺のうち、１辺に切り欠き２ｃ−１および切り欠き２ｃ−２が設けられ、他の１辺に切り欠き２ｄ−１および切り欠き２ｄ−２が設けられている。

また、図６に示すように、絶縁基板３の表面３ａには、陽極側電力供給端子１１ｃ，１１ｅおよび陰極側電力供給端子１１ｄ，１１ｆが設けられている。陽極側電力供給端子１１ｃは、切り欠き２ｃ−１を通る電線１０ｃを介してＬＥＤチップ８−１の陽極側接続端子８ｃに接続される。陽極側電力供給端子１１ｅは、切り欠き２ｃ−２を通る電線１０ｅを介してＬＥＤチップ８−２の陽極側接続端子８ｅに接続される。陰極側電力供給端子１１ｄは、切り欠き２ｄ−１を通る電線１０ｄを介してＬＥＤチップ８−１の陰極側接続端子８ｄに接続される。陰極側電力供給端子１１ｆは、切り欠き２ｄ−２を通る電線１０ｆを介してＬＥＤチップ８−２の陰極側接続端子８ｆに接続される。

本変形例によれば、複数のＬＥＤチップ８−１，８−２を備えており、かつ、複数のＬＥＤチップ８−１，８−２が独立した回路構成を有しているので、各ＬＥＤチップ８−１，８−２に流れる電流量を調整可能に構成することができる。また、本変形例によれば、複数のＬＥＤチップ８−１，８−２を備えているので、１個のＬＥＤチップを備えた場合に比して、発光装置１０１がより強い光を発することができる。

なお、本変形例の発光装置１０１は２つのＬＥＤチップ８−１，８−２を備えているが、更に多くのＬＥＤチップと、それらのＬＥＤチップに対応する接続端子や切り欠き等をそれぞれ備えていてもよい。

（第２変形例）
図７は、第２変形例の発光装置１０２の構成を示す概略上面図である。図７は、第２変形例の発光装置１０２の構成を示す概略上面図である。第１実施形態の発光装置１は、１枚の金属板２および１枚の絶縁基板３に、１つのＬＥＤチップ８を有する。それに対して、図７に示す第２変形例の発光装置１０２は、１枚の金属板２および１枚の絶縁基板３に、２つのＬＥＤチップ８−１，８−２を有する。

図６に示す第１変形例の発光装置１０１は、１枚の金属板２および１枚の絶縁基板３に２つのＬＥＤチップ８−１，８−２を有し、当該２つのＬＥＤチップ８−１，８−２に対応して、２つの熱伝導端子３ｄ−１，３ｄ−２、２つの熱伝導部、２つの放熱端子、２つの放熱部、２組の切り欠き２ｃ−１，２ｄ−１，２ｃ−２，２ｄ−２、２組の接続端子８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ、２組の電線１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ、２組のスルーホール３ｆ−１，３ｇ−１，３ｆ−２，３ｇ−２、２組の電力供給端子１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆおよび２組の回路端子が設けられている。

それに対して、図７に示す第２変形例の発光装置１０２は、１枚の金属板２および１枚の絶縁基板３が用いられ、１組の電力供給端子１１ａ，１１ｂの間に２つのＬＥＤチップ８−１，８−２が並列接続されている。そして、２つのＬＥＤチップ８−１，８−２に対応して、２つの熱伝導端子３ｄ−１，３ｄ−２、２つの熱伝導部（図示せず）、２つの放熱端子（図示せず）、および２つの放熱部（図示せず）を有する。また、第２変形例の発光装置１０２は、１組の切り欠き２ｃ，２ｄ、２組の接続端子８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆ、２組の電線１０ｇ，１０ｈ，１０ｉ，１０ｊ、１組のスルーホール３ｆ，３ｇ、１組の電力供給端子１１ａ，１１ｂおよび１組の回路端子（図示せず）を有する。なお、第２変形例の発光装置１０２において、第１実施形態の発光装置１と同様な構成要素には、図１から図４と同じ符号を付し、説明を省略する。よって、本変形例の発光装置１０２の金属板２の第２面２ｂには高反射処理がなされ、第２面２ｂ側には、第１実施形態における蛍光部材１３と同様の構成の蛍光部材１３が設けられている。

