JP2013162125A - 3dレジストプロファイルのシミュレーション用のリソグラフィモデル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本明細書には、入射放射から生じ、基板上のレジスト層内に形成される放射の三次元空間強度分布をシミュレートする方法であって、レジスト層内の前方伝搬放射とレジスト層内の後方伝搬放射とのインコヒーレントな総和を計算するステップと、レジスト層内の前方伝搬放射とレジスト層内の後方伝搬放射の干渉を計算するステップと、インコヒーレントな総和及び干渉から放射の三次元空間強度分布を計算するステップと、を含む方法が記載される。
【選択図】図5
Description
[0064] −放射投影ビームBを供給する放射システムEx、IL。この例では、放射システムは放射源SOをさらに含む。
[0065] −マスクMA(例えば、レチクル)を保持するマスクホルダを備え、投影システムPSに対してマスクを正確に位置決めする第1の位置決め手段PMに接続された第1のオブジェクトテーブル(マスクテーブル)MT。
[0066] −基板W(例えば、レジストコートシリコンウェーハ)を保持する基板ホルダを備え、投影システムPSに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決め手段PWに接続された第2のオブジェクトテーブル(基板テーブル)WT。
[0067] −基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上にマスクMAの照射部分を結像する投影システム(「レンズ」)PS(例えば、屈折、反射光学、又は反射屈折光学システム)。
1.入射放射から生じ、基板上のレジスト層内に形成される放射の三次元空間強度分布をシミュレートする方法であって、
前記レジスト層内の前方伝搬放射と前記レジスト層内の後方伝搬放射とのインコヒーレントな総和を計算するステップと、
前記レジスト層内の前記前方伝搬放射と前記レジスト層内の前記後方伝搬放射の干渉を計算するステップと、
前記インコヒーレントな総和及び前記干渉から放射の前記三次元空間強度分布を計算するステップと、
を含む方法。
2.前記インコヒーレントな総和に定在波が含まれない、条項1に記載の方法。
3.前記インコヒーレントな総和と干渉係数とを乗算して前記干渉を計算するステップをさらに含み、前記干渉係数は、前記レジスト層内の深さの関数である、条項1に記載の方法。
4.前記干渉係数は、前記前方伝搬放射と前記後方伝搬放射の伝搬の方向に依存しない、条項3に記載の方法。
5.前記前方伝搬放射及び前記後方伝搬放射は、実質的に定在波を形成する、条項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
6.前記インコヒーレントな総和を前記レジスト層内への深さのテイラー級数に展開することにより前記インコヒーレントな総和を近似するステップをさらに含む、条項1〜5のいずれか1項に記載
7.前記インコヒーレントな総和は、前記レジスト層内への深さのテイラー級数の二次項に展開される、条項6に記載の方法。
8.前記インコヒーレントな総和の計算は、相互透過係数(TCC)を計算するステップを含む、条項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
9.前記インコヒーレントな総和の計算は、前記レジスト層内への少なくとも3つの異なる深さで3つの相互透過係数を計算するステップを含む、条項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
10.放射の前記三次元空間強度分布から前記レジスト層内に形成される三次元レジスト像を計算するステップをさらに含む、条項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
11.三次元レジスト像の計算ステップは、放射の前記三次元空間強度分布にぼかし及び閾値を適用するステップを含む、条項10に記載の方法。
12.三次元レジスト像の計算ステップは、レジストモデルの使用を含む、条項10に記載の方法。
13.前記レジストモデルは、放射の前記三次元空間強度分布から前記レジスト層内の酸の三次元空間濃度を計算するステップを含む、条項12に記載の方法。
14.三次元レジスト像の計算ステップは、化学種の三次元濃度を計算するステップを含む、条項10に記載の方法。
15.前記化学種の前記三次元濃度分布の計算ステップは、前記レジスト層内の1つ以上の面での前記化学種の二次元濃度分布から前記化学種の拡散を計算するステップを含む、条項14に記載の方法。
16.前記化学種の前記三次元濃度分布の計算ステップが、前記レジスト層の上部及び底部を経た前記化学種の損失がない境界条件下で前記化学種の拡散を計算するステップを含む、条項14に記載の方法。
