KR100623727B1

KR100623727B1 - 유기전계발광장치의 화소 회로

Info

Publication number: KR100623727B1
Application number: KR1020050015111A
Authority: KR
Inventors: 강태욱; 정진태
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2005-02-23
Filing date: 2005-02-23
Publication date: 2006-09-14
Also published as: KR20060093954A

Abstract

유기전계발광소자가 형성된 현재 화소 영역에 구동 전류를 공급하기 위한 화소 회로가 개시된다. 유기전계발광장치의 화소 회로는 현재 화소 영역에 제1 구동 트랜지스터를 가지고, 상기 현재 화소 영역에 인접한 제1 인접 화소 영역에 제2 구동 트랜지스터를 가진다. 제2 구동 트랜지스터는 제1 구동 트랜지스터에 병렬로 연결된다. 현재 화소 영역에 형성된 유기전계발광소자는 제1 구동 트랜지스터에서 발생된 제1 구동 전류 및 제2 구동 트랜지스터에서 발생된 제2 구동 전류에 의해 발광 동작을 수행한다.

Description

유기전계발광장치의 화소 회로{Pixel Circuit of Organic Light Emitting Display}

도 1은 종래 기술로 인용되는 대한민국 공개특허 제 2004-0008684호에 개시된 화소 회로를 도시한 회로도이다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계발광장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 유기전계발광장치의 다른 화소 회로를 도시한 회로도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

200, 300 : 현재 화소 영역 202, 302 : 제1 인접 화소 영역

204, 304 : 제2 인접 화소 영역

본 발명은 유기전계발광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인접한 화소간의 휘도 편차를 최소화할 수 있는 유기전계발광장치에 관한 것이다.

유기전계발광장치는 구동방식에 따라 수동 매트릭스 방식과 능동 매트릭스 방식으로 나누어진다. 수동 매트릭스 방식은 화면표시영역에 양극과 음극을 매트릭스 방식으로 교차 배열하고, 양극과 음극이 교차되는 부위에 화소를 형성하는 방식이다.

이에 비해 능동 매트릭스 방식은 각 화소마다 박막트랜지스터를 배치하고 각각의 화소를 박막트랜지스터를 이용하여 제어한다.

상기 수동 매트릭스 방식과 능동 매트릭스 방식의 가장 큰 차이는 유기전계발광장치의 발광 시간에 있다. 즉, 수동 매트릭스 방식의 경우, 순간적으로 유기 발광층을 높은 휘도로 발광시키나, 능동 매트릭스 방식의 경우, 유기 발광층을 낮은 휘도로 계속해서 발광시킨다.

수동 매트릭스 방식의 경우, 해상도가 높아지면 순간 발광 휘도가 높아져야 한다. 또한, 높은 휘도의 빛을 내기 때문에 유기전계발광장치의 열화에 큰 영향을 미치게 된다. 이에 반해 능동 매트릭스 방식의 경우, 박막 트랜지스터를 이용하여 구동하고, 한 프레임동안 화소에서 계속적으로 빛을 발하므로 낮은 전류로 구동이 가능하다. 따라서, 능동 매트릭스 방식이 수동 매트릭스 방식에 비해 기생 커패시턴스가 적고, 전력의 소비량이 적은 장점을 가진다.

그러나, 능동 매트릭스 방식은 휘도 불균일의 단점을 가진다. 능동 매트릭스 방식은 능동 소자로 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 박막 트랜지스터를 사용하는 경우가 대부분이다. LTPS 박막 트랜지스터는 저온 상태에서 형성된 비정질 실리콘을 레이저를 이용하여 결정화한다. 이때 결정화에 따라 트랜지스터의 특성이 달라진다. 즉, 트랜지스터의 문턱 전압 등이 화소별로 일정하지 않는 특성 불균일이 발생된다. 따라서 동일한 화면 신호에 대해 각각의 화소들은 다른 휘도를 보이게 되며, 이를 화면 전체적으로 보면 휘도의 불균일로 보이게 된다. 이러한 휘도 불균일 문제를 해결하기 위해 다양한 시도들이 이루어지고 있다.