ＬＥＤチップ８−１に対応する熱伝導端子３ｄ−１は、第１変形例の発光装置１０１における熱伝導端子３ｄ−１と同様に、金属板２の第１面において、ＬＥＤチップ８−１が配置されている位置に応じた位置に接合されている。そして、第１変形例の発光装置１０１における構成と同様に、絶縁基板において、熱伝導端子３ｄ−１の裏側に放熱端子が形成され、熱伝導端子３ｄ−１と放熱端子とは熱伝導部で熱的に接続されている。そして、放熱端子に放熱部が接合される。従って、ＬＥＤチップ８−１が発した熱は、熱伝導率が高い金属によって成る熱伝導端子３ｄ−１、熱伝導部および放熱端子を介して放熱部に伝達される。そして、放熱部は、伝達された熱を放散する。従って、ＬＥＤチップ８−１における当該ＬＥＤチップ８−１が発した熱による温度上昇を良好に抑制することができる。

ＬＥＤチップ８−２に対応する熱伝導端子３ｄ−２は、第１変形例の発光装置１０１における熱伝導端子３ｄ−２と同様に、金属板２の第１面において、ＬＥＤチップ８−２が配置されている位置に応じた位置に接合されている。そして、第１変形例の発光装置１０１における構成と同様に、絶縁基板において、熱伝導端子３ｄ−２の裏側に放熱端子が形成され、熱伝導端子３ｄ−２と放熱端子とは熱伝導部で熱的に接続されている。そして、放熱端子に放熱部が接合される。従って、ＬＥＤチップ８−２が発した熱は、熱伝導率が高い金属によって成る熱伝導端子３ｄ−２、熱伝導部および放熱端子を介して放熱部に伝達される。そして、放熱部は、伝達された熱を放散する。従って、ＬＥＤチップ８−２における当該ＬＥＤチップ８−２が発した熱による温度上昇を良好に抑制することができる。

図７に示すように、第２変形例の発光装置１０２において、ＬＥＤチップ８−１の陽極側接続端子８ｃと陽極側電力供給端子１１ａとは電線１０ｇで電気的に接続されている。ＬＥＤチップ８−２の陽極側接続端子８ｅと陽極側電力供給端子１１ａとは電線１０ｈで電気的に接続されている。ＬＥＤチップ８−１の陰極側接続端子８ｄと陰極側電力供給端子１１ｂとは電線１０ｉで電気的に接続されている。ＬＥＤチップ８−２の陰極側接続端子８ｆと陰極側電力供給端子１１ｂとは電線１０ｊで電気的に接続されている。

第２変形例の発光装置１０２における図示しない１組の回路端子は、第１実施形態における１組の回路端子１４ａ，１４ｂと同様の構成である。そして、１組の回路端子のうち陽極側回路端子は、スルーホール３ｆを介して陽極側電力供給端子１１ａに電気的に接続されている。また、１組の回路端子のうち陰極側回路端子は、スルーホール３ｇを介して陰極側電力供給端子１１ｂに電気的に接続されている。

本変形例によれば、発光装置１０２は、ＬＥＤチップ８−１とＬＥＤチップ８−２との２つのＬＥＤチップを備えるので、１つのＬＥＤチップを備える場合に比べて、発光装置１０２がより強い光を発することが可能になる。

なお、本変形例の発光装置１０２は２つのＬＥＤチップ８−１，８−２を備えているが、更に多くのＬＥＤチップを備えていてもよい。

（製造方法）
以上に述べた各例では、発光装置には、１つまたは複数のＬＥＤチップが、１枚の金属板に配置されている。そして、当該１つまたは複数のＬＥＤチップに電線で直接にまたは間接的に接続される電力供給端子や回路端子が、１枚の絶縁基板に設けられている。ここでこのような発光装置の製造方法の例について説明する。

図８は、本発明の第１実施形態の発光装置１の製造方法を示す説明図である。発光装置１の製造過程において、まず、１枚の金属板２０を第１実施形態の金属板２に対応した複数の領域１００ａ〜１００ｆに画定し、各領域１００ａ〜１００ｆに切り欠き２ｃ，２ｄをそれぞれ設けるとともに、１つのＬＥＤチップ８をそれぞれ配置する。なお、図８に示す例では、画定された領域１００ａ〜１００ｆの境界は点線で示され、ＬＥＤチップ８は破線で示されている。また、金属板２０と同様に、１枚の絶縁基板（図示せず）を第１実施形態の絶縁基板３に対応した複数の領域２００ａ〜２００ｆに画定し、各領域２００ａ〜２００ｆに金属板２０に配置したＬＥＤチップ８に電線で直接にまたは間接的に接続される電力供給端子１１ａ，１１ｂや回路端子（図示せず）をそれぞれ設ける。

