JP2013149637A - Light emitting device and manufacturing method of the same - Google Patents

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勝寿 中山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve color tone unevenness, etc. and light extraction efficiency in a light emitting device having a lens shaped sealing layer.SOLUTION: A light emitting device includes: a substrate which is formed by an inorganic insulation material and has a mounting surface having a part serving as a mounting part on which a light emitting element is mounted; an element connection terminal formed on the mounting surface of the substrate; a dam layer formed on the mounting surface of the substrate so as to enclose the mounting part and made of light transmissivity glass; the light emitting element mounted on the mounting part of the substrate and electrically connecting with the element connection terminal; and a sealing layer provided at an inner region of the dam layer so as to cover the light emitting element and formed by a resin.

Description

本発明は、発光装置およびその製造方法に係り、特に、レンズ形の封止層を有する発光装置と、発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a light emitting device having a lens-shaped sealing layer and a method for manufacturing the light emitting device.

近年、発光ダイオード(LED)素子を用いた発光装置では、基板に搭載された発光素子や配線導体層を保護するために、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなる封止層が設けられており、封止層に蛍光材料を分散させることで、発光素子との組合せで白色発光を得る発光装置も実用化されている。   In recent years, a light emitting device using a light emitting diode (LED) element has been provided with a sealing layer made of silicone resin or epoxy resin in order to protect the light emitting element mounted on the substrate and the wiring conductor layer. A light-emitting device that obtains white light emission in combination with a light-emitting element by dispersing a fluorescent material in a layer has been put into practical use.

このような発光装置における色調むら等を改善するために、封止層を外表面が球面のレンズ形にすることが考えられている。すなわち、平板状の基体に発光素子を搭載し、この発光素子を覆うように流動性の樹脂材料をポッティングして、半球レンズ形状の透光性の封止層を形成することで、発光素子から発せられた光が封止層を透過する行路の長さを全ての方向で等しくした発光装置が開発されている。   In order to improve color unevenness and the like in such a light emitting device, it has been considered to form the sealing layer into a lens shape having a spherical outer surface. That is, by mounting a light emitting element on a flat substrate and potting a fluid resin material so as to cover the light emitting element, a hemispherical lens-shaped translucent sealing layer is formed. A light emitting device has been developed in which the length of the path through which the emitted light passes through the sealing layer is equal in all directions.

しかしながら、流動性を有した樹脂材料をポッティングすると、樹脂材料が基体上を濡れ拡がろうとするため、樹脂材料と基体との界面の外表面に窪みが生じやすい。そして、このような形状の封止層では、透過する光が窪み部分の表面で全反射して封止層の内部に閉じ込められる結果、光の取り出し効率(放射効率)が低くなりやすいという問題があった。   However, when a resin material having fluidity is potted, the resin material tends to wet and spread on the substrate, so that a depression is likely to occur on the outer surface of the interface between the resin material and the substrate. And in the sealing layer of such a shape, there is a problem that the light extraction efficiency (radiation efficiency) is likely to be low as a result of the transmitted light being totally reflected on the surface of the recessed portion and confined inside the sealing layer. there were.

この点を改善するために、基体上に発光素子の載置部を取り囲むように環状部材を取着するとともに、この環状部材よりも高くなるように突出して形成された載置部に発光素子を搭載し、さらに環状部材の内側に発光素子を覆うように透光性部材を設けた発光装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In order to improve this point, an annular member is mounted on the base so as to surround the mounting portion of the light emitting element, and the light emitting element is mounted on the mounting portion formed so as to protrude higher than the annular member. There has been proposed a light-emitting device that is mounted and further provided with a translucent member so as to cover the light-emitting element inside the annular member (see, for example, Patent Document 1).

しかしながら、特許文献1に記載された発光装置においては、環状部材がFe−Ni−Co合金、Fe−Ni合金等の金属や、アルミナセラミックス等のセラミックス材料から構成されており、透光性部材を透過した光の一部を環状部材が反射または吸収するため、光の取り出し効率を十分に高くできなかった。   However, in the light emitting device described in Patent Document 1, the annular member is made of a metal such as an Fe—Ni—Co alloy or an Fe—Ni alloy, or a ceramic material such as alumina ceramics. Since the annular member reflects or absorbs part of the transmitted light, the light extraction efficiency cannot be sufficiently increased.

特開2005−340543号公報JP 2005-340543 A

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、レンズ形の封止層を有する発光装置において、色調むら等を改善し、かつ光の取り出し効率を向上させて、高輝度の発光を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and in a light-emitting device having a lens-shaped sealing layer, it improves unevenness of color tone and improves light extraction efficiency, thereby increasing the brightness. The purpose is to obtain luminescence.

本発明の発光装置は、無機絶縁材料からなり、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する基体と、前記基体の前記搭載面上に形成された素子接続端子と、前記基体の前記搭載面上に前記搭載部を取り囲むように形成された、透光性のガラスからなる堰止め層と、前記基体の前記搭載部に搭載され、前記素子接続端子と電気的に接続された発光素子と、前記堰止め層の内側の領域に前記発光素子を覆うように設けられた樹脂からなる封止層とを備えることを特徴とする。   The light-emitting device of the present invention is made of an inorganic insulating material, a part of which has a mounting surface serving as a mounting portion on which a light-emitting element is mounted, an element connection terminal formed on the mounting surface of the base, A damming layer made of translucent glass formed on the mounting surface of the base so as to surround the mounting portion, and mounted on the mounting portion of the base and electrically connected to the element connection terminal. And a sealing layer made of a resin provided to cover the light emitting element in a region inside the damming layer.

本発明の発光装置において、前記堰止め層の熱膨張係数は、前記基体の熱膨張係数よりも小さいことが好ましい。また、前記堰止め層は、円環形の平面形状を有し、高さが10〜50μmで幅が80〜300μmが好ましい。また、前記封止層は、略半球状の立体形状を有することが好ましい。さらに、前記封止層は、流動性を有する硬化性樹脂材料のポッティングにより形成された層が好ましい。   In the light emitting device of the present invention, the thermal expansion coefficient of the blocking layer is preferably smaller than the thermal expansion coefficient of the substrate. The damming layer has an annular planar shape, and preferably has a height of 10 to 50 μm and a width of 80 to 300 μm. The sealing layer preferably has a substantially hemispherical three-dimensional shape. Furthermore, the sealing layer is preferably a layer formed by potting a curable resin material having fluidity.

本発明の発光装置の製造方法は、無機絶縁材料からなり、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する基体と、前記基体の前記搭載面上に形成された素子接続端子と、前記基体の前記搭載面上に前記搭載部を取り囲むように形成された透光性のガラスからなる堰止め層を有する発光素子用基板を作製する工程と、前記発光素子用基板の前記基体の前記搭載部に発光素子を搭載し、該発光素子を前記素子接続端子と電気的に接続する工程と、前記基体の前記搭載面上で前記堰止め層の内側の領域に、流動性を有する硬化性樹脂材料をポッティングし硬化させて、前記発光素子を覆う樹脂からなる封止層を形成する工程とを備えることを特徴とする。   The manufacturing method of the light emitting device of the present invention includes a base having a mounting surface made of an inorganic insulating material, a part of which is a mounting portion on which the light emitting element is mounted, and an element connection terminal formed on the mounting surface of the base And manufacturing a light emitting element substrate having a blocking layer made of translucent glass formed so as to surround the mounting portion on the mounting surface of the base, and the base of the light emitting element substrate A step of mounting a light emitting element on the mounting portion, electrically connecting the light emitting element to the element connection terminal, and fluidity in a region inside the blocking layer on the mounting surface of the base. And a step of potting and curing a curable resin material to form a sealing layer made of a resin covering the light emitting element.

本発明の発光装置によれば、光の取り出し効率を向上させ、色調むら等が改善された高輝度の発光が得られる。   According to the light emitting device of the present invention, high luminance light emission with improved light extraction efficiency and improved color unevenness can be obtained.