상기 휘도 불균일 문제를 해결하기 위해 종래에는 각각의 화소에 구비된 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 방식을 취해왔다. 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 방식은 구동 트랜지스터의 게이트에 연결된 커패시터에 문턱 전압을 저장하고, 구동 전류의 발생시에 문턱 전압의 영향을 배제시키는 방법을 사용한다.

상술한 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하는 화소 회로는 대한민국 공개특허 제 2004-0008684호에 개시된다.

도 1은 상기 대한민국 공개특허 제 2004-0008684호에 개시된 화소 회로를 도시한 회로도이다.

도 1을 참조하면, 화소 회로는 5개의 트랜지스터들 M1, M2, M3, M4, M5, 2개의 커패시터들 C1, C2 및 유기전계발광소자 OLED를 가진다.

먼저, 주사 라인(100)을 통해 인가되는 하이 레벨의 주사 신호 SCAN에 의해 제1 스위칭 트랜지스터 M1은 오프된다. 또한, 스위칭 신호들 SW1, SW2 및 SW3에 의해 제2 스위칭 트랜지스터 M2, 제3 스위칭 트랜지스터 M3 및 발광 트랜지스터 M5는 턴온된다. 커패시터들 C1 및 C2에는 DC전류가 흐를 수 없으므로, 제2 스위칭 트랜지스터 M2의 소스와 드레인 사이의 전압차는 실질적으로 0V(Volt)이다. 따라서 노 드 A 및 노드 B에는 VDD전압이 인가된다. 또한, 노드 C를 통해 제3 스위칭 트랜지스터 M3의 소스 및 드레인을 흐르는 실질적인 전류는 0A(Ampere)이고, 상기 제3 스위칭 트랜지스터 M3는 턴-온 상태이므로, 제3 스위칭 트랜지스터 M3의 소스 및 드레인 사이의 전압차는 실질적으로 0V이다.

따라서, 구동 트랜지스터 M4는 실질적으로 다이오드 연결된 트랜지스터와 동일한 구성을 가진다. 구동 트랜지스터 M4의 문턱 전압을 Vth라 정의한다면, 다이오드 연결된 구동 트랜지스터 M4에 의해 노드 C에는 VDD-Vth의 전압이 인가된다. 상술한 과정을 통해 노드 A 및 노드 B에는 VDD의 전압이 인가되고, 노드 C에는 VDD-Vth의 전압이 인가됨을 알 수 있다. 즉, 커패시터 C2는 Vth의 전압차를 저장한다.

이어서, 주사 라인(100)을 통해 로우 레벨의 주사 신호 SCAN이 제1 스위칭 트랜지스터 M1에 인가되고, 상기 제1 스위칭 트랜지스터 M1은 턴온된다. 또한, 스위칭 신호들 SW1 및 SW2에 의해 스위칭 트랜지스터들 M2 및 M3은 턴오프된다. 턴온된 트랜지스터 M1을 통해 데이터 신호 DATA는 데이터 라인(102)으로부터 노드 B로 인가된다. 따라서, 노드 B에는 데이터 신호 DATA가 인가되고, 노드 C에는 DATA-Vth의 전압이 인가된다.

따라서, 구동 트랜지스터 M4에 의해 발생되는 구동 전류는 다음의 수학식 1로 표현된다.

상기 수학식 1에서 I는 구동 전류이고, K는 상수이다.