そして、金属板２０に画定された領域１００ａ〜１００ｆと絶縁基板に画定された領域２００ａ〜２００ｆとが重なり合うように、金属板２０と絶縁基板とを接合する。従って、金属板２０に画定された領域１００ａ〜１００ｆと絶縁基板に画定された領域２００ａ〜２００ｆとは互いに対応している。そして、金属板２０の各領域１００ａ〜１００ｆに配置されたＬＥＤチップ８と、絶縁基板の各領域２００ａ〜２００ｆに設けられた電力供給端子とを対応する領域毎に電線１０ａ，１０ｂでそれぞれ接続する。そして、金属板２の第２面２ｂ側に蛍光部材１３を設ける。すなわち、画定された各領域に、図１から図４に示すような第１実施形態の発光装置１を形成する。そして、接合された金属板２０と絶縁基板とを各領域に分割して切り出す。

複数の領域にそれぞれ形成された発光装置１は、１つの領域毎に分割されて切り出される場合に限られず、複数の領域による発光装置１の組毎に分割されて切り出されてもよい。例えば、隣り合う２つの領域にそれぞれ設けられた電線１０ａ,１０ｂがそれぞれ平行になるような２つの領域の組み合わせが切り出された場合には、図６に示すような第１変形例の発光装置１０１を得ることができる。

以上に述べた製造方法の例では、第１実施形態の発光装置１が各領域に形成されているが、第１変形例の発光装置１０１に対応する発光装置が各領域に形成されてもよいし、第２変形例の発光装置１０２に対応する発光装置が各領域に形成されてもよい。

［第２実施形態］
図９は、本発明の第２実施形態の照明器具２０１の構成例を示す概略断面図である。図９に示すように、照明器具２０１は、口金部３０と発光システム４０とカバー８０と外装放熱部材（放熱部材）９０とを含む。図１０は、照明器具２０１に搭載される発光システム４０の上面図である。図９には、図１０におけるIX−IX線に沿う発光システム４０の断面、および口金部３０とカバー８０と外装放熱部材９０との側面が示されている。なお、ここでは、第２実施形態による照明器具２０１は電球形であることを例に説明するが、平面形等の他の形状であってもよい。

図１０に示すように、発光システム４０は、第１実施形態の発光装置１を３つ含む。そして、図１０に示すように、発光システム４０において、３つの発光装置１は、長手方向に１列に並んで構成されている。具体的には、中央の発光装置１の陽極側回路端子（図示せず）が左端の発光装置１の陰極側回路端子（図示せず）に近接し、中央の発光装置１の陰極側回路端子（図示せず）が右端の発光装置１の陽極側回路端子（図示せず）に近接するように、１列に並んで構成されている。発光システム４０において、３つ発光装置１は、例えば、１枚の金属板２および１枚の絶縁基板３によって成り、それら発光装置１は、電気的に直列に接続されている。また、絶縁基板３の長手方向の両端部は、ビス７３ａ，７３ｂによって外装放熱部材９０の上面に９０ａに締結されている。なお、金属板２の第２面２ｂは高反射処理がなされ、第２面２ｂ側は、第１実施形態の発光装置１における蛍光部材１３と同様の構成の蛍光部材１３で覆われている。

図１１は、照明器具２０１に用いられる口金部３０と外装放熱部材９０との概略断面図である。図１１は、図１０におけるIX−IX線に沿う発光システム４０の断面とともに、図１０におけるIX−IX線に沿う口金部３０と外装放熱部材９０との断面が示されている。図１２は、照明器具２０１に用いられる外装放熱部材９０の上面図である。

