JP2013157464A - ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013157464A JP2013157464A JP2012016896A JP2012016896A JP2013157464A JP 2013157464 A JP2013157464 A JP 2013157464A JP 2012016896 A JP2012016896 A JP 2012016896A JP 2012016896 A JP2012016896 A JP 2012016896A JP 2013157464 A JP2013157464 A JP 2013157464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- metal layer
- power module
- substrate
- brazing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
【解決手段】ヒートシンクとパワーモジュール用基板とを接合してヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造する方法であって、パワーモジュール用基板の金属層13において、側面13cにフラックスと反応する反応性粉末Pを塗布しておき、金属層の基板接合面13bとセラミックス基板11との間をろう材を用いてろう付けしてパワーモジュール用基板を形成する一次ろう付工程と、金属層のヒートシンク接合面13aとヒートシンクとをフラックスを用いたろう付により接合する二次ろう付工程とを有し、一次ろう付工程において、金属層の基板接合面とセラミックス基板との間から漏れ出たろう材に反応性粉末を保持させる。
【選択図】図4
Description
予め、表1に示す反応性粉末をイソプロピルアルコールに分散させて分散溶液を作成し、この分散溶液を金属層の側面全面に塗布した。塗布は刷毛を用いて行った。
その後、上記パワーモジュール用基板の金属層をノコロックフラックス(森田化学製FL−7)とAl−Siろう材を用いて窒素雰囲気中でノコロックろう付法により50mm×50mm、厚さ5mmの放熱板に接合し、実施例1〜6とした。これに対して、比較例1では、一次ろう付工程後、表1に示す反応性粉末をイソプロピルアルコールに分散させた分散溶液を側面全面に塗布し、その後、二次ろう付を行った。また、従来例1では、回路層および放熱層の側面にフラックス反応部を設けずに上記パワーモジュール用基板を放熱板に接合した。比較例および従来例の一次ろう付および二次ろう付条件は、実施例1〜6と同一とした。
接合率=(初期接合面積−剥離面積)/初期接合面積
一方、一次ろう付後に反応性粉末を塗布した比較例では、冷熱サイクル試験後の接合率は90%を下回る結果となった。
また、反応性粉末をまったく塗布しなかった従来例でも、初期接合率および冷熱サイクル試験後の接合率はともに実施例1−6より低い結果となった。
11 セラミックス基板
12 金属層
13 金属層
13a ヒートシンク接合面
13b 基板接合面
13c 側面
14 溝
20 電子部品
21 はんだ接合層
22 ボンディングワイヤ
23 クッション層
30 ヒートシンク
30a 流路
100 パワーモジュール
g 隙間
P 反応性粉末
Claims (2)
- ヒートシンクと、このヒートシンクに接合される金属層がセラミックス基板の表面に接合されてなるパワーモジュール用基板とを接合してヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造する方法であって、
前記ヒートシンクに接合される前記金属層の側面にフラックスと反応するTiO2,SiO2,MgOのいずれか一種または二種以上を含む反応性粉末を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程後に、前記金属層の基板接合面と前記セラミックス基板との間をろう材を用いてろう付けして前記パワーモジュール用基板を形成する一次ろう付工程と、
前記一次ろう付工程後に、前記金属層のヒートシンク接合面と前記ヒートシンクとを前記フラックスを用いたろう付により接合する二次ろう付工程とを有することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記塗布工程において、前記ヒートシンク接合面に複数の溝が形成された金属層を用いて、少なくとも前記溝の開口部が設けられた前記側面に前記反応性粉末を塗布することを特徴とする請求項1に記載のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012016896A JP5853727B2 (ja) | 2012-01-30 | 2012-01-30 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012016896A JP5853727B2 (ja) | 2012-01-30 | 2012-01-30 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013157464A true JP2013157464A (ja) | 2013-08-15 |
JP5853727B2 JP5853727B2 (ja) | 2016-02-09 |
Family
ID=49052368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012016896A Active JP5853727B2 (ja) | 2012-01-30 | 2012-01-30 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5853727B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157524A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板 |
CN103988297A (zh) * | 2011-12-12 | 2014-08-13 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板、功率模块、助焊剂成分侵入防止层形成用浆料及接合体的接合方法 |
JP2017065591A (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | 川崎重工業株式会社 | 鉄道車両の台枠構造 |
EP3367433A1 (de) * | 2017-02-28 | 2018-08-29 | Robert Bosch GmbH | Kontaktanordnung |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0718451U (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-31 | 株式会社明電舎 | 半導体装置 |
JP2003017627A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール |
JP2009105166A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュールの冷却装置 |
JP2010098059A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、緩衝層付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2011240374A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Showa Denko Kk | 絶縁積層材のろう付方法 |
-
2012
- 2012-01-30 JP JP2012016896A patent/JP5853727B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0718451U (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-31 | 株式会社明電舎 | 半導体装置 |
JP2003017627A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール |
JP2009105166A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュールの冷却装置 |
JP2010098059A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、緩衝層付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2011240374A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Showa Denko Kk | 絶縁積層材のろう付方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103988297A (zh) * | 2011-12-12 | 2014-08-13 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板、功率模块、助焊剂成分侵入防止层形成用浆料及接合体的接合方法 |
JP2013157524A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板 |
JP2017065591A (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | 川崎重工業株式会社 | 鉄道車両の台枠構造 |
EP3367433A1 (de) * | 2017-02-28 | 2018-08-29 | Robert Bosch GmbH | Kontaktanordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5853727B2 (ja) | 2016-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109417056B (zh) | 铜-陶瓷接合体及绝缘电路基板 | |
JP5614485B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
EP3208839B1 (en) | Substrate with cooler for power modules and method for producing same | |
KR102272865B1 (ko) | 접합체, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 히트 싱크, 접합체의 제조 방법, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 및 히트 싱크의 제조 방법 | |
JP5548722B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5991102B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
US20200365475A1 (en) | Bonded body of copper and ceramic, insulating circuit substrate, bonded body of copper and ceramic production method, and insulating circuit substrate production method | |
KR102336484B1 (ko) | 접합체, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 히트 싱크, 접합체의 제조 방법, 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 및 히트 싱크의 제조 방법 | |
KR20120098637A (ko) | 파워 모듈용 기판, 히트싱크가 부착된 파워 모듈용 기판, 파워 모듈, 파워 모듈용 기판의 제조 방법 및 히트싱크가 부착된 파워 모듈용 기판의 제조 방법 | |
JP5614423B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP2017183716A (ja) | ヒートシンク付絶縁回路基板の製造方法、及び、ヒートシンク付絶縁回路基板 | |
JP5853727B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
CN107431051B (zh) | 带有散热片的功率模块用基板的制造方法 | |
JP7243793B2 (ja) | セラミックス/アルミニウム接合体、絶縁回路基板、ledモジュール、セラミックス部材 | |
JP5853724B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5423591B2 (ja) | パワーモジュール用基板およびその製造方法 | |
JP6750422B2 (ja) | 絶縁回路基板の製造方法、及び、絶縁回路基板、パワーモジュール、ledモジュール、熱電モジュール | |
JP6028352B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2017063127A (ja) | 発光モジュール用基板、発光モジュール、冷却器付き発光モジュール用基板、および発光モジュール用基板の製造方法 | |
JP5874416B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板 | |
TW201843783A (zh) | 接合體之製造方法、絕緣電路基板之製造方法及附有散熱片絕緣電路基板之製造方法 | |
JP5915051B2 (ja) | パワーモジュール用基板およびヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6561883B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JP5948990B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5966790B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151027 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151123 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5853727 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |