JP2013165396A - 圧電振動片、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 - Google Patents

Abstract

【課題】振動周波数の調整精度を適切に向上させる。
【解決手段】圧電振動片の振動腕部１０，１１の表面上の異なる位置に、単位面積当たりの質量が異なる少なくとも３種類の粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂ及び微調膜２１ｃからなる重り金属膜２１を形成した。圧電振動片をパッケージ内に収容する前に重り金属膜２１のうち粗調膜２１ａにレーザ光を照射して粗調膜２１ａの一部を除去する粗調工程を行ない、圧電振動片をパッケージ内に収容した後に、重り金属膜２１のうち粗微調膜２１ｂにレーザ光を照射して粗微調膜２１ｂの一部を除去する粗微調工程と、微調膜２１ｃにレーザ光を照射して微調膜２１ｃの一部を除去する微調工程とを行なう。
【選択図】図１１

Description

この発明は、圧電振動片、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計に関する。

従来、例えば板状の音叉型水晶振動片の先端部の表面上に周波数調整用の調整用金属膜を設け、裏面上に調整用金属膜の一部に対向するバランス用金属膜を設け、音叉型水晶振動片の裏面側からバランス用金属膜を避けて音叉型水晶振動片の内部を透過させたレーザ光を調整用金属膜に照射する音叉型振動片の製造方法（例えば、特許文献１参照）が知られている。

特開２０１１−１９３４３６号公報

ところで、上記従来技術に係る音叉型振動片の製造方法においては、音叉型振動片を小型化することに伴って、周波数のばらつきが大きくなることから、予め音叉型振動片に設ける調整用金属膜の膜厚を増大させるとともに、周波数調整量つまりレーザ光の照射により除去する量を増大させることによって、ばらつきを調整する必要が生じる。
しかしながら、単に調整用金属膜の膜厚を増大させるだけでは、レーザ光の照射の１パルスあたりの周波数調整量が大きくなることによって、調整用金属膜を過剰に除去してしまい、歩留まりが低下してしまう虞がある。

このような問題が生じることに対して、例えば、調整用金属膜の膜厚を粗調用および微調用の２段に形成し、粗調による周波数調整量に対して予め低めの目標値を設定しておき、粗調の後に実行する微調でのレーザ光の照射回数を増大させることによって、周波数調整の精度を向上させる方法が知られている。
しかしながら、微調による周波数調整は、音叉型振動片をパッケージ内に実装した後に実行することが望ましく、この実装後において微調による周波数調整量が大きくなることによって、パッケージ内でのガスの発生量が増大して、パッケージ内の真空度が低下してしまうという問題が生じる。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、振動周波数の調整精度を適切に向上させることを可能とする圧電振動片、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供することを目的としている。

上記課題を解決して係る目的を達成するために、本発明の請求項１に係る圧電振動片は、一対の振動腕部（例えば、実施の形態での振動腕部１０，１１）と、前記一対の振動腕部の延在方向の基端を接続する基部（例えば、実施の形態での基部１２）と、前記振動腕部の表面上に形成された重り金属膜（例えば、実施の形態での重り金属膜２１）と、を備える圧電振動片（例えば、実施の形態での圧電振動片４）であって、前記重り金属膜は、前記振動腕部の表面上の異なる位置に形成された単位面積当たりの質量が異なる少なくとも３種類の金属膜（例えば、実施の形態での粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂ及び微調膜２１ｃ）である。

さらに、本発明の請求項２に係る圧電振動片では、前記重り金属膜は、前記振動腕部の基端から先端に向かうことに伴い、単位面積当たりの質量が増大傾向に変化する。

さらに、本発明の請求項３に係る圧電振動片は、圧電材料からなる圧電体（例えば、実施の形態での圧電板２４）の表面上に形成された導電性材料からなる電極（例えば、実施の形態での励振電極１５およびマウント電極１６，１７および引き出し電極１９，２０）を備え、前記３種類の金属膜は、前記電極と同一の単位面積当たりの質量を有する微調膜（例えば、実施の形態での微調膜２１ｃ）と、該微調膜よりも単位面積当たりの質量が大きい粗微調膜（例えば、実施の形態での粗微調膜２１ｂ）と、該粗微調膜よりも単位面積当たりの質量が大きい粗調膜（例えば、実施の形態での粗調膜２１ａ）と、である。

また、本発明の請求項４に係る圧電振動子の製造方法は、請求項１に記載の圧電振動片を、気密封止されたパッケージ内に備える圧電振動子の製造方法であって、前記圧電振動片を前記パッケージ内に収容する前に前記３種類の金属膜のうち単位面積当たりの質量が最大の金属膜にレーザ光を照射して該金属膜の一部を除去する粗調工程（例えば、実施の形態での粗調工程（Ｓ１７０））と、前記圧電振動片を前記パッケージ内に収容した後に前記重り金属膜のうち単位面積当たりの質量が最大の金属膜以外の金属膜にレーザ光を照射して該金属膜の一部を除去する工程（例えば、実施の形態での粗微調工程（Ｓ８０Ａ）、微調工程（Ｓ８０Ｂ））と、を含む。