상술한 종래 기술은 각각의 화소마다 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 영향을 배제시키는 것을 주요 사항으로 하고 있다. 그러나, 이를 위해 다수의 트랜지스터가 화소내에 구비되어야 하며, 다수의 트랜지스터는 화소의 개구율을 저하시키는 원인이 된다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 인접한 화소에 구비된 트랜지스터를 이용하여, 화소간의 휘도 편차를 최소화할 수 있는 유기전계발광장치의 화소 회로를 제공하는 데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 다수의 주사 라인들과 다수의 데이터 라인이 형성되고, 상기 주사 라인들과 데이터 라인들이 교차하는 영역에 형성된 다수의 화소 영역을 가지는 유기전계발광장치에 있어서, 주사 신호에 따라 스위칭 동작을 수행하기 위한 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 수신되는 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터; 상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 따라 제1 구동 전류를 발생하기 위한 제1 구동 트랜지스터; 상기 제1 구동 트랜지스터가 형성된 현재 화소 영역에 인접한 제1 인접 화소영역에 형성되고, 상기 데이터 신호에 따라 제2 구동 전류를 발생하기 위한 제2 구동 트랜지스터; 및 상기 제1 구동 전류 및 상기 제2 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자를 포함하는 유기전계발광장치의 화소 회로를 제공한다.

또한, 본 발명의 목적은 주사 신호에 따라 스위칭 동작을 수행하기 위한 스위칭 트랜지스터; 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 수신되는 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터; 상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 따라 제1 구동 전류를 발생하기 위한 제1 구동 트랜지스터; 상기 제1 구동 트랜지스터가 형성된 현재 화소 영역에 인접한 제1 인접 화소영역에 형성되고, 상기 데이터 신호에 따라 제2 구동 전류를 발생하기 위한 제2 구동 트랜지스터; 상기 제1 구동 전류 및 상기 제2 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자; 및 발광 제어 신호에 따라 온/오프 동작을 수행하고, 상기 제1 구동 전류 및 상기 제2 구동 전류를 상기 유기전계발광소자에 공급하기 위한 발광 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치의 화소 회로의 제공을 통해서도 달성될 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

실시예

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기전계발광장치는 다수의 주사 라인들, 상기 다수의 주사 라인들과 교차하는 다수의 데이터 라인들 및 주사 라인들과 데이터 라인들이 교차하는 영역에 형성된 다수의 화소들을 가진다.

예컨대 n번째 주사 라인에는 주사 신호 SCAN[n]이 전달되고, n+1번째 주사 라인에는 주사 신호 SCAN[n+1]이 전달된다. 또한, m번째 데이터 라인을 통해 데이터 신호 VDATA[m]이 전달되고, m+1번째 데이터 라인을 통해 데이터 신호 VDATA[m+1]이 전달된다.

n번째 주사 라인 및 m번째 데이터 라인이 교차하는 영역에 현재 화소 회로가 형성된다. 상기 현재 화소 회로는 스위칭 트랜지스터 T1, 제1 구동 트랜지스터 T2, 제2 구동 트랜지스터 T3, 커패시터 C 및 유기전계발광소자 OLED를 가진다.

또한, 상기 현재 화소 회로는 현재 화소 영역(200) 및 제1 인접 화소 영역(202)에 형성된다. 현재 화소 영역(200)에는 스위칭 트랜지스터 T1, 제1 구동 트랜지스터 T2, 커패시터 C 및 유기전계발광소자 OLED가 형성되고, 제1 인접 화소 영역(202)에는 제2 구동 트랜지스터 T3이 형성된다. 현재 화소 영역(200)에 형성된 트랜지스터 T4는 현재 화소 회로에 인접한 화소 회로의 제2 구동 트랜지스터이다.

현재 화소 영역(200)에 형성된 상기 스위칭 트랜지스터 T1은 주사 신호 SCAN[n]의 제어에 따라 온/오프 동작을 수행하고, 데이터 신호 VDATA[m]을 노드 N1에 전달한다. 구동 트랜지스터 T2는 노드 N2 및 ELVDD 라인 사이에 연결되고, 상기 유기전계발광소자 OLED의 발광에 요구되는 제1 구동 전류를 형성한다. 커패시터 C는 상기 스위칭 트랜지스터 T1을 통해 전달되는 데이터 신호 VDATA[m]을 저장한다. 제2 구동 트랜지스터 T3는 제1 인접 화소 영역(202)에 형성되고, 현재 화소 영역(200)에 형성된 유기전계발광소자 OLED에 제2 구동 전류를 공급한다.

