JP2013151589A - 樹脂組成物、半導体装置、多層回路基板および電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の樹脂組成物は、回路部材同士を接着するとともにそれぞれの回路部材が有する回路電極同士を電気的に接続するために用いられ、フラックス機能を有する樹脂組成物であって、エポキシ樹脂と、フラックス活性を有する化合物と、平均粒径0.2μm以下の無機充填材と、を含むことを特徴とする。無機充填材の含有量は、15〜75重量%であるのが好ましい。また、樹脂組成物を用いて膜厚100μmで形成した塗膜に含まれる樹脂組成物成分の硬化反応率が40%以下の状態における当該塗膜の可視光の透過率は、30%以上であることが好ましい。
【選択図】なし
Description
(1) 回路部材同士を接着するとともにそれぞれの回路部材が有する回路電極同士を電気的に接続するために用いられ、フラックス機能を有する樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
フラックス活性を有する化合物と、
平均粒径0.2μm以下の無機充填材と、を含むことを特徴とする樹脂組成物。
《樹脂組成物》
まず、本発明の樹脂組成物について説明する。
[エポキシ樹脂]
本発明の樹脂組成物には、エポキシ樹脂が含まれている。エポキシ樹脂を含むことにより、硬化後の樹脂組成物の耐熱性を優れたものとすることができる。エポキシ樹脂としては、1分子中にエポキシ基が2個以上であるものを使用することができる。
本発明の樹脂組成物は、フラックス活性を有する化合物(以下、フラックス活性化合物とも記載する。)を含むことにより、回路部材の端子の半田表面の酸化膜を除去すること、回路部材同士を確実に半田接合することができるため、接続信頼性の高い多層回路基板、電子部品、半導体装置等を得ることができる。
(式(2)中、nは、1以上20以下の整数を表す。)
本発明の樹脂組成物は、無機充填材を含んでいる。これにより、硬化後の樹脂組成物の線膨張係数を低下することができ、それによって信頼性を向上することができる。
また、本発明の樹脂組成物は、上記以外の成分を含んでいてもよい。
また、本発明の樹脂組成物は、シランカップリング剤を更に含んでもよい。シランカップリング剤を含むことにより、半導体チップ、基板等の回路部材に対する樹脂組成物の密着性を高めることができる。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が使用できる。これらは1種で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。シランカップリング剤の配合量は、適宜選択すればよいが、前記樹脂組成物全体に対して、好ましくは0.01〜10重量%であり、より好ましくは0.05〜5重量%であり、更に好ましくは0.1〜2重量%である。
次に、本発明の樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置について説明する。
図1に示すように、基材41、配線回路42、絶縁部43、パッド部44を有する回路基板4(回路部材)を用意する(図1(a))。
この半導体ウエハーの半田バンプ51が設けられた面の全面を覆うように、樹脂組成物1(本発明の樹脂組成物)を付与する。ウエハー上に塗布する方法としては、メタルマスクやメッシュマスクを用いた印刷法、スピンコート法、またはリリースフィルム上にシート化したものを貼り付ける方法等を用いることができる。
次に、本発明の樹脂組成物を用いた多層回路基板の製造方法および多層回路基板について説明する。
まず、基材61、配線回路62、絶縁部63、パッド部64を有する回路基板6(回路部材)を用意する(図2(a))。
各実施例および各比較例の樹脂組成物を、それぞれ、以下のようにして製造した。
エポキシ樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:EXA−830LVP、DIC社製、エポキシ当量165)25重量部、ビフェニル型エポキシ樹脂(商品名:NC−3000、日本化薬社製、エポキシ当量272)75重量部、溶剤としてエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(東京化成工業製、沸点192℃)40重量部、という配合量になるように事前に予備混合させた。この予備混合物に、硬化剤としてゲンチジン酸(融点202℃)30重量部、カップリング剤として第2級アミン系シランカップリング剤(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、商品名:KBM−573、信越化学工業社製)1重量部、硬化促進剤として2−フェニル−4−メチルイミダゾール(商品名:2P4MZ、四国化成工業社製)0.1重量部、フィラーとしてシリカ(商品名:サンシール、株式会社トクヤマ製、平均粒径0.15μm)200重量部を秤量して加え、3本ロールにて分散混練し、真空下脱泡処理をして樹脂組成物を得た。
フィラーとしてシリカ(商品名:サンシール、株式会社トクヤマ製、平均粒径0.1μm)を使用した以外は、前記実施例1と同様にして樹脂組成物を製造した。
フィラーとしてシリカ(商品名:サンシール、株式会社トクヤマ製、平均粒径0.2μm)を使用した以外は、前記実施例1と同様にして樹脂組成物を製造した。
