JP2013152114A - 熱型電磁波検出素子チップおよび熱型電磁波検出器並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光吸収材膜35は貫通空間27に接してメンブレンを構成する。メンブレンは単独で熱型光検出素子18に対して光吸収膜として機能する。貫通空間27内でメンブレンの表面に改めて光吸収材が積層される必要はない。メンブレンで光は熱エネルギーに変換され、得られた熱エネルギーは直接に熱型光検出素子18に伝達されることができる。
【選択図】図3
Description
図1は本発明の一実施形態に係る熱型電磁波検出器の一具体例すなわち光検出器パッケージ11を概略的に示す。光検出器パッケージ11は箱形の筐体12を備える。筐体12は、筐体本体13と、筐体本体13の開口13aを閉鎖するカバー14とを有する。筐体本体13およびカバー14は密閉された内部空間を区画する。筐体本体13は例えば絶縁性のセラミックから形成されることができる。カバー14は特定の波長の電磁波に対して透過性を有する材料から形成されることができる。ここでは、カバーは例えばシリコンから形成される。カバー14は例えば赤外線に対して透過性を有することができる。内部空間では真空状態が確立されることができる。
次に光検出器パッケージ11の動作を簡単に説明する。光検出器パッケージ11に電磁波が届くと、特定の波長の光(例えば赤外線)はカバー14を通過する。光は貫通空間27を通過して光吸収材膜35に到達する。光は光吸収材膜35に吸収され光吸収材膜35で熱が発生する。光の熱エネルギーは所定の熱時定数で熱型光検出素子18に伝達される。焦電体42は金属製の下部電極43に直接に接触し、下部電極43は光吸収材膜35に直接に接触することから、光吸収材膜35の熱エネルギーは時間遅れなく焦電体42に伝達されることができる。熱エネルギーに応じて焦電体42の温度は変化する。温度の変化に応じて電気分極量の変化が生み出される。ソースフォロワー回路による検出をする場合、個々の熱型光検出素子18から第1接続端子28および第2接続端子29を通じて個別に焦電流が流れ電圧に変換され、FETゲートに電圧変化が伝達される。電気分極量の変化に応じて電圧は変化する。その結果、個々の熱型光検出素子18ごとに温度情報が得られることができる。
次に光検出器パッケージ11の製造方法を簡単に説明する。まず、図6に示されるように、第1ウエハー基板61が用意される。第1ウエハー基板61は円盤形の基体62と絶縁膜63とで構成される。基体62には例えばシリコンウエハーが用いられることができる。絶縁膜63は基体62の表面に一面に積層される。絶縁膜63は異種材の積層膜で構成される。積層膜は三層構造を有する。三層構造は、基体62の表面に積層される第1酸化シリコン(SiO2)層64と、第1酸化シリコン層64の表面に積層される窒化シリコン(Si3N4)層65と、窒化シリコン層65の表面に積層される第2酸化シリコン(SiO2)層66とを有する。ここでは、第1酸化シリコン層64の膜厚は例えば1000nm程度に設定され、窒化シリコン層65の膜厚は例えば300nm程度に設定され、第2酸化シリコン層66の膜厚は例えば600nm程度に設定されることができる。絶縁膜62の表面には熱型光検出素子18、第1接続端子28、第2接続端子29、第1配線31、第2配線32および共通配線33が形成される。形成にあたって真空蒸着やスパッタリング法、めっき法、その他の成膜方法が適宜に利用されることができる。
図9に示されるように、メンブレン71は支持アーム72で基体34に連結されてもよい。こうしたメンブレン71の形成にあたって貫通空間27の開口の輪郭27aに沿って複数本のスリット73が形成される。スリット73は開口の輪郭27aの内側で輪郭27aに沿って延びる。スリット73同士の間に支持アーム72は区画される。こうしてメンブレン71は貫通空間27上に支持アーム72で支持されることができる。メンブレン71と基体34との間で光吸収材膜35の熱エネルギーの経路は支持アーム72に限定されることができる。熱エネルギーの流通は支持アーム72で制限される。加えて、メンブレン71および支持アーム72はべた膜の光吸収材膜35から一体的に形成されることから、メンブレン71および支持アーム72は高い強度で基体34に連結されることができる。
図10は光検出器パッケージ11を利用した電子機器の一具体例に係るテラヘルツカメラ101の構成を概略的に示す。テラヘルツカメラ101は筐体102を備える。筐体102の正面にはスリット103が形成されレンズ104が装着される。スリット103からテラヘルツ帯の電磁波が対象物に向かって照射される。こうした電磁波にはテラヘルツ波といった電波および赤外線といった光が含まれる。ここでは、テラヘルツ帯には100GHz〜30THzの周波数帯が含まれることができる。レンズ104には対象物から反射してくるテラヘルツ帯の電磁波が取り込まれる。