本発明の発光装置の第1の実施形態を示し、(a)は上面(搭載面)側から見た平面図であり、(b)は(a)におけるX−X線で切断した断面図である。1 shows a first embodiment of a light emitting device of the present invention, (a) is a plan view seen from the upper surface (mounting surface) side, (b) is a cross-sectional view taken along line XX in (a). is there. 本発明の発光装置において、堰止め層の高さおよび幅と封止層の頂部の高さ等との関係を示す拡大断面図である。In the light-emitting device of this invention, it is an expanded sectional view which shows the relationship between the height of a damming layer, the width | variety, the height of the top part of a sealing layer, etc. FIG. 本発明の発光装置の第2の実施形態を示し、(a)は上面(搭載面)側から見た平面図であり、(b)は(a)におけるY−Y線で切断した断面図である。2 shows a second embodiment of the light emitting device of the present invention, (a) is a plan view seen from the upper surface (mounting surface) side, (b) is a cross-sectional view taken along line YY in (a). is there.

以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されない。
本発明の実施形態の発光装置は、無機絶縁材料からなり、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する基体と、この基体の搭載面上に形成された素子接続端子と、前記搭載面上に前記搭載部を取り囲むように形成された透光性のガラスからなる堰止め層と、前記基体の搭載部に搭載され、前記素子接続端子と電気的に接続された発光素子と、前記搭載面上で前記堰止め層の内側の領域に、前記発光素子を覆うように設けられた樹脂からなる封止層とを備える。
Hereinafter, although an embodiment of the present invention is described, the present invention is not limited to this.
A light-emitting device according to an embodiment of the present invention includes a base having a mounting surface that is made of an inorganic insulating material, a part of which is a mounting portion on which the light-emitting element is mounted, and an element connection terminal formed on the mounting surface of the base. A damming layer made of translucent glass formed so as to surround the mounting portion on the mounting surface, and a light emitting element mounted on the mounting portion of the base and electrically connected to the element connection terminal And a sealing layer made of a resin provided to cover the light emitting element in a region inside the damming layer on the mounting surface.

この発光装置においては、透光性のガラスからなる堰止め層により、封止層を構成する樹脂材料のポッティングの際の流動が堰き止められ、樹脂材料が基体の搭載面上を外側の領域まで濡れ拡がるのが抑えられる。したがって、簡易で安価なポッティング方法により、安定した、例えば半球レンズ形状の封止層を形成でき、発光素子から発せられた光が封止層を透過する行路長を全方向で等しくし、安定した良好な光学的特性を有する発光装置が得られる。   In this light-emitting device, the flow when the resin material constituting the sealing layer is potted is blocked by the blocking layer made of translucent glass, so that the resin material can reach the outer region on the mounting surface of the substrate. Wet and spread are suppressed. Therefore, by a simple and inexpensive potting method, a stable sealing layer having a hemispherical lens shape, for example, can be formed, and the path lengths through which light emitted from the light emitting element passes through the sealing layer is made equal in all directions, and stable. A light emitting device having good optical characteristics can be obtained.

また、堰止め層が透光性のガラスにより構成されており、封止層を透過した光を堰止め層が反射または吸収しにくいため、光の取り出し効率に優れ、発光輝度の高い発光装置が得られる。さらに、堰止め層は基体と同時焼成するなどの方法で形成できるので、堰止め層の高さや、濡れ拡がる方向の障壁となる幅の調整が容易であり、発光装置全体としての製造も容易である。   In addition, since the blocking layer is made of translucent glass and the blocking layer hardly reflects or absorbs the light transmitted through the sealing layer, a light emitting device with excellent light extraction efficiency and high emission luminance is obtained. can get. Furthermore, since the damming layer can be formed by a method such as simultaneous firing with the substrate, it is easy to adjust the height of the damming layer and the width that becomes the barrier in the direction of spreading, and the light emitting device as a whole can be easily manufactured. is there.

以下、本発明の発光装置の第1の実施形態を、図面に基づいて説明する。第1の実施形態は、基体に設けられた1対の素子接続端子上に、下面に1対の電極を有する発光素子が搭載され、金錫共晶ハンダ等の金属間接続により電気的に接続された発光装置の例を示す。発光素子の接続方法はこれに限定されず、バンプによる接続など、フリップチップボンディングにより発光素子を接続した発光装置であればよい。   Hereinafter, a first embodiment of a light emitting device of the present invention will be described with reference to the drawings. In the first embodiment, a light emitting element having a pair of electrodes on the lower surface is mounted on a pair of element connection terminals provided on a base, and is electrically connected by metal-to-metal connection such as gold-tin eutectic solder. An example of a light emitting device that has been manufactured is shown. The connection method of the light-emitting elements is not limited to this, and any light-emitting device in which the light-emitting elements are connected by flip chip bonding, such as connection by a bump, may be used.

図1(a)は、第1の実施形態の発光装置を上面(搭載面)側から見た平面図であり、図1(b)は、図1(a)の発光装置をX−X線で切断した断面図である。なお、図1(a)は、封止層を除いた状態を示している。   FIG. 1A is a plan view of the light emitting device of the first embodiment as viewed from the upper surface (mounting surface) side, and FIG. 1B shows the light emitting device of FIG. It is sectional drawing cut | disconnected by. FIG. 1A shows a state where the sealing layer is removed.

この発光装置1は、平面形状が正方形で略平板状の基体2を有している。基体2は無機絶縁材料からなり、発光素子を搭載する上側の面を搭載面21として有する。なお、その反対側の面を非搭載面22とする。基体2の形状、厚さ、大きさ等は特に制限されず、通常、発光素子を搭載して発光装置を形成するための基体として用いられるものと同様にできる。本明細書において、「略平板状の基体」とは、上側の主面と下側の主面、すなわち搭載面21と非搭載面22がともに目視レベルで平板形状と認識できるレベルの平坦面である基体をいう。また、以下同様に、略を付けた表記は、特に断らない限り、目視レベルで認識できるレベルのことをいう。   This light-emitting device 1 has a substantially flat base 2 having a square planar shape. The substrate 2 is made of an inorganic insulating material and has an upper surface on which the light emitting element is mounted as a mounting surface 21. The opposite surface is referred to as a non-mounting surface 22. The shape, thickness, size, etc. of the substrate 2 are not particularly limited, and can be generally the same as that used as a substrate for mounting a light emitting element to form a light emitting device. In the present specification, the “substantially flat substrate” means a flat surface at a level at which the upper main surface and the lower main surface, that is, the mounting surface 21 and the non-mounting surface 22 can be recognized as a flat plate shape at the visual level. It refers to a certain substrate. Similarly, the abbreviations indicate levels that can be recognized at the visual level unless otherwise specified.

基体2を構成する無機絶縁材料としては、酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体(Low Temperature Co−fired Ceramics。以下、LTCCと示す。)等が挙げられる。本発明においては、高反射性、製造の容易性、易加工性、経済性等の観点から、基体2を構成する無機絶縁材料はLTCCが好ましい。基体2を構成するガラスセラミックス組成物の焼結体の原料組成、焼結条件等については、後述する製造方法において説明する。   Examples of the inorganic insulating material constituting the substrate 2 include an aluminum oxide sintered body (alumina ceramic), an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, and a glass ceramic composition containing glass powder and ceramic powder. Body (Low Temperature Co-fired Ceramics, hereinafter referred to as LTCC) and the like. In the present invention, from the viewpoints of high reflectivity, ease of manufacture, easy processability, economy and the like, the inorganic insulating material constituting the substrate 2 is preferably LTCC. The raw material composition, sintering conditions, and the like of the sintered body of the glass ceramic composition constituting the substrate 2 will be described in the manufacturing method described later.

基体2は、発光素子の搭載時、およびその後の使用時における損傷等を抑制する観点から、例えば、抗折強度は250MPa以上が好ましい。そして、基体2は、搭載面21の略中央部に、発光素子を搭載するための搭載部3を有する。   The base body 2 preferably has a bending strength of, for example, 250 MPa or more from the viewpoint of suppressing damage or the like when the light emitting element is mounted and when it is used thereafter. The base body 2 has a mounting portion 3 for mounting the light emitting element at a substantially central portion of the mounting surface 21.

