JP2013154354A - 電子回路モジュール部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子部品2と、電子部品2が搭載される回路基板3と、電子部品2の端子電極2Tと回路基板3の端子電極3Tとの間には、接合金属5が介在して両者を接合する。接合金属5は、Ni−Sn合金を主成分とする主相に、BiまたはZnのいずれか一方を主成分とする第2相とが分散している。
【選択図】図4
Description
(1)回路基板3の端子電極3Tに本実施形態に係るPbフリーはんだを含むはんだペーストを印刷する。
(2)実装装置(マウンタ)を用いて電子部品2を回路基板3に載置する。
(3)電子部品2が搭載された回路基板3をリフロー炉に入れて前記はんだペーストを加熱することにより、前記はんだペーストに含まれるPbフリーはんだが溶融し、凝固する。そして、凝固後のPbフリーはんだ、すなわち接合金属5が、電子部品2の端子電極2Tと回路基板3の端子電極3Tとを接合する。
(4)電子部品2及び回路基板3の表面に付着したフラックスを洗浄する。
(5)絶縁樹脂4で電子部品2及び回路基板3を覆う。
(1)回路基板の端子電極に、後述する表1に示す各サンプルの組成のPbフリーはんだを含むはんだペーストを印刷した。
(2)実装装置を用いて電子部品としてチップ型抵抗素子を回路基板に載置した。
(3)電子部品が搭載された回路基板をリフロー炉に入れて、前記はんだペーストを加熱することにより、前記はんだペーストに含まれる第1金属粒子が溶融し、凝固する。リフロー加熱の条件は図10のような温度曲線となるように、ピーク温度θmaxが表1に示す第1金属の種類により、各融点よりも20℃高く設定し、第1金属粒子が完全に溶融するように設定した。凝固後のPbフリーはんだ、すなわち接合金属によって、電子部品の端子電極と回路基板の端子電極とを接合させた。
(4)電子部品及び回路基板の表面に付着したフラックスを洗浄した。
(5)接合金属の組織をサンプリングして観察し、目的とする組織を構成するように表1に示すような熱処理を施した。熱処理を行ったサンプルは、Bi相13又はZn相13の量および存在する厚みの影響を確認するため、図11に示す処理条件にて、θkを240℃として、Δtを2min、15min、30min、90minの処理を施した。
(6)絶縁樹脂で電子部品及び回路基板を覆った。電子部品及び回路基板を被覆する絶縁樹脂は、エポキシ樹脂にシリカフィラーを添加したものを用いた。そして、絶縁樹脂で電子部品及び回路基板を覆うように塗布し、真空槽内で熱プレス硬化した。その結果、電子部品が絶縁樹脂により封止された電子回路モジュール部品を20個作製した。
(1)導通試験用基板の端子電極に、後述する表1に示す各サンプルの組成のPbフリーはんだを含むはんだペーストを印刷した。
(2)実装装置を用いて電気的導通の確認が可能な素子としてデイジーチェーンを導通試験用基板に載置した。
(3)デイジーチェーンが搭載された導通試験用基板をリフロー炉に入れて、前記はんだペーストを加熱することにより、前記はんだペーストに含まれる第1金属粒子が溶融し、凝固する。そして、凝固後のPbフリーはんだ、すなわち接合金属によって、デイジーチェーンの端子電極と導通試験用基板の端子電極とを接合させた。リフロー加熱の条件は図10のような温度曲線となるように、ピーク温度θmaxが表1に示す第1金属の種類により、各融点よりも20℃高く設定し、第1金属粒子が完全に溶融するように設定した。
(4)デイジーチェーン及び導通試験用基板の表面に付着したフラックスを洗浄した。(5)接合金属の組織を目的とする組織を構成するように表1に示すような熱処理を施した。熱処理を行ったサンプルは、Bi相13又はZn相13の量および存在する厚みの影響を確認するため、図11に示す処理条件にて、θkを240℃として、Δtを2min、15min、30min、90minの処理を施した。
2 電子部品
2T、3T 端子電極
3 回路基板
4 絶縁樹脂
5 接合金属
6 モジュール端子電極
7 装置基板
8 装置基板端子電極
9 はんだ
10 主相
11 Ni−Fe相(第3相)
12 Sn相
13 Bi相またはZn相(第2相)
R10 主相の代表寸法
R11 Ni−Fe相(第3相)の代表寸法
R12 Sn相の代表寸法
R13 Bi相またはZn相(第2相)の代表寸法
15 Pbフリーはんだ
15A、15Aa 第1金属粒子
15B、15Ba 第2金属粒子
PE フラックス
15BC コア粒子
15BS 被覆層
Claims (5)
- 電子部品と、当該電子部品が搭載される回路基板と、前記電子部品の端子電極と前記回路基板の端子電極との間に、Ni−Sn合金を主成分とする主相と、BiまたはZnのいずれか一方を主成分とする第2相と、を有する接合金属とを含むことを特徴とする電子回路モジュール部品。
- 前記BiまたはZnのいずれか一方を主成分とする第2相の割合は、前記接合金属部の断面積の1%以上30%以下であり、前記接合金属内において網目状に存在していることを特徴とする請求項1の電子回路モジュール部品。
- 前記接合金属に、Ni−Fe合金を主成分とする第3相を有し、前記第3相は前記主相を介して前記第2相に囲繞された構造であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子回路モジュール部品。
- 前記主相が、前記接合金属の全体積に対して、50体積%以上90体積%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子回路モジュール部品。
- 前記接合金属中のSn相が、前記接合金属の全体積に対して40体積%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子回路モジュール部品。
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