또한, 상기 현재 화소 회로의 노드 N1 및 N2에는 제1 인접 화소 영역(202)에 형성된 제2 구동 트랜지스터 T3가 연결된다. 즉, 상기 제2 구동 트랜지스터 T3은 제1 구동 트랜지스터 T2와 병렬로 연결되고, 유기전계발광소자 OLED에 제2 구동 전류를 공급한다.

먼저, 주사 신호 SCAN[n]이 활성화되면, 스위칭 트랜지스터 T1은 턴온된다. 상기 스위칭 트랜지스터 T1의 턴온에 의해 데이터 신호 VDATA[m]은 노드 N1에 전달된다. 상기 노드 N1에 전달된 데이터 신호 VDATA[m]은 커패시터 C에 저장된다. 따라서, 커패시터 C의 양단의 전압차는 ELVDD-VDATA[m]이 된다.

노드 N1에 인가되는 데이터 신호 VDATA[m]에 의해 제1 구동 트랜지스터 T2에서 형성되는 제1 구동 전류 I1은 다음의 수학식 2에 따른다.

상기 수학식 2에서 상수 K1은 상기 제1 구동 트랜지스터 T2의 전하 캐리어의 이동도, 게이트-몸체간의 커패시턴스, 채널의 길이와 폭에 의해 결정된다. 또한, Vth1은 상기 제1 구동 트랜지스터 T2의 문턱 전압이다. 상기 문턱 전압 Vth1은 제1 구동 트랜지스터 T2의 게이트 절연층, 게이트 전극이 가지는 불순물 농도 등에 따라 결정된다. 따라서, 상수 K1 및 문턱 전압 Vth1은 상기 제1 구동 트랜지스터 T2의 구조 및 성질에 의존한다.

또한, 노드 N1에 인가된 데이터 신호 VDATA[m]에 의해 제2 구동 트랜지스터 T3에서 형성되는 제2 구동 전류 I2는 다음의 수학식 3에 따른다.

상기 수학식 3에서 상수 K2는 제2 구동 트랜지스터 T3의 전하 캐리어의 이동도, 게이트-몸체간의 커패시턴스, 채널의 길이와 폭에 의해 결정된다. 또한, Vth2는 상기 제2 구동 트랜지스터 T3의 문턱 전압이다. 상기 문턱 전압 Vth2는 제2 구동 트랜지스터 T3의 게이트 절연층, 게이트 전극이 가지는 불순물 농도 등에 따라 결정된다. 따라서, 상수 K2 및 문턱 전압 Vth2은 상기 제2 구동 트랜지스터 T3의 구조 및 성질에 의존한다.

상기 제1 구동 트랜지스터 T2의 제1 구동 전류 I1 및 상기 제2 구동 트랜지스터 T3의 제2 구동 전류 I2는 유기전계발광소자 OLED로 흐르고, 상기 유기전계발광소자는 구동 전류 I1+I2에 상응하는 휘도를 가지고 발광 동작을 수행한다. 즉, 유기전계발광소자의 발광 동작에 요구되는 구동 전류는 현재 화소 영역(200)에 형성된 제1 구동 트랜지스터 T2의 제1 구동 전류 및 상기 현재 화소 영역(200)에 인접한 제1 인접 화소 영역(202)에 형성된 제2 구동 트랜지스터 T3의 제2 구동 전류의 합이 된다.

또한, 현재 화소 영역(200)에 구비된 트랜지스터 T4는 상기 현재 화소 영역(200)에 인접한 제2 인접 화소 영역(204)에 형성된 유기전계발광소자에 구동 전류를 공급한다. 상기 제2 인접 화소 영역(204)는 상기 현재 화소 영역(200)을 중심으로 제1 인접 화소 영역(204)과 대향하는 위치에 형성됨이 바람직하다.

