JP2013156376A

JP2013156376A - 光モジュール

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Publication number: JP2013156376A
Application number: JP2012015824A
Authority: JP
Inventors: Shugen Ryu; 主鉉柳; Hironori Yasuda; 裕紀安田; Mitsuki Hirano; 光樹平野; Yoshinori Sunaga; 義則須永
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Priority date: 2012-01-27
Filing date: 2012-01-27
Publication date: 2013-08-15
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Abstract

【課題】光ファイバを確実に保持しながら、小型化を図ることが可能な光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール１は、回路基板２と、回路基板２の実装面２ａに実装された光電変換素子３１と、光ファイバ９を保持すると共に、光ファイバ９と光電変換素子３１と光ファイバ９とを光学的に結合する光結合部材４と、回路基板２の実装面２ａに実装され、光電変換素子３１に電気的に接続された半導体回路素子３２と、回路基板２との間に光結合部材４を挟むように配置された板状の支持部材５と、支持部材５の厚さ方向に延びるように支持部材５に支持され、回路基板２の非実装面２ｂに設けられた電極２２２に一端が接続された導電体６とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光ファイバを介して信号の伝送を行う光モジュールに関する。

従来、電気エネルギーを光エネルギーに、又は光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換素子を備え、光ファイバを介して信号の送信又は受信を行う光モジュールが知られている（特許文献１参照）。

特許文献１に記載の光モジュールは、板状の第１〜第４基板と、ＩＣ基板と、光モジュールを他の回路装置に電気的に接続するためのコネクタとを有している。第１基板には、発光素子又は受光素子が実装されている。ＩＣ基板には、発光素子に電気信号を送信する回路、又は受光素子の電気信号を増幅する回路が形成されている。第２基板には、光ファイバが挿入される挿入ガイド溝が形成され、この挿入ガイド溝に挿入された光ファイバが第２基板と第３基板との間に挟持されている。ＩＣ基板は、光ファイバの延伸方向に沿って、第３基板との間に第１基板を挟むように設置されている。つまり、第３基板，第１基板，及びＩＣ基板が、光ファイバの延伸方向に沿って、この順序で並んでいる。また、第１基板，第３基板，及びＩＣ基板は、これらの各基板よりも大型の第４基板の上面に設置され、コネクタは第４基板の下面に取り付けられている。

特開２０１１−９５２９５号公報

近年、光通信の普及により、様々な装置に光モジュールが搭載されるようになっている。そして、装置によっては、光モジュールの小型化及び軽量化が強く望まれる場合がある。このような光モジュールの用途としては、例えば折り畳み式又はスライド式の携帯電話の操作部（キーボード搭載部）と表示部（ディスプレイ搭載部）との間の通信が挙げられる。

特許文献１に記載の光モジュールは、第４基板の上面に第１基板及び第３基板が設置され、さらに第３基板の上に第２基板が設置されているので、コネクタの上に３つの基板が積層された構造となっている。このため、光モジュールの厚さ方向の寸法が増大する。

また、特許文献１に記載の光モジュールは、その全長（光ファイバの延伸方向の長さ）を短くしようとした場合、例えば第２基板と第３基板を小型化して挿入ガイド溝を短縮することが考えられる。しかし、挿入ガイド溝を短縮すると、光ファイバの保持剛性が低くなり、光ファイバが抜け出しやすくなってしまう。このため、光モジュールの全長を短縮することに構造上の制約がある。

そこで、本発明は、光ファイバを確実に保持しながら、小型化を図ることが可能な光モジュールを提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、回路基板と、前記回路基板の実装面に実装された光電変換素子と、光ファイバを保持すると共に、前記光ファイバと前記光電変換素子とを光学的に結合する光結合部材と、前記回路基板の前記実装面に実装され、前記光電変換素子に電気的に接続された半導体回路素子と、前記回路基板との間に前記光結合部材を挟むように配置された板状の支持部材と、前記支持部材の厚さ方向に延びるように前記支持部材に支持され、前記回路基板の前記実装面の裏側の非実装面に設けられた電極に一端が接続された導電体とを有する光モジュールを提供する。

また、前記光結合部材は、前記支持部材側に開口して前記光ファイバの先端部を収容する溝部を有し、前記支持部材は、前記溝部に収容された前記光ファイバの先端部を前記光結合部材との間に挟持してもよい。