また、本発明の請求項５に係る圧電振動子は、請求項１に記載の圧電振動片を、気密封止されたパッケージ内に備える。

また、本発明の請求項６に係る発振器は、請求項５に記載の圧電振動子を備え、該圧電振動子は発振子として集積回路に電気的に接続されている。

また、本発明の請求項７に係る電子機器は、請求項５に記載の圧電振動子を備え、該圧電振動子は計時部に電気的に接続されている。

また、本発明の請求項８に係る電波時計は、請求項５に記載の圧電振動子を備え、該圧電振動子はフィルタ部に電気的に接続されている。

本発明の圧電振動片によれば、重り金属膜を、振動腕部の表面上の異なる位置に形成された単位面積当たりの質量が異なる少なくとも３種類の金属膜（例えば、同一材料により膜厚や密度が異なる金属膜または異種材料により比重が異なる金属膜など）としたことによって、これらの金属膜にレーザ光を照射して、金属膜の一部を除去することによる振動腕部の重量調整（つまり振動周波数の調整）を詳細に行なうことができ、調整精度を容易に向上させることができる。

しかも、例えば、重り金属膜を、単一の金属膜または膜厚が異なる２種類の微調用および粗調用の金属膜とする場合に比べて、所望の振動特性を的確に得るために必要とされるレーザ光の照射回数を低減することができる。
これにより、例えば、圧電振動片をパッケージ内に実装した後に周波数調整を行なう場合であっても、パッケージ内でのガスの発生量を最低限に抑制して、パッケージ内の真空度が低下してしまうことを防止することができる。

さらに、本発明の圧電振動片によれば、重り金属膜は、振動周波数の調整に対する寄与が大きい振動腕部の先端ほど単位面積当たりの質量が増大することから、レーザ光の照射回数を低減しつつ、振動周波数の調整精度を、より一層、向上させることができる。

さらに、本発明の圧電振動片によれば、３種類の金属膜のうち単位面積当たりの質量が最も小さい金属膜を圧電振動片の圧電体の表面上に形成された電極（例えば、振動腕部を振動させる励振電極など）と同一の材料により形成することによって、重り金属膜を形成する工程を簡略化することができる。

さらに、本発明の圧電振動子の製造方法によれば、単位面積当たりの質量が最大の金属膜に対するレーザ光の照射を圧電振動片の実装前に行ない、圧電振動片の実装後には、単位面積当たりの質量がより小さい金属膜に対してレーザ光を照射することから、パッケージ内でのガスの発生量を最低限に抑制して、パッケージ内の真空度が低下してしまうことを防止することができる。

本発明の圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計によれば、作動信頼性を向上させることができる。

本発明の実施の形態に係る圧電振動子の外観斜視図である。 図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。 図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。 図１に示す圧電振動子を模式的に示す分解斜視図である。 圧電振動片を一方の表面側から見た平面図である。 圧電振動片の側面図である。 圧電振動片を他方の表面側から見た平面図である。 図５のＢ−Ｂ線における断面図である。 圧電振動子の製造方法を示すフローチャートである。 圧電振動子の製造方法を示すフローチャートである。 重り金属膜形成工程を説明する図である。 ウエハ接合体の分解斜視図である。 本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。

以下、本発明の一実施形態に係る圧電振動片、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計について説明する。

本実施形態の圧電振動子１は、例えば図１〜図４に示すように、接合材３５を介して陽極接合されたベース基板２とリッド基板３とからなる箱状のパッケージ５と、パッケージ５の内部に封止されたキャビティＣに収容された圧電振動片４と、を備える表面実装型の圧電振動子１である。

そして、圧電振動片４とベース基板２に設置された外部電極３８，３９とは、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極３２，３３によって電気的に接続されている。
なお、図４において、後述する励振電極１５と、引き出し電極１９，２０と、マウント電極１６，１７と、重り金属膜２１との図示は省略されている。

圧電振動片４は、例えば図５〜図８に示すように、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの圧電材料から形成された音叉型の圧電板２４を備え、所定の電圧の印加によって振動する。
この圧電板２４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、一対の振動腕部１０，１１の基端を一体的に固定する基部１２と、を備えている。

また、一対の振動腕部１０，１１は、一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５を圧電材料からなる圧電体（圧電板２４）の表面上に備え、基部１２は、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４と引き回し電極３６，３７とを電気的に接続する一対のマウント電極１６，１７を圧電材料からなる圧電体（圧電板２４）の表面上に備えている。

また、圧電板２４は、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に、振動腕部１０，１１の長手方向（延在方向）に沿ってそれぞれ形成された溝部１８を備えている。
溝部１８は、例えば、振動腕部１０，１１の基端側からほぼ中央付近に至る間に形成されている。

