JP2013156653A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】エレクトロルミネッセンス素子が発光する際のエレクトロルミネッセンス素子に
流れる電流を減少させることなく、エレクトロルミネッセンス素子の劣化によるエレクト
ロルミネッセンス素子の輝度の低下を制御する技術を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子の発光時に前記エレクトロルミネッセンス素
子の電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積して保持し、該電荷から該電位差を
検出し、検出された電位差に基づいて、前記エレクトロルミネッセンス素子の基準電位を
変化させて、前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度を補正する。
【選択図】図４
流れる電流を減少させることなく、エレクトロルミネッセンス素子の劣化によるエレクト
ロルミネッセンス素子の輝度の低下を制御する技術を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子の発光時に前記エレクトロルミネッセンス素
子の電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積して保持し、該電荷から該電位差を
検出し、検出された電位差に基づいて、前記エレクトロルミネッセンス素子の基準電位を
変化させて、前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度を補正する。
【選択図】図４
Description
本発明は輝度劣化を補償する発光装置に関する。
近年、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）を用いた視野角、動画特性に優れた
発光装置が開発されている。ＥＬ素子はそれ自身が光を放出する自発光素子であるが、輝
度が経時劣化しやすいという問題がある。ＥＬ素子は劣化すると、一般にその抵抗が上昇
する。このためＥＬ素子に一定の電圧を印加する条件下においては、ＥＬ素子の劣化にし
たがってＥＬ素子に流れる電流が低下し、発光輝度が低下する。
発光装置が開発されている。ＥＬ素子はそれ自身が光を放出する自発光素子であるが、輝
度が経時劣化しやすいという問題がある。ＥＬ素子は劣化すると、一般にその抵抗が上昇
する。このためＥＬ素子に一定の電圧を印加する条件下においては、ＥＬ素子の劣化にし
たがってＥＬ素子に流れる電流が低下し、発光輝度が低下する。
図１は駆動トランジスタ（駆動Ｔｒ）１０１と、駆動Ｔｒ１０１に電気的に接続された
ＥＬ素子１０２を示している。駆動Ｔｒ１０１のゲートは信号端子１０３と電気的に接続
し、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子１０４と電気的に接続し、ソース及びド
レインの他方はＥＬ素子１０２の一方の電極（アノード及びカソードの一方）と電気的に
接続し、ＥＬ素子１０２の他方の電極（アノード及びカソードの他方）は第２の電源端子
１０５と電気的に接続している。第１の電源端子１０４には電源の高電位側の電位（或い
は低電位側）が印加され、第２の電源端子１０５には電源の低電位側の電位（或いは高電
位側）が印加される。駆動Ｔｒ１０１はＥＬ素子１０２に流れる電流を調節し、ＥＬ素子
１０２の発光輝度を決定する。以下、駆動Ｔｒ１０１はＰ型Ｔｒであるとして説明するが
、本発明はＰ型Ｔｒに限定されない。駆動Ｔｒ１０１はＮ型Ｔｒでもよい。
ＥＬ素子１０２を示している。駆動Ｔｒ１０１のゲートは信号端子１０３と電気的に接続
し、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子１０４と電気的に接続し、ソース及びド
レインの他方はＥＬ素子１０２の一方の電極（アノード及びカソードの一方）と電気的に
接続し、ＥＬ素子１０２の他方の電極（アノード及びカソードの他方）は第２の電源端子
１０５と電気的に接続している。第１の電源端子１０４には電源の高電位側の電位（或い
は低電位側）が印加され、第２の電源端子１０５には電源の低電位側の電位（或いは高電
位側）が印加される。駆動Ｔｒ１０１はＥＬ素子１０２に流れる電流を調節し、ＥＬ素子
１０２の発光輝度を決定する。以下、駆動Ｔｒ１０１はＰ型Ｔｒであるとして説明するが
、本発明はＰ型Ｔｒに限定されない。駆動Ｔｒ１０１はＮ型Ｔｒでもよい。
図２（Ａ）の曲線２０１はＰ型Ｔｒのソース−ドレイン間電流（Ｉｄｓ）とソース−ド
レイン間電圧（Ｖｄｓ）特性を示している。曲線２０１は飽和領域２０２及び線形領域２
０３を有している。Ｖｄｓと、ゲート−ソース間電圧（Ｖｇｓ）からトランジスタの閾値
電圧（Ｖｔｈ）を引いた値が等しいとき、すなわちＶｄｓ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈを満たすＶｄ
ｓ（これを飽和ドレイン電圧という）が線形領域２０３と飽和領域２０２との境界を与え
る。図２（Ａ）の破線２００はＶｇｓを変化させたとき、曲線２０１上の線形領域と飽和
領域との境界を与える点が通る曲線を表す。言い換えれば、破線２００とＩｄｓ−Ｖｄｓ
特性を表す曲線との交点が線形領域と飽和領域との境界点となる。
レイン間電圧（Ｖｄｓ）特性を示している。曲線２０１は飽和領域２０２及び線形領域２
０３を有している。Ｖｄｓと、ゲート−ソース間電圧（Ｖｇｓ）からトランジスタの閾値
電圧（Ｖｔｈ）を引いた値が等しいとき、すなわちＶｄｓ＝Ｖｇｓ−Ｖｔｈを満たすＶｄ
ｓ（これを飽和ドレイン電圧という）が線形領域２０３と飽和領域２０２との境界を与え
る。図２（Ａ）の破線２００はＶｇｓを変化させたとき、曲線２０１上の線形領域と飽和
領域との境界を与える点が通る曲線を表す。言い換えれば、破線２００とＩｄｓ−Ｖｄｓ
特性を表す曲線との交点が線形領域と飽和領域との境界点となる。
ＥＬ素子１０２をアナログ階調で駆動する場合は、駆動Ｔｒ１０１は飽和領域２０２で
動作させることが多い。これは線形領域ではドレイン電流のゲート電圧依存性が小さいた
めドレイン電流を大きく変化させることが難しく、多階調表示でＥＬ素子を駆動させるこ
とが容易ではないためである。更に、線形領域２０３におけるＩｄｓのＶｄｓ依存性が飽
和領域２０２におけるＩｄｓのＶｄｓ依存性と比べて大きいことに起因している。以下、
これについて説明する。
動作させることが多い。これは線形領域ではドレイン電流のゲート電圧依存性が小さいた
めドレイン電流を大きく変化させることが難しく、多階調表示でＥＬ素子を駆動させるこ
とが容易ではないためである。更に、線形領域２０３におけるＩｄｓのＶｄｓ依存性が飽
和領域２０２におけるＩｄｓのＶｄｓ依存性と比べて大きいことに起因している。以下、
これについて説明する。
図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＴｒ特性にＥＬ素子１０２の電流電圧曲線（Ｉ−Ｖ曲線）２
０４を加えている。ＶｃｏｍはＥＬ素子１０２の基準電位を示している。曲線２０４と曲
線２０１の交点２０６がＥＬ素子１０２の動作点となる。別言するとＥＬ素子には交点２
０６に対応する電流Ｉｄｓが流れる。
０４を加えている。ＶｃｏｍはＥＬ素子１０２の基準電位を示している。曲線２０４と曲
線２０１の交点２０６がＥＬ素子１０２の動作点となる。別言するとＥＬ素子には交点２
０６に対応する電流Ｉｄｓが流れる。
ＥＬ素子１０２の劣化は、ＥＬ素子１０２の抵抗を大きくする。そしてＥＬ素子１０２
の電流電圧特性（Ｉ−Ｖ曲線）は曲線２０４から曲線２０５に変わる。これによりＥＬ素
子１０２の動作点は交点２０６から交点２０７へと変化する。飽和領域２０２ではＩｄｓ
のＶｄｓ依存性が小さいため、ＥＬ素子が劣化してＩ−Ｖ曲線が曲線２０４から曲線２０
５に変化し、動作点が交点２０６から交点２０７へと変化してもＥＬ素子１０２に流れる
電流（Ｉｄｓ）は大きく変わらない。一方線形領域２０３ではＩｄｓのＶｄｓ依存性が大
きいため、ＥＬ素子１０２が劣化するとＥＬ素子１０２に流れる電流（Ｉｄｓ）が大きく
変化する。そのため飽和領域２０２でＥＬ素子１０２を駆動させるとＥＬ素子１０２が劣
化しても輝度の劣化を認識しづらい。
の電流電圧特性（Ｉ−Ｖ曲線）は曲線２０４から曲線２０５に変わる。これによりＥＬ素
子１０２の動作点は交点２０６から交点２０７へと変化する。飽和領域２０２ではＩｄｓ
のＶｄｓ依存性が小さいため、ＥＬ素子が劣化してＩ−Ｖ曲線が曲線２０４から曲線２０
５に変化し、動作点が交点２０６から交点２０７へと変化してもＥＬ素子１０２に流れる
電流（Ｉｄｓ）は大きく変わらない。一方線形領域２０３ではＩｄｓのＶｄｓ依存性が大
きいため、ＥＬ素子１０２が劣化するとＥＬ素子１０２に流れる電流（Ｉｄｓ）が大きく
変化する。そのため飽和領域２０２でＥＬ素子１０２を駆動させるとＥＬ素子１０２が劣
化しても輝度の劣化を認識しづらい。
しかしＥＬ素子１０２が大きく劣化した場合には、ＥＬ素子１０２のＩ−Ｖ曲線は曲線
２０４から曲線２０８に変わり、ＥＬ素子１０２の動作点が交点２０６から交点２０９へ
と変化する。交点２０６は飽和領域２０２にあるが、交点２０９は線形領域２０３にある
ためＥＬ素子１０２に流れる電流が大きく変化し、図中のΔＩだけ減少する。その結果Ｅ
Ｌ素子の発光輝度が大きく変化する（図２（Ｂ））。
２０４から曲線２０８に変わり、ＥＬ素子１０２の動作点が交点２０６から交点２０９へ
と変化する。交点２０６は飽和領域２０２にあるが、交点２０９は線形領域２０３にある
ためＥＬ素子１０２に流れる電流が大きく変化し、図中のΔＩだけ減少する。その結果Ｅ
Ｌ素子の発光輝度が大きく変化する（図２（Ｂ））。
ＥＬ素子が劣化した場合におけるＥＬ素子の輝度を制御する技術として特許文献１、２
がある。
がある。
特許文献１は、ＥＬ素子の劣化によってＥＬ素子の動作点が飽和領域から線形領域に移
ることを抑える技術として、ＥＬ素子に互いに特性が異なる２つの駆動Ｔｒを接続し、Ｅ
Ｌ素子の輝度に応じて、２つの駆動Ｔｒのいずれかを選択する手段を有する表示装置を開
示している。高階調（高輝度）表示には電流供給能力の高い駆動Ｔｒを選択して駆動Ｔｒ
のゲート電圧を下げ、低階調（低輝度）表示には電流供給能力の低い駆動Ｔｒを選択して
いる。
ることを抑える技術として、ＥＬ素子に互いに特性が異なる２つの駆動Ｔｒを接続し、Ｅ
Ｌ素子の輝度に応じて、２つの駆動Ｔｒのいずれかを選択する手段を有する表示装置を開
示している。高階調（高輝度）表示には電流供給能力の高い駆動Ｔｒを選択して駆動Ｔｒ
のゲート電圧を下げ、低階調（低輝度）表示には電流供給能力の低い駆動Ｔｒを選択して
いる。
特許文献２は、複数のＥＬ素子の１つのＥＬ素子の端子間の電圧を検出し、検出された
電圧に基づき、電源線に印加する電圧を変化させて複数のＥＬ素子の輝度を制御すること
を開示している。
電圧に基づき、電源線に印加する電圧を変化させて複数のＥＬ素子の輝度を制御すること
を開示している。
特許文献１が開示した技術では互いに電流供給能力の異なった駆動Ｔｒをそのサイズや
構造により作り分けている。そのため駆動Ｔｒの電流供給能力は固定されてしまう。その
結果、ＥＬ素子の劣化が大きい場合には輝度の低下を抑えることができない。また駆動Ｔ
ｒの信頼性を考慮すればＶｄｓは小さい方がよく、ＥＬ素子の動作点は、飽和領域内であ
って線形領域に近い方がよい。しかし駆動Ｔｒの電流供給能力は固定されているため、Ｖ
ｄｓを小さくするために、ＥＬ素子の動作点を線形領域に近づけるという柔軟な対応は困
難である。つまりＥＬ素子の劣化を十分に考慮すればＥＬ素子の動作点は線形領域から大
きく離す必要があり、結果としてＶｄｓが大きくなり、駆動Ｔｒが劣化しやすくなるとい
う問題がある。駆動Ｔｒが劣化し、例えば閾値電圧が上昇すればＥＬ素子に流れる電流が
低下し、それに伴ってＥＬ素子の輝度が低下する。
構造により作り分けている。そのため駆動Ｔｒの電流供給能力は固定されてしまう。その
結果、ＥＬ素子の劣化が大きい場合には輝度の低下を抑えることができない。また駆動Ｔ
ｒの信頼性を考慮すればＶｄｓは小さい方がよく、ＥＬ素子の動作点は、飽和領域内であ
って線形領域に近い方がよい。しかし駆動Ｔｒの電流供給能力は固定されているため、Ｖ
ｄｓを小さくするために、ＥＬ素子の動作点を線形領域に近づけるという柔軟な対応は困
難である。つまりＥＬ素子の劣化を十分に考慮すればＥＬ素子の動作点は線形領域から大
きく離す必要があり、結果としてＶｄｓが大きくなり、駆動Ｔｒが劣化しやすくなるとい
う問題がある。駆動Ｔｒが劣化し、例えば閾値電圧が上昇すればＥＬ素子に流れる電流が
低下し、それに伴ってＥＬ素子の輝度が低下する。
また特許文献２の開示した発明ではＥＬ素子が点灯しているときにＥＬ素子の端子間に
流れる電流を検出するため、ＥＬ素子に流れる電流が大きく減少し輝度が低下する問題が
ある。
流れる電流を検出するため、ＥＬ素子に流れる電流が大きく減少し輝度が低下する問題が
ある。
そこで本発明では駆動Ｔｒを劣化させることなく、ＥＬ素子点灯時にＥＬ素子に流れる
電流を大きく減少させることなく、ＥＬ素子の輝度を制御する技術を提供する。
電流を大きく減少させることなく、ＥＬ素子の輝度を制御する技術を提供する。
上述したように駆動Ｔｒの信頼性を考慮すれば、駆動Ｔｒに印加される電圧Ｖｄｓは小
さい方がよい。従ってＥＬ素子の動作点は、飽和領域内であって線形領域から余り離れな
い方がよい。しかしながらＥＬ素子の動作点を線形領域に近づけると、ＥＬ素子が劣化す
る際にＥＬ素子の動作点が飽和領域から線形領域に移りやすくなる。
さい方がよい。従ってＥＬ素子の動作点は、飽和領域内であって線形領域から余り離れな
い方がよい。しかしながらＥＬ素子の動作点を線形領域に近づけると、ＥＬ素子が劣化す
る際にＥＬ素子の動作点が飽和領域から線形領域に移りやすくなる。
図３（Ａ）に示すように、ＥＬ素子が劣化しＥＬ素子の動作点が交点２０６から交点２
０９に移ると、Ｔｒのソースとドレイン間に印加される電圧はΔＶｄｓ＝Ｖｄｓ−Ｖｄｓ
’だけ低下し、一方、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大き
くなる。
０９に移ると、Ｔｒのソースとドレイン間に印加される電圧はΔＶｄｓ＝Ｖｄｓ−Ｖｄｓ
’だけ低下し、一方、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大き
くなる。
ＥＬ素子の動作点をＥＬ素子が劣化する前の動作点に移すことができれば、ＥＬ素子に
流れる電流が回復するため、ＥＬ素子の輝度をＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことが
できる。その方法の一つは、ＥＬ素子の劣化前後のＥＬ素子に印加される電圧ＶＥＬ、Ｖ
ＥＬ’をモニターし、ＥＬ素子の電源電位（ＥＬ素子の基準電位となる）をその電位差Δ
ＶＥＬと同じ程度に負または正の方向に昇圧すればよい。たとえばＰ型Ｔｒを用いてＥＬ
素子を駆動させる場合、ＥＬ素子の基準電位Ｖｃｏｍを負の方向にΔＶＥＬ以上に昇圧さ
せる。これにより図３（Ａ）に示したＥＬ素子のＩ−Ｖ曲線を横軸の電圧に対して負の方
向に平行移動させることができ、それに伴ってＥＬ素子の動作点も移動する。
流れる電流が回復するため、ＥＬ素子の輝度をＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことが
できる。その方法の一つは、ＥＬ素子の劣化前後のＥＬ素子に印加される電圧ＶＥＬ、Ｖ
ＥＬ’をモニターし、ＥＬ素子の電源電位（ＥＬ素子の基準電位となる）をその電位差Δ
ＶＥＬと同じ程度に負または正の方向に昇圧すればよい。たとえばＰ型Ｔｒを用いてＥＬ
素子を駆動させる場合、ＥＬ素子の基準電位Ｖｃｏｍを負の方向にΔＶＥＬ以上に昇圧さ
せる。これにより図３（Ａ）に示したＥＬ素子のＩ−Ｖ曲線を横軸の電圧に対して負の方
向に平行移動させることができ、それに伴ってＥＬ素子の動作点も移動する。
図３（Ｂ）はＥＬ素子の基準電位を負に昇圧しＥＬ素子の劣化後の動作点を劣化前の飽
和領域に戻した例を表す。ここでは、ＥＬ素子の電流電圧特性を表す曲線がＥＬ素子の劣
化後の曲線２０８から曲線２１０に移動している。それに伴って、ＥＬ素子の動作点が線
形領域の交点２０９から飽和領域の交点２１１に移動している。ＥＬ素子が劣化するとＥ
Ｌ素子のダイオード特性を表す曲線は単純に平行移動するわけではない。従って、基準電
位をΔＶｃｏｍだけ昇圧しても劣化したＥＬ素子の動作点は劣化前の動作点には戻らない
。しかし動作点を完全に元に戻す必要は無く、線形領域から飽和領域に戻せば十分である
。これはＥＬ素子の動作点が飽和領域にあれば、その位置に関係なくＥＬ素子に流れる電
流を概ね劣化前の値に戻すことができるからである。これは基準電位の変化量の許容範囲
が広く、ＥＬ素子に流れる電流を制御し易いことを意味する。
和領域に戻した例を表す。ここでは、ＥＬ素子の電流電圧特性を表す曲線がＥＬ素子の劣
化後の曲線２０８から曲線２１０に移動している。それに伴って、ＥＬ素子の動作点が線
形領域の交点２０９から飽和領域の交点２１１に移動している。ＥＬ素子が劣化するとＥ
Ｌ素子のダイオード特性を表す曲線は単純に平行移動するわけではない。従って、基準電
位をΔＶｃｏｍだけ昇圧しても劣化したＥＬ素子の動作点は劣化前の動作点には戻らない
。しかし動作点を完全に元に戻す必要は無く、線形領域から飽和領域に戻せば十分である
。これはＥＬ素子の動作点が飽和領域にあれば、その位置に関係なくＥＬ素子に流れる電
流を概ね劣化前の値に戻すことができるからである。これは基準電位の変化量の許容範囲
が広く、ＥＬ素子に流れる電流を制御し易いことを意味する。
ＥＬ素子に流れる電流を回復させる他の方法としては、駆動Ｔｒのゲート−ソース間の
電圧を大きくすることでもＥＬ素子に流れる電流を劣化前の値に戻すことは可能である。
しかしソース線電位を高くしてもＥＬ素子の動作点は線形領域のままであり、線形領域に
おける駆動Ｔｒに流れるドレイン電流すなわちＥＬ素子に流れる電流はソースードレイン
間の電圧に大きく依存するため、ソース線電位を調整してＥＬ素子に流れる電流を決める
ことは困難である。従って、ＥＬ素子の基準電位を昇圧する方がＥＬ素子に流れる電流を
制御しやすい。
電圧を大きくすることでもＥＬ素子に流れる電流を劣化前の値に戻すことは可能である。
しかしソース線電位を高くしてもＥＬ素子の動作点は線形領域のままであり、線形領域に
おける駆動Ｔｒに流れるドレイン電流すなわちＥＬ素子に流れる電流はソースードレイン
間の電圧に大きく依存するため、ソース線電位を調整してＥＬ素子に流れる電流を決める
ことは困難である。従って、ＥＬ素子の基準電位を昇圧する方がＥＬ素子に流れる電流を
制御しやすい。
そこで劣化前後におけるＥＬ素子の電極間に印加される電位差を検出し、ＥＬ素子の基
準電位を変化させることにより、ＥＬ素子の輝度を補正する。
準電位を変化させることにより、ＥＬ素子の輝度を補正する。
本発明の一態様の構成を以下に示す。
本発明の一態様は、ＥＬ素子の発光時に、ＥＬ素子の電極間に与えられる電位差を検出
し、ＥＬ素子の輝度を補正する。電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積し、こ
の電荷に基づいてＥＬ素子の劣化の程度を算出し、ＥＬ素子の電源電位や基準電位を変化
させることにより、ＥＬ素子の輝度を補正する。電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容
量に蓄積した後は、ＥＬ素子を消光させる。またはＥＬ素子の発光時の一部において、Ｅ
Ｌ素子の電極間に印加される電位差を検出し、ＥＬ素子の輝度を補正する。
し、ＥＬ素子の輝度を補正する。電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積し、こ
の電荷に基づいてＥＬ素子の劣化の程度を算出し、ＥＬ素子の電源電位や基準電位を変化
させることにより、ＥＬ素子の輝度を補正する。電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容
量に蓄積した後は、ＥＬ素子を消光させる。またはＥＬ素子の発光時の一部において、Ｅ
Ｌ素子の電極間に印加される電位差を検出し、ＥＬ素子の輝度を補正する。
本発明の一態様の回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタを有する。
駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの
一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は第１のトランジ
スタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極（アノード及びカソードの
一方）と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に
接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続される。ＥＬ素子の
他方の電極（アノード及びカソードの他方）は第２の電源端子に電気的に接続される。第
１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１の電源端子は電
源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は電源の低電位側
