KR20070006331A - 디스플레이장치 및 그 제어방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이장치 및 그 제어방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이장치는 구동 트랜지스터와; 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소전극과; 상기 구동 트랜지스터로부터 상기 화소전극으로 전달되는 전기적 신호의 크기를 검출하기 위한 검출 트랜지스터와; 검출된 상기 전기적 신호의 크기와 기설정된 기준값을 비교하여 그 차이가 소정의 허용범위를 초과하는 경우 상기 화소전극에 인가되는 데이터 전압을 조절하는 제어부를 포함한다. 이에 의해 박막트랜지스터의 열화를 보상함으로써 균일한 휘도를 갖는 디스플레이장치 및 그 제어방법이 제공된다.

Description

디스플레이장치 및 그 제어방법{DISPLAY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이장치의 개략도이고,
도 2a 및 도2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 시간에 대한 전기적 신호의 출력을 나타내는 그래프이고,
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 기준값 테이블이고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이장치의 데이터 전압 조절을 나타내는 그래프이고,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이장치의 제어방법을 설명하기 위한 제어흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 게이트 라인 20 : 데이터 라인
30 : 구동전압라인 40 : 화소전극
50 : 발광소자 60 : 검출라인
70 : 제어부 80 : 메모리
100 : 스위칭 트랜지스터 200 : 구동 트랜지스터
300 : 검출 트랜지스터
본 발명은 디스플레이장치 및 그 제어방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 박막트랜지스터로 인한 열화가 발생하는 디스플레이장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.
평판 디스플레이 장치(flat panel display) 중 저전압 구동, 경량 박형, 광시야각 그리고 고속응답 등의 장점으로 인하여, 최근 OLED(organic light emitting diode)가 각광 받고 있다. OLED기판에는 구동을 위한 다수의 박막트랜지스터가 마련되고, 박막트랜지스터 상에 화소를 형성하는 애노드 전극과 기준 전압 역할을 하는 캐소드 전극이 형성되어 있다. 양 전극에 전압을 가하면 홀과 전자가 결합하여 여기자가 만들어 지고, 이러한 여기자는 양 전극 사이에 주입된 발광층에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출한다. OLED는 방출되는 빛을 조절하여 이미지를 표시한다.
이러한 OLED 기판에는 많은 박막트랜지스터가 형성되어 있으며, 일반적으로 하나의 화소를 형성하기 위하여 데이터 라인과 연결된 스위칭 트랜지스터와 구동전압라인과 연결된 구동 트랜지스터가 구비된다.
OLED의 박막트랜지스터는 구동되면서 점점 열화되어 소정의 전압을 화소전극에 인가하지 못하는 문제가 발생한다. 특히, 데이터 전압이 상승할수록 구동 트랜지스터에 인가되는 구동전압이 상승하는 효과가 나타나므로 정상적인 전압이 화소 전극에 인가되지 못한다. 또한, 유기물질로 이루어진 발광층의 열화로 인하여 화소전극에 인가되는 전압 또는 전류의 양이 정상범위를 벗어날 가능성도 발생한다. 박막트랜지스터 또는 발광층의 열화로 인하여 디스플레이장치의 휘도가 균일하지 못하거나 또는 시간이 지남에 따라 휘도가 감소하는 문제점이 초래된다.
따라서, 본 발명의 목적은 박막트랜지스터의 열화를 보상함으로써 균일한 휘도를 갖는 디스플레이장치 및 그 제어방법을 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라 구동 트랜지스터와; 상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소전극과; 상기 구동 트랜지스터로부터 상기 화소전극으로 전달되는 전기적 신호의 크기를 검출하기 위한 검출 트랜지스터와; 검출된 상기 전기적 신호의 크기와 기설정된 기준값을 비교하여 그 차이가 소정의 허용범위를 초과하는 경우 상기 화소전극에 인가되는 데이터 전압을 조절하는 제어부를 포함하는 디스플레이장치에 의해 달성된다.