また、前記導電体は、その少なくとも一部が前記支持部材の側面に露出していてもよい。

また、前記導電体は、前記支持部材に形成された凹部に少なくとも一部が収容されていてもよい。

また、光結合部材は、光ファイバを保持する保持体と、光ファイバから出射された出射光を導く導光体とを有しているとよい。

また、前記支持部材は、前記光ファイバを固定する接着剤を貯留する溜り部を有していてもよい。

本発明に係る光モジュールによれば、光ファイバを確実に保持しながら、小型化を図ることが可能となる。

本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールを示す斜視図である。光モジュールが電子回路基板に搭載された状態を示す側面図である。図１のＡ−Ａ線断面図である。回路基板を示し、（ａ）は実装面の平面図、（ｂ）は非実装面の平面図である。光結合部材を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ），（ｄ）は斜視図である。カバーレイを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は斜視図である。（ａ），（ｂ）は、支持部材を示す斜視図である。導電体を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は背面図、（ｅ）は下面図、（ｆ）は斜視図である。支持部材に複数の導電体６が組み付けられた状態を示す斜視図である。支持部材の裏面側から見た光モジュール１の斜視図である。支持部材の本体部の第３の側面側から見た光モジュールの外観図である。本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールを示す斜視図である。本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールを示す斜視図である。（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールの支持部材を示す斜視図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの一構成例を、図１〜図１１を参照して説明する。

図１は、本実施の形態に係る光モジュール１を示す斜視図である。図２は、光モジュール１が電子回路基板８に搭載された状態を示す側面図である。図３は、光モジュール１に装着された光ファイバ９の軸線に沿って切断した光モジュール１のＡ−Ａ線断面図である。

この光モジュール１は、図２に示すように、電子回路基板８に搭載して使用される。電子回路基板８は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂をしみ込ませて熱硬化処理を施した板状の基材８０に複数の銅箔８１を張り付けたガラスエポキシ基板である。電子回路基板８には、図略のＣＰＵ（Central Processing Unit）や記憶素子等の電子部品が搭載され、光モジュール１に装着される光ファイバ９を伝送媒体とする光通信により、他の電子回路基板又は電子装置との間で信号を送信又は受信する。

光モジュール１は、回路基板２と、回路基板２の実装面２ａに実装された光電変換素子３１と、光ファイバ９を保持すると共に光電変換素子３１と光ファイバ９とを光学的に結合する光結合部材４と、回路基板２の実装面２ａに実装され、光電変換素子３１に電気的に接続された半導体回路素子３２と、回路基板２との間に光結合部材４を挟むように配置された板状の支持部材５と、支持部材５の厚さ方向に延びるように支持部材５に支持され、回路基板２の非実装面２ｂに設けられた電極２２２に一端が接続された導電体６とを有して構成されている。

また、本実施の形態では、回路基板２の光結合部材４側に絶縁性の樹脂からなるカバーレイ２０（図２，３に示す）が設けられている。そして、カバーレイ２０と回路基板２及び光結合部材４との間、ならびに光結合部材４と支持部材５との間は、接着等の固定手段により相互に固定されている。

光モジュール１は、光ファイバ９の延伸方向に沿った全長が例えば１．３ｍｍであり、この方向に直交する幅方向の寸法が例えば１．０ｍｍである。また、光モジュール１の高さ方向（電子回路基板８に垂直な方向）の寸法は例えば０．８ｍｍである。

光電変換素子３１は、電気エネルギーを光に変換し、又は光を電気エネルギーに変換する素子である。前者の例としては、半導体レーザー素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode、発光ダイオード）が挙げられる。また、後者の例としては、フォトダイオードが挙げられる。光電変換素子３１は、回路基板２との対向面に形成された図略の受発光部から光を出射又は入射するように構成されている。

光電変換素子３１が電気エネルギーを光に変換する素子である場合、半導体回路素子３２は、電子回路基板８から入力される電気信号に基づいて光電変換素子３１を駆動するドライバＩＣである。また、光電変換素子３１が受光した光を電気エネルギーに変換する素子である場合、半導体回路素子３２は、光電変換素子３１から入力される電気信号を増幅して電子回路基板８側に出力するプリアンプＩＣである。

なお、本実施の形態では、光電変換素子３１及び半導体回路素子３２がそれぞれ一つである場合について説明するが、回路基板２に複数の光電変換素子３１及び半導体回路素子３２が実装されていてもよい。

図４は、回路基板２を示し、（ａ）は実装面２ａの平面図、（ｂ）は非実装面２ｂの平面図である。

回路基板２は、柔軟性及び光透過性を有するフィルム状の絶縁体からなる基材２１の表面に、導電性の金属箔からなる複数の電極２２１，２２２が設けられたフレキシブル基板である。光電変換素子３１及び半導体回路素子３２が実装される実装面２ａには、複数の電極２２１が設けられている。実装面２ａの裏側の非実装面２ｂには、複数の電極２２２が設けられている。

複数の電極２２２には、複数（本実施の形態では６つ）の導電体６がそれぞれハンダ付けされ、電極２２２と導電体６とは、ハンダ７によって電気的に接続されている（図２，図３参照）。実装面２ａにおける複数の電極２２１は、その機能によって接続用電極２２１ａとテスト用電極２２１ｂとに分類される。接続用電極２２１ａは、光電変換素子３１の端子３１１又は半導体回路素子３２の端子３２１（図２，図３参照）に半田付けによって接続される電極である。

テスト用電極２２１ｂは、光モジュール１が電子回路基板８に搭載されていない単体の状態で、光モジュール１の動作試験を行うためのテスト用の電極であり、スルーホール２３によって複数の電極２２２にそれぞれ直接接続されている。テスト用電極２２１ｂには、動作試験用のプローブが接触し、このプローブを介して電源の供給やテスト信号の入出力が行われる。本実施の形態では、複数（６つ）のテスト用電極２２１ｂが、半導体回路素子３２よりも実装面積の小さい光電変換素子３１の周辺に配置されている。

図５は、光結合部材４を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、（ｃ），（ｄ）は斜視図である。

光結合部材４は、光ファイバ９を保持する保持体４０と、光ファイバ９から出射された出射光を導く導光体４１とを有して構成されている。保持体４０及び導光体４１は共に光ファイバ９を伝搬する伝搬光の波長において透光性を有し、導光体４１は、保持体４０の屈折率よりも高い屈折率を有している。保持体４０は、例えばＰＩ（ポリイミド）からなり、導光体４１は、例えばアクリル、エポキシ、ＰＩ、ポリシロキサン等からなる。

保持体４０は平板状であり、カバーレイ２０に対向する平坦な表（おもて）面４０ａと、表面４０ａに平行で支持部材５に対向する裏面４０ｂとを有している。保持体４０は、支持部材５側に開口して光ファイバ９の先端部を収容する溝部４０１を裏面４０ｂ側に有している。溝部４０１は、半導体回路素子３２と光電変換素子３１との並列方向に沿って延びるように、保持体４０の裏面４０ｂから保持体４０の厚さ方向に表面４０ａに向かって窪むように形成されている。

また、保持体４０は、溝部４０１に連通し、光ファイバ９を伝搬する伝搬光を導く導光体４１を有している。導光体４１は、その中心軸が溝部４０１の延伸方向と平行である。図５（ａ）では、導光体４１を破線で示している。

またさらに、保持体４０には、裏面４０ｂ側に切り欠き部４０３が形成されている。切り欠き部４０３は、保持体４０の一方の側面から他方の側面に亘って形成され、その延伸方向は導光体４１の中心軸に直交している。また、切り欠き部４０３は、側面視で三角形状を呈し、その切り欠き面４０３ａによって導光体４１を終端している。切り欠き部４０３が裏面４０ｂとなす角度は例えば４５°である。なお、切り欠き部４０３には、樹脂を充填してもよい。

導光体４１は、溝部４０１側の一端が入出射面４１ａであり、切り欠き部４０３の切り欠き面４０３ａによって終端された斜面が反射面４１ｂである。入出射面４１ａは、溝部４０１に保持された光ファイバ９のクラッド層９１に囲まれたコア９０（図１に示す）に対向する位置に設けられている。反射面４１ｂは、光電変換素子３１から出射された光を入出射面４１ａ側に、又は入出射面４１ａから入射した光を光電変換素子３１側に、反射する。

保持体４０の溝部４０１に収容された光ファイバ９の先端部は、図２，３に示すように、保持体４０（溝部４０１の底面）と支持部材５との間に挟持される。

図６は、カバーレイ２０を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は斜視図である。

カバーレイ２０は、光透過性を有する平板状の絶縁体である。カバーレイ２０は、例えばＰＩ（ポリイミド）からなる。また、カバーレイ２０は、光結合部材４（保持体４０）の表面４０ａの全面を覆う大きさ及び形状に形成されている。本実施の形態では、表面４０ａに対向するカバーレイ２０の一平面が表面４０ａと合同である。

図７（ａ），（ｂ）は、支持部材５を示す斜視図である。支持部材５は、例えばＰＩ（ポリイミド）等の絶縁性の樹脂からなり、直方体状の本体部５０と、光ファイバ９を固定する接着剤を貯留する溜り部５１とを一体に有している。

本体部５０は、表（おもて）面５０ａと、裏面５０ｂと、第１〜第４の側面５０ｃ〜５０ｆを有している。表面５０ａ及び裏面５０ｂの面積は、第１〜第４の側面５０ｃ〜５０ｆの面積よりも大きく形成されている。

本体部５０には、第１の側面５０ｃを除く３つの側面（第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆ）に、本体部５０の厚さ方向（表面５０ａから裏面５０ｂに至る方向）に延びる複数の凹部５０１が形成されている。本実施の形態では、第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆに凹部５０１がそれぞれ２つずつ形成されている。各凹部５０１は、第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆの裏面５０ｂ側の端部で直角に折れ曲がるＬ字状に形成され、その一部は裏面５０ｂに形成されている。凹部５０１には、導電体６（図１参照）が収容される。

本体部５０の厚みは例えば０．５ｍｍ以下であり、ある程度の光透過性を有するので、裏面５０ｂ側から溝部４０１に収容された光ファイバ９を目視することが可能である。これにより、光ファイバ９を装着する作業を、光ファイバ９の位置を確認しながら行うことが可能である。

溜り部５１は、本体部５０の第１の側面５０ｃに連接して形成されている。溜り部５１は、本体部５０の表面５０ａ側に開口を有するＵ字状に形成され、底壁５１０と、底壁５１０の両端部から表面５０ａ側に突出した一対の四角柱状の側壁５１１とからなる。一対の側壁５１１の間の空間Ｓは、光ファイバ９を光結合部材４の溝部４０１に挿入した後に固定するための図略の接着剤を受容し、この接着剤が固化するまで貯留する貯留空間である。

溜り部５１の厚み（光ファイバ９の延伸方向の長さ）は、本体部５０の同方向における長さよりも小さく、例えば本体部５０の長さの２０％以下である。

図８は、導電体６を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は背面図、（ｅ）は下面図、（ｆ）は斜視図である。導電体６は、導電性の金属からなり、例えば銅に金メッキを施してなる。

導電体６は、本体部５０の凹部５０１のうち第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆに形成された領域に収容される第１導体部６１と、裏面５０ｂに形成された領域に収容される第２導体部６２とを一体に有している。第１導体部６１及び第２導体部６２は、共に四角柱状であり、それぞれの一端部において互いに直交するように連接されている。また、第１導体部６１は第２導体部６２よりも長く形成されている。このように、導電体６は、凹部５０１に少なくとも一部が収容されるＬ字状に形成されている。

第１導体部６１の端面６１ａは、回路基板２の非実装面２ｂにおける電極２２２（図４（ａ）参照）に対向する平面状に形成されている。端面６１ａは、ハンダ７によって電極２２２に接続される（図２参照）。

図９は、支持部材５に６つの導電体６が組み付けられた状態を示す斜視図である。導電体６は、例えばモールド成型によって支持部材５に一体となるように組み付けられている。

第１導体部６１の端面６１ａが形成された側の一端部は、支持部材５の表面５０ａよりも回路基板２側に突出している。表面５０ａから突出した第１導体部６１の一端部は、光モジュール１を組み立てる際の光結合部材４及びカバーレイ２０を位置決めする位置決め部材として機能する。

第１導体部６１の側面６１ｂは、支持部材５の本体部５０における第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆに露出している。すなわち、第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆの法線方向から見たとき、凹部５０１が形成された領域には、第１導体部６１の側面６１ｂが視認される。本実施の形態では、表面５０ａよりも突出した端部を除き、第１導体部６１の全体が凹部５０１に収容されており、第１導体部６１の側面６１ｂと第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆとが同一面上に位置している。

図１０は、支持部材５の裏面５０ｂ側から見た光モジュール１の斜視図である。なお、図１０ではハンダ７の図示を省略している。

第２導体部６２は、その全体が凹部５０１（図７参照）に収容されている。第２導電体６２の側面６２ａは、支持部材５の本体部５０における裏面５０ｂに露出している。すなわち、裏面５０ｂの法線方向から見たとき、凹部５０１が形成された領域には、第２導電体６１の側面６２ａが視認される。本実施の形態では、第２導電体６２の側面６２ａと裏面５０ｂとが同一面上に位置している。導電体６は、第１導体部６１の側面６１ｂ及び第２導体部６２の側面６２ａが、電子回路基板８の銅箔８１（図２参照）にハンダ付けされる。

また、回路基板２の非実装面２ｂは、支持部材５の本体部５０における表面５０ａよりも大きな面積を有し、非実装面２ｂの周縁部に設けられた電極２２２の一部は、第１導体部６１の端面６１ａよりも外方（第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆの法線方向）に張り出している。

図１１は、支持部材５の本体部５０の第３の側面５０ｅ側から見た光モジュール１の外観図である。

導電体６（第１導体部６１）の端面６１ａと回路基板２の電極２２２との間には隙間が形成され、この隙間の幅ｇは、例えば０．１〜０．２ｍｍである。この隙間には、熱によって溶融し、その後固化したハンダ７が介在している。

（光モジュール１の動作）
次に、図３を参照して光モジュール１の動作について説明する。ここでは、光電変換素子３１がＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER、垂直共振器面発光レーザ）であり、半導体回路素子３２がこの光電変換素子３１を駆動するドライバＩＣである場合を中心に説明する。

光モジュール１は、電子回路基板８から動作電源が供給されて動作する。この動作電源は、導電体６及び回路基板２を介して光電変換素子３１及び半導体回路素子３２に入力される。また、半導体回路素子３２には、電子回路基板８から導電体６及び回路基板２を介して、光ファイバ９を伝送媒体として送信すべき信号が入力される。半導体回路素子３２は、入力された信号に基づいて光電変換素子３１を駆動する。

光電変換素子３１は、回路基板２との対向面に形成された受発光部から、回路基板２の実装面２ａに向かって、実装面２ａに垂直な方向にレーザー光を出射する。図３では、このレーザー光の光路Ｌを二点鎖線で示している。

レーザー光は回路基板２の基材２１及びカバーレイ２０を透過して、光結合部材４に入射する。光結合部材４に入射したレーザー光は反射面４１ｂで反射し、導光体４１に導かれて入出射面４１ａから光ファイバ９のコア９０に入射する。

なお、光電変換素子３１が例えばフォトダイオードであり、半導体回路素子３２がプリアンプＩＣである場合には、光の進行方向が上記とは逆となり、光電変換素子３１が受信した光信号を電気信号に変換して半導体回路素子３２に出力する。半導体回路素子３２は、この電気信号を増幅し、回路基板２及び導電体６を介して電子回路基板８側に出力する。

（実施の形態の作用及び効果）
本実施の形態によれば、以下に示す作用及び効果が得られる。

（１）光電変換素子３１及び半導体回路素子３２は、回路基板２に実装され、光ファイバ９はこの回路基板２と支持部材５との間に挟まれた光結合部材４に保持される。これにより、光ファイバ９を保持するための部材を回路基板２の上側（支持部材５との反対側）に設ける必要がなく、光モジュール１の厚さ方向の寸法を小さくできる。

（２）光結合部材４は、回路基板２と支持部材５との間に挟まれるので、光ファイバ９を収容する溝部４０１の長さが直接的に光モジュール１の全長に影響しない。つまり、例えば特許文献１に記載の光モジュールのように、光ファイバを保持する部材と受光素子又は発光素子とが光ファイバの延伸方向に並列している場合には、光ファイバを保持する長さを長くすれば、それに応じて光モジュールの全長が長くなるが、本実施の形態では、光結合部材４と回路基板２とが光モジュール１の厚さ方向に重なるように配置されるので、光モジュール１の大型化を招来することなく光ファイバ９を保持するスペースを確保することができ、光ファイバ９を確実に保持することができる。

（３）光電変換素子３１と半導体回路素子３２は、回路基板２の同じ面（実装面２ａ）に実装されるので、例えば光電変換素子３１が実装面２ａに実装され、半導体回路素子３２がその裏側の面（非実装面２ｂ）に実装された場合に比較して、光モジュール１の厚さ方向の寸法を小さくすることができる。また、光電変換素子３１及び半導体回路素子３２の実装が容易となる。

（４）回路基板２の電極２２２と電子回路基板８の銅箔８１との間に、支持部材５に支持された導電体６が介在するので、例えばハンダを引き延ばして電極２２２と銅箔８１と直接的に接続する場合に比較して、接続作業が容易となる。つまり、電極２２２と銅箔８１との間の間隔が０．５ｍｍ程度であれば、これらをハンダによって接続することが可能ではあるが、導電体６が介在することにより、電極２２２と銅箔８１とを容易かつ確実に接続することができる。

（５）導電体６の側面６１ｂは支持部材５の第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆに露出しているので、電子回路基板８の銅箔８１とのハンダ付けによる接続が容易となる。また、導電体６と銅箔８１とのハンダ付け後にその接続状態を目視により確認することが可能となる。

（６）導電体６の第１導体部６１は、電極２２２に接続される端面６１ａが形成された側の一端部が支持部材５の表面５０ａよりも回路基板２側に突出しているので、例えば導電体６が表面５０ａから突出していない場合に比較して、端面６１ａと電極２２２との間の距離が短くなり、よりハンダ付けが容易となる。

（７）導電体６の第２導体部６１は、側面６２ａが支持部材５の裏面５０ｂに露出しているので、電子回路基板８の銅箔８１とのハンダ付けがより確実に行える。

（８）導電体６は、その一部が支持部材５に形成された凹部５０１に収容されるので、導電体６が確実に支持部材５に支持される。また、凹部５０１及び導電体６はＬ字状に形成されているので、例えば導電体６が第１導体部６１を有し、第２導体部６２を有しないＩ字型である場合に比較して、より確実に導電体６を支持部材５に支持することが可能となる。

（９）光ファイバ９は、その先端部が光結合部材４の溝部４０１に収容された状態で、支持部材５の溜り部５１に貯留される接着剤によって支持部材５に固定されるので、光ファイバ９をより確実に装着することが可能となる。

［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について、図１２〜図１４を参照して説明する。これらの図において、第１の実施の形態について説明したものと実質的に共通する機能を有する構成要素については、同一の又は対応する符号を付して、その重複した説明を省略する。

図１２は、本実施の形態に係る光モジュール１Ａを示す斜視図である。図１３は、図１２とは異なる角度から見た光モジュール１Ａを示す斜視図である。図１４（ａ），（ｂ）は、光モジュール１Ａの支持部材５Ａを示す斜視図である。

第１の実施の形態では、溜り部５１の一対の側壁５１１が四角柱状である場合について説明したが、本実施の形態に係る光モジュール１Ａでは、一対の壁部５１１Ａが円柱状である。一対の壁部５１１Ａは、底壁５１０Ａと共に溜り部５１Ａを構成する。

また、第１の実施の形態では、凹部５０１が第２〜第４の側面５０ｄ〜５０ｆ及び裏面５０ｂに形成されたＬ字状であったが、本実施の形態に係る光モジュール１Ａでは、支持部材５Ａの本体部５０Ａに形成された凹部５０１Ａが裏面５０ｂ側にのみ形成されている。

導電体６は、第２導体部６２が凹部５０１Ａに収容され、第１導体部６１は、第２の側面５０ｄ及び第４の側面５０ｆに沿って本体部５０Ａの厚さ方向に延びるように支持されている。

本実施の形態によっても、第１の実施の形態について説明した作用及び効果と同様の作用及び効果が得られる。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、光モジュール１に一本の光ファイバ９が装着された場合について説明したが、これに限らず、複数の光ファイバ９が装着されるように光モジュールを構成してもよい。

また、第１及び第２の実施の形態では、図１及び図１２等に示すように、支持部材５，５Ａに支持された導電体６の第１導体部６１が、支持部材５，５Ａの厚さ方向に対して平行に延びる場合を図示したが、これに限らず、第１導体部６１が支持部材５，５Ａの厚さ方向に対して傾いていてもよい。また、導電体６の第１導体部６１は、直線状に限らず、屈曲又は湾曲していてもよい。つまり、導電体６は、その少なくとも一部が支持部材５の厚さ方向に対して平行に又は傾斜して延びるように支持されていればよい。

また、第１及び第２の実施の形態では、導電体６の一部が凹部５０１，５０１Ａに収容されて支持されている場合について説明したが、これに限らず、導電体が例えば接着や粘着によって支持部材５，５Ａの側面５０ｃ〜５０ｆに固定され、支持されていてもよい。また、導電体が例えば環状のバンドによって支持部材５，５Ａの側面５０ｃ〜５０ｆに押し付けられて支持されていてもよい。

また、第１及び第２の実施の形態では、電極２２２と電子回路基板８の銅箔８１とが単一の導電体（導電体６）で接続される場合について説明したが、これに限らず、電極２２２と電子回路基板８の銅箔８１との間が複数の部材からなる導電体によって電気的に接続されていてもよい。例えば、電極２２２に接続された第１導電部材と、第１導電部材とは別体で、電子回路基板８の銅箔８１に接続される第２導電部材との組み合わせにより、導電体が構成されていてもよい。

１，１Ａ…光モジュール、２…回路基板、２ａ…実装面、２ｂ…非実装面、４…光結合部材、５，５Ａ…支持部材、６…導電体、７…ハンダ、８…電子回路基板、９…光ファイバ、２０…カバーレイ、２１…基材、２３…スルーホール、３１…光電変換素子、３２…半導体回路素子、４０…保持体、４０ａ…表面、４０ｂ…裏面、４１…導光体、４１ａ…入出射面、４１ｂ…反射面、５０，５０Ａ…本体部、５０ａ…表面、５０ｂ…裏面、５０ｃ〜５０ｆ…第１〜第４の側面、５１，５１Ａ…溜り部、６１…第１導体部、６１ａ…端面、６１ｂ…側面、６２…第２導体部、６２ａ…側面、８０…基材、８１…銅箔、９０…コア、９１…クラッド層、２２１，２２２…電極、２２１ａ…接続用電極、２２１ｂ…テスト用電極、３１１，３２１…端子、４０１…溝部、４０３…切り欠き部、４０３ａ…切り欠き面、５０１，５０１Ａ…凹部、５１０，５１０Ａ…底壁、５１１，５１１Ａ…側壁、Ｌ…光路、Ｓ…空間

Claims

回路基板と、
前記回路基板の実装面に実装された光電変換素子と、
光ファイバを保持すると共に、前記光ファイバと前記光電変換素子とを光学的に結合する光結合部材と、
前記回路基板の前記実装面に実装され、前記光電変換素子に電気的に接続された半導体回路素子と、
前記回路基板との間に前記光結合部材を挟むように配置された板状の支持部材と、
前記支持部材の厚さ方向に延びるように前記支持部材に支持され、前記回路基板の前記実装面の裏側の非実装面に設けられた電極に一端が接続された導電体と
を有する光モジュール。
前記光結合部材は、前記支持部材側に開口して前記光ファイバの先端部を収容する溝部を有し、
前記支持部材は、前記溝部に収容された前記光ファイバの先端部を前記光結合部材との間に挟持する、
請求項１に記載の光モジュール。
前記導電体は、その少なくとも一部が前記支持部材の側面に露出している、
請求項１又は２に記載の光モジュール。
前記導電体は、その一端部が前記支持部材の前記光結合部材との対向面よりも前記回路基板側に突出している、
請求項１乃至３の何れか１項に記載の光モジュール。
前記導電体は、前記支持部材の側面に少なくとも一部が露出する第１導体部と、前記第１導体部に直交する第２導体部とを一体に有し、前記第２導体部の側面が、前記支持部材の前記光結合部材との対向面の裏側の裏面に露出している、
請求項３又は４に記載の光モジュール。
前記導電体は、前記支持部材に形成された凹部に少なくとも一部が収容されている、
請求項１乃至５の何れか１項に記載の光モジュール。
光結合部材は、光ファイバを保持する保持体と、光ファイバから出射された出射光を導く導光体とを有している、
請求項１乃至６の何れか１項に記載の光モジュール。
前記支持部材は、前記光ファイバを固定する接着剤を貯留する溜り部を有する、
請求項１乃至７の何れか１項に記載の光モジュール。