（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの
一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は第１のトランジ
スタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極（アノード及びカソードの
一方）と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的に
接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続される。ＥＬ素子の
他方の電極（アノード及びカソードの他方）は第２の電源端子に電気的に接続される。第
１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１の電源端子は電
源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は電源の低電位側
（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
第１の信号端子からの電位によって駆動トランジスタをオン状態にすると、第１の電源
端子電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。第１のトランジスタはＥＬ素子の
一方の電極と他方の電極の間の電位差又は電流量を検出する。ＥＬ素子が発光している期
間において、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素
子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を第１のトランジスタを通して
信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送る。これによりＥＬ素子の
一方の電極と他方の電極の間の電位差を検出する。検出されたＥＬ素子の電位差の変動量
を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子
の劣化による輝度の低下を補正する。
端子電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。第１のトランジスタはＥＬ素子の
一方の電極と他方の電極の間の電位差又は電流量を検出する。ＥＬ素子が発光している期
間において、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素
子の一方の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を第１のトランジスタを通して
信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送る。これによりＥＬ素子の
一方の電極と他方の電極の間の電位差を検出する。検出されたＥＬ素子の電位差の変動量
を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子
の劣化による輝度の低下を補正する。
本発明の一態様の回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタ及び第２の
トランジスタ、蓄積容量を有する。駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的
に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及
びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一
方の電極と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的
に接続され、ソース及びドレインの他方は蓄積容量の一方の電極及び第２のトランジスタ
のソース及びドレインの一方に電気的に接続される。蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の
他方の電極及び第２の電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのゲートは第
３の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に
接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１
の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は
電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
トランジスタ、蓄積容量を有する。駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的
に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及
びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一
方の電極と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的
に接続され、ソース及びドレインの他方は蓄積容量の一方の電極及び第２のトランジスタ
のソース及びドレインの一方に電気的に接続される。蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の
他方の電極及び第２の電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのゲートは第
３の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に
接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１
の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は
電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオン状態にすると、第１の電源端子
の電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。ＥＬ素子が発光している期間におい
て、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方
の電極と他方の電極との間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積させる。次に第２の
信号端子の電位によって第１のトランジスタをオフ状態にし、蓄積容量に蓄積された電荷
を保持する。この状態から第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオフ状態に
しＥＬ素子の発光を消光する。その後、第３の信号端子の電位によって第２のトランジス
タをオン状態にすることで蓄積容量に蓄積された電荷を第２のトランジスタを通して信号
電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして検出されたＥＬ素子に印加される
電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調
整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、蓄積容量はＥＬ素子の電極
間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ
素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下
させることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極
に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正す
ることができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する間に第１のトランジスタと第２
のトランジスタをオン状態としてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である
。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある
。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように信号検出回路の取り出し側のインピーダ
ンスは十分高くしておくことが好ましい。
の電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。ＥＬ素子が発光している期間におい
て、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方
の電極と他方の電極との間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積させる。次に第２の
信号端子の電位によって第１のトランジスタをオフ状態にし、蓄積容量に蓄積された電荷
を保持する。この状態から第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオフ状態に
しＥＬ素子の発光を消光する。その後、第３の信号端子の電位によって第２のトランジス
タをオン状態にすることで蓄積容量に蓄積された電荷を第２のトランジスタを通して信号
電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして検出されたＥＬ素子に印加される
電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調
整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、蓄積容量はＥＬ素子の電極
間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ
素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下
させることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極
に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正す
ることができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する間に第１のトランジスタと第２
のトランジスタをオン状態としてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である
。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある
。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように信号検出回路の取り出し側のインピーダ
ンスは十分高くしておくことが好ましい。
本発明の一態様の回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタ及び第２の
トランジスタ、蓄積容量を有する。駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的
に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及
びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一
方の電極と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的
に接続され、ソース及びドレインの他方は蓄積容量の一方の電極及び第２のトランジスタ
のゲートに電気的に接続される。蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び第２
の電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は第
１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に
接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１
の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は
電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
トランジスタ、蓄積容量を有する。駆動トランジスタのゲートは第１の信号端子に電気的
に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及
びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一
方の電極と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端子に電気的
に接続され、ソース及びドレインの他方は蓄積容量の一方の電極及び第２のトランジスタ
のゲートに電気的に接続される。蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び第２
の電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は第
１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に
接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、第１
の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端子は
電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオン状態にすると、第１の電源端子
の電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。ＥＬ素子が発光している期間におい
て、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方
の電極と他方の電極との間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積させるとともに第２
のトランジスタのゲートにもＥＬ素子の一方の電極電位を与えてオン状態にする。この際
に、第２のトランジスタは蓄積容量に保持されたＥＬ素子の一方の電極の電位を劣化（ノ
イズ）を抑えて信号検出回路に伝える働きをする。次に第２の信号端子の電位によって第
１のトランジスタをオフ状態とし、蓄積容量に蓄積された電荷を保持する。この状態から
第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオフ状態にすることでＥＬ素子の発光
を消光する。第２のトランジスタはＥＬ素子の一方の電極の電位を信号電流または信号電
位として信号検出回路に送る。そして検出されたＥＬ素子に印加される電位差の変動量を
考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の
劣化による輝度の低下を補正する。ここで、蓄積容量はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶
するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ素子の電極間の電
位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下させることなく、
ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２
の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。
またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する間に第１のトランジスタと第２のトランジスタを
オン状態としてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である。しかし電位差の
検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある。またＥＬ素子の
電極の電位が変動しないように信号検出回路の取り出し側のインピーダンスは十分高くし
ておくことが好ましい。
の電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。ＥＬ素子が発光している期間におい
て、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方
の電極と他方の電極との間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積させるとともに第２
のトランジスタのゲートにもＥＬ素子の一方の電極電位を与えてオン状態にする。この際
に、第２のトランジスタは蓄積容量に保持されたＥＬ素子の一方の電極の電位を劣化（ノ
イズ）を抑えて信号検出回路に伝える働きをする。次に第２の信号端子の電位によって第
１のトランジスタをオフ状態とし、蓄積容量に蓄積された電荷を保持する。この状態から
第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオフ状態にすることでＥＬ素子の発光
を消光する。第２のトランジスタはＥＬ素子の一方の電極の電位を信号電流または信号電
位として信号検出回路に送る。そして検出されたＥＬ素子に印加される電位差の変動量を
考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の
劣化による輝度の低下を補正する。ここで、蓄積容量はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶
するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ素子の電極間の電
位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下させることなく、
ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２
の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。
またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する間に第１のトランジスタと第２のトランジスタを
オン状態としてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である。しかし電位差の
検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある。またＥＬ素子の
電極の電位が変動しないように信号検出回路の取り出し側のインピーダンスは十分高くし
ておくことが好ましい。
本発明の一態様の回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のトランジスタ、第２のト
ランジスタ、第３のトランジスタ、蓄積容量を有する。駆動トランジスタのゲートは第１
の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に接続され
、ソース及びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥ
Ｌ素子の一方の電極と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端
子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は蓄積容量の一方の電極及び第２のト
ランジスタのゲートに電気的に接続される。蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電
極及び第２の電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのソース及びドレイン
の一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は第３のトラン
ジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続される。第３のトランジスタのゲート
は第３の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気
的に接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、
第１の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端
子は電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
ランジスタ、第３のトランジスタ、蓄積容量を有する。駆動トランジスタのゲートは第１
の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は第１の電源端子に接続され
、ソース及びドレインの他方は第１のトランジスタのソース及びドレインの一方並びにＥ
Ｌ素子の一方の電極と電気的に接続される。第１のトランジスタのゲートは第２の信号端
子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は蓄積容量の一方の電極及び第２のト
ランジスタのゲートに電気的に接続される。蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電
極及び第２の電源端子に電気的に接続される。第２のトランジスタのソース及びドレイン
の一方は第１の電源端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は第３のトラン
ジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続される。第３のトランジスタのゲート
は第３の信号端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気
的に接続される。第１の電源端子、第２の電源端子はそれぞれ独立した電源でもよいし、
第１の電源端子は電源の高電位側（或いは低電位側）に電気的に接続され、第２の電源端
子は電源の低電位側（或いは高電位側）に電気的に接続されていてもよい。
第１の信号端子の電位によって駆動トランジスタをオン状態にすると、第１の電源端子
の電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。ＥＬ素子が発光している期間におい
て、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方
の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積させるとともに第２の
トランジスタのゲートにもＥＬ素子の一方の電極電位を与えてオン状態にする。この際に
、第２のトランジスタは蓄積容量に保持されたＥＬ素子の一方の電極の電位を劣化（ノイ
ズ）を抑えて検出器に伝える働きをする。次に第２の信号端子の電位によって第１のトラ
ンジスタをオフ状態とし、蓄積容量に電荷を保持させる。この状態から第１の信号端子の
電位によって駆動トランジスタをオフ状態にすることでＥＬ素子の発光を消光する。次に
第３の信号端子の電位によって第３のトランジスタをオン状態としＥＬ素子の一方の電極
の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして信号検出回路で検出
されたＥＬ素子の電極間の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された
第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、
蓄積容量はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光
しない状態においてもＥＬ素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ
素子の発光時の輝度を低下させることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮
してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化
による輝度の低下を補正することができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する間に
第１のトランジスタと第２のトランジスタをオン状態としてＥＬ素子の電極間の電位差を
検出することも可能である。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないよう
に短時間で行う必要がある。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように取り出しのイ
ンピーダンスは十分高くしておくことが好ましい。
の電位がＥＬ素子に与えられてＥＬ素子が発光する。ＥＬ素子が発光している期間におい
て、第２の信号端子の電位によって第１のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方
の電極と他方の電極の間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積させるとともに第２の
トランジスタのゲートにもＥＬ素子の一方の電極電位を与えてオン状態にする。この際に
、第２のトランジスタは蓄積容量に保持されたＥＬ素子の一方の電極の電位を劣化（ノイ
ズ）を抑えて検出器に伝える働きをする。次に第２の信号端子の電位によって第１のトラ
ンジスタをオフ状態とし、蓄積容量に電荷を保持させる。この状態から第１の信号端子の
電位によって駆動トランジスタをオフ状態にすることでＥＬ素子の発光を消光する。次に
第３の信号端子の電位によって第３のトランジスタをオン状態としＥＬ素子の一方の電極
の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして信号検出回路で検出
されたＥＬ素子の電極間の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された
第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、
蓄積容量はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光
しない状態においてもＥＬ素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ
素子の発光時の輝度を低下させることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮
してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化
による輝度の低下を補正することができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する間に
第１のトランジスタと第２のトランジスタをオン状態としてＥＬ素子の電極間の電位差を
検出することも可能である。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないよう
に短時間で行う必要がある。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように取り出しのイ
ンピーダンスは十分高くしておくことが好ましい。
本発明の一態様のアクティブマトリクス回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のト
ランジスタ、第２のトランジスタ、第１の蓄積容量、スイッチングトランジスタ、第２の
蓄積容量、第１の走査線、第２の走査線、信号線、電源線を有する。スイッチングトラン
ジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は信号線
に電気的に接続され、他方は駆動トランジスタのゲート及び第２の蓄積容量の一方の電極
に電気的に接続される。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は電源線及び第２
の蓄積容量の他方の電極に電気的に接続され、他方は第１のトランジスタのソース及びド
レインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極に電気的に接続される。第１のトランジスタの
ゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容
量の一方の電極及び第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され
る。第１の蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び電源端子に電気的に接続さ
れる。第２のトランジスタのゲートは第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレ
インの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。電源線は電源の高電位側或いは低
電位側に電気的に接続される。一方、電源端子は電源の低電位側或いは高電位側に電気的
に接続される。
ランジスタ、第２のトランジスタ、第１の蓄積容量、スイッチングトランジスタ、第２の
蓄積容量、第１の走査線、第２の走査線、信号線、電源線を有する。スイッチングトラン
ジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は信号線
に電気的に接続され、他方は駆動トランジスタのゲート及び第２の蓄積容量の一方の電極
に電気的に接続される。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は電源線及び第２
の蓄積容量の他方の電極に電気的に接続され、他方は第１のトランジスタのソース及びド
レインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極に電気的に接続される。第１のトランジスタの
ゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容
量の一方の電極及び第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され
る。第１の蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び電源端子に電気的に接続さ
れる。第２のトランジスタのゲートは第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレ
インの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。電源線は電源の高電位側或いは低
電位側に電気的に接続される。一方、電源端子は電源の低電位側或いは高電位側に電気的
に接続される。
第２のトランジスタ及び第２の走査線は画素毎に設ける必要はなく、画素の列毎または
行毎に設けてもよい。
行毎に設けてもよい。
第１の走査線の電位によってスイッチングトランジスタをオン状態にすると、信号線の
電位が第２の蓄積容量の一方の電極及び駆動トランジスタのゲートに与えられる。第２の
蓄積容量は駆動トランジスタのゲート電位を保持する。駆動トランジスタがオン状態にな
ると、電源線電位がＥＬ素子に与えられ、ＥＬ素子が発光する。第１の走査線の電位によ
ってスイッチングトランジスタがオン状態になるとともに第１のトランジスタもオン状態
になる。第１のトランジスタがオン状態の間に、ＥＬ素子に印加される電位差に応じた電
荷を第１の蓄積容量に蓄積させる。次にスイッチングトランジスタ及び第１のトランジス
タをオフ状態にし、第１の蓄積容量に電荷を保持させる。次に第２の走査線の電位によっ
て第２のトランジスタをオン状態にし、第１の蓄積容量に蓄積された電荷を第２のトラン
ジスタを通して信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。これによりＥＬ素子
の一方の電極と他方の電極の間の電位差を検出する。検出されたＥＬ素子に印加される電
位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された電源端子の電位を調整し、Ｅ
Ｌ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、第１の蓄積容量はＥＬ素子の電極間
の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ素
子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下さ
せることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に
接続された電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することが
できる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する、スイッチングトランジスタと第１のト
ランジスタがオン状態のときに、ＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である
。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある
。
電位が第２の蓄積容量の一方の電極及び駆動トランジスタのゲートに与えられる。第２の
蓄積容量は駆動トランジスタのゲート電位を保持する。駆動トランジスタがオン状態にな
ると、電源線電位がＥＬ素子に与えられ、ＥＬ素子が発光する。第１の走査線の電位によ
ってスイッチングトランジスタがオン状態になるとともに第１のトランジスタもオン状態
になる。第１のトランジスタがオン状態の間に、ＥＬ素子に印加される電位差に応じた電
荷を第１の蓄積容量に蓄積させる。次にスイッチングトランジスタ及び第１のトランジス
タをオフ状態にし、第１の蓄積容量に電荷を保持させる。次に第２の走査線の電位によっ
て第２のトランジスタをオン状態にし、第１の蓄積容量に蓄積された電荷を第２のトラン
ジスタを通して信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。これによりＥＬ素子
の一方の電極と他方の電極の間の電位差を検出する。検出されたＥＬ素子に印加される電
位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された電源端子の電位を調整し、Ｅ
Ｌ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、第１の蓄積容量はＥＬ素子の電極間
の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においてもＥＬ素
子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下さ
せることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に
接続された電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することが
できる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する、スイッチングトランジスタと第１のト
ランジスタがオン状態のときに、ＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である
。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある
。
スイッチングトランジスタと第１のトランジスタを第１の走査線によって制御している
が、異なる走査線で制御してもよい。
が、異なる走査線で制御してもよい。
本発明の一態様のアクティブマトリクス回路は駆動トランジスタ、ＥＬ素子、第１のト
ランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第１の蓄積容量、スイッチング
トランジスタ、第２の蓄積容量、第１の走査線、第２の走査線、信号線、電源線を有する
。スイッチングトランジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びド
レインの一方は信号線に電気的に接続され、他方は駆動トランジスタのゲート及び第２の
蓄積容量の一方の電極に電気的に接続される。駆動トランジスタのソース及びドレインの
一方は電源線及び第２の蓄積容量の他方の電極に電気的に接続され、他方は第１のトラン
ジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極に電気的に接続される。
第１のトランジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの
他方は、第１の蓄積容量の一方の電極及び第３のトランジスタのゲートに電気的に接続さ
れる。第１の蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び電源端子に電気的に接続
される。第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は電源線に電気的に接続され、
他方は第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続される。第２のト
ランジスタのゲートは第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信
号検出回路に電気的に接続されている。電源線は電源の高電位側または低電位側に電気的
に接続される。一方、電源端子は電源の低電位側または高電位側に電気的に接続される。
ランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第１の蓄積容量、スイッチング
トランジスタ、第２の蓄積容量、第１の走査線、第２の走査線、信号線、電源線を有する
。スイッチングトランジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びド
レインの一方は信号線に電気的に接続され、他方は駆動トランジスタのゲート及び第２の
蓄積容量の一方の電極に電気的に接続される。駆動トランジスタのソース及びドレインの
一方は電源線及び第２の蓄積容量の他方の電極に電気的に接続され、他方は第１のトラン
ジスタのソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子の一方の電極に電気的に接続される。
第１のトランジスタのゲートは第１の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの
他方は、第１の蓄積容量の一方の電極及び第３のトランジスタのゲートに電気的に接続さ
れる。第１の蓄積容量の他方の電極はＥＬ素子の他方の電極及び電源端子に電気的に接続
される。第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は電源線に電気的に接続され、
他方は第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続される。第２のト
ランジスタのゲートは第２の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信
号検出回路に電気的に接続されている。電源線は電源の高電位側または低電位側に電気的
に接続される。一方、電源端子は電源の低電位側または高電位側に電気的に接続される。
第２のトランジスタ及び第２の走査線は画素毎に設ける必要はなく、画素の列毎または
行毎に設けてもよい。
行毎に設けてもよい。
第１の走査線の電位によってスイッチングトランジスタをオン状態にすると、信号線の
電位が第２の蓄積容量及び駆動トランジスタのゲートに与えられる。第２の蓄積容量は駆
動トランジスタのゲート電位を保持する。駆動トランジスタがオン状態になると、電源線
の電位がＥＬ素子に与えられ、ＥＬ素子が発光する。第１の走査線の電位によってスイッ
チングトランジスタがオン状態になるとともに第１のトランジスタもオン状態になる。第
１のトランジスタがオン状態の間に、ＥＬ素子に印加される電位差に応じた電荷が第１の
蓄積容量に蓄積されるとともに第３のトランジスタのゲートにもＥＬ素子の一方の電極電
位が印加され第３のトランジスタがオン状態になる。この場合、第３のトランジスタは蓄
積容量に保持されたＥＬ素子の一方の電極と他方の電極との間の電位差を劣化（ノイズ）
を抑えて信号検出回路に伝える働きをする。次に第１の走査線の電位によってスイッチン
グトランジスタと第１のトランジスタをオフ状態にし第１の蓄積容量に電荷を保持させる
。次に第２の走査線の電位によって第３のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方
の電極の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして検出されたＥ
Ｌ素子の電極間の電位差を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された電源端子の電位を
調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、第１の蓄積容量はＥＬ素
子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態におい
てもＥＬ素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝
度を低下させることなく、ＥＬ素子の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に
接続された電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することが
できる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する、スイッチングトランジスタと第１のト
ランジスタがオン状態のときに、ＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である
。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある
。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように取り出しのインピーダンスは十分高くし
ておくことが好ましい。
電位が第２の蓄積容量及び駆動トランジスタのゲートに与えられる。第２の蓄積容量は駆
動トランジスタのゲート電位を保持する。駆動トランジスタがオン状態になると、電源線
の電位がＥＬ素子に与えられ、ＥＬ素子が発光する。第１の走査線の電位によってスイッ
チングトランジスタがオン状態になるとともに第１のトランジスタもオン状態になる。第
１のトランジスタがオン状態の間に、ＥＬ素子に印加される電位差に応じた電荷が第１の
蓄積容量に蓄積されるとともに第３のトランジスタのゲートにもＥＬ素子の一方の電極電
位が印加され第３のトランジスタがオン状態になる。この場合、第３のトランジスタは蓄
積容量に保持されたＥＬ素子の一方の電極と他方の電極との間の電位差を劣化（ノイズ）
を抑えて信号検出回路に伝える働きをする。次に第１の走査線の電位によってスイッチン
グトランジスタと第１のトランジスタをオフ状態にし第１の蓄積容量に電荷を保持させる
。次に第２の走査線の電位によって第３のトランジスタをオン状態にし、ＥＬ素子の一方
の電極の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。そして検出されたＥ
Ｌ素子の電極間の電位差を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された電源端子の電位を
調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、第１の蓄積容量はＥＬ素
子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態におい
てもＥＬ素子の電極間の電位差を検出することができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝
度を低下させることなく、ＥＬ素子の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に
接続された電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することが
できる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光する、スイッチングトランジスタと第１のト
ランジスタがオン状態のときに、ＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能である
。しかし電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必要がある
。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように取り出しのインピーダンスは十分高くし
ておくことが好ましい。
スイッチングトランジスタと第１のトランジスタを第１の走査線によって制御している
が、異なる走査線で制御してもよい。
が、異なる走査線で制御してもよい。
駆動トランジスタ、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、
スイッチングトランジスタの極性はＮ型でもＰ型でもよい。
スイッチングトランジスタの極性はＮ型でもＰ型でもよい。
本発明の一態様はＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正するために、ＥＬ素子発光期
間においてＥＬ素子の電極間の電位差を検出し、この電位差に相当する電荷を蓄積容量に
蓄積し、この電荷に基づいてＥＬ素子の劣化の程度を算出し、ＥＬ素子の電源電位や基準
電位を変化させる。電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積した後は、ＥＬ素子
を消光させてもよい。またはＥＬ素子の発光期間の一部において、ＥＬ素子の電極間の電
位差を検出し、ＥＬ素子の輝度を補正する。これによりＥＬ素子に流れる電流の低下によ
る輝度の低下を防ぐことができる。線形領域にある駆動Ｔｒの動作点を飽和領域にするこ
とができる。更に、飽和領域で動作させる駆動Ｔｒの動作点を線形領域に近づけることが
でき、駆動Ｔｒに印加する電圧を低減し駆動Ｔｒの特性の劣化を抑えることができる。
間においてＥＬ素子の電極間の電位差を検出し、この電位差に相当する電荷を蓄積容量に
蓄積し、この電荷に基づいてＥＬ素子の劣化の程度を算出し、ＥＬ素子の電源電位や基準
電位を変化させる。電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積した後は、ＥＬ素子
を消光させてもよい。またはＥＬ素子の発光期間の一部において、ＥＬ素子の電極間の電
位差を検出し、ＥＬ素子の輝度を補正する。これによりＥＬ素子に流れる電流の低下によ
る輝度の低下を防ぐことができる。線形領域にある駆動Ｔｒの動作点を飽和領域にするこ
とができる。更に、飽和領域で動作させる駆動Ｔｒの動作点を線形領域に近づけることが
でき、駆動Ｔｒに印加する電圧を低減し駆動Ｔｒの特性の劣化を抑えることができる。
以下に、本発明の一態様の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って
、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明
するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、
その繰り返しの説明は省略する。
異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って
、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明
するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、
その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
図４（Ａ）は駆動Ｔｒ４０１、ＥＬ素子４０２、第１のトランジスタ（ＳＷ−１Ｔｒ）
５０１を示している。駆動Ｔｒ４０１のゲートは第１の信号端子４０３と電気的に接続し
ている。駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に
接続し、駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの他方はＥＬ素子４０２の一方の電極（ア
ノード及びカソードの一方）及びＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの一方と電気
的に接続している。ＳＷ−１Ｔｒ５０１のゲートは第２の信号端子４０６と電気的に接続
し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方は信号検出回路（ｓｉｇｎａｌ ｄ
ｅｔｅｃｔｏｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）に電気的に接続している。ＥＬ素子４０２の他方の電
極（アノード及びカソードの他方）は第２の電源端子４０５と電気的に接続している。
図４（Ａ）は駆動Ｔｒ４０１、ＥＬ素子４０２、第１のトランジスタ（ＳＷ−１Ｔｒ）
５０１を示している。駆動Ｔｒ４０１のゲートは第１の信号端子４０３と電気的に接続し
ている。駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に
接続し、駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの他方はＥＬ素子４０２の一方の電極（ア
ノード及びカソードの一方）及びＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの一方と電気
的に接続している。ＳＷ−１Ｔｒ５０１のゲートは第２の信号端子４０６と電気的に接続
し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方は信号検出回路（ｓｉｇｎａｌ ｄ
ｅｔｅｃｔｏｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）に電気的に接続している。ＥＬ素子４０２の他方の電
極（アノード及びカソードの他方）は第２の電源端子４０５と電気的に接続している。
駆動Ｔｒ４０１はＥＬ素子４０２に流れる電流を調節し、ＥＬ素子４０２の発光輝度を
決定する。第１の電源端子４０４には電源電位（Ｖｄｄ）が印加され、第２の電源端子４
０５には基準電位（Ｖｃｏｍ）が印加される。
決定する。第１の電源端子４０４には電源電位（Ｖｄｄ）が印加され、第２の電源端子４
０５には基準電位（Ｖｃｏｍ）が印加される。
ＳＷ−１Ｔｒ５０１はＥＬ素子４０２の一方の電極電位を信号検出回路に送る際のスイ
ッチとして働く。第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態に
すると、ＳＷ−１Ｔｒ５０１を通してＥＬ素子４０２の一方の電極（アノード及びカソー
ドの一方）電位が信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送られる。
これによりＥＬ素子４０２の両電極間の電位差を検出することができる。検出されたＥＬ
素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子４０２の他方の電極に接続された第
２の電源端子４０５の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下
を補正する。
ッチとして働く。第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態に
すると、ＳＷ−１Ｔｒ５０１を通してＥＬ素子４０２の一方の電極（アノード及びカソー
ドの一方）電位が信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送られる。
これによりＥＬ素子４０２の両電極間の電位差を検出することができる。検出されたＥＬ
素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子４０２の他方の電極に接続された第
２の電源端子４０５の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下
を補正する。
図５に示すタイミングチャートを使って図４（Ａ）の回路の動作を説明する。駆動Ｔｒ
４０１はＥＬ素子４０２に電流を供給する際のスイッチとして機能する。第１の信号端子
４０３には電位Ｖｇ１が与えられる。Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧よりも大き
いと、駆動Ｔｒ４０１はオン状態となり、電源線電位ＶｄｄがＥＬ素子の一方の電極に与
えられ、ＥＬ素子に電源線電位Ｖｄｄと第２の電源端子４０５の電位との電位差である電
圧（ＶＥＬ）が印加される。その結果、ＥＬ素子４０２が発光する。一方、Ｖｇ１が駆動
Ｔｒ４０１のしきい値電圧より小さいと、駆動Ｔｒ４０１はオフ状態となり、電源線電位
ＶｄｄはＥＬ素子に与えられず、ＥＬ素子４０２は発光しない。
４０１はＥＬ素子４０２に電流を供給する際のスイッチとして機能する。第１の信号端子
４０３には電位Ｖｇ１が与えられる。Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧よりも大き
いと、駆動Ｔｒ４０１はオン状態となり、電源線電位ＶｄｄがＥＬ素子の一方の電極に与
えられ、ＥＬ素子に電源線電位Ｖｄｄと第２の電源端子４０５の電位との電位差である電
圧（ＶＥＬ）が印加される。その結果、ＥＬ素子４０２が発光する。一方、Ｖｇ１が駆動
Ｔｒ４０１のしきい値電圧より小さいと、駆動Ｔｒ４０１はオフ状態となり、電源線電位
ＶｄｄはＥＬ素子に与えられず、ＥＬ素子４０２は発光しない。
第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１がオン状態となり、ＥＬ素子４０２の
電極間にＶＥＬの電位を与えＥＬ素子４０２を発光させる。次に第２の信号線電位Ｖｇ２
によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にする。これによりＥＬ素子４０２の一方の電極
の電位を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送る。ＳＷ−１Ｔｒ
５０１はＥＬ素子４０２が発光している期間の一部でのみオン状態とする。なおＳＷ−１
Ｔｒ５０１のオン／オフ状態は第２の信号端子４０６の電位Ｖｇ２を変えることで切り替
えることができ、Ｖｇ２がＳＷ−１Ｔｒ５０１のしきい電圧よりも大きければＳＷ−１Ｔ
ｒ５０１はオン状態となり、小さければオフ状態となる。駆動Ｔｒ４０１がオン状態にな
りＥＬ素子４０２が発光している間にＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にすればよい。図３
（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥ
Ｌ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧を検出してΔＶ
ＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ ＞
ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前
の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域に
することができる。図５にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧
した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
電極間にＶＥＬの電位を与えＥＬ素子４０２を発光させる。次に第２の信号線電位Ｖｇ２
によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にする。これによりＥＬ素子４０２の一方の電極
の電位を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検出回路に送る。ＳＷ−１Ｔｒ
５０１はＥＬ素子４０２が発光している期間の一部でのみオン状態とする。なおＳＷ−１
Ｔｒ５０１のオン／オフ状態は第２の信号端子４０６の電位Ｖｇ２を変えることで切り替
えることができ、Ｖｇ２がＳＷ−１Ｔｒ５０１のしきい電圧よりも大きければＳＷ−１Ｔ
ｒ５０１はオン状態となり、小さければオフ状態となる。駆動Ｔｒ４０１がオン状態にな
りＥＬ素子４０２が発光している間にＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にすればよい。図３
（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥ
Ｌ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧を検出してΔＶ
ＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ ＞
ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前
の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域に
することができる。図５にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧
した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行う
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
本回路は駆動Ｔｒ４０１がオンの状態、すなわちＥＬ素子４０２が発光している期間の
一部においてＥＬ素子４０２に印加される電圧を検出することができる。よってＥＬ素子
に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を低下させることなくＥＬ素子に印加される電圧
を検出することができる。
一部においてＥＬ素子４０２に印加される電圧を検出することができる。よってＥＬ素子
に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を低下させることなくＥＬ素子に印加される電圧
を検出することができる。
図４（Ａ）の回路では、ＳＷ−１Ｔｒがオン状態になっている間のみＥＬ素子の電極間
の電位差を検出している。しかし電極間の電位差に相当する電荷を一旦、蓄積容量（Ｃｓ
）に蓄積し、その後蓄積された電荷を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検
出回路に送信してもよい（図４（Ｂ））。
の電位差を検出している。しかし電極間の電位差に相当する電荷を一旦、蓄積容量（Ｃｓ
）に蓄積し、その後蓄積された電荷を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）として信号検
出回路に送信してもよい（図４（Ｂ））。
図４（Ｂ）は駆動Ｔｒ４０１、ＥＬ素子４０２、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、第２のトランジ
スタ（ＳＷ−２Ｔｒ）５０２、蓄積容量（Ｃｓ）５０３を示している。駆動Ｔｒ４０１の
ゲートは第１の信号端子４０３と電気的に接続している。駆動Ｔｒ４０１のソース及びド
レインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に接続し、駆動Ｔｒ４０１のソース及びド
レインの他方はＥＬ素子４０２の一方の電極及びＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレイ
ンの一方と電気的に接続している。ＳＷ−１Ｔｒ５０１のゲートは第２の信号端子４０６
と電気的に接続し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方はＣｓ５０３の一方
の電極及びＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの一方と電気的に接続している。Ｃ
ｓ５０３の他方の電極はＥＬ素子４０２の他方の電極及び第２の電源端子４０５と電気的
に接続している。ＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートは第３の信号端子４０７と電気的に接続し
、ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されて
いる。
スタ（ＳＷ−２Ｔｒ）５０２、蓄積容量（Ｃｓ）５０３を示している。駆動Ｔｒ４０１の
ゲートは第１の信号端子４０３と電気的に接続している。駆動Ｔｒ４０１のソース及びド
レインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に接続し、駆動Ｔｒ４０１のソース及びド
レインの他方はＥＬ素子４０２の一方の電極及びＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレイ
ンの一方と電気的に接続している。ＳＷ−１Ｔｒ５０１のゲートは第２の信号端子４０６
と電気的に接続し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方はＣｓ５０３の一方
の電極及びＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの一方と電気的に接続している。Ｃ
ｓ５０３の他方の電極はＥＬ素子４０２の他方の電極及び第２の電源端子４０５と電気的
に接続している。ＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートは第３の信号端子４０７と電気的に接続し
、ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されて
いる。
Ｃｓ５０３はＥＬ素子４０２の一方の電極と他方の電極間の電位差に応じた電荷を蓄積
する。そしてＳＷ−１Ｔｒ５０１はＣｓ５０３に電荷を供給する際のスイッチとして働く
。第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１を選択する（オン状態にする
）と、ＥＬ素子４０２の一方の電極と他方の電極間の電位差に相当する電荷がＣｓ５０３
に蓄積される。次に第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオフ状態
とし蓄積容量Ｃｓ５０３に蓄積された電荷を保持する。Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の
電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においても、第３の
信号端子４０７の電位によって、ＳＷ−２Ｔｒ５０２をオン状態にしてＥＬ素子の電極間
の電位差を信号検出回路に送ることができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下さ
せることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に
接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する
ことができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光しているときにＳＷ−１Ｔｒ５０１と
ＳＷ−２Ｔｒ５０２をオン状態にしてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能で
ある。しかしその電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必
要がある。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように信号検出回路の取り出し側のイ
ンピーダンスは十分高くしておくことが好ましい。
する。そしてＳＷ−１Ｔｒ５０１はＣｓ５０３に電荷を供給する際のスイッチとして働く
。第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１を選択する（オン状態にする
）と、ＥＬ素子４０２の一方の電極と他方の電極間の電位差に相当する電荷がＣｓ５０３
に蓄積される。次に第２の信号端子４０６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオフ状態
とし蓄積容量Ｃｓ５０３に蓄積された電荷を保持する。Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の
電位差を記憶するメモリ素子として働き、ＥＬ素子が発光しない状態においても、第３の
信号端子４０７の電位によって、ＳＷ−２Ｔｒ５０２をオン状態にしてＥＬ素子の電極間
の電位差を信号検出回路に送ることができる。従って、ＥＬ素子の発光時の輝度を低下さ
せることなく、ＥＬ素子に印加される電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の他方の電極に
接続された第２の電源端子の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する
ことができる。またこれとは別に、ＥＬ素子が発光しているときにＳＷ−１Ｔｒ５０１と
ＳＷ−２Ｔｒ５０２をオン状態にしてＥＬ素子の電極間の電位差を検出することも可能で
ある。しかしその電位差の検出はＥＬ素子の発光輝度に影響がないように短時間で行う必
要がある。またＥＬ素子の電極の電位が変動しないように信号検出回路の取り出し側のイ
ンピーダンスは十分高くしておくことが好ましい。
図６に示すタイミングチャートを用いて図４（Ｂ）の回路の動作を説明する。駆動Ｔｒ
４０１はＥＬ素子４０２に電流を供給する際のスイッチとして機能する。第１の信号端子
４０３には電位Ｖｇ１が与えられる。Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧よりも大き
いと、駆動Ｔｒ４０１はオン状態となり、電源線電位ＶｄｄがＥＬ素子４０２の一方の電
極に与えられ、ＥＬ素子４０２に電源線電位Ｖｄｄと第２の電源端子４０５の電位との電
位差である電圧（ＶＥＬ）が印加される。その結果、ＥＬ素子４０２が発光する。一方、
Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧より小さいと、駆動Ｔｒ４０１はオフ状態となり
、電源線電位ＶｄｄはＥＬ素子に与えられず、ＥＬ素子４０２は発光しない。
４０１はＥＬ素子４０２に電流を供給する際のスイッチとして機能する。第１の信号端子
４０３には電位Ｖｇ１が与えられる。Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧よりも大き
いと、駆動Ｔｒ４０１はオン状態となり、電源線電位ＶｄｄがＥＬ素子４０２の一方の電
極に与えられ、ＥＬ素子４０２に電源線電位Ｖｄｄと第２の電源端子４０５の電位との電
位差である電圧（ＶＥＬ）が印加される。その結果、ＥＬ素子４０２が発光する。一方、
Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧より小さいと、駆動Ｔｒ４０１はオフ状態となり
、電源線電位ＶｄｄはＥＬ素子に与えられず、ＥＬ素子４０２は発光しない。
第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１をオン状態とし、ＥＬ素子４０２の電
極間にＶＥＬの電位を与えて発光させる。次に第２の信号線電位Ｖｇ２によってＳＷ−１
Ｔｒ５０１をオン状態にする。その結果、ＥＬ素子４０２に印加される電位差に応じた電
荷がＣｓ５０３に蓄積される。Ｃｓ５０３に電荷が蓄積された後はＳＷ−１Ｔｒ５０１を
オフ状態にしてＣｓ５０３に蓄積された電荷を保持する。
極間にＶＥＬの電位を与えて発光させる。次に第２の信号線電位Ｖｇ２によってＳＷ−１
Ｔｒ５０１をオン状態にする。その結果、ＥＬ素子４０２に印加される電位差に応じた電
荷がＣｓ５０３に蓄積される。Ｃｓ５０３に電荷が蓄積された後はＳＷ−１Ｔｒ５０１を
オフ状態にしてＣｓ５０３に蓄積された電荷を保持する。
次に第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１をオフ状態としＥＬ素子４０２を
消光する。その後、第３の信号線電位Ｖｇ３によってＳＷ−２Ｔｒ５０２をオン状態にす
る。これによりＣｓ５０３に蓄えられた電荷を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）とし
て信号検出回路に送る。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモ
リ素子として働き、ＥＬ素子４０２が発光しない状態においても、第３の信号端子４０７
の電位によってＥＬ素子の電極間の電位差を信号検出回路に送ることができる。図３（Ｂ
）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’
−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターしてΔＶ
ＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ ＞
ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前
の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域に
することができる。図６にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧
した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
消光する。その後、第３の信号線電位Ｖｇ３によってＳＷ−２Ｔｒ５０２をオン状態にす
る。これによりＣｓ５０３に蓄えられた電荷を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）とし
て信号検出回路に送る。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモ
リ素子として働き、ＥＬ素子４０２が発光しない状態においても、第３の信号端子４０７
の電位によってＥＬ素子の電極間の電位差を信号検出回路に送ることができる。図３（Ｂ
）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’
−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターしてΔＶ
ＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ ＞
ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前
の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域に
することができる。図６にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧
した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行う
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
駆動Ｔｒ４０１、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、ＳＷ−２Ｔｒ５０２の極性はＮ型でもＰ型でも
よい。
よい。
本回路はＥＬ素子に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を低下させることなくＥＬ素
子の輝度の補正を行うことができる。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に
、すなわち表示に影響しない。
子の輝度の補正を行うことができる。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に
、すなわち表示に影響しない。
（実施の形態２）
図４（Ｂ）の回路ではＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートは第３の信号端子４０７に電気的に
接続し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方及びＣｓ５０３の一方の電極が
ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの一方に電気的に接続している。しかしこの回
路に限定されない。第３の信号端子４０７は設けずにＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びド
レインの他方及びＣｓ５０３の一方の電極がＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートに電気的に接続
される構成としてＥＬ素子の電極間の電位差に相当する信号を信号検出回路に送ってもよ
い（図７（Ａ））。
図４（Ｂ）の回路ではＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートは第３の信号端子４０７に電気的に
接続し、ＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方及びＣｓ５０３の一方の電極が
ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの一方に電気的に接続している。しかしこの回
路に限定されない。第３の信号端子４０７は設けずにＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びド
レインの他方及びＣｓ５０３の一方の電極がＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートに電気的に接続
される構成としてＥＬ素子の電極間の電位差に相当する信号を信号検出回路に送ってもよ
い（図７（Ａ））。
図７（Ａ）の回路は駆動Ｔｒ４０１、ＥＬ素子４０２、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、ＳＷ−２
Ｔｒ５０２、Ｃｓ５０３から構成される。駆動Ｔｒ４０１のゲートは第１の信号端子４０
３と電気的に接続している。駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの一方は第１の電源端
子４０４と電気的に接続し、駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの他方はＥＬ素子４０
２の一方の電極及びＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの一方と電気的に接続して
いる。ＳＷ−１Ｔｒ５０１のゲートは第２の信号端子４０６と電気的に接続し、ＳＷ−１
Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方はＣｓ５０３の一方の電極及びＳＷ−２Ｔｒ５０
２のゲートと電気的に接続している。Ｃｓ５０３の他方の電極はＥＬ素子４０２の他方の
電極及び第２の電源端子４０５と電気的に接続している。ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及
びドレインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に接続し、ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソー
ス及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。
Ｔｒ５０２、Ｃｓ５０３から構成される。駆動Ｔｒ４０１のゲートは第１の信号端子４０
３と電気的に接続している。駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの一方は第１の電源端
子４０４と電気的に接続し、駆動Ｔｒ４０１のソース及びドレインの他方はＥＬ素子４０
２の一方の電極及びＳＷ−１Ｔｒ５０１のソース及びドレインの一方と電気的に接続して
いる。ＳＷ−１Ｔｒ５０１のゲートは第２の信号端子４０６と電気的に接続し、ＳＷ−１
Ｔｒ５０１のソース及びドレインの他方はＣｓ５０３の一方の電極及びＳＷ−２Ｔｒ５０
２のゲートと電気的に接続している。Ｃｓ５０３の他方の電極はＥＬ素子４０２の他方の
電極及び第２の電源端子４０５と電気的に接続している。ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及
びドレインの一方は第１の電源端子４０４と電気的に接続し、ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソー
ス及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。
駆動Ｔｒ４０１及びＳＷ−１Ｔｒ５０１の機能及び動作は実施の形態１と同じである。
第１の電源端子４０４には電源電位（Ｖｄｄ）が与えられ、第２の電源端子４０５には基
準電位（Ｖｃｏｍ）が与えられる。
第１の電源端子４０４には電源電位（Ｖｄｄ）が与えられ、第２の電源端子４０５には基
準電位（Ｖｃｏｍ）が与えられる。
駆動Ｔｒ４０１がオン状態、ＥＬ素子４０２が発光している間に、第２の信号端子４０
６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１を選択する（オン状態）と、ＥＬ素子４０２の一方
の電極と他方の電極間の電位差に相当する電荷がＣｓ５０３に蓄積されるとともにＳＷ−
２Ｔｒ５０２のゲートにもＥＬ素子４０２の一方の電極電位が与えられてＳＷ−２Ｔｒ５
０２が選択される。これによりＥＬ素子の一方の電極と他方の電極との間の電位を信号電
流または信号電位として信号検出回路に送る。この際に、ＳＷ−２Ｔｒ５０２はＣｓ５０
３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を劣化（ノイズ）を抑えて信号検出回
路に送る働きをする。そして信号検出回路によって検出されたＥＬ素子４０２の電極間の
電位差を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の基準電位（Ｖｃｏ
ｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ
素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働きＣｓ５０３に電荷が蓄積された後
にＳＷ−１Ｔｒ５０１を非選択（オフ状態）とすることでＣｓ５０３に蓄積された電荷を
保持することができる。従って、駆動Ｔｒ４０１がオフ状態となってＥＬ素子４０２に電
流が流れない状態であってもＣｓ５０３に保持されたＥＬ素子の一方の電極電位をＳＷ−
２Ｔｒ５０２のゲートに与えることができるため、ＥＬ素子に電流が流れない状態でもＥ
Ｌ素子４０２の電極間の電位差を検出しＥＬ素子４０２の劣化による輝度の低下を補正す
ることができる。
６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１を選択する（オン状態）と、ＥＬ素子４０２の一方
の電極と他方の電極間の電位差に相当する電荷がＣｓ５０３に蓄積されるとともにＳＷ−
２Ｔｒ５０２のゲートにもＥＬ素子４０２の一方の電極電位が与えられてＳＷ−２Ｔｒ５
０２が選択される。これによりＥＬ素子の一方の電極と他方の電極との間の電位を信号電
流または信号電位として信号検出回路に送る。この際に、ＳＷ−２Ｔｒ５０２はＣｓ５０
３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を劣化（ノイズ）を抑えて信号検出回
路に送る働きをする。そして信号検出回路によって検出されたＥＬ素子４０２の電極間の
電位差を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２の電源端子の基準電位（Ｖｃｏ
ｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ
素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働きＣｓ５０３に電荷が蓄積された後
にＳＷ−１Ｔｒ５０１を非選択（オフ状態）とすることでＣｓ５０３に蓄積された電荷を
保持することができる。従って、駆動Ｔｒ４０１がオフ状態となってＥＬ素子４０２に電
流が流れない状態であってもＣｓ５０３に保持されたＥＬ素子の一方の電極電位をＳＷ−
２Ｔｒ５０２のゲートに与えることができるため、ＥＬ素子に電流が流れない状態でもＥ
Ｌ素子４０２の電極間の電位差を検出しＥＬ素子４０２の劣化による輝度の低下を補正す
ることができる。
本回路は、実施の形態１と同様に、ＥＬ素子に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を
低下させることがない。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に、すなわち表
示に影響しない。図３（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される
電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加され
る電圧をモニターしてΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。
ただし、ΔＶｃｏｍ＞ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、
ＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１
の動作点を飽和領域にすることができる。
低下させることがない。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に、すなわち表
示に影響しない。図３（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される
電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加され
る電圧をモニターしてΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。
ただし、ΔＶｃｏｍ＞ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、
ＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１
の動作点を飽和領域にすることができる。
図７（Ａ）の回路に新たに第３のトランジスタ（ＳＷ−３Ｔｒ）５０４を設けてもよい
（図７（Ｂ））。ＳＷ−３Ｔｒ５０４により複数のＥＬ素子がある場合にそれぞれのＥＬ
素子の電極電位を個々に信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができ、
複数のＥＬ素子の劣化による輝度の低下をＥＬ素子ごとに補正することができる。
（図７（Ｂ））。ＳＷ−３Ｔｒ５０４により複数のＥＬ素子がある場合にそれぞれのＥＬ
素子の電極電位を個々に信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができ、
複数のＥＬ素子の劣化による輝度の低下をＥＬ素子ごとに補正することができる。
図７（Ｂ）の回路は駆動Ｔｒ４０１、ＥＬ素子４０２、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、ＳＷ−２
Ｔｒ５０２、ＳＷ−３Ｔｒ５０４、Ｃｓ５０３から構成される。図７（Ａ）ではＳＷ−２
Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方が信号検出回路に電気的に接続されているが、図
７（Ｂ）では、ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方と信号検出回路との間に
ＳＷ−３Ｔｒ５０４が挿入されている。ＳＷ−３Ｔｒ５０４のソース及びドレインの一方
はＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方と電気的に接続され、ＳＷ−３Ｔｒ５
０４のソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。ＳＷ−３Ｔ
ｒ５０４のゲートは第３の信号端子４１０に電気的に接続されている。
Ｔｒ５０２、ＳＷ−３Ｔｒ５０４、Ｃｓ５０３から構成される。図７（Ａ）ではＳＷ−２
Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方が信号検出回路に電気的に接続されているが、図
７（Ｂ）では、ＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方と信号検出回路との間に
ＳＷ−３Ｔｒ５０４が挿入されている。ＳＷ−３Ｔｒ５０４のソース及びドレインの一方
はＳＷ−２Ｔｒ５０２のソース及びドレインの他方と電気的に接続され、ＳＷ−３Ｔｒ５
０４のソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。ＳＷ−３Ｔ
ｒ５０４のゲートは第３の信号端子４１０に電気的に接続されている。
駆動Ｔｒ４０１がオン状態、ＥＬ素子４０２が発光している間に、第２の信号端子４０
６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１を選択する（オン状態）と、ＥＬ素子４０２の一方
の電極と他方の電極間の電位差に相当する電荷がＣｓ５０３に蓄積されるとともにＳＷ−
２Ｔｒ５０２のゲートにもＥＬ素子４０２の一方の電極電位が与えられる。そして第３の
信号端子４１０の電位によってＳＷ−３Ｔｒ５０４を選択することでＥＬ素子の一方の電
極の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができる。この際に、
ＳＷ−２Ｔｒ５０２はＣｓ５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を劣化
（ノイズ）を抑えて信号検出回路に送る働きをする。そして信号検出回路によって検出さ
れたＥＬ素子４０２の電極間の電位差を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２
の電源端子の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正す
る。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、
Ｃｓ５０３に電荷が蓄積された後にＳＷ−１Ｔｒ５０１を非選択（オフ状態）とすること
でＣｓ５０３に蓄積された電荷を保持することができる。従って、駆動Ｔｒ４０１がオフ
状態となってＥＬ素子４０２に電流が流れない状態であってもＣｓ５０３に保持されたＥ
Ｌ素子の一方の電極電位をＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートに与えることができるため、Ｃｓ
５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位をＳＷ−３Ｔｒ５０４をオン状態
とすることで適宜信号検出回路に送ることができる。従って、駆動Ｔｒ４０１がオフ状態
となってＥＬ素子４０２に電流が流れない状態であってもＥＬ素子４０２の電極間の電位
差を検出しＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。
６の電位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１を選択する（オン状態）と、ＥＬ素子４０２の一方
の電極と他方の電極間の電位差に相当する電荷がＣｓ５０３に蓄積されるとともにＳＷ−
２Ｔｒ５０２のゲートにもＥＬ素子４０２の一方の電極電位が与えられる。そして第３の
信号端子４１０の電位によってＳＷ−３Ｔｒ５０４を選択することでＥＬ素子の一方の電
極の電位を信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができる。この際に、
ＳＷ−２Ｔｒ５０２はＣｓ５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を劣化
（ノイズ）を抑えて信号検出回路に送る働きをする。そして信号検出回路によって検出さ
れたＥＬ素子４０２の電極間の電位差を考慮してＥＬ素子の他方の電極に接続された第２
の電源端子の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正す
る。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶するメモリ素子として働き、
Ｃｓ５０３に電荷が蓄積された後にＳＷ−１Ｔｒ５０１を非選択（オフ状態）とすること
でＣｓ５０３に蓄積された電荷を保持することができる。従って、駆動Ｔｒ４０１がオフ
状態となってＥＬ素子４０２に電流が流れない状態であってもＣｓ５０３に保持されたＥ
Ｌ素子の一方の電極電位をＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートに与えることができるため、Ｃｓ
５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位をＳＷ−３Ｔｒ５０４をオン状態
とすることで適宜信号検出回路に送ることができる。従って、駆動Ｔｒ４０１がオフ状態
となってＥＬ素子４０２に電流が流れない状態であってもＥＬ素子４０２の電極間の電位
差を検出しＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正することができる。
第３の信号端子４１０の電位によってＳＷ−３Ｔｒ５０４を選択することにより、Ｃｓ
５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を信号検出回路に送ることができ
る。そのため複数のＥＬ素子がある場合にそれぞれのＥＬ素子の一方の電極電位を個々に
信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができ、複数のＥＬ素子の劣化に
よる輝度の低下をＥＬ素子ごとに補正することができる。
５０３に保持されたＥＬ素子４０２の一方の電極の電位を信号検出回路に送ることができ
る。そのため複数のＥＬ素子がある場合にそれぞれのＥＬ素子の一方の電極電位を個々に
信号電流または信号電位として信号検出回路に送ることができ、複数のＥＬ素子の劣化に
よる輝度の低下をＥＬ素子ごとに補正することができる。
図８に示すタイミングチャートを用いて図７（Ｂ）の回路の動作を説明する。駆動Ｔｒ
４０１はＥＬ素子４０２に電流を供給する際のスイッチとして機能する。第１の信号端子
４０３には電位Ｖｇ１が与えられる。Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧よりも大き
いと、駆動Ｔｒ４０１はオン状態となり、電源線電位ＶｄｄとＥＬ素子に接続する第２の
電源端子との電位差がＥＬ素子に電圧（ＶＥＬ）として印加される。その結果、ＥＬ素子
４０２が発光する。一方、Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧より小さいと、駆動Ｔ
ｒ４０１はオフ状態となり、電源線電位ＶｄｄはＥＬ素子に与えられず、ＥＬ素子４０２
は発光しない。
４０１はＥＬ素子４０２に電流を供給する際のスイッチとして機能する。第１の信号端子
４０３には電位Ｖｇ１が与えられる。Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧よりも大き
いと、駆動Ｔｒ４０１はオン状態となり、電源線電位ＶｄｄとＥＬ素子に接続する第２の
電源端子との電位差がＥＬ素子に電圧（ＶＥＬ）として印加される。その結果、ＥＬ素子
４０２が発光する。一方、Ｖｇ１が駆動Ｔｒ４０１のしきい値電圧より小さいと、駆動Ｔ
ｒ４０１はオフ状態となり、電源線電位ＶｄｄはＥＬ素子に与えられず、ＥＬ素子４０２
は発光しない。
第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１をオン状態とし、ＥＬ素子４０２の電
極間にＶＥＬの電位差を与えることでＥＬ素子４０２を発光させる。次に第２の信号線電
位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にする。これによりＥＬ素子４０２に印加され
る電位差に応じた電荷がＣｓ５０３に蓄積されるとともにＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートに
もＥＬ素子４０２の一方の電極電位が印加され、ＳＷ−２Ｔｒ５０２がオン状態となる。
Ｃｓ５０３に電荷が蓄積された後はＳＷ−１Ｔｒ５０１をオフ状態にしてＣｓ５０３に蓄
積された電荷を保持する。
極間にＶＥＬの電位差を与えることでＥＬ素子４０２を発光させる。次に第２の信号線電
位によってＳＷ−１Ｔｒ５０１をオン状態にする。これによりＥＬ素子４０２に印加され
る電位差に応じた電荷がＣｓ５０３に蓄積されるとともにＳＷ−２Ｔｒ５０２のゲートに
もＥＬ素子４０２の一方の電極電位が印加され、ＳＷ−２Ｔｒ５０２がオン状態となる。
Ｃｓ５０３に電荷が蓄積された後はＳＷ−１Ｔｒ５０１をオフ状態にしてＣｓ５０３に蓄
積された電荷を保持する。
次に第１の信号線電位Ｖｇ１によって駆動Ｔｒ４０１をオフ状態としＥＬ素子４０２を
消光する。その後、第３の信号線電位Ｖｇ３によってＳＷ−３Ｔｒ５０４をオン状態にす
る。これによりＥＬ素子４０２の一方の電極電位を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）
として信号検出回路に送る。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶する
メモリ素子として働き、ＥＬ素子４０２が発光しない状態においても、第３の信号端子４
１０の電位によってＥＬ素子の電極間の電位差を信号検出回路に送ることができる。図３
（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥ
Ｌ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターして
ΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ＞
ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前
の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域に
することができる。図８にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧
した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
消光する。その後、第３の信号線電位Ｖｇ３によってＳＷ−３Ｔｒ５０４をオン状態にす
る。これによりＥＬ素子４０２の一方の電極電位を信号電流または信号電位（Ｖｏｕｔ）
として信号検出回路に送る。ここで、Ｃｓ５０３はＥＬ素子の電極間の電位差を記憶する
メモリ素子として働き、ＥＬ素子４０２が発光しない状態においても、第３の信号端子４
１０の電位によってＥＬ素子の電極間の電位差を信号検出回路に送ることができる。図３
（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥ
Ｌ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターして
ΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位をΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ＞
ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前
の輝度に戻すことができる。例えば線形領域にある駆動Ｔｒ４０１の動作点を飽和領域に
することができる。図８にはＥＬ素子を発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧
した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する様子が示されている。
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行う
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
駆動Ｔｒ４０１、ＳＷ−１Ｔｒ５０１、ＳＷ−２Ｔｒ５０２、ＳＷ−３Ｔｒ５０４の極
性はＮ型でもＰ型でもよい。
性はＮ型でもＰ型でもよい。
本回路はＥＬ素子に流れる電流またはＥＬ素子の発光輝度を低下させることがない。信
号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に、すなわち表示に影響しない。またＳＷ
−３Ｔｒ５０４を設けることにより、複数のＥＬ素子がある場合、個々のＥＬ素子に印加
される電圧を個々に検出することができ、複数のＥＬ素子の劣化による輝度の低下をＥＬ
素子ごとに補正することができる。
号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ素子の発光に、すなわち表示に影響しない。またＳＷ
−３Ｔｒ５０４を設けることにより、複数のＥＬ素子がある場合、個々のＥＬ素子に印加
される電圧を個々に検出することができ、複数のＥＬ素子の劣化による輝度の低下をＥＬ
素子ごとに補正することができる。
（実施の形態３）
本発明を複数の画素を有し、各画素にＥＬ素子が配置されているアクティブマトリクス
表示装置に適用した場合を説明する。
本発明を複数の画素を有し、各画素にＥＬ素子が配置されているアクティブマトリクス
表示装置に適用した場合を説明する。
図９の回路は、駆動Ｔｒ６０１、ＥＬ素子６０２、ＳＷ−１Ｔｒ６０４、ＳＷ−２Ｔｒ
６０６、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５、第４のトランジスタ（ＳＷ−４Ｔｒ）６０７、第２
の蓄積容量Ｃｓ６０８、第１の走査線６１０、第２の走査線６１２、信号線６０９、電源
線６１１を有している。電源線６１１には電源の高電位側の電位（電源電位、Ｖｄｄ）が
与えられている。電源端子６０３は低電位側の電位（基準電位）が与えられ、その電位は
ＥＬ素子６０２の基準電位（Ｖｃｏｍ）となる。
６０６、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５、第４のトランジスタ（ＳＷ−４Ｔｒ）６０７、第２
の蓄積容量Ｃｓ６０８、第１の走査線６１０、第２の走査線６１２、信号線６０９、電源
線６１１を有している。電源線６１１には電源の高電位側の電位（電源電位、Ｖｄｄ）が
与えられている。電源端子６０３は低電位側の電位（基準電位）が与えられ、その電位は
ＥＬ素子６０２の基準電位（Ｖｃｏｍ）となる。
ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートは第１の走査線６１０に電気的に接続され、ソース及びド
レインの一方は信号線６０９に電気的に接続され、他方は駆動Ｔｒ６０１のゲート及び第
２の蓄積容量Ｃｓ６０８の一方の電極に電気的に接続されている。駆動Ｔｒ６０１のソー
ス及びドレインの一方は電源線６１１及び第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の他方の電極に電気
的に接続され、他方はＳＷ−１Ｔｒ６０４のソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子６
０２の一方の電極に電気的に接続されている。ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートは第１の走査
線６１０に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５
の一方の電極及びＳＷ−２Ｔｒ６０６のソース及びドレインの一方に電気的に接続されて
いる。第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の他方の電極はＥＬ素子６０２の他方の電極及び電源端
子６０３に電気的に接続されている。ＳＷ−２Ｔｒ６０６のゲートは第２の走査線６１２
に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されてい
る。
レインの一方は信号線６０９に電気的に接続され、他方は駆動Ｔｒ６０１のゲート及び第
２の蓄積容量Ｃｓ６０８の一方の電極に電気的に接続されている。駆動Ｔｒ６０１のソー
ス及びドレインの一方は電源線６１１及び第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の他方の電極に電気
的に接続され、他方はＳＷ−１Ｔｒ６０４のソース及びドレインの一方並びにＥＬ素子６
０２の一方の電極に電気的に接続されている。ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートは第１の走査
線６１０に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５
の一方の電極及びＳＷ−２Ｔｒ６０６のソース及びドレインの一方に電気的に接続されて
いる。第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の他方の電極はＥＬ素子６０２の他方の電極及び電源端
子６０３に電気的に接続されている。ＳＷ−２Ｔｒ６０６のゲートは第２の走査線６１２
に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されてい
る。
破線で囲んだ回路内のＳＷ−２Ｔｒ６０６は第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄えられた電
荷を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。これによりある画素のＥＬ素子
の両電極間に印加される電位差を検出することができる。検出されたＥＬ素子に印加され
る電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の基準電位を調整すればＥＬ素子の劣化による輝度
の低下を補正することができる。尚、破線で囲んだ回路は画素毎に設ける必要はなく、列
毎または行毎に設定すればよい。
荷を信号電流または信号電位として信号検出回路に送る。これによりある画素のＥＬ素子
の両電極間に印加される電位差を検出することができる。検出されたＥＬ素子に印加され
る電位差の変動量を考慮してＥＬ素子の基準電位を調整すればＥＬ素子の劣化による輝度
の低下を補正することができる。尚、破線で囲んだ回路は画素毎に設ける必要はなく、列
毎または行毎に設定すればよい。
図１０に示す１フレーム期間におけるタイミングチャートを用いて図９の回路の動作を
説明する。ＳＷ−４Ｔｒ６０７は信号線６０９の電位を駆動Ｔｒ６０１及び第２の蓄積容
量Ｃｓ６０８に入力するスイッチとして機能する。そして駆動Ｔｒ６０１はＥＬ素子６０
２に電流を供給するスイッチとして機能する。Ｖｇ１は第１の走査線６１０の電位を表し
、Ｖｇ１がＳＷ−４Ｔｒ６０７のしきい値電圧より大きい場合、ＳＷ−４Ｔｒ６０７はオ
ン状態となり信号線６０９の電位を駆動Ｔｒ６０１のゲートに与える（信号の書き込み）
。このとき同時に第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の電極にも信号線６０９の電位が与えられる
。第２の蓄積容量Ｃｓ６０８は駆動Ｔｒ６０１のゲート電位を保持する。駆動Ｔｒ６０１
のゲートとソース間またはゲートとドレイン間の寄生容量が大きい場合には第２の蓄積容
量Ｃｓ６０８は設けなくてもよい。Ｖｇ１がＳＷ−４Ｔｒ６０７の閾値電圧より小さい場
合、ＳＷ−４Ｔｒ６０７はオフ状態となり信号線６０９の電位（Ｖｓｉｇ）は駆動Ｔｒ６
０１のゲートには与えられない。このときは第２の蓄積容量Ｃｓ６０８に保持された電位
が駆動Ｔｒ６０１のゲートに印加される（信号の保持）。
説明する。ＳＷ−４Ｔｒ６０７は信号線６０９の電位を駆動Ｔｒ６０１及び第２の蓄積容
量Ｃｓ６０８に入力するスイッチとして機能する。そして駆動Ｔｒ６０１はＥＬ素子６０
２に電流を供給するスイッチとして機能する。Ｖｇ１は第１の走査線６１０の電位を表し
、Ｖｇ１がＳＷ−４Ｔｒ６０７のしきい値電圧より大きい場合、ＳＷ−４Ｔｒ６０７はオ
ン状態となり信号線６０９の電位を駆動Ｔｒ６０１のゲートに与える（信号の書き込み）
。このとき同時に第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の電極にも信号線６０９の電位が与えられる
。第２の蓄積容量Ｃｓ６０８は駆動Ｔｒ６０１のゲート電位を保持する。駆動Ｔｒ６０１
のゲートとソース間またはゲートとドレイン間の寄生容量が大きい場合には第２の蓄積容
量Ｃｓ６０８は設けなくてもよい。Ｖｇ１がＳＷ−４Ｔｒ６０７の閾値電圧より小さい場
合、ＳＷ−４Ｔｒ６０７はオフ状態となり信号線６０９の電位（Ｖｓｉｇ）は駆動Ｔｒ６
０１のゲートには与えられない。このときは第２の蓄積容量Ｃｓ６０８に保持された電位
が駆動Ｔｒ６０１のゲートに印加される（信号の保持）。
信号線６０９の電位が駆動Ｔｒ６０１のしきい値電圧よりも大きい場合、駆動Ｔｒ６０
１はオン状態となって、電源線６１１の電位がＥＬ素子６０２の一方の電極に与えられる
。その結果、ＥＬ素子が発光する。一方、信号線６０９の電位が駆動Ｔｒ６０１のしきい
値電圧よりも小さい場合、駆動Ｔｒ６０１はオフ状態となって電源線６１１の電位はＥＬ
素子６０２には印加されず、ＥＬ素子６０２は発光しない。
１はオン状態となって、電源線６１１の電位がＥＬ素子６０２の一方の電極に与えられる
。その結果、ＥＬ素子が発光する。一方、信号線６０９の電位が駆動Ｔｒ６０１のしきい
値電圧よりも小さい場合、駆動Ｔｒ６０１はオフ状態となって電源線６１１の電位はＥＬ
素子６０２には印加されず、ＥＬ素子６０２は発光しない。
ＳＷ−１Ｔｒ６０４はＳＷ−４Ｔｒ６０７と同期して動作させるものとし、ＳＷ−１Ｔ
ｒ６０４とＳＷ−４Ｔｒ６０７は互いに同じ導電型（Ｎ型またはＰ型）のトランジスタと
する。従って、ＳＷ−４Ｔｒ６０７がオン状態のときＳＷ−１Ｔｒ６０４もオン状態とな
り、このときＥＬ素子６０２に印加される電位差に応じた電荷が第１の蓄積容量Ｃｓ６０
５に蓄積される。
ｒ６０４とＳＷ−４Ｔｒ６０７は互いに同じ導電型（Ｎ型またはＰ型）のトランジスタと
する。従って、ＳＷ−４Ｔｒ６０７がオン状態のときＳＷ−１Ｔｒ６０４もオン状態とな
り、このときＥＬ素子６０２に印加される電位差に応じた電荷が第１の蓄積容量Ｃｓ６０
５に蓄積される。
保持期間では第１の走査線６１０の電位によってＳＷ−４Ｔｒ６０７およびＳＷ−１Ｔ
ｒ６０４をオフ状態とする。このとき破線で囲んだ回路の、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に
接続されたＳＷ−２Ｔｒ６０６がオフ状態にあれば第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積され
た電荷は保持される。すなわち、先の書き込み時においてＥＬ素子６０２に印加された電
位が第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に保持される。そして保持期間内でＳＷ−２Ｔｒ６０６を
オン状態とすれば第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積された電荷を信号電流または信号電位
として信号検出回路に送ることができる。図３（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると
、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回
路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターしてΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位を
ΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ＞ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に
流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。例えば線形領
域にある駆動Ｔｒ６０１の動作点を飽和領域にすることができる。図１０にはＥＬ素子を
発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する
様子が示されている。
ｒ６０４をオフ状態とする。このとき破線で囲んだ回路の、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に
接続されたＳＷ−２Ｔｒ６０６がオフ状態にあれば第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積され
た電荷は保持される。すなわち、先の書き込み時においてＥＬ素子６０２に印加された電
位が第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に保持される。そして保持期間内でＳＷ−２Ｔｒ６０６を
オン状態とすれば第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積された電荷を信号電流または信号電位
として信号検出回路に送ることができる。図３（Ｂ）に示すようにＥＬ素子が劣化すると
、ＥＬ素子に印加される電圧はΔＶＥＬ＝ＶＥＬ’−ＶＥＬだけ大きくなる。信号検出回
路はＥＬ素子に印加される電圧をモニターしてΔＶＥＬを計算し、ＥＬ素子の基準電位を
ΔＶｃｏｍ昇圧させる。ただし、ΔＶｃｏｍ＞ΔＶＥＬとする。これによってＥＬ素子に
流れる電流を回復させ、ＥＬ素子が劣化する前の輝度に戻すことができる。例えば線形領
域にある駆動Ｔｒ６０１の動作点を飽和領域にすることができる。図１０にはＥＬ素子を
発光させる次のタイミングでΔＶｃｏｍだけ昇圧した電圧をＥＬ素子の電極間に印加する
様子が示されている。
ＳＷ−２Ｔｒ６０６のオン／オフ状態は第２の走査線６１２の電位Ｖｇ２を変えること
で切り替えることができ、Ｖｇ２がＳＷ−２Ｔｒ６０６のしきい値電圧よりも大きい場合
、ＳＷ−２Ｔｒ６０６はオン状態となり、小さい場合、オフ状態となる。この回路構成と
することで保持期間においてＥＬ素子６０２に印加される電圧を検出することができるた
め、ＥＬ素子６０２に流れる電流またはＥＬ素子６０２の発光輝度を低下させることなく
ＥＬ素子６０２の輝度の補正を行うことができる。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ
素子の発光に、すなわち表示に影響しない。
で切り替えることができ、Ｖｇ２がＳＷ−２Ｔｒ６０６のしきい値電圧よりも大きい場合
、ＳＷ−２Ｔｒ６０６はオン状態となり、小さい場合、オフ状態となる。この回路構成と
することで保持期間においてＥＬ素子６０２に印加される電圧を検出することができるた
め、ＥＬ素子６０２に流れる電流またはＥＬ素子６０２の発光輝度を低下させることなく
ＥＬ素子６０２の輝度の補正を行うことができる。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ
素子の発光に、すなわち表示に影響しない。
ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートとＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の走査線に接続して
制御していたが、異なる走査線で制御してもよい（図１１）。
制御していたが、異なる走査線で制御してもよい（図１１）。
図１１の回路は、ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートを第３の走査線６１３に電気的に接続し
て制御し、ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の走査線６１０に電気的に接続して制御す
る。これによりＳＷ−１Ｔｒ６０４をオン状態にする期間を、ＥＬ素子６０２が発光して
いる期間の中で自由に設定することができる。またＳＷ−１Ｔｒ６０４とＳＷ−４Ｔｒ６
０７とは、互いに異なる導電型のトランジスタとすることができる。
て制御し、ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の走査線６１０に電気的に接続して制御す
る。これによりＳＷ−１Ｔｒ６０４をオン状態にする期間を、ＥＬ素子６０２が発光して
いる期間の中で自由に設定することができる。またＳＷ−１Ｔｒ６０４とＳＷ−４Ｔｒ６
０７とは、互いに異なる導電型のトランジスタとすることができる。
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行う
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
（実施の形態４）
実施の形態３の回路では、第１の蓄積容量に蓄積された電荷を、第２のトランジスタを
通して、信号電流または信号電位として信号検出回路に送っている。この第１の蓄積容量
に保持された電位を第３のトランジスタを介して信号検出回路に送ってもよい（図１２）
。
実施の形態３の回路では、第１の蓄積容量に蓄積された電荷を、第２のトランジスタを
通して、信号電流または信号電位として信号検出回路に送っている。この第１の蓄積容量
に保持された電位を第３のトランジスタを介して信号検出回路に送ってもよい（図１２）
。
図１２の回路は、駆動Ｔｒ６０１、ＥＬ素子６０２、ＳＷ−１Ｔｒ６０４、ＳＷ−２Ｔ
ｒ６０６、ＳＷ−３Ｔｒ６１４、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５、ＳＷ−４Ｔｒ６０７、第２
の蓄積容量Ｃｓ６０８、第１の走査線６１０、第２の走査線６１２、信号線６０９、電源
線６１１を有している。電源線６１１には電源の高電位側の電位（電源電位、Ｖｄｄ）が
与えられている。６０３は電源端子を表し、電源の低電位側の電位（基準電位）が与えら
れ、その電位はＥＬ素子６０２の基準電位（Ｖｃｏｍ）となる。
ｒ６０６、ＳＷ−３Ｔｒ６１４、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５、ＳＷ−４Ｔｒ６０７、第２
の蓄積容量Ｃｓ６０８、第１の走査線６１０、第２の走査線６１２、信号線６０９、電源
線６１１を有している。電源線６１１には電源の高電位側の電位（電源電位、Ｖｄｄ）が
与えられている。６０３は電源端子を表し、電源の低電位側の電位（基準電位）が与えら
れ、その電位はＥＬ素子６０２の基準電位（Ｖｃｏｍ）となる。
ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートは第１の走査線６１０に電気的に接続され、ソース及びド
レインの一方は信号線６０９に電気的に接続され、他方は駆動Ｔｒ６０１のゲート及び第
２の蓄積容量Ｃｓ６０８の一方の電極に電気的に接続されている。駆動Ｔｒ６０１のソー
ス及びドレインの一方は電源線６１１及び第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の他方の電極に電気
的に接続され、他方はＳＷ−１Ｔｒ６０４のソース及びドレインの一方及びＥＬ素子６０
２の一方の電極に電気的に接続されている。ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートは第１の走査線
６１０に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の
一方の電極及びＳＷ−３Ｔｒ６１４のゲートに電気的に接続されている。第１の蓄積容量
Ｃｓ６０５の他方の電極はＥＬ素子６０２の他方の電極及び電源端子６０３に電気的に接
続されている。ＳＷ−３Ｔｒ６１４のソース及びドレインの一方は電源線６１１に電気的
に接続され、他方はＳＷ−２Ｔｒ６０６のソース及びドレインの一方に電気的に接続され
ている。ＳＷ−２Ｔｒ６０６のゲートは第２の走査線６１２に電気的に接続され、ソース
及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。
レインの一方は信号線６０９に電気的に接続され、他方は駆動Ｔｒ６０１のゲート及び第
２の蓄積容量Ｃｓ６０８の一方の電極に電気的に接続されている。駆動Ｔｒ６０１のソー
ス及びドレインの一方は電源線６１１及び第２の蓄積容量Ｃｓ６０８の他方の電極に電気
的に接続され、他方はＳＷ−１Ｔｒ６０４のソース及びドレインの一方及びＥＬ素子６０
２の一方の電極に電気的に接続されている。ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートは第１の走査線
６１０に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方は、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の
一方の電極及びＳＷ−３Ｔｒ６１４のゲートに電気的に接続されている。第１の蓄積容量
Ｃｓ６０５の他方の電極はＥＬ素子６０２の他方の電極及び電源端子６０３に電気的に接
続されている。ＳＷ−３Ｔｒ６１４のソース及びドレインの一方は電源線６１１に電気的
に接続され、他方はＳＷ−２Ｔｒ６０６のソース及びドレインの一方に電気的に接続され
ている。ＳＷ−２Ｔｒ６０６のゲートは第２の走査線６１２に電気的に接続され、ソース
及びドレインの他方は信号検出回路に電気的に接続されている。
図１２の回路には、第１の蓄積容量Ｃｓ６０５の一方の電極電位またはＥＬ素子６０２
の一方の電極の電位を劣化（ノイズ）を抑えて信号検出回路に送る働きをするＳＷ−３Ｔ
ｒ６１４が設けられている。ＳＷ−１Ｔｒ６０４がオン状態のとき、第１の蓄積容量Ｃｓ
６０５にＥＬ素子６０２の電位差に応じた電荷が蓄積される。そしてＳＷ−３Ｔｒ６１４
のゲートにもＥＬ素子６０２の一方の電極の電位が与えられる。次に第１の走査線６１０
の電位によって第１のトランジスタ６０４をオフ状態とする。すなわち保持期間にする。
これにより第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積された電荷を保持することができる。
の一方の電極の電位を劣化（ノイズ）を抑えて信号検出回路に送る働きをするＳＷ−３Ｔ
ｒ６１４が設けられている。ＳＷ−１Ｔｒ６０４がオン状態のとき、第１の蓄積容量Ｃｓ
６０５にＥＬ素子６０２の電位差に応じた電荷が蓄積される。そしてＳＷ−３Ｔｒ６１４
のゲートにもＥＬ素子６０２の一方の電極の電位が与えられる。次に第１の走査線６１０
の電位によって第１のトランジスタ６０４をオフ状態とする。すなわち保持期間にする。
これにより第１の蓄積容量Ｃｓ６０５に蓄積された電荷を保持することができる。
次にＳＷ−２Ｔｒ６０６をオン状態にすれば保持期間において第１の蓄積容量Ｃｓ６０
５の一方の電極の電位を信号検出回路に送ることができるためＥＬ素子に流れる電流また
はＥＬ素子の発光輝度を低下させることなく、検出されたＥＬ素子の電位差の変動量を考
慮してＥＬ素子６０２に接続された電源端子の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子
の劣化による輝度の低下を補正することができる。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ
素子の発光に、すなわち表示に影響しない。
５の一方の電極の電位を信号検出回路に送ることができるためＥＬ素子に流れる電流また
はＥＬ素子の発光輝度を低下させることなく、検出されたＥＬ素子の電位差の変動量を考
慮してＥＬ素子６０２に接続された電源端子の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整し、ＥＬ素子
の劣化による輝度の低下を補正することができる。信号検出回路側の入力負荷が直接ＥＬ
素子の発光に、すなわち表示に影響しない。
なお、図９の回路の信号検出回路側に各画素に共通のＳＷ−３Ｔｒ６１４と同様な機能
を持つ回路を設けてもよいが、画素毎に信号を増幅してから信号検出回路に送った方が信
号のノイズを小さくすることができる。
を持つ回路を設けてもよいが、画素毎に信号を増幅してから信号検出回路に送った方が信
号のノイズを小さくすることができる。
ＳＷ−３Ｔｒ６１４の導電型は、電源線６１１の電位が正のときはＮ型とし、電源線６
１１の電位が負のときはＰ型とする。これによりＳＷ−３Ｔｒ６１４を増幅用のソースフ
ォロワとして用いることができる。
１１の電位が負のときはＰ型とする。これによりＳＷ−３Ｔｒ６１４を増幅用のソースフ
ォロワとして用いることができる。
図１２の回路ではＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートとＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の
走査線に電気的に接続して制御しているが、異なる走査線で制御してもよい（図１３）。
走査線に電気的に接続して制御しているが、異なる走査線で制御してもよい（図１３）。
図１３の回路は、ＳＷ−１Ｔｒ６０４のゲートを第３の走査線６１３に電気的に接続し
て制御し、ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の走査線６１０に電気的に接続して制御す
る。これによりＳＷ−１Ｔｒ６０４をオン状態にする期間を、ＥＬ素子６０２が発光して
いる期間の中で自由に設定することができる。またＳＷ−１Ｔｒ６０４とＳＷ−４Ｔｒ６
０７とは、互いに異なる導電型のトランジスタとすることができる。
て制御し、ＳＷ−４Ｔｒ６０７のゲートを第１の走査線６１０に電気的に接続して制御す
る。これによりＳＷ−１Ｔｒ６０４をオン状態にする期間を、ＥＬ素子６０２が発光して
いる期間の中で自由に設定することができる。またＳＷ−１Ｔｒ６０４とＳＷ−４Ｔｒ６
０７とは、互いに異なる導電型のトランジスタとすることができる。
補正の基準となる劣化前のＥＬ素子の電極間の電位差の検出は任意のタイミングで行う
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
ことができる。例えば電源投入時に検出する、一定期間ごとに検出するなどでもよい。
（実施の形態５）
図９に示した回路を用いたアクティブマトリクス回路を図１４に示す。スイッチングト
ランジスタ（ＳＷ−４Ｔｒ）６０７を選択する第１の走査線駆動回路６５２、信号線６０
９の電位を制御する信号線駆動回路６５１、ＳＷ−２Ｔｒ６０６を選択する第２の走査線
駆動回路６５３、電源回路６５０、信号検出回路６５４を有する。信号検出回路６５４は
、検出されたＥＬ素子の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子６０２に接続された第２の電
源線６５５の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。この回路では
複数のＥＬ素子の第２の電源端子を第２の電源線６５５に接続し共通化している。したが
って図１４は行毎に電源線電位を変えることが可能な回路の例である。点線は一つの画素
を示している。
図９に示した回路を用いたアクティブマトリクス回路を図１４に示す。スイッチングト
ランジスタ（ＳＷ−４Ｔｒ）６０７を選択する第１の走査線駆動回路６５２、信号線６０
９の電位を制御する信号線駆動回路６５１、ＳＷ−２Ｔｒ６０６を選択する第２の走査線
駆動回路６５３、電源回路６５０、信号検出回路６５４を有する。信号検出回路６５４は
、検出されたＥＬ素子の電位差の変動量を考慮してＥＬ素子６０２に接続された第２の電
源線６５５の電位を調整し、ＥＬ素子の劣化による輝度の低下を補正する。この回路では
複数のＥＬ素子の第２の電源端子を第２の電源線６５５に接続し共通化している。したが
って図１４は行毎に電源線電位を変えることが可能な回路の例である。点線は一つの画素
を示している。
複数の画素に図９の回路を組み込み、その画素から適宜ＥＬ素子６０２の電位差を検出
し、第２の電源線６５５の電位、すなわちＥＬ素子６０２の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整
する。なお電源線６１１の設け方はこれに限らず、行毎に共通化してもよいし、複数の電
源線を共通にしてもよい。ＥＬ素子の電位差を検出する図９、１０、１１、１２または１
３のような回路をマトリクス内に複数個設けることで複数のＥＬ素子の電位差の分布を検
出することができる。電位差を考慮し、複数のＥＬ素子それぞれの基準電位を調整するこ