外装放熱部材９０には、上面９０ａから口金３０側の下端部９０ｂに達する貫通孔９１ａ，９１ｂが設けられている。口金部３０と発光システム４０とは、貫通孔９１ａ，９１ｂをそれぞれ通る電線１０ｋ，１０ｍによって電気的に接続されている。具体的には、貫通孔９１ａを通る電線１０ｋの一端が口金部３０の筒状部３０ａの内壁に接続され、電線１０ｋの他端が発光システム４０の接続端１５ａに接続される。また、貫通孔９１ｂを通る電線１０ｍの一端が口金部３０の先端部３０ｂに接続され、電線１０ｍの他端が発光システム４０の接続端１５ｂに接続される。

なお、口金部３０は、外装放熱部材９０に対して電気的に絶縁されている。また、口金部３０の筒状部３０ａと先端部３０ｂとは互いに電気的に絶縁されている。

発光システム４０の絶縁基板３の裏面３ｂには、電気回路を構成するための配線パターン１６が形成されている。配線パターン１６は、例えば、図示しない電子部品とともに、接続端１５ａ，１５ｂに入力されたＬＥＤチップ８を駆動するための交流電流を直流電流に変換する整流回路を構成する。また、配線パターン１６は、例えば、当該整流回路の出力側正極と発光システム４０を構成する左端の発光装置１の陽極側回路端子１４ａとを電気的に接続する。さらに、配線パターン１６は、例えば、当該整流回路の出力側負極と発光システム４０を構成する右端の発光装置１の陰極側回路端子１４ｂとを電気的に接続する。また、配線パターン１６は、例えば、左端の発光装置１の陰極側回路端子１４ｂと中央の発光装置１の陽極側回路端子１４ａとを電気的に接続する。さらに、配線パターン１６は、例えば、中央の発光装置１の陰極側回路端子１４ｂと左端の発光装置１の陽極側回路端子１４ａとを電気的に接続する。そのような構成によれば、各発光装置１を電気的に直列接続することができる。

なお、発光システム４０の絶縁基板３の裏面３ｂに形成されている配線パターン１６は、例えば、各発光装置１の陽極側回路端子１４ａを互いに電気的に接続し、各発光装置１の陰極側回路端子１４ｂを互いに電気的に接続することにより、各発光装置１を並列接続するように構成されていてもよい。

図１１に示すように、外装放熱部材９０の上面９０ａは、発光システム４０を構成する絶縁基板３の端部と、ビス７３ａ，７３ｂによって締結されている。そして、外装放熱部材９０の上面９０ａと、発光システム４０を構成する各放熱部５とは、密着した状態で固定されて、接合される。従って、放熱部５に伝達されたＬＥＤチップ８が発した熱は、外装放熱部材９０に良好に伝達される。

本実施形態の外装放熱部材９０は、略逆円錐台形状の本体９１の周面に、平板状の複数のフィン９２が形成されている。なお、本体９１は、上面９０ａ側で、稜線の垂直面角度が上面９０ａの面積がさらに拡がる方向に変化する略逆円錐台形状である。また、本体９１は、上面９０ａの近傍では本体９１の上面９０ａに沿う面の断面積が上面９０ａの面積と同じ面積になるような外形形状に形成されている。

本実施形態の複数のフィン９２は、例えば、側面が三角形状の平板である。そして、フィン９２は、例えば、１角の頂点が本体９１の周面と下端部９０ｂとが交わる位置Ｐ１に接し、他の１角の頂点が上面９０ａの面積が拡がる方向に稜線の垂直面角度が変化する位置Ｐ２に接し、さらに他の１角の頂点が稜線の垂直面角度が変化して本体９１の上面９０ａに沿う面の断面積が上面９０ａの面積と同じ面積になる位置Ｐ３に接するように形成される。そのような構成によれば、外装放熱部材９０において、本体９１に加えて、複数のフィン９２が外気に接するので、外装放熱部材９０に伝達された熱を良好に放散することができる。

この結果、金属板２の第２面２ｂに高反射処理がなされていることと相まって、各発光装置１の発光効率を向上させて、照明器具２０１の発光効率を向上させることができる。

口金部３０は、例えば、電源に設けられたソケットに螺合される。すると、電線１０ｋ，１０ｍを介して発光システム４０に電力が供給される。つまり、発光システム４０を構成する各発光装置１の各ＬＥＤチップ８に電力が供給される。カバー８０は、例えば、発光システム４０の側方および上方を覆う略半球状に成形された透明な樹脂である。