상기 구동 트랜지스터에 구동전압을 인가하기 위한 구동전압라인과; 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터와; 상기 스위칭 트랜지스터에 상기 데이터 전압을 인가하기 위한 데이터 라인과; 상기 스위칭 트랜지스터에 게이트 온 전압을 인가하기 위한 게이트 라인을 더 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터를 포함하는 OLED 뿐만 아니라 박막트랜지스터의 열화가 발생할 수 있는 LCD에도 본 발명의 검출 박막트랜지스터가 적용될 수 있 다.
제어부가 전기적 신호를 검출할 수 있도록 상기 검출 트랜지스터와 연결되어 있는 검출 라인을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 검출 라인은 상기 구동전압라인 및 상기 데이터 라인 중 어느 하나와 평행할 수 있다. 데이터 라인과 평행하게 형성되는 경우 제조공정의 단순화를 위하여 데이터 라인과 동일한 금속층으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 검출 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 게이트 라인과 인접한 게이트 라인에 연결될 수 있으며, 별도의 구동라인 없이 검출 트랜지스터를 구동시키기 위하여 기존의 게이트 라인을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 제어부는 상기 데이터 전압에 대응하는 상기 기준값에 대한 테이블을 저장하고 있는 메모리를 포함하고, 검출된 상기 전기적 신호의 크기에 대응되는 상기 데이터 전압과 상기 기준값에 대응하는 상기 데이터 전압과의 차이에 해당하는 보상 전압을 상기 데이터 라인에 인가함으로써 열화에 의해 구동전압이 시프트 되는 현상을 보상할 수 있다.
상기 전기적 신호는 전압 및 전류 중 어느 하나이며, 전압 및 전류는 소정 범위의 레벨로 설정될 수 있다.
한편, 상기 목적은, 본 발명에 따라 화소전극과; 상기 화소전극에 인가되는 화소전류를 검출하는 검출 트랜지스터와; 상기 화소전류와 기설정된 기준값을 비교하여 그 차이가 소정의 허용범위를 초과하는 경우 상기 화소전극에 인가되는 화소전압를 조절하는 제어부를 포함하는 디스플레이장치에 의해서도 달성될 수 있다.
또한, 상기 목적은 본 발명에 따라 구동 트랜지스터를 턴온시키는 단계와; 구동 트랜지스터로부터 화소전극으로 전달되는 전기적 신호를 검출하는 단계와; 검출한 상기 전기적 신호의 크기를 기설정된 기준값과 비교하는 단계와; 비교결과 그 차이가 소정의 허용범위를 초과하는 경우 상기 화소전극에 인가되는 데이터 전압을 조절하는 단계를 포함하는 디스플레이장치의 제어방법에 의해서도 달성된다.
상기 데이터 전압을 조절하는 단계는 검출된 상기 전기적 신호의 크기에 대응되는 상기 데이터 전압과 상기 기준값에 대응하는 상기 데이터 전압과의 차이에 해당하는 보상 전압을 상기 데이터 라인에 인가하는 것으로 수행될 수 있다.
상기 구동 트랜지스터로부터 상기 화소전극으로 전달되는 전기적 신호를 검출하는 검출 트랜지스터를 포함하여 화소전극으로 인가되는 전압의 레벨이 변경되었는지 여부를 용이하게 알 수 있다.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이장치의 개략도이고, 보다 구체적으로는 디스플레이장치에 마련되어 있는 화소에 대한 등가회로를 나타내고 있다. 이하 본 발명에 따른 디스플레이장치는 OLED를 중심으로 설명되지만, 이는 하나의 예시에 불과한 것으로 디스플레이장치의 구동을 위하여 복수의 박막트랜지스터가 마련되며, 박막트랜지스터의 열화에 의한 휘도 불량이 발생하는 디스플레이장치라면 본 발명의 구성이 적용될 수 있다.