第１の励振電極１３および第２の励振電極１４からなる励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に互いに電気的に絶縁された状態でパターニングされ、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近または離間する方向に所定の周波数で振動させる。
より詳細には、例えば、第１の励振電極１３は、主に、一方の振動腕部１０の溝部１８上と、他方の振動腕部１１の両側面上とに設けられている。
また、第２の励振電極１４は、主に、一方の振動腕部１０の両側面上と、他方の振動腕部１１の溝部１８上とに設けられている。

第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介してマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。
これにより、圧電振動片４は、マウント電極１６，１７を介して電圧印加される。

なお、上述した励振電極１５と、マウント電極１６，１７と、引き出し電極１９，２０とは、例えば、圧電板２４の外表面上に順次積層された、クロム（Ｃｒ）などからなる下地膜（図示略）と、金（Ａｕ）などからなる仕上膜（図示略）とを備えて構成されている。
なお、下地膜は、例えば、仕上膜と圧電振動片４との密着性を増大させるために設けられている。

また、一対の振動腕部１０，１１は、例えば図５，６に示すように、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整するための周波数調整用に外表面上に被膜された重り金属膜２１を備えている。
重り金属膜２１は、単位面積当たりの質量が異なる少なくとも３種類の金属膜（例えば、同一の金属材料による厚さが異なる金属膜など）として、例えば、周波数を粗く調整するための粗調膜２１ａと、粗調膜２１ａよりも厚さが薄く、より周波数を細かく調整するための粗微調膜２１ｂと、粗微調膜２１ｂよりも厚さが薄く、より周波数を細かく微小調整するための微調膜２１ｃと、を備えている。
この周波数調整は、粗調膜２１ａと粗微調膜２１ｂと微調膜２１ｃとの重量調整によって行なわれ、一対の振動腕部１０，１１の周波数は所定の目標周波数の範囲内に収まるように調整される。

重り金属膜２１は、振動腕部１０，１１の基端から先端に向かうことに伴い、単位面積当たりの質量（例えば、厚さ）が増大傾向に変化するように形成されており、例えば図６に示すように、基端から先端に向かい、順次、微調膜２１ｃと、粗微調膜２１ｂと、粗調膜２１ａと、を備えている。

重り金属膜２１のうち、振動腕部１０，１１の基端側に形成された微調膜２１ｃは、例えば、順次積層されたクロム（Ｃｒ）などからなる下地膜（図示略）及び金（Ａｕ）などからなる仕上膜（図示略）を備えて構成され、励振電極１５およびマウント電極１６，１７および引き出し電極１９，２０と同一の導電性材料により構成されている。
これにより、微調膜２１ｃは、例えば、各電極１５〜２０と同時に形成可能とされている。

粗微調膜２１ｂは、微調膜２１ｃよりも振動腕部１０，１１の先端側に形成され、例えば、微調膜２１ｃと同様に順次積層されたクロム（Ｃｒ）などからなる下地膜（図示略）及び金（Ａｕ）などからなる仕上膜（図示略）を備え、さらに、仕上膜上に積層された金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）などからなる上層膜（図示略）を備えて構成されている。
これにより、粗微調膜２１ｂは、例えば、微調膜２１ｃの形成後に、さらに、上層膜（図示略）を積層することによって形成可能とされている。

粗調膜２１ａは、粗微調膜２１ｂよりも振動腕部１０，１１の先端側に形成され、例えば、微調膜２１ｃと同様に順次積層されたクロム（Ｃｒ）などからなる下地膜（図示略）及び金（Ａｕ）などからなる仕上膜（図示略）を備え、さらに、粗微調膜２１ｂと同様に仕上膜上に積層された金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）などからなる上層膜（図示略）を備えて構成されている。
そして、粗調膜２１ａの上層膜（図示略）の厚さは、粗微調膜２１ｂの上層膜（図示略）の厚さよりも厚く形成されている。
これにより、粗調膜２１ａは、例えば、粗微調膜２１ｂの形成後に、さらに、上層膜（図示略）を積層することによって形成可能とされている。

なお、重り金属膜２１は、振動腕部１０，１１における長手方向の先端部を回避した位置に形成されている。
より詳細には、例えば、振動腕部１０，１１の先端部は、振動腕部１０，１１の短手方向（幅方向）の全域に亘って重り金属膜２１を備えていない回避領域Ｒとなっており、この回避領域Ｒよりも基端側において振動腕部１０，１１の長手方向に沿って並んで配置された粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂ及び微調膜２１ｃを備えている。

圧電振動片４は、例えば図３，図４に示すように、金などのバンプＢによって、ベース基板２の表面（リッド基板３に対向する表面）上に設けられた引き回し電極３６，３７上にバンプ接合されている。
より詳細には、圧電振動片４の第１の励振電極１３は、一方のマウント電極１６及びバンプＢを介して一方の引き回し電極３６上にバンプ接合され、第２の励振電極１４は、他方のマウント電極１７及びバンプＢを介して他方の引き回し電極３７上にバンプ接合されている。
これにより、圧電振動片４はベース基板２の表面（リッド基板３に対向する表面）から浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とはそれぞれ電気的に接続されている。

リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板によって板状に形成されている。そして、ベース基板２に接合される接合面側には、圧電振動片４を収容可能な矩形状の凹部３ａを備えている。
この凹部３ａは、両基板２，３が重ね合わされたときに、ベース基板２の表面（リッド基板３に対向する表面）とによって、圧電振動片４を収容するキャビティＣを形成する。

リッド基板３は、ベース基板２に対向する表面全体に設けられた接合材３５を備えている。
接合材３５は、例えばベース基板２との接合面および凹部３ａの内面全体に亘って設けられている。

なお、本実施形態の接合材３５はＳｉ膜によって形成されているが、これに限定されず、例えば接合材３５はＡｌによって形成されてもよい。
また、接合材３５は、例えばドーピングなどにより低抵抗化されたＳｉバルク材によって形成されてもよい。
そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材３５を介して陽極接合され、キャビティＣを気密封止している。

ベース基板２は、リッド基板３と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板によって、リッド基板３に対して重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。
ベース基板２は、厚さ方向に貫通するとともにキャビティＣ内にて開口する一対のスルーホール３０，３１を備えている。

より詳細には、例えば、本実施形態のスルーホール３０，３１のうち、一方のスルーホール３０は、実装された圧電振動片４の基部１２に臨む位置に形成されている。
また、他方のスルーホール３１は、振動腕部１０，１１の先端部に臨む位置に形成されている。
また、これらのスルーホール３０，３１は、ベース基板２の一方の表面から他方の表面（リッド基板３に対向する表面）に向かって漸次径が縮径した断面テーパ状に形成されている。

なお、本実施形態では、各スルーホール３０，３１は断面テーパ状に形成されているとしたが、これに限定されず、例えばベース基板２を同一径にて厚さ方向に貫通するスルーホールでもあってもよく、要するにベース基板２を貫通していればよい。

一対のスルーホール３０，３１は、各スルーホール３０，３１を埋めるように形成された一対の貫通電極３２，３３を備えている。
貫通電極３２，３３は、焼成によってスルーホール３０，３１に対して一体的に固定された筒体６及び芯材部７によって形成され、スルーホール３０，３１を塞いでキャビティＣ内の気密を維持するとともに、後述する外部電極３８，３９と引き回し電極３６，３７とを導通させる。
より詳細には、例えば、一方の貫通電極３２は、外部電極３８と基部１２との間で引き回し電極３６に臨んで配置され、他方の貫通電極３３は、外部電極３９と振動腕部１１との間で引き回し電極３７に臨んで配置されている。

筒体６は、ペースト状のガラスフリットの焼成によって形成されている。
より詳細には、例えば、筒体６は、平坦な両端およびベース基板２とほぼ同じ厚みを有する円筒状に形成されている。
そして、筒体６は、筒体６を厚さ方向に貫通する中心孔に挿入された芯材部７を固定している。
また、本実施形態ではスルーホール３０，３１の形状に合わせて、筒体６の外形は円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体６は、スルーホール３０，３１内に埋め込まれた状態で焼成されており、これらスルーホール３０，３１に対して強固に固着されている。

芯材部７は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体６と同様に平坦な両端およびベース基板２の厚みとほぼ同じ厚さを有している。
なお、製造後の貫通電極３２，３３において、上述したように芯材部７は円柱状かつ
ベース基板２の厚みとほぼ同じ厚さを有しているが、製造過程においては、芯材部７の長さは、製造過程の当初のベース基板２の厚さよりも所定長さ（例えば、０．０２ｍｍ）だけ短く設定されている。

芯材部７は、筒体６の中心孔６ｃに位置しており、筒体６の焼成によって筒体６に対して強固に固着される。
そして、貫通電極３２，３３は、導電性の芯材部７によって電気導通性が確保されている。

ベース基板２は、リッド基板３が接合される接合面側の表面上に、導電性材料（例えば、アルミニウム）によってパターニングされた一対の引き回し電極３６，３７を備えている。
一対の引き回し電極３６，３７は、一対の貫通電極３２，３３のうち、一方の貫通電極３２と圧電振動片４の一方のマウント電極１６とを電気的に接続するとともに、他方の貫通電極３３と圧電振動片４の他方のマウント電極１７とを電気的に接続する。

より詳細には、例えば、一方の引き回し電極３６は、圧電振動片４の基部１２において一方の貫通電極３２に臨むように設けられている。
また、他方の引き回し電極３７は、一方の引き回し電極３６に隣接した位置から、振動腕部１０，１１に沿って振動腕部１０，１１の先端側に引き回された後、他方の貫通電極３３に臨むように設けられている。

これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１６は、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通される。他方のマウント電極１７は、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通される。

ベース基板２は、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極３８，３９を一方の表面上に備えている。
一方の外部電極３８は、一方の貫通電極３２及び一方の引き回し電極３６を介して圧電振動片４の第１の励振電極１３に電気的に接続されている。
また、他方の外部電極３９は、他方の貫通電極３３、及び他方の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第２の励振電極１４に電気的に接続されている。

この圧電振動子１は、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して所定の駆動電圧が印加されることによって作動し、圧電振動片４の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電流を流すことによって、一対の振動腕部１０，１１を接近および離間させる方向に所定の周波数で振動させる。
この一対の振動腕部１０，１１の振動は、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源などとして用いられる。

（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子１の製造方法について説明する。
以下には、例えば、複数のベース基板２からなるベース基板用ウエハ４０と、複数のリッド基板３からなるリッド基板用ウエハ５０との間に、複数の圧電振動片４を封入してウエハ接合体６０を形成し、各ウエハ接合体６０を切断することにより複数の圧電振動子１を同時に製造する方法について説明する。

例えば図９に示すように、本実施形態における圧電振動子１の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、組立工程（Ｓ４０以下）と、を含んでいる。
なお、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）とは、並行して実行可能である。

（圧電振動片作製工程）
以下に、例えば図９および図１０に示すように、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）を実行して圧電振動片４を作製する圧電振動片４の製造方法について説明する。
この圧電振動片作製工程（Ｓ１０）では、先ず、水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハ（図示略）とする。
次に、ウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、この後、ポリッシュなどの鏡面加工を行なって所定の厚みとする（Ｓ１１０）。

次に、ウエハから複数の圧電板２４の外形形状をパターニングするための外形パターン（図示略）を形成する外形パターン形成工程（Ｓ１２０）を実行する。
なお、外形パターンは、ポリッシングが終了したウエハの両面に一対の振動腕部１０，１１および基部１２の外形形状に倣って金属膜をパターニングすることによって形成される。
この際、ウエハに形成する複数の圧電振動片４の数と同一数だけ一括してパターニングを行なう。

次に、パターニングされた外形パターンをマスクとして、ウエハの両面からそれぞれエッチング加工を行う（Ｓ１３０）。
これにより、外形パターンでマスクされていない領域が選択的に除去され、外形パターンによってパターニングされたウエハは圧電板２４の外形形状に形成される。
次に、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に溝部１８を形成する溝部形成工程（Ｓ１４０）を実行する。
なお、溝部１８は、振動腕部１０，１１にエッチング加工を施すことにより形成される。

次に、後述するように、複数の圧電板２４の外表面上に電極膜をパターニングして、励振電極１３，１４と、マウント電極１６，１７と、引き出し電極１９，２０と、をそれぞれ形成する電極形成工程（Ｓ１５０）を実行する。

次に、一対の振動腕部１０，１１の先端部に周波数調整用の粗調膜２１ａおよび粗微調膜２１ｂおよび微調膜２１ｃからなる重り金属膜２１を形成する重り金属膜形成工程（Ｓ１６０）を実行する。
より詳細には、例えば、粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂ及び微調膜２１ｃの形成領域にクロム（Ｃｒ）などからなる下地膜を形成した後、さらに、金（Ａｕ）などからなる仕上膜を下地膜に積層して形成する。
そして、仕上膜における粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂの形成領域上に金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）などからなる上層膜を形成する。

なお、上層膜を形成する際には、先ず、所定の厚さに到達するまでは、仕上膜における粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂの形成領域上に上層膜を形成し、次に、仕上膜における粗調膜２１ａの形成領域上にのみ、さらに上層膜を形成する。
この際、振動腕部１０，１１における先端部の回避領域Ｒよりも基端側に重り金属膜２１を形成する。

なお、例えば、微調膜２１ｃは、約１５０ｎｍ程度の膜厚を有し、粗微調膜２１ｂは、約０．５μｍ程度の膜厚を有し、粗調膜２１ａは、約２〜４μｍ程度の膜厚を有している。
また、本実施形態では、励振電極１３，１４と、引き出し電極１９，２０と、マウント電極１６，１７の電極部と、重り金属膜２１とを、それぞれ別工程で形成するとしたが、これに限定されず、同一工程で一括して形成してもよい。

次に、ウエハに形成された全ての振動腕部１０，１１に対して、周波数を粗く調整する粗調工程（Ｓ１７０）を実行する。
詳細には、先ず、ウエハに形成された全ての振動腕部１０，１１の周波数をまとめて測定し、測定された周波数と予め定められた目標周波数との差に応じて、トリミング量を算出する。
そして、例えば図１１（Ａ）に示す振動腕部１０，１１の先端から基端に向かい照射位置を移動させつつ重り金属膜２１の粗調膜２１ａ（つまり、重り金属膜２１のうち単位面積当たりの質量が最大の金属膜）にレーザ光を照射して、例えば図１１（Ｂ）に示すように粗調膜２１ａの一部（例えば、図１１（Ｂ）に示す領域α）を蒸発させ、トリミング量に応じて粗調膜２１ａを除去（トリミング）する。
なお、共振周波数をより高精度に調整する粗微調および微調は、例えば実装後に行なう。