17.前記化学種の前記三次元濃度分布の計算ステップが、前記レジスト層の1つ以上の面での前記化学種の二次元濃度分布の初期条件下での前記化学種の拡散を計算するステップを含む、条項14に記載の方法。
18.前記化学種の前記三次元濃度分布の計算ステップが、前記化学種の前記三次元濃度分布のフーリエ変換を計算するステップを含む、条項14に記載の方法。
19.前記化学種の前記三次元濃度分布の計算ステップが、畳み込みを計算するステップを含む、条項14に記載の方法。
20.前記基板が前記レジスト層内に、又はその下にフィーチャを有する、条項1〜19のいずれか1項に記載の方法。
21.前記入射放射の波長が極端紫外線帯域内にある、条項1〜20のいずれか1項に記載の方法。
22.前記基板に反射防止コーティングを施さない、条項1〜21のいずれか1項に記載の方法。
23.前記TCCが投影光学系の関数から計算される、条項8に記載の方法。
24.前記投影光学系の関数が、前記レジスト層による前記入射放射の歪みの関数である、条項23に記載の方法。
25.前記干渉係数が、前記リソグラフィ投影装置内のマスクに依存しない、条項3に記載の方法。
26.命令が記録されたコンピュータ可読媒体を備えるコンピュータプログラムプロダクトであって、前記命令は、コンピュータによって実行されると条項1〜25のいずれか一項の方法を実施するコンピュータプログラムプロダクト。
Claims (15)
- 入射放射から生じ、基板上のレジスト層内に形成される放射の三次元空間強度分布をシミュレートする方法であって、
前記レジスト層内の前方伝搬放射と前記レジスト層内の後方伝搬放射とのインコヒーレントな総和を計算するステップと、
前記レジスト層内の前記前方伝搬放射と前記レジスト層内の前記後方伝搬放射の干渉を計算するステップと、
前記インコヒーレントな総和及び前記干渉から放射の前記三次元空間強度分布を計算するステップと、
を含む、方法。 - 前記インコヒーレントな総和に定在波が含まれない、請求項1に記載の方法。
- 前記インコヒーレントな総和と干渉係数とを乗算して前記干渉を計算するステップをさらに含み、
前記干渉係数は、前記レジスト層内の深さの関数である、請求項1に記載の方法。 - 前記干渉係数は、前記前方伝搬放射と前記後方伝搬放射の伝搬の方向に依存しない、請求項3に記載の方法。
- 前記前方伝搬放射及び前記後方伝搬放射は、実質的に定在波を形成する、請求項1に記載の方法。
- 前記インコヒーレントな総和を前記レジスト層内への深さのテイラー級数に展開することにより前記インコヒーレントな総和を近似するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記インコヒーレントな総和の計算ステップは、
相互透過係数(TCC)を計算するステップ、及び/又は、
前記レジスト層内への少なくとも3つの異なる深さで3つの相互透過係数を計算するステップ、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 放射の前記三次元空間強度分布から前記レジスト層内に形成される三次元レジスト像を計算するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 三次元レジスト像の計算ステップは、
放射の前記三次元空間強度分布にぼかし及び閾値を適用するステップ、及び/又は、
レジストモデルの使用
を含む、請求項8に記載の方法。 - 前記レジストモデルは、放射の前記三次元空間強度分布から前記レジスト層内の酸の三次元空間濃度を計算するステップを含む、請求項9に記載の方法。
- 三次元レジスト像の計算ステップは、化学種の三次元濃度を計算するステップを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記化学種の前記三次元濃度分布の計算ステップは、前記レジスト層内の1つ以上の面での前記化学種の二次元濃度分布から前記化学種の拡散を計算するステップを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記基板は、前記レジスト層内又はその下にフィーチャを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記基板に反射防止コーティングを施さない、請求項1に記載の方法。
- 命令が記録されたコンピュータ可読媒体を備えるコンピュータプログラムであって、
前記命令は、コンピュータによって実行されると請求項1から14のいずれか一項の方法を実施する、コンピュータプログラム。
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