JP2013152968A - シリコンエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板Sにエッチングを施すシリコンエッチング装置であって、エッチング時のパラメータを設定するパラメータ設定部としての制御部を有する制御装置と、真空槽11内のプラズマの密度を計測する密度計測装置20とを備える。制御装置は、さらに、密度計測装置20の計測結果を記憶する記憶部を備える。そして、上記制御部は、ガス供給装置12、排気装置13、バイアス用高周波電源15、昇降装置H、放電用高周波電源17、及び電流供給装置19、これら各パラメータ制御部を駆動してパラメータの設定値を順に変えるとともに、各設定値における計測結果を該設定値に対応づけて記憶部に記憶させる。
【選択図】図1
Description
請求項1に記載の発明は、シリコン基板にプラズマエッチングを施すシリコンエッチング装置であって、プラズマを生成するためのパラメータに複数の設定値を設定するパラメータ設定部と、前記パラメータの値を前記複数の設定値の各々に制御するパラメータ制御部と、前記複数の設定値の各々から得られるプラズマの密度を計測する密度計測部と、前記複数の設定値の各々におけるプラズマの密度を該設定値に対応づけて記憶する記憶部とを備えることをその要旨とする。
・ガス供給装置12から供給されるガスの単位流量(sccm)
・真空槽11内の圧力(Pa)
・放電用高周波電源17の出力値(W)
・基板ステージ14と上記壁面との距離としての基板の高さ(cm)
・磁場コイル18に供給される電流値によって変化するNLD位置
これらパラメータは、それぞれ真空槽11内に生成されるプラズマ密度に与える影響が異なる。例えば、上記放電用高周波電源17の出力値である高周波電力の大きさがプラズマ密度に与える影響は最も大きく、他方、基板ステージ14の位置によって決まる基板位置がプラズマ密度に与える影響は最も小さい。
NLDデータ32dには、電流供給装置19から磁場コイル18に供給される電流値の下限値及び上限値、並びに、上段コイルと下段コイルとに供給される電流値に対する中段コイルに供給される電流値との比等が含まれている。
中心条件データ32gとは、入力部33に入力された設定値に関するデータに基づき生成されるデータであって、各種パラメータの初期値を示すとともに、エッチング条件を探索する際に初期条件として用いられるデータである。中心条件データ32gにて規定される各種パラメータとは、シリコン基板Sのサイズ(インチ)、プロセスガスの単位流量(sccm)、放電用高周波電源17の出力電力(W)、NLD位置を定める電流供給装置19の電流値(A)、シリコン基板Sの表面と、これに対向する真空槽11の壁面との距離としての基板の高さ(cm)、エッチング時間(分)、及び真空槽11内の圧力値(Pa)等である。中心条件データ32gにて規定される各種パラメータの値とは、例えば各種パラメータの上限値と下限値との中間の値である中間値、あるいはシリコンエッチング装置の利用者によって任意に選択された値である。
(1)エッチング時におけるパラメータの設定値が制御装置30の制御部31によって順に変更されるとともに、該設定値におけるプラズマ密度が該設定値に対応づけられたかたちで同制御装置30の記憶部32に記憶するようにした。これにより、パラメータの設定値毎のプラズマ密度が得られるようになるため、好適なエッチング速度が得られるエッチング条件、すなわちシリコン基板の厚さ方向に孔を形成する際に好ましいエッチング条件をより簡易に探索することが可能である。
・密度計測装置20としては、プラズマ中の粒子の電気的特性によってプラズマ密度を測定するラングミュアプローブに限らず、プラズマの光学的特性によってプラズマ密度を測定する発光分光を採用することもできる。また、プラズマの高周波特性によってプラズマ密度を測定するプラズマ吸収プローブや、粒子計測によってプラズマ密度を測定するプラズマ振動法、あるいはレーザを利用する分光法によってプラズマ密度を測定するレーザ誘起蛍光法を用いるようにしてもよい。
Claims (5)
- シリコン基板にプラズマエッチングを施すシリコンエッチング装置であって、
プラズマを生成するためのパラメータに複数の設定値を設定するパラメータ設定部と、
前記パラメータの値を前記複数の設定値の各々に制御するパラメータ制御部と、
前記複数の設定値の各々から得られるプラズマの密度を計測する密度計測部と、
前記複数の設定値の各々におけるプラズマの密度を該設定値に対応づけて記憶する記憶部とを備えるシリコンエッチング装置。 - 請求項1に記載のシリコンエッチング装置において、
前記パラメータ設定部は、
複数の異なるパラメータの各々の優先度に関する情報を取得し、
前記優先度が相対的に低いパラメータの設定値を固定し、
前記優先度が相対的に高いパラメータに複数の設定値を設定する
ことを特徴とするシリコンエッチング装置。 - 請求項2に記載のシリコンエッチング装置において、
前記パラメータ設定部は、
複数の異なるパラメータ間におけるプラズマの密度に対する相関を取得し、
相対的に相関が高い複数のパラメータの各々に複数の設定値を設定する
ことを特徴とするシリコンエッチング装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のシリコンエッチング装置において、
前記パラメータは、
プラズマ源の出力、真空槽内の圧力、真空槽内の磁場強度、真空槽に供給されるガスの種類、及び前記シリコン基板の載置位置の少なくとも1つである
ことを特徴とするシリコンエッチング装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のシリコンエッチング装置において、
前記密度計測部は、
真空槽内に生成される粒子の電気的特性、光学的特性、及び磁気的特性の少なくとも1つによって前記プラズマの密度を計測する
ことを特徴とするシリコンエッチング装置。
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