박막 트랜지스터의 제조 공정에 따라 각각의 화소 영역에 형성되는 트랜지스터는 화소마다 특성의 차이를 가진다. 예컨대 각각의 화소 영역에 형성되는 구동 트랜지스터는 동일한 특성을 가져야하나, 실제 제조시 특성의 편차를 가진다. 이러한 특성의 편차를 감소시키기 위해 인접 화소 영역에 적어도 하나의 구동 트랜지스터를 형성하여, 화소간 특성의 편차를 감소시킬 수 있다.

또한, 상기 도 2에서는 유기전계발광소자에 제2 구동 전류를 공급하는 제2 구동 트랜지스터 T3이 현재 화소 영역(200)의 상부에 위치한 제1 화소 영역(202)에 형성되는 것으로 도시하였으나, 상기 제2 구동 트랜지스터는 현재 화소 영역(200)의 상하좌우에 인접한 화소에 위치할 수 있다.

도 3을 참조하면, 유기전계발광장치의 현재 화소 회로는 스위칭 트랜지스터 T1, 제1 구동 트랜지스터 T2, 제2 구동 트랜지스터 T3, 발광 트랜지스터 T5, 커패시터 C 및 유기전계발광소자 OLED를 가진다.

현재 화소 회로는 현재 화소 영역(300) 및 제1 인접 화소 영역(302)에 걸쳐서 형성된다. 현재 화소 영역(300)에는 스위칭 트랜지스터 T1, 제1 구동 트랜지스터 T2, 트랜지스터 T4, 발광 트랜지스터 T5, 커패시터 C 및 유기전계발광소자 OLED가 형성된다. 또한, 제1 인접 화소 영역(302)에는 제2 구동 트랜지스터 T3이 형성된다.

상기 스위칭 트랜지스터 T1은 주사 신호 SCAN[n]의 제어에 따라 온/오프 동 작을 수행하고, 데이터 신호 VDATA[m]을 노드 N1에 전달한다. 구동 트랜지스터 T2는 노드 N2 및 ELVDD 라인 사이에 연결되고, 상기 유기전계발광소자 OLED의 발광에 요구되는 제1 구동 전류를 형성한다. 커패시터 C는 상기 스위칭 트랜지스터 T1을 통해 전달되는 데이터 신호 VDATA[m]을 저장한다.

또한, 현재 화소 영역(300)에 형성되는 트랜지스터 T4는 제2 인접 화소 영역(304)에 형성된 유기전계발광소자에 구동 전류를 공급한다.

또한, 상기 현재 화소 회로의 노드 N1 및 N2에는 제1 인접 화소 영역(302)에 형성된 제2 구동 트랜지스터 T3이 연결된다. 즉, 상기 제2 구동 트랜지스터 T3은 제1 구동 트랜지스터 T2와 병렬로 연결되고, 제1 구동 트랜지스터 T2가 형성된 현재 화소 영역(300)과 인접한 제1 인접 화소 영역(302)에 형성된다.

발광 트랜지스터 T5는 유기전계발광소자 OLED와 노드 N2 사이에 연결되며, 온/오프 동작을 통해, 제1 구동 트랜지스터 T2 및 제2 구동 트랜지스터 T3에서 발생된 구동 전류를 상기 유기전계발광소자 OLED에 공급한다.

계속해서, 발광 제어 신호 EMI[n]에 의해 발광 트랜지스터 T5가 턴온된다. 상기 발광 트랜지스터 T5의 턴온에 의해, 커패시터 C에 저장된 전압에 상응하는 구동 전류는 유기전계발광소자 OLED에 흐르고, 유기전계발광소자 OLED는 발광을 개시 한다.

노드 N1에 인가되는 데이터 신호 VDATA[m]에 의해 제1 구동 트랜지스터 T2에서 형성되는 제1 구동 전류 I1은 다음의 수학식 4에 따른다.