次に、ウエハと圧電板２４とを連結している連結部を切断して、複数の圧電板２４をウエハから切り離して個片化する切断工程（Ｓ１８０）を実行する。
これにより、１枚のウエハから、音叉型の圧電振動片４を一度に複数製造する。
以上により、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）は終了する。

（リッド基板用ウエハ作製工程）
次に、図９，図１２に示すように、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）を行う。
詳細には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。

次に、リッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ（図１２における下面）に、エッチングなどにより行列方向にキャビティＣ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程（Ｓ２２）を行う。
そして、後述するベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０との接合面となるリッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ側を少なくとも研磨する研磨工程（Ｓ２３）を行い、裏面５０ａを鏡面加工する。

次に、リッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ全体（ベース基板用ウエハ４０との接合面及び凹部３ａの内面）に接合材３５を形成する接合材形成工程（Ｓ２４）を行う。
このように、接合材３５をリッド基板用ウエハ５０の裏面５０ａ全体に形成することで、接合材３５のパターニングを不要とし、製造コストを低減することができる。
なお、接合材３５の形成は、スパッタやＣＶＤなどの成膜方法によって行う。
また、接合材形成工程（Ｓ２４）の前に接合面を研磨しているので、接合材３５の表面の平面度を確保し、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。
以上により、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）は終了する。

（ベース基板用ウエハ作製工程）
上述した工程と同時または前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）を行う。
先ず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。

次に、例えばプレス加工などにより、ベース基板用ウエハに一対の貫通電極３２，３３を配置するためのスルーホール３０，３１を複数形成するスルーホール形成工程（Ｓ３２）を行う。
詳細には、プレス加工などによりベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂから凹部を形成した後、少なくともベース基板用ウエハ４０の表面４０ａ側から所定厚さまで研磨することで、凹部を貫通させ、スルーホール３０，３１を形成する。

次に、スルーホール３０，３１内に貫通電極３２，３３を形成する貫通電極形成工程（Ｓ３３）を行う。
これにより、芯材部７は、スルーホール３０，３１内において、ベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂに対して面一な状態で保持される。
以上により、貫通電極３２，３３の形成は終了する。

次に、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａに導電性膜からなる引き回し電極３６，３７を形成する引き回し電極形成工程（Ｓ３４）を行う。
以上により、ベース基板用ウエハ製作工程（Ｓ３０）は終了する。

（組立工程）
次に、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）で作成されたベース基板用ウエハ４０の各引き回し電極３６，３７上に、圧電振動片作成工程（Ｓ１０）で作成された圧電振動片４を、それぞれ金などのバンプＢを介してマウントするマウント工程（Ｓ４０）を実行する。

次に、上述した各ウエハ４０，５０の作成工程で作成されたベース基板用ウエハ４０、及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程（Ｓ５０）を行なう。
詳細には、図示しない基準マークなどを指標としながら、両ウエハ４０，５０を所定位置に配置調整する。
これにより、ベース基板用ウエハ４０にマウントされた圧電振動片４は、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収容される。

次に、重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置の内部に導入し、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程（Ｓ６０）を行なう。
詳細には、接合材３５とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加することによって、接合材３５とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応を発生させ、接合材３５とリッド基板用ウエハ５０とを強固に密着して陽極接合させる。
以上により、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０との接合によって圧電振動片４をキャビティＣ内に封止したウエハ接合体６０を得る。

このように、両ウエハ４０，５０同士を陽極接合することによって、例えば接着剤などで両ウエハ４０，５０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃などによるずれが生じたり、ウエハ接合体６０の反りが生じることなどを防止し、両ウエハ４０，５０をより強固に接合することができる。

次に、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８，３９を複数形成する外部電極形成工程（Ｓ７０）を行う。
この工程により、外部電極３８，３９を用いてキャビティＣ内に封止された圧電振動片４を作動させることができる。

次に、パッケージ５内に封止された個々の圧電振動片４の周波数を、上述した粗調工程（Ｓ１７０）よりも細かく調整する粗微調工程（Ｓ８０Ａ）を行う。
詳細には、リッド基板用ウエハ５０を透過させて外部からレーザ光を照射し、例えば図１１（Ｃ）に示すように重り金属膜２１の粗微調膜２１ｂの一部（例えば、図１１（Ｃ）に示す領域β）を蒸発させる。