도시된 바와 같이 디스플레이장치는 복수의 트랜지스터(100, 200, 300), 트 랜지스터(100, 200, 300)와 연결되어 있는 복수의 신호 라인(10, 20, 30, 60) 및 이들을 제어하는 제어부(70)를 포함한다. 또한, 구동 트랜지스터(200)와 전기적으로 연결되어 있는 화소전극(40) 및 화소전극(40)으로부터 인가 받은 전압에 의해 빛을 내는 발광소자(50)를 더 포함한다. 또한, 도시하지는 않았지만 제어부(70)의 제어를 받아 게이트 라인(10) 및 데이터 라인(20)을 구동시키는 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버를 포함한다.
복수의 신호 라인(10, 20, 30, 60)은 게이트 라인(10), 데이터 라인(20), 구동전압라인(30) 및 검출라인(60)으로 이루어진다.
복수의 게이트 라인(10N, 10N+1)은 서로 평행하게 배열되어 있으며, 데이터 라인(20), 구동전압라인(30) 및 검출라인(60)과 수직으로 교차하여 하나의 화소영역을 정의한다. 게이트 라인(10N, 10N+1) 및 각 트랜지스터(100, 200, 300)의 게이트 전극(110, 210, 310)을 포함하는 게이트 금속층은 단일층 또는 다중층일 수 있다. 게이트 라인(10N, 10N+1)은 게이트 라인(10N, 10N+1)에 연결되어 있는 트랜지스터(100, 300)에 게이트 온/오프 전압을 인가한다.
이러한 게이트 금속층 위에는 질화규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(미도시)이 덮고 있다. 게이트 절연막은 게이트 금속층과 후술할 데이터 금속층을 전기적으로 절연시킨다.
게이트 라인(10)과 교차하는 데이터 라인(20) 및 각 트랜지스터(100, 200, 300)의 드레인 전극(120, 220, 320), 소스전극(130, 230, 330)을 포함하는 데이터 금속층은 게이트 금속층과 절연되도록 마련된다. 데이터 라인(20)은 스위칭 트랜지 스터(100)에 데이터 전압을 인가한다.
구동전압라인(30)은 데이터 라인(20)과 평행하게 마련되며, 게이트 라인(10)과 교차하여 매트릭스 형태의 화소영역을 형성한다. 구동전압라인(30)은 데이트 금속층으로 데이터 라인(20)과 동일한 층에 형성되는 것이 일반적이다. 구동전압라인(30)은 구동 트랜지스터(200)에 일정한 레벨의 구동전압을 인가한다.
이러한 구동전압라인(30)은 하나의 화소영역마다 배열될 수도 있으나, 두 개의 화소영역이 하나의 구동전압라인(30)을 공유할 수도 있다. 다시 말해, 구동전압라인(30)에 인접하게 배열된 두 개의 화소영역은 하나의 구동전압라인을 통해 구동전압을 인가 받는 것이 가능하다. 라인이 감소한 구조에 의해 제조공정이 단순해 지고, 전압이 인가되는 부분이 줄어들어 전자기간섭(electro magnetic interference)이 개선되는 효과가 있다.
검출라인(60)은 데이터 라인(20) 및 구동전압라인(30)과 평행하게 배치되어 있다. 검출라인(60)의 배열 방향은 본 실시예에 한정되지 않으며 게이트 라인(10)과 평행하게 형성될 수도 있다. 검출라인(60)은 게이트 라인(10)과 동일한 층에 형성될 수도 있으나 이러한 경우 게이트 라인(10)과 교차하는 부분에서는 게이트 라인(10)과 전기적으로 분리되어야 한다. 이를 위하여 게이트 라인(10) 또는 검출라인(60) 중은 어느 하나는 브릿지로 연결되어야 한다. 따라서, 데이터 라인(20)과 평행하게 형성될 경우 검출라인(60)은 데이터 라인(20)과 동일한 층에 형성되는 것이 바람직하다.
스위칭 트랜지스터(100)는 게이트 라인(10)의 일부를 형성하는 게이트 극(110), 데이터 라인(20)에서 분지된 드레인 전극(120), 드레인 전극(120)과 분리되어 있는 소스 전극(130), 및 드레인 전극(120)과 소스 전극(130) 사이에 형성되어 있는 반도체층(미도시)으로 구성된다. N번째 게이트 라인(10N)에 인가된 게이트 온 전압은 스위칭 트랜지스터(100)의 게이트 전극(110)으로 전달된다. 이에 의해 데이터 라인(20)으로부터 인가된 데이터 전압이 드레인 전극(120)을 통해 소스 전극(130)으로 빠져나간다.
구동 트랜지스터(200)는 자신의 게이트 전극(210)에 공급되는 데이터 전압에 의해 드레인 전극(220)과 소스 전극(230) 간의 전류를 조절한다. 소스 전극(230)을 통해 화소전극(40)으로 인가되는 전압은 게이트 전극(210)에서 공급되는 데이터 전압과 드레인 전극(220)에서 공급되는 구동 전압의 차이에 해당한다.
축적용량(Cst)은 데이터 전압과 구동전압 사이의 차에 해당하는 전압을 저장하여 구동 트랜지스터(200)의 게이트 전극(210)에 인가되는 데이터 전압 및 화소전극(400)에 인가되는 전류를 한 프레임 동안 일정하게 유지하는 역할을 한다.
드레인 전극(220)과 화소전극(40) 사이에는 보호막(미도시)이 형성되어 있으며, 보호막에 마련된 접촉구(미도시)를 통하여 드레인 전극(220)과 화소전극(40)은 전기적으로 서로 연결되어 있다. 화소전극(40)은 애노드(anode)가 되어 발광소자(50)에 정공을 제공한다.
검출 트랜지스터(300)의 게이트 전극(310)은 N+1번째 게이트 라인(10N+1)에 연결되어 있으며, 드레인 전극(320)은 구동 트랜지스터(200)와 화소전극(40) 사이에, 소스전극(330)은 검출 라인(60)과 각각 연결되어 있다. N번째 게이트 라인(10N)에 게이트 온 전압이 인가되어 스위칭 트랜지스터(100)를 통해 데이터 전압이 인가되고 나면, N번째 게이트 라인(10N)에는 게이트 오프 전압이 인가되고 동시에 N+1번째 게이트 라인(10N+1)에 게이트 온 전압이 인가된다. 이로 인해 N번째 게이트 라인(10N)에 연결되어 있는 트랜지스터는 모두 턴오프 되고, 동시에 N+1번째 게이트 라인(10N+1)에 연결되어 있는 트랜지스터는 모두 턴온 된다. N+1번째 게이트 라인(10N+1)에 의해 게이트 온 전압이 인가되면 검출 트랜지스터(300)의 게이트 전극(310)이 턴온되어 화소전극(40)으로 인가되는 전류가 드레인 전극(320)을 통해 소스전극(330)으로 빠져나간다. 소스전극(330)을 통해 빠져나간 전류는 검출라인(60)을 통해 제어부(70)에 입력된다. 즉, 검출 트랜지스터(300)는 스위칭 트랜지스터(100) 및 구동 트랜지스터(200)에 의해 화소전극(40)에 전기적 신호가 인가될 때, 전기적 신호의 크기를 제어부(70)가 검출할 수 있도록 안내하는 역할을 한다.
도 2a 및 도2b를 참조하여 검출 트랜지스터(300)의 턴온/턴오프에 대하여 보다 상세히 설명한다. 도 2a는 도 1에 도시된 하나의 화소에 인가되는 게이트 온 전압과 게이트 오프 전압을 시간별로 도시한 것이고, 도 2b는 검출되는 전류량을 시간별로 도시한 것이다.
게이트 온 전압으로는 약 20~25V가 인가되고 있으며, 게이트 오프 전압으로는 약 -10 ~ -5V의 전압이 인가된다. 만약, 디스플레이장치가 60Hz로 구동되는 경우 1초 동안 60개의 프레임이 형성되어야 하므로 하나의 게이트 온 전압이 인가되는데 소요되는 시간은 약 1/(60*게이트 라인 수)가 된다. 따라서, 주파수가 크고, 해상도가 높을수록, 게이트 라인이 많은 대형 디스플레이장치 일수록 게이트 온 전압이 인가되는 시간이 짧아진다. 화소전극(40)에는 아주 짧은 시간 게이트 온 전압이 인가되고, 하나의 프레임이 형성되는 동안 게이트 오프 전압이 인가된다.
도2a는 총 네 번의 게이트 온 전압 및 게이트 오프 전압이 인가된 것을 도시하고 있다. N번째 게이트 라인(10N)에 게이트 온 전압은 약 0.00002초 정도 인가되고, 그 후 약 0.0003초 동안 게이트 오프 전압이 인가된다. N번째 게이트 라인(10N)에 게이트 오프 전압이 인가됨과 동시에 N+1번째 게이트 라인(10N+1)에 게이트 온 전압이 인가된다. N+1번째 게이트 라인(10N+1)에 게이트 온 전압이 인가되면, 검출 트랜지스터(300)가 턴온 되고, 도 2b에 도시된 바와 같이 순간적으로 전류가 빠져 나오게 된다.
도 2b에 나타난 바와 같이 화소전극(40)을 통해 발광소자(50)로 인가되는 전류는 검출트랜지스터(300)로 빠져나가는 전류로 인해 처음에는 급격히 감소하다가 곧 정상적인 범위를 유지한다. 검출되는 전류의 크기는 데이터 전압에 따라 그 크기가 달라지며, 그래프에 나타난 값은 순서대로 5V, 13V, 10V, 5V의 데이터 전압을 인가하였을 때 검출된 전류 값이다. 데이터 전압이 5V 인가되었을 때 약 1.5*10-6A 의 전류가 검출되었으며, 13V 일 때 약 3.5*10-6A, 10V 일 때 액 2.6*10-6A가 검출된 것을 알 수 있다. 도2에 나타난 게이트 온 전압 및 게이트 오프 전압 을 인가하는 시간 간격, 인가되는 전압의 크기 또는 검출되는 전류 크기의 레벨은 본 발명을 설명하기 위하여 임의적으로 설정된 것들이며, 이는 실질적인 디스플레이장치에서 다 양하게 변경될 수 있는 가변적인 값들이다.
제어부(70)는 검출된 전류의 크기와 기설정된 기준값을 비교하여 그 차이에 따라 데이터 전압을 적절히 조절한다. 제어부(70)는 화소전극(40)에 인가되는 데이터 전압에 대응하는 기준값에 대한 테이블을 저장하고 있는 메모리(80)를 포함한다. 제어부(70)는 메모리(80)에 저장되어 있는 테이블에 기초하여 데이터 전압을 연산, 보정한다. 본 실시예에서 제어부(70)는 검출된 전류의 크기를 바탕으로 데이터 전압을 조절하지만 제어부(70)가 검출하는 전기적 신호는 전류 뿐만 아니라 전압도 가능하다.
도 3는 메모리(80)에 저장되어 있는 기준값 테이블을 나타내고 있다. 테이블에는 데이터 라인(20)을 통해 인가되는 데이트 전압에 대응한 정상적인 기준 전류값이 기재되어 있다. 구동 트랜지스터(200) 또는 발광소자(50)의 열화가 발생하지 않아 정상적으로 데이터 전압이 인가 된다면, 검출 트랜지스터(300)로부터 검출된 전류는 테이블에 나타난 기준값을 가져야 한다. 데이터 전압은 0 부터 10V 까지 1V의 간격으로 설정되었으며, 해당하는 데이터 전압에 대응하는 기준값은 시뮬레이션을 통해 산출한 값이다. 도 3의 테이블은 본 발명을 설명하기 위하여 임의적으로 설정된 데이터 전압 및 기준값을 도시한 것으로 실질적으로 디스플레이장치에 적용되는 테이블에는 데이터 전압의 간격이 약0.1V 또는 0.001V의 간격으로 나누어진 좀더 세밀한 정보가 필요하다.
도 4는 디스플레이장치의 데이터 전압 조절을 나타내는 그래프이고, 도 3 및 도4를 참조하여 테이블의 활용 및 제어부(70)의 데이터 전압 조절에 대하여 설명하 겠다. 도 4에는 테이블에 나타난 데이터 전압에 대응하는 기준값과 트랜지스터의 열화 등으로 인하여 시프트 된 검출 전류값이 도시 되어 있다. 데이터 전압을 0V부터 10V이 점점 증가시키면서 구동 트랜지스터(200)에서 화소전극(40)으로 인가되는 전류를 측정한다. 데이터 전압을 0V부터 3V 까지 인가할 동안 측정된 전류의 크기는 기준값과 거의 일치한다. 하지만, 4V이상이 되면 검출되는 전류의 크기는 기준값으로부터 점점 멀어져 데이터 전압이 증가할수록 기준값과의 차이는 증가한다. 예컨대, 데이터 전압이 10V 인가되었을 때 원래는 3.15*10-6A의 전류가 검출되어야 하지만, 실제 검출된 전류의 크기는 1.67*10-6A 정도이다. 이 값은 데이터 전압이 8V인가될 때 검출되어야 하는 전류이다(Ⅲ). 즉, 정상적으로 검출되어 하는 전류량보다 무려 1.48*10-6A (Ⅰ)나 부족한 전류가 검출되었기 때문에 화소전극(40)에는 10V가 아닌 8V가 인가되는 결과가 초래된다(Ⅱ). 따라서, 이러한 경우 제어부(70)는 검출된 전류의 크기(1.67*10-6A)에 대응되는 데이터 전압(8V)과 기준값(3.15*10-6A)에 대응되는 데이터 전압(10V)의 차이에 해당하는 보상전압 즉, 2V에 상당하는 전압을 데이터 라인(20)에 추가적으로 인가하도록 한다. 제어부(70)는 상술한 방식으로 테이블을 이용하여 화소전극(40)에 인가되어야 하는 데이터 전압을 보상한다. 데이터 전압이 높을수록 구동 박막트랜지스터(200)에 열화가 발생할 가능성이 커지므로 제어부(70)는 더 높은 전압이 데이터 라인(20)에 인가되도록 한다. 상술한 과정에 의해 보상된 전압은 N+2번 째 게이트 라인(10)에 의해 스위칭 트랜지스터가 턴온되면 데이터 라인(20)을 통해 화소전극(40)으로 전달된다.
제어부(70)는 메모리(80) 이외에 검출된 전기적 신호를 감지하는 센서, 감지된 신호의 크기를 측정하고 이를 연산하는 연산부 및 최종적으로 보상된 전압을 데이터 라인에 인가하도록 데이터 드라이브로 출력하는 출력부 등을 포함한다. 이러한 제어부(70)는 다양한 알고리즘으로 프로그램될 수 있으며 상술한 방법에 한정되지 않는다.
검출한 전기적 신호, 즉 전류의 크기에 따라 데이터 전압을 보상하는 제어부(70)는 디스플레이장치에 마련되어 있는 타이밍 컨트롤러일 수 있으며, 별도의 컨트롤러가 마련되어 제어신호를 타이밍 컨트롤러로 출력할 수도 있다.
도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이장치의 제어방법을 설명하기 위한 제어흐름도이다.