基体2の搭載面21上には、1対(アノードとカソード)の素子接続端子4が設けられている。これらの素子接続端子4は、搭載される発光素子が下面に有する1対の電極と金錫半田等を介して金属間接続が可能なように、一方の端部が搭載部3と重なるように形成されている。また、基体2の非搭載面22上には、外部回路と電気的に接続されるアノードとカソードとなる1対の外部接続端子5が設けられている。そして、前記アノード側とカソード側の素子接続端子4は、基体2内部に埋設された接続ビア6を介して、非搭載面22に形成された前記1対の外部接続端子5にそれぞれ電気的に接続されている。   On the mounting surface 21 of the base 2, a pair (anode and cathode) of element connection terminals 4 is provided. These element connection terminals 4 are arranged so that one end thereof overlaps the mounting portion 3 so that a metal-to-metal connection is possible via a pair of electrodes on the lower surface of the light emitting element to be mounted and gold-tin solder or the like. Is formed. A pair of external connection terminals 5 serving as an anode and a cathode electrically connected to an external circuit are provided on the non-mounting surface 22 of the base 2. The anode-side and cathode-side element connection terminals 4 are electrically connected to the pair of external connection terminals 5 formed on the non-mounting surface 22 via connection vias 6 embedded in the base 2. It is connected.

素子接続端子4、外部接続端子5および基体2内部に埋設された接続ビア6については、これらが素子接続端子4→接続ビア6→外部接続端子5→外部回路へと、アノードとカソードが短絡することなく電気的に接続される限りは、その配設される位置や形状は限定されない。   Regarding the element connection terminal 4, the external connection terminal 5, and the connection via 6 embedded in the substrate 2, the anode and the cathode are short-circuited from the element connection terminal 4 → the connection via 6 → the external connection terminal 5 → the external circuit. As long as it is electrically connected without any limitation, the position and shape of the arrangement are not limited.

これら素子接続端子4、外部接続端子5および接続ビア6の構成材料は、通常発光素子を搭載する基板に用いられる配線導体と同様の構成材料であれば、特に制限なく使用できる。素子接続端子4、外部接続端子5および接続ビア6の構成材料として、具体的には、銅、銀、金等を主成分とする導電性金属材料が挙げられる。このような金属材料のなかでも、銀、銀と白金、または銀とパラジウムからなる金属材料が好ましく用いられる。これらの金属材料については、後述する発光装置の製造方法で具体的に説明する。素子接続端子4および外部接続端子5の厚さは、5〜15μmが好ましい。   The constituent materials of the element connection terminals 4, the external connection terminals 5, and the connection vias 6 can be used without particular limitation as long as they are the same constituent materials as the wiring conductors used for the substrate on which the light emitting element is usually mounted. Specific examples of the constituent material of the element connection terminal 4, the external connection terminal 5, and the connection via 6 include conductive metal materials mainly composed of copper, silver, gold, and the like. Among such metal materials, a metal material composed of silver, silver and platinum, or silver and palladium is preferably used. These metal materials will be specifically described in a light emitting device manufacturing method described later. As for the thickness of the element connection terminal 4 and the external connection terminal 5, 5-15 micrometers is preferable.

また、素子接続端子4や外部接続端子5においては、前記金属材料からなる層上に、この層を酸化や硫化から保護するための導電性保護層(図示を省略する。)が、その端縁を含む全体を覆うように形成された構成が好ましい。導電性保護層としては、前記金属層を保護する機能を有する導電性材料で構成されていれば、特に制限されない。具体的には、ニッケルメッキ、クロムメッキ、銀メッキ、ニッケル/銀メッキ、金メッキ、ニッケル/金メッキ等からなる層が挙げられる。   In addition, in the element connection terminal 4 and the external connection terminal 5, a conductive protective layer (not shown) for protecting this layer from oxidation or sulfuration is provided on the edge made of the metal material. The structure formed so that the whole containing this may be covered is preferable. The conductive protective layer is not particularly limited as long as it is made of a conductive material having a function of protecting the metal layer. Specific examples include layers made of nickel plating, chromium plating, silver plating, nickel / silver plating, gold plating, nickel / gold plating, and the like.

本発明においては、素子接続端子4および外部接続端子5を被覆保護する導電性保護層として、例えば、素子接続端子4については、後述する発光素子の半田、金、金−錫共晶等のバンプ電極と良好な金属間接続が得られる等の点から、少なくとも最外層に金メッキ層を有する金属メッキ層を用いることが好ましい。導電性保護層は、金メッキ層のみで形成されていてもよいが、ニッケルメッキの上に金メッキを施したニッケル/金メッキ層形成がより好ましい。この場合、導電性保護層の膜厚としては、ニッケルメッキ層が2〜20μm、金メッキ層が0.1〜1μmが好ましい。   In the present invention, as the conductive protective layer for covering and protecting the element connection terminals 4 and the external connection terminals 5, for example, the element connection terminals 4 are bumps made of solder, gold, gold-tin eutectic, etc. It is preferable to use a metal plating layer having a gold plating layer at least as the outermost layer from the viewpoint of obtaining a good metal-to-metal connection. The conductive protective layer may be formed of only a gold plating layer, but a nickel / gold plating layer formed by gold plating on nickel plating is more preferable. In this case, the thickness of the conductive protective layer is preferably 2 to 20 μm for the nickel plating layer and 0.1 to 1 μm for the gold plating layer.

また、基体2の搭載面21上には、発光素子の搭載部3およびその一部に重なるように形成された素子接続端子4を取り囲むように、ガラスからなる堰止め層7が形成されている。   On the mounting surface 21 of the substrate 2, a damming layer 7 made of glass is formed so as to surround the light emitting element mounting portion 3 and the element connection terminal 4 formed so as to overlap with a part thereof. .

以下、堰止め層7を構成するガラスについて説明する。
堰止め層7を構成するガラスは、少なくとも、SiO、B、およびNaOとKOから選ばれる1種以上を構成成分とするホウケイ酸ガラスが好ましい。
Hereinafter, the glass constituting the blocking layer 7 will be described.
The glass constituting the damming layer 7 is preferably borosilicate glass containing at least one selected from SiO 2 , B 2 O 3 , and Na 2 O and K 2 O as a constituent component.

このガラスは、軟化点(Ts)が650〜800℃のガラス粉末のみからなり、セラミックス粉末を含まない組成物を焼成してなるものが好ましい。通常、ガラス粉末を焼成して緻密な焼結体を得るためには、焼成温度が該ガラス粉末の軟化点を超えることが必要となる。上記堰止め層7を形成するためのガラス粉末の軟化点が800℃を超えると、通常これと同時焼成される未焼成のLTCC基体の銀を主体とする金属層が、焼成の際に過度に軟化して所定の形状を維持できなくなるおそれがある。したがって、ガラス粉末として、軟化点が650℃以下、好ましくは700℃以下のものを用いることにより、前記銀を主体とする金属層の過度の軟化による変形を生じさせることなく、ガラス粉末を含む堰止め層形成用の組成物と、銀を主体とする金属層を有する未焼成のLTCC基板とを同時に焼成できる。ガラス粉末の軟化点(Ts)は730℃以上780℃以下がより好ましい。   This glass is preferably made of only glass powder having a softening point (Ts) of 650 to 800 ° C., and is fired from a composition not containing ceramic powder. Usually, in order to obtain a dense sintered body by firing glass powder, the firing temperature needs to exceed the softening point of the glass powder. When the softening point of the glass powder for forming the blocking layer 7 exceeds 800 ° C., the metal layer mainly composed of silver of the unfired LTCC base that is usually fired at the same time is excessively fired during firing. There is a possibility that the predetermined shape cannot be maintained due to softening. Therefore, by using a glass powder having a softening point of 650 ° C. or lower, preferably 700 ° C. or lower, the weir containing the glass powder without causing deformation due to excessive softening of the metal layer mainly composed of silver. The composition for forming the stopper layer and the unfired LTCC substrate having a metal layer mainly composed of silver can be fired simultaneously. The softening point (Ts) of the glass powder is more preferably 730 ° C. or higher and 780 ° C. or lower.

また、堰止め層7を構成するガラスの熱膨張率は、前記基体2の熱膨張率よりも小さいことが好ましい。その理由は、堰止め層7を構成するガラスの熱膨張率が基体2よりも大きいと、基体2から堰止め層7を構成するガラスに引張り力がかかり、ガラスが割れたり、熱や衝撃で割れやすくなったりするからである。堰止め層7を構成するガラスの熱膨張率を小さくすることで、基体2からガラスに圧縮力が作用し、ガラスが割れにくくなる。   In addition, the thermal expansion coefficient of the glass constituting the blocking layer 7 is preferably smaller than the thermal expansion coefficient of the substrate 2. The reason is that if the coefficient of thermal expansion of the glass constituting the damming layer 7 is larger than that of the base 2, a tensile force is applied from the base 2 to the glass constituting the damming layer 7, and the glass breaks, or heat or impact occurs. It is easy to break. By reducing the coefficient of thermal expansion of the glass constituting the damming layer 7, a compressive force acts on the glass from the base 2, and the glass becomes difficult to break.

堰止め層7を構成するガラスを形成するためのガラス粉末として、具体的には、酸化物換算のモル%表示で、SiOを78〜83%、Bを16〜18%、Alを0〜0.5%、NaOおよびKOから選ばれる少なくとも1種を合計で0.9〜4%、CaO、SrOおよびBaOから選ばれる少なくとも1種を合計で0〜0.6%含有するガラス粉末が挙げられる。以下、ガラス組成の記載において「%」は、特に断りのない限り、酸化物換算のモル%表示を表す。 Specifically, as glass powder for forming the glass constituting the damming layer 7, SiO 2 is 78 to 83%, B 2 O 3 is 16 to 18%, Al is expressed in terms of mol% in terms of oxide. 0 to 0.5% of 2 O 3 , 0.9 to 4% in total of at least one selected from Na 2 O and K 2 O, 0 to 0 in total of at least one selected from CaO, SrO and BaO A glass powder containing 0.6% is mentioned. Hereinafter, in the description of the glass composition, “%” represents an oxide conversion mol% unless otherwise specified.

上記ガラス粉末において、SiOはガラスのネットワークフォーマとなり、化学的耐久性、とくに耐酸性を高くするために必須の成分である。SiOの含有量が78%未満であると、耐酸性が不十分となるおそれがある。一方、SiOの含有量が83%を超えると、ガラスの軟化点やTgとも表記されるガラス転移点が過度に高くなるおそれがある。 In the glass powder, SiO 2 serves as a glass network former and is an essential component for increasing chemical durability, particularly acid resistance. If the SiO 2 content is less than 78%, the acid resistance may be insufficient. On the other hand, if the content of SiO 2 exceeds 83%, the glass transition point, also referred to as the glass softening point or Tg, may be excessively high.

はガラスのネットワークフォーマとなる必須の成分である。Bの含有量が16%未満であると、軟化点が過度に高くなるおそれがあり、またガラスが不安定となるおそれもある。一方、Bの含有量が18%を超えると、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性が低下するおそれもある。 B 2 O 3 is an essential component that becomes a glass network former. If the content of B 2 O 3 is less than 16%, the softening point may become excessively high, and the glass may become unstable. On the other hand, if the content of B 2 O 3 exceeds 18%, it is difficult to obtain a stable glass, and chemical durability may be lowered.

Alは、ガラスの安定性、化学的耐久性を高めるために0.5%以下の範囲で添加してもよい任意の成分である。Alの含有量が0.5%を超える場合、ガラスの透明性が低下するおそれがある。 Al 2 O 3 is an optional component that may be added in a range of 0.5% or less in order to enhance the stability and chemical durability of the glass. When the content of Al 2 O 3 exceeds 0.5%, the transparency of the glass may be lowered.

NaOおよびKOは、軟化点やガラス転移点を低下させるために、合計した含有量が0.9〜4%となる範囲で添加する必須の成分である。NaOおよびKOの含有量の合計が0.9%未満であると、軟化点やガラス転移点が高くなりすぎるおそれがある。一方、NaOおよびKOの含有量の合計が4%を超えると、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気絶縁性も低下するおそれがある。
NaOおよびKOは、これらから選ばれる少なくとも1種を含有することが好ましい。
Na 2 O and K 2 O are essential components to be added in a range where the total content becomes 0.9 to 4% in order to lower the softening point and the glass transition point. If the total content of Na 2 O and K 2 O is less than 0.9%, the softening point and the glass transition point may be too high. On the other hand, when the total content of Na 2 O and K 2 O exceeds 4%, chemical durability, particularly acid resistance may be lowered, and electrical insulation may be lowered.
Na 2 O and K 2 O preferably contain at least one selected from these.

CaO、SrO、BaOは、軟化点やガラス転移点を低下させるとともに、ガラスの安定性を高めるために、これらを合計した含有量が0.6%を超えない範囲で添加してもよい任意の成分である。CaO、SrO、BaOの含有量の合計が0.6%を超えると、耐酸性が低下するおそれがある。   CaO, SrO, and BaO may be added within a range where the total content of these does not exceed 0.6% in order to lower the softening point and the glass transition point and increase the stability of the glass. It is an ingredient. If the total content of CaO, SrO, and BaO exceeds 0.6%, the acid resistance may decrease.

なお、上記ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲で上記以外の成分を含有できる。なお、この実施形態では鉛酸化物は含有していない。上記以外の成分を含有する場合、その合計した含有量は10%以下が好ましい。   In addition, the said glass powder is not necessarily limited to what consists only of the said component, In the range which does not impair the effect of this invention, it can contain components other than the above. In this embodiment, lead oxide is not contained. When it contains components other than the above, the total content is preferably 10% or less.

堰止め層7を構成するガラス粉末は、上記したような組成を有するガラスを溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕して得られる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水またはエチルアルコールを用いることが好ましい。粉砕機としては、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等が挙げられる。   The glass powder constituting the damming layer 7 is obtained by manufacturing glass having the above composition by a melting method and pulverizing it by a dry pulverization method or a wet pulverization method. In the case of the wet pulverization method, it is preferable to use water or ethyl alcohol as a solvent. Examples of the pulverizer include a roll mill, a ball mill, and a jet mill.

堰止め層7を構成するガラス粉末の50%粒径(D50)は0.3μm以上4μm以下が好ましい。ガラス粉末のD50が0.3μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく取り扱いが困難になるばかりでなく、均一分散が困難になる。一方、ガラス粉末のD50が4μmを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径は、例えば、粉砕後に必要に応じて分級して調整してもよい。なお、本明細書において、50%粒径(D50)はレーザ回折/散乱式粒度分布測定装置を用いて測定した値をいう。 The 50% particle size (D 50 ) of the glass powder constituting the damming layer 7 is preferably 0.3 μm or more and 4 μm or less. If D 50 of the glass powder is less than 0.3 [mu] m, handling the glass powder is likely to agglomerate are not only difficult, uniform dispersion becomes difficult. On the other hand, if the D 50 of the glass powder exceeds 4μm, there is a possibility that increase and insufficient sintering of the glass softening temperature is generated. For example, the particle size may be adjusted by classification as necessary after pulverization. In the present specification, the 50% particle size (D 50 ) refers to a value measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer.

堰止め層7を構成するガラス粉末に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加することによりペーストが得られる。   A paste can be obtained by adding a binder and, if necessary, a plasticizer, a dispersant, a solvent and the like to the glass powder constituting the damming layer 7.

バインダーとしては、例えば、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に使用できる。可塑剤としては、例えば、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を使用できる。溶剤としては、トルエン、キシレン、2−プロパノール、2−ブタノール等の有機溶剤を好適に使用できる。   As the binder, for example, polyvinyl butyral, acrylic resin and the like can be suitably used. As the plasticizer, for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, butyl benzyl phthalate and the like can be used. As the solvent, organic solvents such as toluene, xylene, 2-propanol and 2-butanol can be suitably used.

本発明の第1の実施形態において、堰止め層7は、このような各成分からなるホウケイ酸ガラス粉末を含む組成物を焼成してなるものであり、前記組成を有するホウケイ酸ガラス粉末を前記したようにペースト化したものをスクリーン印刷し、焼成して形成される。   In the first embodiment of the present invention, the blocking layer 7 is obtained by firing a composition containing a borosilicate glass powder composed of such components, and the borosilicate glass powder having the composition is Thus, the paste is formed by screen printing and baking.

ガラスからなる堰止め層7の平面形状は、発光素子の搭載部3を取り囲むような所定の幅を有する枠状または環状であれば、特に限定されない。また、一部切り欠きを有してもよい。矩形枠状または円環状とすることが好ましく、半球レンズ形の封止層を形成する観点からは、円環形状が特に好ましい。   The planar shape of the damming layer 7 made of glass is not particularly limited as long as it is a frame shape or a ring shape having a predetermined width so as to surround the light emitting element mounting portion 3. Moreover, you may have a notch partially. A rectangular frame shape or an annular shape is preferable, and an annular shape is particularly preferable from the viewpoint of forming a hemispherical lens-shaped sealing layer.

図2に拡大して示す堰止め層7の高さhおよび幅wは、それぞれ以下に示す範囲が好ましい。すなわち、流動性を有する硬化性の樹脂材料をポッティングすることにより、頂部までの高さHが直径Dの1/2に近い半球レンズ形の封止層8を形成するために、堰止め層7の高さhは、10μm以上が好ましい。堰止め層7の高さhが10μm未満では、ポッティングの際に流動性の樹脂材料が堰止め層7の上面を超えて、外側の領域に拡がってしまい、半球レンズ形状を保つことができない。また、堰止め層7を形成するためのスクリーン印刷等の工程数の過剰な増大を抑えて、生産性を上げるために、堰止め層7の高さhは50μm以下が好ましい。   The height h and width w of the blocking layer 7 shown in an enlarged manner in FIG. 2 are preferably in the ranges shown below. That is, by potting a curable resin material having fluidity, in order to form a sealing layer 8 having a hemispherical lens shape with a height H to the top being close to ½ of the diameter D, the blocking layer 7 The height h is preferably 10 μm or more. If the height h of the damming layer 7 is less than 10 μm, the fluid resin material extends beyond the upper surface of the damming layer 7 during potting, and the hemispherical lens shape cannot be maintained. Further, the height h of the blocking layer 7 is preferably 50 μm or less in order to suppress an excessive increase in the number of steps such as screen printing for forming the blocking layer 7 and increase productivity.

濡れ拡がる方向の障壁となる堰止め層7の幅wは特に限定されないが、80〜300μmの範囲が好ましい。堰止め層7の幅wが80μmより狭いと、スクリーン印刷により形成することが難しい。また、堰止め層7の幅wが300μmを超えると、堰止め層7自体が基体2に形成されたカソードマークに接触したり、あるいは連結基板として形成する際の分割溝にガラスが流入するなどのおそれがある。なお、図2において、符号9は搭載された発光素子を示す。発光素子9および封止層8については、後述する。   The width w of the blocking layer 7 serving as a barrier in the direction of wetting and spreading is not particularly limited, but is preferably in the range of 80 to 300 μm. If the width w of the damming layer 7 is narrower than 80 μm, it is difficult to form it by screen printing. When the width w of the damming layer 7 exceeds 300 μm, the damming layer 7 itself contacts the cathode mark formed on the substrate 2 or the glass flows into the dividing groove when it is formed as a connecting substrate. There is a risk. In FIG. 2, reference numeral 9 denotes a light emitting element mounted. The light emitting element 9 and the sealing layer 8 will be described later.

基体2の熱抵抗を低減するために、基体2の内部にサーマルビア(図示を省略する。)を埋設できる。サーマルビアは、例えば、発光素子の搭載部3より小さい柱状のものであり、非搭載面22から、基体2の厚さ方向の中間の位置まで配設するのが好ましい。このような配置とすることで、搭載面21全体、特に搭載部3の平坦度を向上でき、熱抵抗を低減し、また発光素子を搭載したときの傾きも抑制できる。   In order to reduce the thermal resistance of the base 2, a thermal via (not shown) can be embedded in the base 2. The thermal via is, for example, a columnar one smaller than the mounting portion 3 of the light emitting element, and is preferably disposed from the non-mounting surface 22 to an intermediate position in the thickness direction of the base 2. With this arrangement, the flatness of the entire mounting surface 21, particularly the mounting portion 3, can be improved, the thermal resistance can be reduced, and the inclination when the light emitting element is mounted can be suppressed.

そして、本発明の第1の実施形態の発光装置1においては、このようにサーマルビア等が埋設された基体2の搭載面21の略中央部に設けられた搭載部3に、LED素子等の発光素子9が搭載されている。発光素子9は、下面に1対のバンプ等の電極を有し、半田、金、金−錫共晶等を介する金属間接続3aによって素子接続端子4に電気的に接続されている。   And in the light-emitting device 1 of the 1st Embodiment of this invention, LED elements etc. are mounted in the mounting part 3 provided in the approximate center part of the mounting surface 21 of the base | substrate 2 by which the thermal via etc. were embed | buried in this way. A light emitting element 9 is mounted. The light emitting element 9 has a pair of electrodes such as bumps on the lower surface, and is electrically connected to the element connection terminal 4 by an intermetallic connection 3a through solder, gold, gold-tin eutectic or the like.

また、基体2の搭載面21上で堰止め層7の内側の領域には、発光素子9を覆うように略半球状に形成された透光性の樹脂からなる封止層8が設けられている。封止層8を構成する樹脂としては、耐光性、耐熱性の点で優れているため、シリコーン樹脂が好ましく用いられるが、シリコーン樹脂以外のエポキシ樹脂、フッ素樹脂などの使用を制限するものではない。シリコーン樹脂としては、発光装置の封止層用の樹脂として公知のシリコーン樹脂が特に制限なく用いられる。   Further, a sealing layer 8 made of a translucent resin formed in a substantially hemispherical shape so as to cover the light emitting element 9 is provided in a region inside the blocking layer 7 on the mounting surface 21 of the base 2. Yes. As the resin constituting the sealing layer 8, a silicone resin is preferably used because it is excellent in terms of light resistance and heat resistance. However, the use of an epoxy resin other than the silicone resin, a fluorine resin, or the like is not limited. . As the silicone resin, a known silicone resin as a resin for a sealing layer of a light emitting device is used without particular limitation.

また、このような透光性の樹脂に蛍光体等を混合または分散させることにより、発光装置1として得られる光を、所望の発光色に適宜調整できる。すなわち、封止層8を構成する樹脂に蛍光体を混合、分散させることにより、発光素子9から放射される光によって励起された蛍光体が可視光を発光し、この可視光と発光素子9から放射される光とが混色して、発光装置1として所望の発光色を得ることができる。蛍光体の種類は特に限定されず、発光素子9から放射される光の種類や目的とする発光色に応じて適宜選択される。   Moreover, the light obtained as the light-emitting device 1 can be appropriately adjusted to a desired emission color by mixing or dispersing a phosphor or the like in such a translucent resin. That is, by mixing and dispersing the phosphor in the resin constituting the sealing layer 8, the phosphor excited by the light emitted from the light emitting element 9 emits visible light, and the visible light and the light emitting element 9 The emitted light is mixed in color, so that the light emitting device 1 can obtain a desired light emission color. The type of the phosphor is not particularly limited, and is appropriately selected according to the type of light emitted from the light emitting element 9 and the target emission color.

第1の実施形態の発光装置においては、透光性のガラスからなる堰止め層7により、封止層8を構成する樹脂材料の流動が堰き止められ、樹脂材料が基体2の搭載面21上を外側の領域まで濡れ拡がるのが抑えられるので、安定した半球レンズ形状の封止層8を形成できる。また、堰止め層7が透光性のガラスにより構成されており、封止層8を透過する光を堰止め層7が反射または吸収しないため、光の取り出し効率に優れ、発光輝度の高い発光装置が得られる。   In the light emitting device of the first embodiment, the flow of the resin material constituting the sealing layer 8 is blocked by the blocking layer 7 made of translucent glass, and the resin material is placed on the mounting surface 21 of the base 2. Can be prevented from spreading to the outer region, so that a stable hemispherical lens-shaped sealing layer 8 can be formed. Further, since the blocking layer 7 is made of translucent glass, and the blocking layer 7 does not reflect or absorb the light transmitted through the sealing layer 8, the light emission efficiency is excellent and the light emission is high. A device is obtained.

次に、本発明の発光装置の第2の実施形態を、図面に基づいて説明する。図3(a)は、第2の実施形態の発光装置を上面(搭載面)側から見た平面図であり、図3(b)は、図3(a)の発光装置をY−Y線で切断した断面図である。なお、図3(b)は、樹脂からなる封止層を除いた状態を示している。   Next, a second embodiment of the light emitting device of the present invention will be described based on the drawings. FIG. 3A is a plan view of the light emitting device of the second embodiment as viewed from the upper surface (mounting surface) side, and FIG. 3B shows the light emitting device of FIG. It is sectional drawing cut | disconnected by. FIG. 3B shows a state in which the sealing layer made of resin is removed.

第2の実施形態の発光装置1は、LED素子等の発光素子9と素子接続端子4との電気接続がワイヤボンディングによるタイプの発光装置である。すなわち、基体2の搭載面21の搭載部3上に、2ワイヤタイプの発光素子9が配置され、接着剤であるシリコーンダイボンド材10を用いて固定されている。そして、発光素子9の一対の電極がそれぞれ所定の素子接続端子4にボンディングワイヤ11によって接続されている。
第2の実施形態において、その他の構成、材料等は第1の実施形態と同様に構成されているので、説明を省略する。
The light emitting device 1 according to the second embodiment is a light emitting device in which the electrical connection between the light emitting element 9 such as an LED element and the element connection terminal 4 is performed by wire bonding. That is, the two-wire type light emitting element 9 is disposed on the mounting portion 3 of the mounting surface 21 of the base body 2 and fixed using the silicone die bond material 10 that is an adhesive. A pair of electrodes of the light emitting element 9 are connected to predetermined element connection terminals 4 by bonding wires 11.
In the second embodiment, other configurations, materials, and the like are configured in the same manner as in the first embodiment, and thus description thereof is omitted.

第2の実施形態の発光装置においても、第1の実施形態と同様に、安定した半球レンズ形状の封止層8を形成でき、かつ堰止め層7が封止層8を透過する光を反射または吸収しないので、光の取り出し効率に優れている。   Also in the light emitting device of the second embodiment, as in the first embodiment, a stable hemispherical lens-shaped sealing layer 8 can be formed, and the damming layer 7 reflects light transmitted through the sealing layer 8. Or since it does not absorb, it is excellent in the light extraction efficiency.

次に、本発明の発光装置の製造方法を、LTCCからなる基体を有する図1に示される発光装置の製造を例にして説明する。
図1に示される発光装置1は、例えば、以下に示す(A)基体用グリーンシート作製工程、(B)導体ペースト層形成工程、(C)堰止め用ガラスペースト層形成工程、(D)積層工程、および(E)焼成工程を含む製造方法により発光素子用基板を製造した後、この発光素子用基板を使用し、(F)発光素子搭載工程、次いで(G)封止層形成工程を経て製造できる。なお、製造に用いる部材については、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。
Next, a method for manufacturing the light emitting device of the present invention will be described by taking an example of manufacturing the light emitting device shown in FIG. 1 having a base made of LTCC.
The light-emitting device 1 shown in FIG. 1 includes, for example, (A) a green sheet manufacturing process for a substrate, (B) a conductor paste layer forming process, (C) a glass paste layer forming process for damming, and (D) lamination shown below. After manufacturing the light emitting element substrate by the manufacturing method including the process and (E) firing step, this light emitting element substrate is used, and after (F) the light emitting element mounting step and then (G) the sealing layer forming step. Can be manufactured. In addition, about the member used for manufacture, the same code | symbol as the member of a finished product is attached | subjected and demonstrated.

(A)基体用グリーンシート作製工程
ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物を用いて、基体を形成するためのグリーンシート(基体用グリーンシート)を作製する。なお、基体用グリーンシートは、上層を形成するための上層用グリーンシート、内層を形成するための内層用グリーンシート、下層を形成するための下層用グリーンシートを含む。
(A) Green sheet production process for substrate A green sheet (green sheet for substrate) for forming a substrate is produced using a glass ceramic composition containing glass powder and ceramic powder. The base green sheet includes an upper layer green sheet for forming an upper layer, an inner layer green sheet for forming an inner layer, and a lower layer green sheet for forming a lower layer.

基体用グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。   A green sheet for a substrate is prepared by adding a binder, and if necessary, a plasticizer, a dispersant, a solvent, etc. to a glass ceramic composition containing glass powder and ceramic powder. It can be manufactured by molding into a sheet and drying.

基体用グリーンシートを作製するための基体用ガラス粉末としては、ガラス転移点(Tg)が550℃以上700℃以下のものが好ましい。Tgが550℃未満の場合には、脱脂が困難となるおそれがあり、700℃を超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。また、このガラス粉末は、800℃以上930℃以下で焼成したときに結晶が析出するものが好ましい。結晶が析出しないものの場合、十分な機械的強度が得られないおそれがある。   As the glass powder for the substrate for producing the green sheet for the substrate, those having a glass transition point (Tg) of 550 ° C. or more and 700 ° C. or less are preferable. When Tg is less than 550 ° C., degreasing may be difficult, and when it exceeds 700 ° C., the shrinkage start temperature becomes high and the dimensional accuracy may be lowered. The glass powder is preferably one in which crystals precipitate when fired at 800 ° C. or higher and 930 ° C. or lower. If the crystal does not precipitate, sufficient mechanical strength may not be obtained.

このような基体用ガラス粉末としては、酸化物基準のモル%表示で、SiOを57〜65%、Bを13〜18%、CaOを9〜23%、Alを3〜8%、KOおよびNaOから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5〜6%含有するものが好ましい。このような組成のものを用いることで、基体2の表面平坦度の向上が容易となる。 Such base glass powder, as represented by mol% based on oxides, the SiO 2 57~65%, B 2 O 3 and 13 to 18%, the CaO 9 to 23%, the Al 2 O 3 3 8%, those containing from 0.5 to 6% of at least one of them in total selected from K 2 O and Na 2 O are preferred. By using a material having such a composition, the surface flatness of the substrate 2 can be easily improved.

ここで、SiOは、ガラスのネットワークフォーマとなるものである。SiOの含有量が57%未満の場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。一方、SiOの含有量が65%を超える場合には、ガラス溶融温度やTgが過度に高くなるおそれがある。SiOの含有量は、好ましくは58%以上、より好ましくは59%以上、特に好ましくは60%以上である。また、SiOの含有量は、好ましくは64%以下、より好ましくは63%以下である。 Here, SiO 2 serves as a glass network former. When the content of SiO 2 is less than 57%, it is difficult to obtain a stable glass and the chemical durability may be lowered. On the other hand, when the content of SiO 2 exceeds 65%, the glass melting temperature and Tg may be excessively increased. The content of SiO 2 is preferably 58% or more, more preferably 59% or more, and particularly preferably 60% or more. Further, the content of SiO 2 is preferably 64% or less, more preferably 63% or less.

は、ガラスのネットワークフォーマとなるものである。Bの含有量が13%未満の場合、ガラス溶融温度やTgが過度に高くなるおそれがある。一方、Bの含有量が18%を超える場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。Bの含有量は、好ましくは14%以上、より好ましくは15%以上である。また、Bの含有量は、好ましくは17%以下、より好ましくは16%以下である。 B 2 O 3 is a glass network former. If the content of B 2 O 3 is less than 13%, there is a possibility that the glass melting temperature or Tg may be too high. On the other hand, when the content of B 2 O 3 exceeds 18%, it is difficult to obtain a stable glass, and the chemical durability may be lowered. The content of B 2 O 3 is preferably 14% or more, more preferably 15% or more. Further, the content of B 2 O 3 is preferably 17% or less, more preferably 16% or less.

Alは、ガラスの安定性、化学的耐久性、および強度を高めるために添加される。Alの含有量が3%未満の場合、ガラスが不安定となるおそれがある。一方、Alの含有量が8%を超える場合、ガラス溶融温度やTgが過度に高くなるおそれがある。Alの含有量は、好ましくは4%以上、より好ましくは5%以上である。また、Alの含有量は、好ましくは7%以下、より好ましくは6%以下である。 Al 2 O 3 is added to increase the stability, chemical durability, and strength of the glass. If the content of Al 2 O 3 is less than 3%, the glass may become unstable. On the other hand, when the content of Al 2 O 3 exceeds 8%, the glass melting temperature and Tg may be excessively high. The content of Al 2 O 3 is preferably 4% or more, more preferably 5% or more. Further, the content of Al 2 O 3 is preferably 7% or less, more preferably 6% or less.

CaOは、ガラスの安定性や結晶の析出性を高めるとともに、ガラス溶融温度やTgを低下させるために添加される。CaOの含有量が9%未満の場合、ガラス溶融温度が過度に高くなるおそれがある。一方、CaOの含有量が23%を超える場合、ガラスが不安定になるおそれがある。CaOの含有量は、好ましくは12%以上、より好ましくは13%以上、特に好ましくは14%以上である。また、CaOの含有量は、好ましくは22%以下、より好ましくは21%以下、特に好ましくは20%以下である。   CaO is added to increase glass stability and crystal precipitation, and to lower the glass melting temperature and Tg. When the content of CaO is less than 9%, the glass melting temperature may be excessively high. On the other hand, when the content of CaO exceeds 23%, the glass may become unstable. The content of CaO is preferably 12% or more, more preferably 13% or more, and particularly preferably 14% or more. Further, the content of CaO is preferably 22% or less, more preferably 21% or less, and particularly preferably 20% or less.

OおよびNaOは、Tgを低下させるために添加される。KOおよびNaOの合計した含有量が0.5%未満の場合、ガラス溶融温度やTgが過度に高くなるおそれがある。一方、KOおよびNaOの合計した含有量が6%を超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気的絶縁性も低下するおそれがある。KOおよびNaOの合計した含有量は、0.8%以上5%以下が好ましい。 K 2 O and Na 2 O are added to lower Tg. When the total content of K 2 O and Na 2 O is less than 0.5%, the glass melting temperature and Tg may be excessively high. On the other hand, when the total content of K 2 O and Na 2 O exceeds 6%, chemical durability, particularly acid resistance may be lowered, and electrical insulation may be lowered. The total content of K 2 O and Na 2 O is preferably 0.8% or more and 5% or less.

なお、基体用ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、Tg等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有できる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は10%以下が好ましい。   In addition, the glass powder for base | substrates is not necessarily limited to what consists only of the said component, Other components can be contained in the range with which various characteristics, such as Tg, are satisfy | filled. When other components are contained, the total content is preferably 10% or less.

基体用ガラス粉末は、上記したような組成を有するガラスを溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕して得られる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水またはエチルアルコールを用いることが好ましい。粉砕機としては、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等が挙げられる。   The glass powder for a substrate is obtained by producing glass having the above composition by a melting method and pulverizing it by a dry pulverization method or a wet pulverization method. In the case of the wet pulverization method, it is preferable to use water or ethyl alcohol as a solvent. Examples of the pulverizer include a roll mill, a ball mill, and a jet mill.

基体用ガラス粉末の50%粒径(D50)は0.5μm以上2μm以下が好ましい。ガラス粉末のD50が0.5μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく取り扱いが困難になるばかりでなく、均一分散が困難になる。一方、ガラス粉末のD50が2μmを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径は、例えば、粉砕後に必要に応じて分級して調整してもよい。 The 50% particle size (D 50 ) of the glass powder for substrate is preferably 0.5 μm or more and 2 μm or less. If D 50 of the glass powder is less than 0.5 [mu] m, handling the glass powder is likely to agglomerate are not only difficult, uniform dispersion becomes difficult. On the other hand, if the D 50 of the glass powder exceeds 2μm, there is a possibility that increase and insufficient sintering of the glass softening temperature is generated. For example, the particle size may be adjusted by classification as necessary after pulverization.

セラミックス粉末としては、従来からLTCC基板の製造に用いられるものが使用でき、例えば、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物等を好適に使用できる。特に、アルミナ粉末とともに、アルミナよりも高い屈折率を有するセラミックスの粉末(以下、高屈折率セラミックス粉末と示す。)の使用が好ましい。   As the ceramic powder, those conventionally used for manufacturing LTCC substrates can be used. For example, alumina powder, zirconia powder, or a mixture of alumina powder and zirconia powder can be suitably used. In particular, it is preferable to use a ceramic powder having a higher refractive index than alumina (hereinafter referred to as a high refractive index ceramic powder) together with the alumina powder.

高屈折率セラミックス粉末は、焼結体である基体2の反射率を向上させるための成分であり、例えば、チタニア粉末、ジルコニア粉末、安定化ジルコニア粉末等が挙げられる。アルミナの屈折率が1.8程度であるのに対して、チタニアの屈折率は約2.7、ジルコニアの屈折率は約2.2であり、アルミナに比べて高い屈折率を有している。これらのセラミックスの粉末のD50は、0.5μm以上4μm以下が好ましい。 The high refractive index ceramic powder is a component for improving the reflectance of the base body 2 that is a sintered body, and examples thereof include titania powder, zirconia powder, and stabilized zirconia powder. While the refractive index of alumina is about 1.8, the refractive index of titania is about 2.7 and the refractive index of zirconia is about 2.2, which is higher than that of alumina. . The D 50 of these ceramic powders is preferably 0.5 μm or more and 4 μm or less.

このようなガラス粉末とセラミックス粉末とを、例えば、ガラス粉末が30質量%以上50質量%以下、セラミックス粉末が50質量%以上70質量%以下となるように配合し、混合することにより、ガラスセラミックス組成物が得られる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加することによりスラリーが得られる。   By mixing and mixing such glass powder and ceramic powder such that the glass powder is 30% by mass to 50% by mass and the ceramic powder is 50% by mass to 70% by mass, glass ceramics are mixed. A composition is obtained. In addition, a slurry can be obtained by adding a binder and, if necessary, a plasticizer, a dispersant, a solvent, and the like to the glass ceramic composition.

バインダーとしては、例えば、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に使用できる。可塑剤としては、例えば、フタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を使用できる。溶剤としては、トルエン、キシレン、2−プロパノール、2−ブタノール等の有機溶剤を好適に使用できる。   As the binder, for example, polyvinyl butyral, acrylic resin and the like can be suitably used. As the plasticizer, for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, butyl benzyl phthalate and the like can be used. As the solvent, organic solvents such as toluene, xylene, 2-propanol and 2-butanol can be suitably used.

このようにして得られたスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させて、例えば3枚の基体用グリーンシート(上層用グリーンシート、下層用グリーンシートおよび内層用グリーンシート)を作製する。また、これらの基体用グリーンシートの所定の位置に、打ち抜き型またはパンチングマシンを使用して層間接続用のビアホールを形成し、さらに必要に応じてサーマルビア用のホールを形成する。   The slurry thus obtained is formed into a sheet by a doctor blade method or the like, and dried to produce, for example, three base sheet green sheets (upper layer green sheet, lower layer green sheet and inner layer green sheet). To do. Further, via holes for interlayer connection are formed at predetermined positions of these green sheets for the substrate using a punching die or a punching machine, and holes for thermal vias are further formed as necessary.

(B)導体ペースト層形成工程
各基体用グリーンシートの所定の位置に導体ペースト層を形成することにより、未焼成素子接続端子4、未焼成外部接続端子5を形成する。また、前記したビアホール内に導体ペーストを充填することによって、未焼成接続ビア6を形成する。さらに、サーマルビア用のホール内に金属ペーストを充填することによって、未焼成サーマルビアを形成する。
(B) Conductive paste layer forming step By forming a conductive paste layer at a predetermined position of each base green sheet, the unfired element connection terminals 4 and the unfired external connection terminals 5 are formed. Further, the unfired connection via 6 is formed by filling the via hole with a conductive paste. Furthermore, an unfired thermal via is formed by filling a metal paste into the hole for the thermal via.

導体ペースト層および導体ペースト充填層の形成方法としては、導体ペーストをスクリーン印刷により塗布または充填する方法が挙げられる。形成される導体ペースト層の膜厚は、最終的に得られる素子接続端子4、外部接続端子5等の膜厚が所定の膜厚となるように調整される。また、金属ペースト充填層の形成方法としては、金属ペーストをスクリーン印刷により充填する方法が挙げられる。   Examples of the method for forming the conductor paste layer and the conductor paste filling layer include a method of applying or filling the conductor paste by screen printing. The film thickness of the formed conductive paste layer is adjusted so that the film thicknesses of the finally obtained element connection terminals 4, external connection terminals 5, and the like become predetermined film thicknesses. Moreover, as a formation method of a metal paste filling layer, the method of filling a metal paste by screen printing is mentioned.