次に、パッケージ５内に封止された個々の圧電振動片４の周波数を微調整して目標周波数の範囲内に収める微調工程（Ｓ８０Ｂ）を行う。
詳細には、先ず、外部電極３８，３９に電圧を印加して圧電振動片４を振動させる。
そして、周波数を計測しながらリッド基板用ウエハ５０を透過させて外部からレーザ光を照射し、例えば図１１（Ｄ）に示すように重り金属膜２１の微調膜２１ｃの一部（例えば、図１１（Ｄ）に示す領域γ）を蒸発させる。
これにより、一対の振動腕部１０，１１の先端側の重量を変化させ、圧電振動片４の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整する。

次に、ウエハ接合体６０を切断線Ｍに沿って切断して個片化する個片化工程（Ｓ９０）を実行する。

続いて、個片化された圧電振動子１の内部の電気特性検査を行う（Ｓ１００）。
詳細には、例えば圧電振動子１の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）などを検査する。また、絶縁抵抗特性や圧電振動子１を落下させて行う衝撃特性なども併せて検査する。そして、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質などを最終的に検査する。
以上により、圧電振動子１の製造は終了する。

上述したように、本実施の形態による圧電振動片４によれば、重り金属膜２１を、粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂ及び微調膜２１ｃにより構成したことによって、これらの各膜２１ａ，２１ｂ，２１ｃにレーザ光を照射して、各膜２１ａ，２１ｂ，２１ｃの一部を除去することによる振動腕部１０，１１の重量調整（つまり振動周波数の調整）を詳細に行なうことができ、調整精度を容易に向上させることができる。

しかも、例えば、重り金属膜２１を、単一の金属膜または膜厚が異なる２種類の微調用および粗調用の金属膜とする場合に比べて、所望の振動特性を的確に得るために必要とされるレーザ光の照射回数を低減することができる。

これにより、例えば、圧電振動片４をパッケージ５内に実装した後に周波数調整を行なう場合であっても、粗調膜２１ａよりも膜厚が薄く、かつ微調膜２１ｃよりも膜厚が厚い粗微調膜２１ｂにレーザ光を照射する粗微調工程（Ｓ８０Ａ）と、微調膜２１ｃにレーザ光を照射する微調工程（Ｓ８０Ｂ）と、を組み合わせて実行することにより、パッケージ５内でのガスの発生量を抑制して、パッケージ５内の真空度が低下してしまうことを防止することができる。

すなわち、例えばパッケージ５内において粗調膜２１ａにレーザ光を照射する場合に比べて、レーザ光の照射の１パルスあたりの周波数調整量を小さくすることによって、重り金属膜２１を過剰に除去してしまうことを防止し、歩留まりの低下を防ぐことができる。
また、例えばパッケージ５内において微調膜２１ｃのみにレーザ光を照射する場合に比べて、レーザ光の照射回数を低減することによって、パッケージ５内でのガスの発生量を抑制して、パッケージ５内の真空度が低下してしまうことを防止することができる。

さらに、重り金属膜２１は、振動周波数の調整に対する寄与が大きい振動腕部１０，１１の先端ほど単位面積当たりの質量が増大するようにして、粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂ及び微調膜２１ｃを備えていることから、レーザ光の照射回数を低減しつつ、振動周波数の調整精度を、より一層、向上させることができる。

しかも、微調膜２１ｃを圧電振動片４の圧電板２４の表面上に形成された各電極１５〜２０と同一の材料により形成することによって、重り金属膜２１を形成する工程を簡略化することができる。

また、本実施の形態による圧電振動子１の製造方法によれば、単位面積当たりの質量が最大の金属膜（つまり、粗調膜２１ａ）に対するレーザ光の照射を圧電振動片４の実装前に行ない、圧電振動片４の実装後には、単位面積当たりの質量がより小さい複数の異なる金属膜（つまり、粗微調膜２１ｂおよび微調膜２１ｃ）に対してレーザ光を照射することから、パッケージ５内でのガスの発生量を最低限に抑制して、パッケージ５内の真空度が低下してしまうことを防止することができる。

なお、上述した実施の形態においては、重り金属膜２１を、単位面積当たりの質量が異なる少なくとも３種類の金属膜、つまり粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂ及び微調膜２１ｃにより構成するとしたが、これに限定されず、さらに、単位面積当たりの質量が異なる４種類以上の金属膜により構成してもよい。

なお、上述した実施の形態においては、粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂ及び微調膜２１ｃの膜厚を相違させることによって、単位面積当たりの質量を相違させるとしたが、これに限定されず、例えば同一材料による密度を相違させたり、例えば異種材料により比重を相違させることなどによって、粗調膜２１ａ及び粗微調膜２１ｂ及び微調膜２１ｃの単位面積当たりの質量を相違させてもよい。

なお、上述した実施の形態においては、振動腕部１０，１１の基端から先端に向かい、順次、微調膜２１ｃと、粗微調膜２１ｂと、粗調膜２１ａと、を備えるとしたが、これに限定されず、微調膜２１ｃと粗微調膜２１ｂと粗調膜２１ａとは、他の適宜の配列によって配置されてもよい。