エポキシ樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:EXA−830LVP、DIC社製、エポキシ当量165)25重量部、ビフェニル型エポキシ樹脂(商品名:NC−3000、日本化薬社製、エポキシ当量272)75重量部、溶剤としてエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(東京化成工業製、沸点192℃)20重量部、という配合量になるように事前に予備混合させた。この予備混合物に、硬化剤としてゲンチジン酸(融点202℃)30重量部、カップリング剤として第2級アミン系シランカップリング剤(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、商品名:KBM−573、信越化学工業社製)1重量部、硬化促進剤として2−フェニル−4−メチルイミダゾール(商品名:2P4MZ、四国化成工業社製)0.1重量部、フィラーとしてシリカ(商品名:サンシール、株式会社トクヤマ製、平均粒径0.15μm)90重量部を秤量して加え、3本ロールにて分散混練し、真空下脱泡処理をして樹脂組成物を得た。
エポキシ樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(商品名:EXA−830LVP、DIC社製、エポキシ当量165)50重量部、ビフェニル型エポキシ樹脂(商品名:NC−3000、日本化薬社製、エポキシ当量272)50重量部、溶剤としてエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(東京化成工業製、沸点192℃)50重量部、という配合量になるように事前に予備混合させた。この予備混合物に、硬化剤としてゲンチジン酸(融点202℃)25重量部、カップリング剤として第2級アミン系シランカップリング剤(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、商品名:KBM−573、信越化学工業社製)1重量部、硬化促進剤として2−フェニル−4−メチルイミダゾール(商品名:2P4MZ、四国化成工業社製)0.1重量部、フィラーとしてシリカ(商品名:サンシール、株式会社トクヤマ製、平均粒径0.15μm)300重量部を秤量して加え、3本ロールにて分散混練し、真空下脱泡処理をして樹脂組成物を得た。
フィラーとしてシリカ(商品名:SO−E2、株式会社アドマテックス製、平均粒径0.5μm)を使用した以外は、前記実施例1と同様にして樹脂組成物を製造した。
フィラーとしてシリカ(商品名:SO−E3、株式会社アドマテックス製、平均粒径1μm)を使用した以外は、前記実施例1と同様にして樹脂組成物を製造した。
フィラーとしてシリカ(商品名:サンシール、株式会社トクヤマ製、平均粒径0.3μm)を使用した以外は、前記実施例1と同様にして樹脂組成物を製造した。
[2.1]加熱前のフラックス活性の評価
上記各実施例および比較例の樹脂組成物を、Cu板小片(平井精密工業社製)におよそ50℃で貼り付けた。接着フィルムの上にφ500μmの半田ボール(Sn−3Ag−0.5Cu、千住金属工業社製)を5つ載せ、圧着装置(筑波メカニクス社製)を用い、50N、80℃で7秒圧着した。その後Cu板小片を230度のホットプレートの上に10秒のせた。顕微鏡を用い、半田ボールの高さXを計測した。半田濡れ広がり率=(0.5−X/0.5)×100として値を算出し、以下の判断基準に従い評価した。
○ :半田濡れ広がり率が40%以上60%未満である。
△ :半田濡れ広がり率が20%以上40%未満である。
× :半田濡れ広がり率が20%よりも小さい。
上記各実施例および比較例の接着フィルムをオーブン(ESPEC DESK−TOP TYPE HI−TEMP CHAMBER ST−120)を用いて指定の温度、時間の熱処理を行った。その後、上記と同様にしてサンプルの作成を行い、半田濡れ広がり率を算出し、上記と同様にして評価した。
この結果を、表1に示した。
上記各実施例および各比較例で得られた樹脂組成物を、25℃の温度条件下、半導体バンプを有する半導体ウエハー(厚さ0.3mm、サイズ6インチ)上に滴下し、スピンコーターを用いて、塗布膜を作成した。次いで、90℃に設定したオーブンに90分入れ、加熱乾燥させ、厚さ100μmの樹脂組成物の層を形成した。
各実施例および各比較例の樹脂組成物を用いて得られた半導体装置それぞれ20個ずつ(各貼り付け温度毎)について、−55℃の条件下に30分、125℃の条件下に30分ずつ交互に晒すことを1サイクルとする、温度サイクル試験を100サイクル行い、試験後の半導体装置について、半導体チップと回路基板の接続抵抗値をデジタルマルチメーターで測定し、接続信頼性を評価した。各符号は、以下の通りである。
× :1個以上の半導体装置の接続抵抗値が10Ω以上であった。
この結果を、表1に合わせて示した。
1’ 硬化物
4 回路基板
41 基材
42 配線回路
43 絶縁部
44 パッド部
45 バンプ
5 半導体チップ
51 半田バンプ
511 半田接続部
6 回路基板
61 基材
62 配線回路
63 絶縁部
64 パッド部
7 基板
71 基材
72 配線回路
73 絶縁部
74 パッド部
75 半田バンプ
711 半田接合部
10 半導体装置
100 多層回路基板
Claims (9)
- 回路部材同士を接着するとともにそれぞれの回路部材が有する回路電極同士を電気的に接続するために用いられ、フラックス機能を有する樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂と、
フラックス活性を有する化合物と、
平均粒径0.2μm以下の無機充填材と、を含むことを特徴とする樹脂組成物。 - 前記無機充填材の含有量は、15〜75重量%である請求項1に記載の樹脂組成物。
- 樹脂組成物を用いて膜厚100μmで形成した塗膜に含まれる樹脂組成物成分の硬化反応率が40%以下の状態における当該塗膜の可視光の透過率は、30%以上である請求項1または2に記載の樹脂組成物。
- 前記エポキシ樹脂の含有量は、15〜70重量%である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記エポキシ樹脂は、25℃で液状のエポキシ樹脂を含むものである請求項1ないし4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 前記フラックス活性を有する化合物は、1分子中に2個のフェノール性水酸基と、少なくとも1個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを含む化合物である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を有することを特徴とする多層回路基板。
- 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の樹脂組成物の硬化物を有することを特徴とする電子部品。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018037632A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 金寶電子工業股▲ふん▼有限公司 | パッケージ構造およびその製造方法 |
JP2019056058A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 株式会社タムラ製作所 | 電極の接続方法および電子基板の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10226773A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電フィルム |
JP2002368260A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子、その製造方法、ランプ及び光源 |
JP2009212511A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-09-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングシート機能付き半導体用フィルムおよび半導体装置 |
JP2009239138A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2012
- 2012-01-24 JP JP2012012371A patent/JP2013151589A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10226773A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-08-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電フィルム |
JP2002368260A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子、その製造方法、ランプ及び光源 |
JP2009212511A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-09-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングシート機能付き半導体用フィルムおよび半導体装置 |
JP2009239138A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6016012837; 安田武夫: 'プラスチック材料の各動特性の試験法と試験結果<19>' プラスチックス Vol.52, No.8, 2001, p.98-99 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018037632A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 金寶電子工業股▲ふん▼有限公司 | パッケージ構造およびその製造方法 |
JP2019056058A (ja) * | 2017-09-21 | 2019-04-11 | 株式会社タムラ製作所 | 電極の接続方法および電子基板の製造方法 |
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