우선, 구동 트랜지스터(200)를 턴온 시킨다(S10). 구동 트랜지스터(200)는 스위칭 트랜지스터(100)의 소스전극(130)에 의해 턴온 되며, 스위칭 트랜지스터(100)로부터 데이터 전압이 인가된다. 인가된 데이터 전압이 구동 트랜지스터(200)의 소스전극(230)을 통해 화소전극(40)으로 전달될 때, 화소전극(40)으로 전달되는 전기적 신호, 본 실시예에서는 전류를 검출한다(S20). 제어부(70)는 검출된 전류의 크기와 기설정된 기준값을 비교하여(S30), 이들의 차이가 소정의 허용범위를 초과하는 지에 대한 판단을 한다(S40). 소정의 범위란 제어부(70)에 의해 데이터 전압의 보상이 필요하다고 설정되어 있는 범위를 의미하는 것으로 디스플레이장치에 사용된 트랜지스터의 성질 또는 열화정도에 의해 결정된다. 검출된 전류 의 크기와 기설정된 기준값의 차이가 소정의 범위를 초과하지 않는 경우 데이터 전압은 원래 인가되어야 하는 정상적인 전압이 인가된다(S60). 반면, 상기 차이가 소정의 범위를 초과하는 경우 제어부(70)는 검출된 전기적 신호에 대응하는 데이터 전압과 기준값에 대응하는 데이터 전압과의 차이에 해당하는 값을 추가하여 데이터 전압을 보정한다(S50). 보정된 데이터 전압이 데이터 라인(20)을 통해 최종적으로 화소전극(40)에 인가된다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 화소전극에 인가되는 전기적 신호의 검출을 통해 박막트랜지스터의 열화를 감소시킬 수 있는 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 박막트랜지스터의 열화를 보상함으로써 균일한 휘도를 갖는 디스플레이장치 및 그 제어방법이 제공된다.

Claims (13)

  1. 구동 트랜지스터와;
    상기 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소전극과;
    상기 구동 트랜지스터로부터 상기 화소전극으로 전달되는 전기적 신호의 크기를 검출하기 위한 검출 트랜지스터와;
    검출된 상기 전기적 신호의 크기와 기설정된 기준값을 비교하여 그 차이가 소정의 허용범위를 초과하는 경우 상기 화소전극에 인가되는 데이터 전압을 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터에 구동전압을 인가하기 위한 구동전압라인과;
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터와;
    상기 스위칭 트랜지스터에 상기 데이터 전압을 인가하기 위한 데이터 라인과;
    상기 스위칭 트랜지스터에 게이트 온 전압을 인가하기 위한 게이트 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 검출 트랜지스터와 연결되어 있는 검출 라인을 더 포함하는 것을 특징 으로 하는 디스플레이장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 검출 라인은 상기 구동전압라인 및 상기 데이터 라인 중 어느 하나와 평행한 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 검출 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 게이트 라인과 인접한 게이트 라인에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 데이터 전압에 대응하는 상기 기준값에 대한 테이블을 저장하고 있는 메모리를 포함하고,
    검출된 상기 전기적 신호의 크기에 대응되는 상기 데이터 전압과 상기 기준 값에 대응하는 상기 데이터 전압과의 차이에 해당하는 보상 전압을 상기 데이터 라인에 인가하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 전기적 신호는 전압 및 전류 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.
  8. 화소전극과;
    상기 화소전극에 인가되는 화소전류를 검출하는 검출 트랜지스터와;
    상기 화소전류와 기설정된 기준값을 비교하여 그 차이가 소정의 허용범위를 초과하는 경우 상기 화소전극에 인가되는 화소전압를 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 화소전류에 대응하는 상기 기준값에 대한 테이블을 저장하고 있는 메모리를 포함하고,
    검출된 상기 화소전류의 크기에 대응되는 상기 화소전압과 상기 기준값에 대응하는 상기 화소전압과의 차이에 해당하는 보상 전압을 상기 화소전극에 인가하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치.
  10. 구동 트랜지스터를 턴온시키는 단계와;
    구동 트랜지스터로부터 화소전극으로 전달되는 전기적 신호를 검출하는 단계와;
    검출한 상기 전기적 신호의 크기를 기설정된 기준값과 비교하는 단계와;
    비교결과 그 차이가 소정의 허용범위를 초과하는 경우 상기 화소전극에 인가되는 데이터 전압을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치 의 제어방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 데이터 전압을 조절하는 단계는 검출된 상기 전기적 신호의 크기에 대응되는 상기 데이터 전압과 상기 기준값에 대응하는 상기 데이터 전압과의 차이에 해당하는 보상 전압을 상기 데이터 라인에 인가하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제어방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터로부터 상기 화소전극으로 전달되는 전기적 신호를 검출하는 검출 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제어방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 전기적 신호는 전압 및 전류 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디스플레이장치의 제어방법.
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