なお、発光システム４０が備える発光装置１の数は３つに限られず、４つ以上であってもよいし、２つ以下であってもよい。

本実施形態によれば、複数の発光装置１の放熱端子３ｅが放熱部５を介して外装放熱部材９０に接合されるので、ＬＥＤチップ８が発した熱が外装放熱部材９０に伝達され、ＬＥＤチップ８の温度上昇を良好に抑制することができる。

１，１０１，１０２，１０３ 発光装置
２ 金属板
２ｃ，２ｄ，２ｃ−１，２ｄ−１，２ｃ−２，２ｄ−２ 切り欠き
３ 絶縁基板
３ｃ 熱伝導部
３ｄ，３ｄ−１，３ｄ−２ 熱伝導端子
３ｅ 放熱端子
３ｆ，３ｇ，３ｆ−１，３ｇ−１，３ｆ−２，３ｇ−２ スルーホール
５ 放熱部材
６ フィン
７ ダイボンド剤
８ ＬＥＤチップ
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｈ，１０ｉ，１０ｊ，１０ｋ，１０ｍ 電線
１１ａ，１１ｃ，１１ｅ 陽極側電力供給端子
１１ｂ，１１ｄ，１１ｆ 陰極側電力供給端子
１３ 蛍光部材
１４ａ，１４ｃ，１４ｅ 陽極側回路端子
１４ｂ，１４ｄ，１４ｆ 陰極側回路端子
１５ａ，１５ｂ 接続端
１６ 配線パターン
３０ 口金部
４０ 発光システム
７３ａ，７３ｂ ビス
８０ カバー
９０ 外装放熱部材
９１ 本体
９２ フィン
２０１ 照明器具

Claims (11)

1. 表面と当該表面に対向する裏面とを有した絶縁基板と、
   前記表面上に形成された熱伝導端子と、
   第１面と当該第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面が前記熱伝導端子に接するようにして前記絶縁基板に接合された金属板と、
   前記金属板の前記第２面に配置された半導体発光素子と、
   前記絶縁基板の前記裏面に形成された放熱用の端子である放熱端子と、
   前記絶縁基板を貫通し、前記表面側に形成された前記熱伝導端子と前記裏面側に形成された前記放熱端子とを熱的に接続する熱伝導部とを備え、
   前記金属板の前記第２面には、前記第１面に比して高い割合で光を反射するように高反射加工がなされている
   ことを特徴とする発光装置。
2. 前記絶縁基板における前記表面に形成された第１電気接続端子と、
   前記絶縁基板における前記裏面に形成された第２電気接続端子と、
   前記絶縁基板を貫通して、前記第１電気接続端子と前記第２電気接続端子とを電気的に接続する接続部と、
   前記第１電気接続端子と前記半導体発光素子とを電気的に接続する電線とを備え、
   前記金属板と前記第１電気接続端子との間は電気的に絶縁されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記金属板の前記第２面に複数の前記半導体発光素子が配置され、
   前記第１電気接続端子は、前記半導体発光素子ごとにそれぞれ形成されている
   ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記金属板は、前記絶縁基板の前記表面において前記第１電気接続端子が形成されている領域に対応して切り欠きが形成されている
   ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の発光装置。
5. 前記金属板は、前記第１面から前記第２面まで貫かれている貫通孔を有し、
   前記電線は、前記貫通孔を通って前記第１電気接続端子と前記半導体発光素子とを接続する
   ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の発光装置。
6. 前記貫通孔は、前記第１面側の開口部が、前記絶縁基板の前記表面において前記第１電気接続端子を取り囲む領域に設けられている
   ことを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
7. 前記金属板上に、前記第２面の少なくとも一部、および前記半導体発光素子を覆う封止材が設けられている
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記封止材は、少なくとも、蛍光体、散乱剤またはチキソ剤のいずれかを含む
   ことを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
9. 前記放熱端子に接合された放熱部材を備える
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のうちいずれか１項に記載の発光装置。
10. 請求項１乃至請求項８のうちいずれか１項に記載の発光装置を有する照明器具。
11. １枚の前記金属板および１枚の前記絶縁基板を用いて、請求項１乃至請求項８のうちいずれか１項に記載の発光装置を複数並設して形成し、
    前記１枚の前記金属板および前記１枚の前記絶縁基板を前記発光装置が形成されている範囲毎に切り出す
    ことを特徴とする発光装置の製造方法。

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