図12は光検出器パッケージ11を利用した電子機器の一具体例に係る赤外線カメラ121の構成を概略的に示す。赤外線カメラ121は光学系122を備える。光学系122の光軸123上に光検出器パッケージ11は配置される。センサー基板16の裏面は例えば光軸123に直交する。光学系122は熱型光検出素子18のマトリクス上に像を結像する。光検出器パッケージ11にはアナログデジタル変換回路124が接続される。アナログデジタル変換回路124には光検出器パッケージ11から熱型光検出素子18の出力が順番に時系列で供給される。アナログデジタル変換回路124は出力のアナログ信号をデジタル信号に変換する。
図17は光検出器パッケージ11を利用した電子機器の一具体例に係るゲーム機152の構成を概略的に示す。ゲーム機152はゲーム機本体153、表示装置154およびコントローラー(電子機器)155を備える。表示装置154は例えば有線でゲーム機本体153に接続される。ゲーム機本体153の動作は表示装置154の画面に映し出される。プレーヤーGはコントローラー155を用いてゲーム機本体153の動作を操作することができる。こうした操作の実現にあたってコントローラー155には例えば1対のLEDモジュール156から赤外線が照射される。LEDモジュール156は例えば表示装置154の画面の周囲でベゼルに取り付けられることができる。
Claims (10)
- 第1面から前記第1面の裏側の第2面に貫通する貫通空間を有する基体と、
裏面で前記貫通空間に接触しつつ前記基体の前記第1面に広がる電磁波吸収材膜と、
前記貫通空間に対応して前記電磁波吸収材膜の表面に配置される熱型電磁波検出素子と、
前記熱型電磁波検出素子の輪郭よりも外側で前記電磁波吸収材膜の表面に配置されて、前記熱型電磁波検出素子に電気的に接続される導電性の接続端子と
を備えることを特徴とする熱型電磁波検出素子チップ。 - 請求項1に記載の熱型電磁波検出素子チップにおいて、前記熱型電磁波検出素子は前記貫通空間の前記第1面の開口の輪郭よりも内側に配置されることを特徴とする熱型電磁波検出素子チップ。
- 請求項1または2に記載の熱型電磁波検出素子チップにおいて、前記電磁波吸収材膜は均一な膜厚を有することを特徴とする熱型電磁波検出素子チップ。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱型電磁波検出素子チップにおいて、前記電磁波吸収材膜は異種材の積層膜で構成されることを特徴とする熱型電磁波検出素子チップ。
- 請求項4に記載の熱型電磁波検出素子チップにおいて、前記積層膜は、酸化シリコン層および窒化シリコン層を有することを特徴とする熱型電磁波検出素子チップ。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の熱型電磁波検出素子チップであって、前記接続端子として第1接続パッドを有する熱型電磁波検出素子チップと、
前記基体の前記第1面に向き合わせられる表面を有し、集積回路を含み、前記集積回路に接続される導電性の第2接続パッドを前記表面に配置する集積回路基板と、
前記第1接続パッドおよび前記第2接続パッドを相互に接合し、前記集積回路基板に前記熱型電磁波検出素子チップを結合する導電材の接合体と
を備えることを特徴とする熱型電磁波検出器。 - 請求項6に記載の熱型電磁波検出器において、前記電磁波吸収材膜のうち前記貫通空間に接する部分の膜厚は他の部分の膜厚よりも薄いことを特徴とする熱型電磁波検出器。
- 請求項6または7に記載の熱型電磁波検出器と、前記熱型電磁波検出器の出力を処理する処理回路とを有することを特徴とする電子機器。
- 第1面から前記第1面の裏側の第2面に貫通する貫通空間を有する基体と、
裏面で前記貫通空間に接触しつつ前記基体の前記第1面に広がる電磁波吸収材膜と、
前記貫通空間に対応して前記電磁波吸収材膜の表面に配置される熱型電磁波検出素子と、
前記熱型電磁波検出素子の輪郭よりも外側で前記電磁波吸収材膜の表面に配置されて、前記熱型電磁波検出素子に電気的に接続される導電性の接続端子と、
前記接続端子に接続されて、前記熱型電磁波検出素子の出力を処理する処理回路と
を備えることを特徴とする電子機器。 - テラヘルツ帯の電磁波を放射する電磁波源と、
第1面から前記第1面の裏側の第2面に貫通する貫通空間を有する基体と、
裏面で前記貫通空間に接触しつつ前記基体の前記第1面に広がる電磁波吸収材膜と、
前記貫通空間に対応して前記電磁波吸収材膜の表面に配置され、テラヘルツ帯の電磁波を電気に変換する熱型電磁波検出素子と、
前記熱型電磁波検出素子の輪郭よりも外側で前記電磁波吸収材膜の表面に配置されて、前記熱型電磁波検出素子に電気的に接続される導電性の接続端子と、
前記接続端子に接続されて、前記熱型電磁波検出素子の出力を処理する処理回路と
を備えることを特徴とするテラヘルツカメラ。
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JP2012012214A JP2013152114A (ja) | 2012-01-24 | 2012-01-24 | 熱型電磁波検出素子チップおよび熱型電磁波検出器並びに電子機器 |
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