상기 수학식 4에서 상수 K1은 현재 화소 영역(300)에 형성된 제1 구동 트랜지스터 T2의 전하 캐리어의 이동도, 게이트-몸체간의 커패시턴스, 채널의 길이와 폭에 의해 결정된다. 또한, Vth1은 상기 제1 구동 트랜지스터 T2의 문턱 전압이다. 상기 문턱 전압 Vth1은 제1 구동 트랜지스터 T2의 게이트 절연층, 게이트 전극이 가지는 불순물 농도 등에 따라 결정된다. 따라서, 상수 K1 및 문턱 전압 Vth1은 상기 제1 구동 트랜지스터 T2의 구조 및 성질에 의존한다.

또한, 노드 N1에 인가된 데이터 신호 VDATA에 의해 제2 구동 트랜지스터 T3에서 형성되는 제2 구동 전류 I2는 다음의 수학식 5에 따른다.

상기 수학식 5에서 상수 K2는 제1 인접 화소 영역(302)에 형성된 제2 구동 트랜지스터 T3의 전하 캐리어의 이동도, 게이트-몸체간의 커패시턴스, 채널의 길이와 폭에 의해 결정된다. 또한, Vth2는 상기 제2 구동 트랜지스터 T3의 문턱 전압이다. 상기 문턱 전압 Vth2는 제2 구동 트랜지스터 T3의 게이트 절연층, 게이트 전극 이 가지는 불순물 농도 등에 따라 결정된다. 따라서, 상수 K2 및 문턱 전압 Vth2은 상기 제2 구동 트랜지스터 T3의 구조 및 성질에 의존한다.

상기 제1 구동 트랜지스터 T2의 제1 구동 전류 I1 및 상기 제2 구동 트랜지스터 T3의 제2 구동 전류 I2는 유기전계발광소자 OLED로 흐르고, 상기 유기전계발광소자 OLED는 구동 전류 I1+I2에 상응하는 휘도를 가지고 발광 동작을 수행한다. 즉, 유기전계발광소자 OLED의 발광 동작에 요구되는 구동 전류는 현재 화소 영역(300)에 형성된 제1 구동 트랜지스터 T2의 제1 구동 전류 및 상기 현재 화소 영역(300)에 인접한 제1 인접 화소 영역(302)에 형성된 제2 구동 트랜지스터 T3의 제2 구동 전류의 합이 된다.

또한, 현재 화소 영역(300)에 구비된 트랜지스터 T4는 상기 현재 화소 영역(300)에 인접한 제2 인접 화소 영역(304)에 형성된 유기전계발광소자에 구동 전류를 공급한다. 상기 제2 인접 화소 영역(304)은 현재 화소 영역(300)을 중심으로 제1 인접 화소 영역(302)과 대향하는 위치에 형성됨이 바람직하다.

또한, 상기 도 3에서는 유기전계발광소자에 제2 구동 전류를 공급하는 제2 구동 트랜지스터 T3이 현재 화소 영역(300)의 상부에 위치한 제1 화소 영역(302)에 형성되는 것으로 도시하였으나, 상기 제2 구동 트랜지스터는 현재 화소 영역(300)의 상하좌우에 인접한 화소에 위치할 수 있다. 또한, 현재 화소 영역(300)에 인접한 상하좌우에 배치된 화소들에 형성된 구동 트랜지스터를 배선으로 연결하여 다수의 구동 트랜지스터에서 발생되는 구동 전류를 유기전계발광소자에 이용할 수 있다.

