JP2013168599A5 - - Google Patents
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Description
本発明の一の形態は、半導体発光素子を回路基板上にフリップチップ実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子の発光面が蛍光体シートで覆われており、前記蛍光体シートが、前記半導体発光素子に貼り合わされる前において、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満であるものであって、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートに覆われていない長さｍが５μｍを上回らないものであり、かつ、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートがはみ出す長さｎが５μｍを上回らないものであることを特徴とする半導体発光装置である。
また、本発明の別の形態は、半導体発光素子を回路基板上にワイヤーボンディングにて実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子の電極部分以外の表面が蛍光体シートで覆われており、前記蛍光体シートが、前記半導体発光素子に貼り合わされる前において、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満であるものであって、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートに覆われていない長さｍが５μｍを上回らないものであり、かつ、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートがはみ出す長さｎが５μｍを上回らないものであることを特徴とする半導体発光装置である。
また、本発明は、半導体発光素子の発光面に蛍光体シートを備えた半導体発光装置の製造方法であって、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満である蛍光体シートを回路基板上に形成された複数の半導体発光素子に一括して貼り付ける工程、および前記複数の半導体発光素子の個片化と同時に一括して前記蛍光体シートを切断する工程を含む半導体発光装置の製造方法である。
また、本発明は、半導体発光素子の発光面に蛍光体シートを備えた半導体発光装置の製造方法であって、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満である蛍光体シートを回路基板上に形成された複数の半導体発光素子に一括して貼り付ける工程、および前記複数の半導体発光素子の個片化と同時に一括して前記蛍光体シートを切断する工程を含む半導体発光装置の製造方法である。
Claims (6)
- 半導体発光素子を回路基板上にフリップチップ実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子の発光面が蛍光体シートで覆われており、前記蛍光体シートが、前記半導体発光素子に貼り合わされる前において、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満であるものであって、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートに覆われていない長さｍが５μｍを上回らないものであり、かつ、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートがはみ出す長さｎが５μｍを上回らないものであることを特徴とする半導体発光装置。
- 半導体発光素子を回路基板上にワイヤーボンディングにて実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子の電極部分以外の表面が蛍光体シートで覆われており、前記蛍光体シートが、前記半導体発光素子に貼り合わされる前において、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満であるものであって、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートに覆われていない長さｍが５μｍを上回らないものであり、かつ、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートがはみ出す長さｎが５μｍを上回らないものであることを特徴とする半導体発光装置。
- 前記蛍光体シートと前記半導体発光素子との間に接着層を含まない請求項１または２に記載の半導体発光装置。
- 半導体発光装置が、複数の半導体発光素子に蛍光体シートを一括して貼り付けた後、前記複数の半導体発光素子の個片化と同時に一括して前記蛍光体シートを切断して得られるものである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 半導体発光素子の発光面に蛍光体シートを備えた半導体発光装置の製造方法であって、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満である蛍光体シートを回路基板上に形成された複数の半導体発光素子に一括して貼り付ける工程、および前記複数の半導体発光素子の個片化と同時に一括して前記蛍光体シートを切断する工程を含む半導体発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体シートと前記半導体発光素子との間に接着層を含まない請求項５に記載の半導体発光装置の製造方法。
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