また、上述した実施の形態においては、振動腕部１０，１１の一方の外表面上にのみ重り金属膜２１を備えるとしたが、これに限定されず、例えば振動腕部１０，１１の一方および他方の外表面上に重り金属膜２１を備えてもよい。

（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について説明する。
本実施形態の発振器１００は、図１３に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。
この発振器１００は、発振器用の上述した集積回路１０１と、コンデンサなどの電子部品１０２と、集積回路１０１の近傍に配置された圧電振動子１の圧電振動片４とを、基板１０３上に備えている。
これら電子部品１０２と、集積回路１０１と、圧電振動子１とは、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。
なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。

このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片４は振動する。
この振動は、圧電振動片４の圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１による各種処理の実行後に周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１は発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュールなどを要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器などの他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダーなどを提供したりする機能を付加することができる。

上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、上述した圧電振動子１を備えているので、特性及び信頼性に優れた高品質な発振器１００を提供できる。
さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。

（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について説明する。
なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。
本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻などを表示させることができるものである。
また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかも、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。

（携帯情報機器）
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。
この携帯情報機器１１０は、図１４に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。
電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池から構成されている。
そして、各種制御を行う制御部１１２と、時刻などのカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とは、電源部１１１に並列に接続されている。
そして、電源部１１１から各機能部に電力が供給される。

制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示など、システム全体の動作制御を行う。
また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭなどと、を備えている。

計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路などを内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。
圧電振動子１に電圧が印加されると圧電振動片４は振動し、この振動は水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。
そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報などが表示される。

通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データなどの各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。
音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。
増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。
音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォンなどからなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。

また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キーなどを押下することにより、通話先の電話番号などが入力される。

電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２などの各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。
電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。さらに、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。

すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしてもよい。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。

上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、上述した圧電振動子１を備えているので、特性及び信頼性に優れた高品質な携帯情報機器１１０を提供できる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。

（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１５を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図１５に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。

以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。

さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。
ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻などの情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。

なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。

上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、上述した圧電振動子１を備えているので、特性及び信頼性に優れた高品質な電波時計１３０を提供できる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。

なお、本発明の技術範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した実施形態では、パッケージ５の内部に圧電振動片４を封入して圧電振動子１を製造したが、パッケージ５の内部に圧電振動片４以外の電子部品を封入して、圧電振動子１以外のデバイスを製造することも可能である。
また、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片４を用いた圧電振動子１を例に挙げて本発明を説明したが、これに限らず、例えばＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）を用いた圧電振動子などに、本発明を適用してもよい。

１…圧電振動子 ４…圧電振動片 ５…パッケージ １０，１１…振動腕部 １２…基部
２１…重り金属膜 ２１ａ…粗調膜 ２１ｂ…粗微調膜 ２１ｃ…微調膜 １００…発振器 １０１…発振器の集積回路 １１０…携帯情報機器（電子機器） １１３…電子機器の計時部 １３０…電波時計 １３１…電波時計のフィルタ部 Ｃ…キャビティ

Claims (8)

1. 一対の振動腕部と、前記一対の振動腕部の延在方向の基端を接続する基部と、前記振動腕部の表面上に形成された重り金属膜と、を備える圧電振動片であって、前記重り金属膜は、前記振動腕部の表面上の異なる位置に形成された単位面積当たりの質量が異なる少なくとも３種類の金属膜であることを特徴とする圧電振動片。
2. 前記重り金属膜は、前記振動腕部の基端から先端に向かうことに伴い、単位面積当たりの質量が増大傾向に変化することを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片。
3. 圧電材料からなる圧電体の表面上に形成された導電性材料からなる電極を備え、
   前記３種類の金属膜は、前記電極と同一の単位面積当たりの質量を有する微調膜と、該微調膜よりも単位面積当たりの質量が大きい粗微調膜と、該粗微調膜よりも単位面積当たりの質量が大きい粗調膜と、であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の圧電振動片。
4. 請求項１に記載の圧電振動片を、気密封止されたパッケージ内に備える圧電振動子の製造方法であって、前記圧電振動片を前記パッケージ内に収容する前に前記３種類の金属膜のうち単位面積当たりの質量が最大の金属膜にレーザ光を照射して該金属膜の一部を除去する粗調工程と、前記圧電振動片を前記パッケージ内に収容した後に前記重り金属膜のうち単位面積当たりの質量が最大の金属膜以外の金属膜にレーザ光を照射して該金属膜の一部を除去する工程と、を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
5. 請求項１に記載の圧電振動片を、気密封止されたパッケージ内に備えることを特徴とする圧電振動子。
6. 請求項５に記載の圧電振動子を備え、該圧電振動子は発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
7. 請求項５に記載の圧電振動子を備え、該圧電振動子は計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
8. 請求項５に記載の圧電振動子を備え、該圧電振動子はフィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。

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