상술한 본 발명의 실시예에 따르면, 현재 화소 회로의 유기전계발광소자의 발광 동작에 요구되는 구동 전류를 유기전계발광소자가 형성되는 현재 화소 영역과 상기 현재 화소 영역에 인접한 인접 화소 영역에서 형성한다. 이는 유기전계발광장치의 제조 공정시 화소 영역들마다 동일한 역할을 수행하는 박막 트랜지스터의 특성 편차를 감소시킬 수 있으며, 균일한 특성을 가진 구동 트랜지스터들을 형성할 수 있다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 화소 회로의 구동 전류는 2개의 구동 트랜지스터들에 의해 형성된다. 2개의 구동 트랜지스터들 중 하나의 구동 트랜지스터는 유기전계발광소자가 형성된 현재 화소 영역에 형성되고, 나머지 하나의 구동 트랜지스터는 상기 현재 화소 영역에 인접한 인접 화소 영역에 형성된다. 따라서, 제조 공정에 따라 편차를 가지는 구동 트랜지스터의 특성을 보상할 수 있으며, 균일한 특성을 가진 구동 전류를 유기전계발광소자에 공급할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영 역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

다수의 주사 라인들과 다수의 데이터 라인이 형성되고, 상기 주사 라인들과 데이터 라인들이 교차하는 영역에 형성된 다수의 화소 영역을 가지는 유기전계발광장치에 있어서,

주사 신호에 따라 스위칭 동작을 수행하기 위한 스위칭 트랜지스터;

상기 스위칭 트랜지스터를 통해 수신되는 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터;

상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 따라 제1 구동 전류를 발생하기 위한 제1 구동 트랜지스터;

상기 제1 구동 트랜지스터가 형성된 현재 화소 영역에 인접한 제1 인접 화소영역에 형성되고, 상기 데이터 신호에 따라 제2 구동 전류를 발생하기 위한 제2 구동 트랜지스터; 및

상기 제1 구동 전류 및 상기 제2 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자를 포함하는 유기전계발광장치의 화소 회로.
제1항에 있어서, 상기 제1 인접 화소 영역은 상기 현재 화소 영역의 상하좌우중 소정의 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치의 화소 회로.
제2항에 있어서, 상기 제2 구동 트랜지스터는 상기 제1 구동 트랜지스터와 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치의 화소 회로.
제3항에 있어서, 상기 현재 화소 영역은 상기 현재 화소 영역에 인접한 제2 인접 화소 영역의 유기전계발광소자에 구동 전류를 공급하기 위한 트랜지스터를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치의 화소 회로.
제4항에 있어서, 상기 제2 인접 화소 영역는 상기 현재 화소 영역을 중심으로 상기 제1 인접 화소 영역과 대향하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치의 화소 회로.
주사 신호에 따라 스위칭 동작을 수행하기 위한 스위칭 트랜지스터;

상기 스위칭 트랜지스터를 통해 수신되는 데이터 신호를 저장하기 위한 커패시터;

상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 신호에 따라 제1 구동 전류를 발생하기 위한 제1 구동 트랜지스터;

상기 제1 구동 트랜지스터가 형성된 현재 화소 영역에 인접한 제1 인접 화소영역에 형성되고, 상기 데이터 신호에 따라 제2 구동 전류를 발생하기 위한 제2 구동 트랜지스터;

상기 제1 구동 전류 및 상기 제2 구동 전류에 따라 발광 동작을 수행하기 위한 유기전계발광소자; 및

발광 제어 신호에 따라 온/오프 동작을 수행하고, 상기 제1 구동 전류 및 상기 제2 구동 전류를 상기 유기전계발광소자에 공급하기 위한 발광 트랜지스터를 포함하는 유기전계발광장치의 화소 회로.
제6항에 있어서, 상기 제1 인접 화소 영역은 상기 현재 화소 영역의 상하좌우중 소정의 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치의 화소 회로.
제7항에 있어서, 상기 제2 구동 트랜지스터는 상기 제1 구동 트랜지스터와 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치의 화소 회로.
제8항에 있어서, 상기 현재 화소 영역은 상기 현재 화소 영역에 인접한 제2 인접 화소 영역의 유기전계발광소자에 구동 전류를 공급하기 위한 트랜지스터를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치의 화소 회로.
제9항에 있어서, 상기 제2 인접 화소 영역는 상기 현재 화소 영역을 중심으로 상기 제1 인접 화소 영역과 대향하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광장치의 화소 회로.