とでパネル面内の輝度のばらつきを補償することができる。
し、第２の電源線６５５の電位、すなわちＥＬ素子６０２の基準電位（Ｖｃｏｍ）を調整
する。なお電源線６１１の設け方はこれに限らず、行毎に共通化してもよいし、複数の電
源線を共通にしてもよい。ＥＬ素子の電位差を検出する図９、１０、１１、１２または１
３のような回路をマトリクス内に複数個設けることで複数のＥＬ素子の電位差の分布を検
出することができる。電位差を考慮し、複数のＥＬ素子それぞれの基準電位を調整するこ
とでパネル面内の輝度のばらつきを補償することができる。
ＥＬ素子の電位差を検出する図９、１０、１１、１２または１３のような回路を全画素
に設けてもよい。
に設けてもよい。
検出された電位差に基づいてＥＬ素子の基準電位を補正するが、補正値は最も劣化した
ＥＬ素子の値に合わせて決めてもよい。また複数のＥＬ素子の補正値から平均値を求め、
その平均値に基づいて、各ＥＬ素子の基準電位を補正してもよい。最も劣化したＥＬ素子
の補正値に合わせる場合は確実に全画素のＥＬ素子の駆動を飽和領域に戻すことができる
が消費電力は大きくなる。一方、複数のＥＬ素子の補正値の平均値で全画素の補正値を決
める場合には全画素のＥＬ素子の駆動を全ては飽和領域に戻すことはできないが消費電力
の上昇は抑えられる。基準電位を補正する値はパネルの表示に要求される規格に応じて決
めればよい。
ＥＬ素子の値に合わせて決めてもよい。また複数のＥＬ素子の補正値から平均値を求め、
その平均値に基づいて、各ＥＬ素子の基準電位を補正してもよい。最も劣化したＥＬ素子
の補正値に合わせる場合は確実に全画素のＥＬ素子の駆動を飽和領域に戻すことができる
が消費電力は大きくなる。一方、複数のＥＬ素子の補正値の平均値で全画素の補正値を決
める場合には全画素のＥＬ素子の駆動を全ては飽和領域に戻すことはできないが消費電力
の上昇は抑えられる。基準電位を補正する値はパネルの表示に要求される規格に応じて決
めればよい。
本発明のＥＬ素子の駆動電圧を補償する回路を用いれば、ＥＬ素子の劣化により移動し
た駆動動作点を劣化前の動作点に戻すことができるためＥＬ素子の劣化による輝度の低下
を補償することができる。さらに飽和領域にあるＥＬ素子の動作点をできるだけ線形領域
に近づけることができる。これにより駆動トランジスタに印加されるソースとドレイン間
の電圧が低減され、駆動トランジスタの信頼性をも向上させることができる。またＥＬ素
子の発光輝度を保持することができる。
た駆動動作点を劣化前の動作点に戻すことができるためＥＬ素子の劣化による輝度の低下
を補償することができる。さらに飽和領域にあるＥＬ素子の動作点をできるだけ線形領域
に近づけることができる。これにより駆動トランジスタに印加されるソースとドレイン間
の電圧が低減され、駆動トランジスタの信頼性をも向上させることができる。またＥＬ素
子の発光輝度を保持することができる。
本発明は表示画素内や表示画素周囲にＥＬ素子をモニターする画素を設ける場合とは異
なる。よって表示に寄与しない画素を設ける必要がない。また表示に寄与しない画素では
なく、表示に寄与する画素に基づいて補正するため高精度なＥＬ素子の輝度補正が可能で
ある。
なる。よって表示に寄与しない画素を設ける必要がない。また表示に寄与しない画素では
なく、表示に寄与する画素に基づいて補正するため高精度なＥＬ素子の輝度補正が可能で
ある。
（実施の形態６）
本発明の発光装置の断面図を図１５に示す。代表して、第１のトランジスタ７００、蓄
積容量７０１、ＥＬ素子７０２を示している。
本発明の発光装置の断面図を図１５に示す。代表して、第１のトランジスタ７００、蓄
積容量７０１、ＥＬ素子７０２を示している。
図１５では、トップゲート型の薄膜トランジスタを示しているが、駆動トランジスタ、
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタに
はボトムゲート型またはトップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いることがで
きる。
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、第４のトランジスタに
はボトムゲート型またはトップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いることがで
きる。
ＴＦＴの半導体層７０３にはＳｉのような半導体、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓのような化合物
半導体、ＺｎＯなどの酸化物半導体、といった無機半導体を用いることができる。無機半
導体はアモルファス、微結晶、結晶または単結晶のいずれであってもよい。またペンタセ
ン、オリゴチオフェン等の有機半導体を用いてもよい。半導体層７０３はＣＶＤ法、スパ
ッタ法等で形成する。またアモルファス状態の半導体膜を結晶化する場合はレーザー結晶
化方法、熱結晶化方法等を用いることができる。
半導体、ＺｎＯなどの酸化物半導体、といった無機半導体を用いることができる。無機半
導体はアモルファス、微結晶、結晶または単結晶のいずれであってもよい。またペンタセ
ン、オリゴチオフェン等の有機半導体を用いてもよい。半導体層７０３はＣＶＤ法、スパ
ッタ法等で形成する。またアモルファス状態の半導体膜を結晶化する場合はレーザー結晶
化方法、熱結晶化方法等を用いることができる。
ＴＦＴはＮ型又はＰ型のＴＦＴのどちらでもよい。不純物領域７０４はＮ型又はＰ型の
不純物領域である。不純物の添加はイオンドープ法等を用いることができる。
不純物領域である。不純物の添加はイオンドープ法等を用いることができる。
ゲート絶縁膜７０５は、酸化珪素膜（ＳｉＯ２）、酸化窒化珪素膜（ＳｉＯＮ）、窒化
酸化珪素膜（ＳｉＮＯ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３）、
チタン酸バリウム膜（ＢａＴｉＯ３）などの絶縁膜を用いることができる。またハフニウ
ム系酸化窒化珪素膜（ＨｆＳｉＯＮ）、イットリウム酸化膜（Ｙ２Ｏ３）などの高誘電率
絶縁膜を用いてもよい。ゲート絶縁膜７０５は熱酸化、プラズマ酸化、ＣＶＤ法、スパッ
タ法を用いて形成できる。
酸化珪素膜（ＳｉＮＯ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３）、
チタン酸バリウム膜（ＢａＴｉＯ３）などの絶縁膜を用いることができる。またハフニウ
ム系酸化窒化珪素膜（ＨｆＳｉＯＮ）、イットリウム酸化膜（Ｙ２Ｏ３）などの高誘電率
絶縁膜を用いてもよい。ゲート絶縁膜７０５は熱酸化、プラズマ酸化、ＣＶＤ法、スパッ
タ法を用いて形成できる。
ゲート電極７０６、ソース電極７０７またはドレイン電極７０７等の電極、走査線、信
号線等の配線はタングステン、アルミニウム、チタン、タンタル等の単層膜およびそれら
の組み合わせによる多層膜を用いることができる。電極、配線はスパッタ法で金属膜を形
成し、エッチングにより金属膜を加工して形成できる。また銀、金等のメタルナノペース
トを液滴吐出法により形成することもできる。
号線等の配線はタングステン、アルミニウム、チタン、タンタル等の単層膜およびそれら
の組み合わせによる多層膜を用いることができる。電極、配線はスパッタ法で金属膜を形
成し、エッチングにより金属膜を加工して形成できる。また銀、金等のメタルナノペース
トを液滴吐出法により形成することもできる。
蓄積容量７０１はＴＦＴと同じＮ型又はＰ型の不純物が添加された半導体層を一方の電
極７０８、ゲート電極と同じ層で形成された電極を他方の電極７０９、ゲート絶縁膜７０
５によって形成することができる。蓄積容量７０１の他方の電極７０９はＥＬ素子の他方
の電極７１３に電気的に接続されている（図示しない）。
極７０８、ゲート電極と同じ層で形成された電極を他方の電極７０９、ゲート絶縁膜７０
５によって形成することができる。蓄積容量７０１の他方の電極７０９はＥＬ素子の他方
の電極７１３に電気的に接続されている（図示しない）。
ＴＦＴ、蓄積容量を覆う絶縁膜７１０としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜等の無機絶縁
膜、アクリル樹脂等の有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜はＣＶＤ法、スパッ
タ法にて形成でき、有機絶縁膜はスピンコート法にて形成できる。
膜、アクリル樹脂等の有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜はＣＶＤ法、スパッ
タ法にて形成でき、有機絶縁膜はスピンコート法にて形成できる。
ＥＬ素子７０２は一方の電極７１１、発光層７１２、他方の電極７１３を有する。有機
ＥＬ又は無機ＥＬを用いることができる。
ＥＬ又は無機ＥＬを用いることができる。
有機ＥＬの場合、蛍光発光の材料、燐光発光の材料を用いることができる。発光材料は
低分子材料または高分子材料を用いることができる。
低分子材料または高分子材料を用いることができる。
発光層７１２は必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層を設け
る。発光材料をホスト材料中にドープして用いることもできる。
る。発光材料をホスト材料中にドープして用いることもできる。
無機ＥＬの場合、ＺｎＯ，ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ，ＺｎＳ，ＺｎＴｅ，ＣｄＳなどの半導
体を用いることができる。
体を用いることができる。
発光層は蒸着法、スピンコート法、液滴吐出法等により形成する。
電極７１１、７１３はＡｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｗ、インジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）等の金属膜や透明導電膜を用いることができる。またはそれらの単層膜およびそれら
の組み合わせによる多層膜を使うことができる。スパッタ法、蒸着法等により形成する。
Ｏ）等の金属膜や透明導電膜を用いることができる。またはそれらの単層膜およびそれら
の組み合わせによる多層膜を使うことができる。スパッタ法、蒸着法等により形成する。
隔壁７１４を絶縁膜で形成してもよい。
基板７１５はガラス、プラスチック、ペーパー等を使うことができる。
（実施の形態７）
本発明の発光装置には様々な用途がある。本実施例では、本発明の適用が可能な電子機
器の例について説明する。
本発明の発光装置には様々な用途がある。本実施例では、本発明の適用が可能な電子機
器の例について説明する。
このような電子機器には、携帯情報端末（電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話
等）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ等が挙げられる
。それらの一例を図１６に示す。
等）、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ等が挙げられる
。それらの一例を図１６に示す。
図１６（Ａ）はＥＬディスプレイであり、筐体３３０１、支持台３３０２、表示部３３
０３等を含む。本発明の発光装置は表示部３３０３にて用いることが出来る。
０３等を含む。本発明の発光装置は表示部３３０３にて用いることが出来る。
図１６（Ｂ）はビデオカメラであり、本体３３１１、表示部３３１２、音声入力部３３
１３、操作スイッチ３３１４、バッテリー３３１５、受像部３３１６等を含む。本発明の
発光装置は表示部３３１２にて用いることが出来る。
１３、操作スイッチ３３１４、バッテリー３３１５、受像部３３１６等を含む。本発明の
発光装置は表示部３３１２にて用いることが出来る。
図１６（Ｃ）はパーソナルコンピュータであり、本体３３２１、筐体３３２２、表示部
３３２３、キーボード３３２４等を含む。本発明の発光装置は表示部３３２３にて用いる
ことが出来る。
３３２３、キーボード３３２４等を含む。本発明の発光装置は表示部３３２３にて用いる
ことが出来る。
図１６（Ｄ）は携帯情報端末であり、本体３３３１、スタイラス３３３２、表示部３３
３３、操作ボタン３３３４、外部インターフェイス３３３５等を含む。本発明の発光装置
は表示部３３３３にて用いることが出来る。
３３、操作ボタン３３３４、外部インターフェイス３３３５等を含む。本発明の発光装置
は表示部３３３３にて用いることが出来る。
図１６（Ｅ）は携帯電話であり、本体３４０１、音声出力部３４０２、音声入力部３４
０３、表示部３４０４、操作スイッチ３４０５、アンテナ３４０６を含む。本発明の発光
装置は表示部３４０４にて用いることが出来る。
０３、表示部３４０４、操作スイッチ３４０５、アンテナ３４０６を含む。本発明の発光
装置は表示部３４０４にて用いることが出来る。
図１６（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体３５０１、表示部（Ａ）３５０２、接眼部
３５０３、操作スイッチ３５０４、表示部（Ｂ）３５０５、バッテリー３５０６を含む。
本発明の発光装置は、表示部（Ａ）３５０２、表示部（Ｂ）３５０５にて用いることが出
来る。
３５０３、操作スイッチ３５０４、表示部（Ｂ）３５０５、バッテリー３５０６を含む。
本発明の発光装置は、表示部（Ａ）３５０２、表示部（Ｂ）３５０５にて用いることが出
来る。
図１７は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた例であ
る。本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いること
ができる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用
いた部屋に、本発明に係るテレビ装置３００２を設置して公共放送や映画を鑑賞すること
ができる。
る。本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いること
ができる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用
いた部屋に、本発明に係るテレビ装置３００２を設置して公共放送や映画を鑑賞すること
ができる。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが
可能である。
可能である。
１０１ 駆動トランジスタ
１０２ ＥＬ素子
１０３ 信号端子
１０４ 第１の電源端子
１０５ 第２の電源端子
２００ 破線
２０１ 曲線
２０２ 飽和領域
２０３ 線形領域
２０４ 曲線
２０５ 曲線
２０６ 交点
２０７ 交点
２０８ 曲線
２０９ 交点
２１０ 曲線
２１１ 交点
４０１ 駆動トランジスタ
４０２ ＥＬ素子
４０３ 第１の信号端子
４０４ 第１の電源端子
４０５ 第２の電源端子
４０６ 第２の信号端子
４０７ 第３の信号端子
４１０ 第３の信号端子
５０１ 第１のトランジスタ
５０２ 第２のトランジスタ
５０３ 蓄積容量
５０４ 第３のトランジスタ
６０１ 駆動トランジスタ
６０２ ＥＬ素子
６０３ 電源端子
６０４ 第１のトランジスタ
６０５ 第１の蓄積容量Ｃｓ
６０６ 第２のトランジスタ
６０７ 第４のトランジスタ（スイッチングトランジスタ）
６０８ 第２の蓄積容量Ｃｓ
６０９ 信号線
６１０ 第１の走査線
６１１ 電源線
６１２ 第２の走査線
６１３ 第３の走査線
６１４ 第３のトランジスタ
６５０ 電源回路
６５１ 信号線駆動回路
６５２ 第１の走査線駆動回路
６５３ 第２の走査線駆動回路
６５４ 信号検出回路
６５５ 第２の電源線
７００ 第１のトランジスタ
７０１ 蓄積容量
７０２ ＥＬ素子
７０３ 半導体層
７０４ 不純物領域
７０５ ゲート絶縁膜
７０６ ゲート電極
７０７ 電極
７０８ 電極
７０９ 電極
７１０ 有機絶縁膜
７１１ 電極
７１２ 発光層
７１３ 電極
７１４ 隔壁
７１５ 基板
７２０ 無機絶縁膜
７２１ 有機絶縁膜
３００１ 照明装置
３００２ テレビ装置
３３０１ 筐体
３３０２ 支持台
３３０３ 表示部
３３１１ 本体
３３１２ 表示部
３３１３ 音声入力部
３３１４ 操作スイッチ
３３１５ バッテリー
３３１６ 受像部
３３２１ 本体
３３２２ 筐体
３３２３ 表示部
３３２４ キーボード
３３３１ 本体
３３３２ スタイラス
３３３３ 表示部
３３３４ 操作ボタン
３３３５ 外部インターフェイス
３４０１ 本体
３４０２ 音声出力部
３４０３ 音声入力部
３４０４ 表示部
３４０５ 操作スイッチ
３４０６ アンテナ
３５０１ 本体
３５０２ 表示部（Ａ）
３５０３ 接眼部
３５０４ 操作スイッチ
３５０５ 表示部（Ｂ）
３５０６ バッテリー
１０２ ＥＬ素子
１０３ 信号端子
１０４ 第１の電源端子
１０５ 第２の電源端子
２００ 破線
２０１ 曲線
２０２ 飽和領域
２０３ 線形領域
２０４ 曲線
２０５ 曲線
２０６ 交点
２０７ 交点
２０８ 曲線
２０９ 交点
２１０ 曲線
２１１ 交点
４０１ 駆動トランジスタ
４０２ ＥＬ素子
４０３ 第１の信号端子
４０４ 第１の電源端子
４０５ 第２の電源端子
４０６ 第２の信号端子
４０７ 第３の信号端子
４１０ 第３の信号端子
５０１ 第１のトランジスタ
５０２ 第２のトランジスタ
５０３ 蓄積容量
５０４ 第３のトランジスタ
６０１ 駆動トランジスタ
６０２ ＥＬ素子
６０３ 電源端子
６０４ 第１のトランジスタ
６０５ 第１の蓄積容量Ｃｓ
６０６ 第２のトランジスタ
６０７ 第４のトランジスタ（スイッチングトランジスタ）
６０８ 第２の蓄積容量Ｃｓ
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６１１ 電源線
６１２ 第２の走査線
６１３ 第３の走査線
６１４ 第３のトランジスタ
６５０ 電源回路
６５１ 信号線駆動回路
６５２ 第１の走査線駆動回路
６５３ 第２の走査線駆動回路
６５４ 信号検出回路
６５５ 第２の電源線
７００ 第１のトランジスタ
７０１ 蓄積容量
７０２ ＥＬ素子
７０３ 半導体層
７０４ 不純物領域
７０５ ゲート絶縁膜
７０６ ゲート電極
７０７ 電極
７０８ 電極
７０９ 電極
７１０ 有機絶縁膜
７１１ 電極
７１２ 発光層
７１３ 電極
７１４ 隔壁
７１５ 基板
７２０ 無機絶縁膜
７２１ 有機絶縁膜
３００１ 照明装置
３００２ テレビ装置
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３３０２ 支持台
３３０３ 表示部
３３１１ 本体
３３１２ 表示部
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３３１５ バッテリー
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３３２４ キーボード
３３３１ 本体
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３３３３ 表示部
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３４０１ 本体
３４０２ 音声出力部
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３４０６ アンテナ
３５０１ 本体
３５０２ 表示部（Ａ）
３５０３ 接眼部
３５０４ 操作スイッチ
３５０５ 表示部（Ｂ）
３５０６ バッテリー
Claims (1)
- エレクトロルミネッセンス素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、電源供給手段と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記エレクトロルミネッセンス素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記エレクトロルミネッセンス素子の一対の電極のうちの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の一対の電極のうちの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記容量素子の一対の電極のうちの他方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の一対の電極のうちの一方と、前記第１のトランジスタの半導体層と、は、同じ層に設けられ、
前記容量素子の一対の電極のうちの他方と、前記第１のトランジスタのゲート電極と、は、同じ層に設けられ、
前記第１のトランジスタは、前記エレクトロルミネッセンス素子に電流を供給することができる機能を有し、
前記第１の配線は、第１の電位を伝達することができる機能を有し、
前記第２の配線は、第２の電位を伝達することができる機能を有し、
前記第３の配線は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位を伝達することができる機能を有し、
前記電源供給手段は、前記第２の配線に前記第２の電位を供給することができる機能を有する発光装置であって、
前記エレクトロルミネッセンス素子が発光するときに、前記第１のトランジスタを飽和領域で動作するように制御することができる機能を有することを特徴とする発光装置。
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