未焼成素子接続端子4、未焼成外部接続端子5および未焼成接続ビア6の形成に用いる導体ペーストとしては、例えば、銅、銀、金等を主成分とする導体金属の粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。なお、上記導体金属粉末としては、銀粉末、銀と白金または銀とパラジウムからなる金属粉末が好ましく用いられる。未焼成サーマルビアの形成に用いる金属ペーストとしては、前記した銀を主成分とする金属粉末を、エチルセルロース等のビヒクル、および必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。   As the conductive paste used for forming the unfired element connection terminal 4, the unfired external connection terminal 5 and the unfired connection via 6, for example, a conductive metal powder mainly composed of copper, silver, gold or the like, ethyl cellulose or the like A vehicle and a paste formed by adding a solvent or the like as necessary can be used. In addition, as said conductor metal powder, the metal powder which consists of silver powder and silver and platinum or silver and palladium is used preferably. As the metal paste used for forming the unfired thermal via, a paste obtained by adding the above-described metal powder mainly composed of silver to a vehicle such as ethyl cellulose and, if necessary, a solvent or the like can be used.

(C)堰止め用ガラスペースト層形成工程
上層用グリーンシートにおいて、前記(B)工程で形成された未焼成素子接続端子4の一部を含む搭載部3に相当する領域を取り囲むように、ガラスペーストをスクリーン印刷し、平面視が円環形の堰止め用ガラスペースト層7を形成する。
(C) Damping glass paste layer forming step In the upper layer green sheet, the glass is surrounded so as to surround a region corresponding to the mounting portion 3 including a part of the unfired element connection terminal 4 formed in the step (B). The paste is screen-printed to form a damming glass paste layer 7 having an annular shape in plan view.

ガラスペーストとしては、前記した堰止め層用のガラス粉末に、エチルセルロース等のビヒクルと必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものが用いられる。形成される堰止め用ガラスペースト層7の厚さは、最終的に得られる堰止め層7の高さhが、10μm以上50μm以下となるように調整することが好ましい。また、ガラスペーストの流動性やスクリーン印刷の工程数を調整することで、堰止め用ガラスペースト層7の厚さを10〜50μmの範囲にできる。また、堰止め用ガラスペースト層7のパターンの幅wは、80〜300μmの範囲が好ましい。スクリーン印刷版のパターンの幅を調整することで、堰止め用ガラスペースト層7のパターンの幅wを80〜300μmの範囲が好ましい。   As the glass paste, a paste obtained by adding a vehicle such as ethyl cellulose and, if necessary, a solvent or the like to the glass powder for the blocking layer described above is used. The thickness of the formed glass paste layer 7 for damming is preferably adjusted so that the height h of the finally obtained damming layer 7 is 10 μm or more and 50 μm or less. Moreover, the thickness of the glass paste layer 7 for damming can be made into the range of 10-50 micrometers by adjusting the fluidity | liquidity of a glass paste, or the number of processes of screen printing. Moreover, the width w of the pattern of the glass paste layer 7 for damming has the preferable range of 80-300 micrometers. By adjusting the width of the pattern of the screen printing plate, the width w of the pattern of the glass paste layer 7 for damming is preferably in the range of 80 to 300 μm.

(D)積層工程
前記(B)工程で得られた導体ペースト層付きグリーンシートと、さらに前記(C)工程で得られた導体ペースト層および堰止め用ガラスペースト層付きグリーンシートとを所定の順で重ね合わせた後、熱圧着により一体化する。こうして、未焼成基体2が得られる。
(D) Lamination process The conductive paste layer-attached green sheet obtained in the step (B) and the conductor paste layer obtained in the step (C) and the green sheet with a damming glass paste layer in a predetermined order. After superimposing, they are integrated by thermocompression bonding. In this way, the unfired substrate 2 is obtained.

(E)焼成工程
前記(D)工程で得られた未焼成基体2について、必要に応じてバインダー等を脱脂後、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるための焼成を行って発光素子用基板とする。
(E) Firing step About the unfired substrate 2 obtained in the step (D), after degreasing the binder or the like as necessary, firing is performed to sinter the glass ceramic composition and the like. To do.

脱脂は、例えば、500℃以上600℃以下の温度で1時間以上10時間以下保持する条件で行う。脱脂温度が500℃未満または脱脂時間が1時間未満の場合、バインダー等を十分に除去できないおそれがある。一方、脱脂温度は600℃程度、脱脂時間は10時間程度とすれば、バインダー等を十分に除去でき、これを超えるとかえって生産性等が低下するおそれがある。   Degreasing is performed, for example, under the condition of holding at a temperature of 500 ° C. to 600 ° C. for 1 hour to 10 hours. When the degreasing temperature is less than 500 ° C. or the degreasing time is less than 1 hour, the binder or the like may not be sufficiently removed. On the other hand, if the degreasing temperature is about 600 ° C. and the degreasing time is about 10 hours, the binder and the like can be sufficiently removed, and if it exceeds this, productivity and the like may be lowered.

また、焼成は、基体2の緻密な構造の獲得と生産性を考慮して、800℃〜930℃の温度範囲で適宜時間を調整できる。具体的には、850℃以上900℃以下の温度で20分以上60分以下保持することが好ましく、特に860℃以上880℃以下の温度が好ましい。焼成温度が800℃未満では、基体2が緻密な構造のものとして得られないおそれがある。一方、焼成温度は930℃を超えると、基体2が変形するなど生産性等が低下するおそれがある。また、上記導体ペーストとして、銀を主成分とする金属粉末を含有する金属ペーストを用いた場合、焼成温度が880℃を超えると、過度に軟化するために所定の形状を維持できなくなるおそれがある。   In addition, in the firing, the time can be appropriately adjusted in a temperature range of 800 ° C. to 930 ° C. in consideration of obtaining a dense structure of the base 2 and productivity. Specifically, it is preferable to hold at a temperature of 850 ° C. or more and 900 ° C. or less for 20 minutes or more and 60 minutes or less, and a temperature of 860 ° C. or more and 880 ° C. or less is particularly preferable. If the firing temperature is less than 800 ° C., the substrate 2 may not be obtained as a dense structure. On the other hand, if the firing temperature exceeds 930 ° C., the productivity and the like may be lowered due to deformation of the substrate 2. Further, when a metal paste containing a metal powder containing silver as a main component is used as the conductor paste, if the firing temperature exceeds 880 ° C., there is a risk that the predetermined shape cannot be maintained due to excessive softening. .

このようにして発光素子用基板が得られるが、焼成後、必要に応じて素子接続端子4および外部接続端子5の全体を被覆するように、ニッケルメッキ、クロムメッキ、銀メッキ、ニッケル/銀メッキ、金メッキ、ニッケル/金メッキ等の、通常発光素子用基板において導体保護用に用いられる導電性保護層をそれぞれ形成できる。これらのうちでも、ニッケル/金メッキが好ましく用いられる。ニッケル/金メッキは、例えば、ニッケルメッキ層はスルファミン酸ニッケル浴等を使用して、金メッキ層はシアン化金カリウム浴等を使用して、それぞれ電解メッキによって形成できる。   Thus, a substrate for a light emitting element can be obtained. After firing, nickel plating, chrome plating, silver plating, nickel / silver plating are applied so as to cover the entire element connection terminal 4 and external connection terminal 5 as necessary. A conductive protective layer, such as gold plating, nickel / gold plating, etc., which is usually used for protecting a conductor in a light emitting element substrate, can be formed. Among these, nickel / gold plating is preferably used. For example, the nickel / gold plating can be formed by electrolytic plating using a nickel sulfamate bath for the nickel plating layer and a potassium gold cyanide bath for the nickel plating layer.

(F)発光素子搭載工程
前記(E)工程で得られた発光素子用基板において、基体2の搭載面21の略中央部の搭載部3に、下面に1対のバンプ電極を有するLED素子等の発光素子9を配置し、半田、金、金−錫共晶等を介する金属間接続によって、素子接続端子4と電気的に接続する。
(F) Light-Emitting Element Mounting Step In the light-emitting element substrate obtained in the step (E), an LED element or the like having a pair of bump electrodes on the lower surface on the mounting portion 3 at the substantially central portion of the mounting surface 21 of the base 2. The light emitting element 9 is disposed, and is electrically connected to the element connection terminal 4 by metal-to-metal connection via solder, gold, gold-tin eutectic or the like.

(G)封止層形成工程
このように基体2の搭載部3に搭載された発光素子9を覆うように、流動性を有する硬化性シリコーン樹脂材料をポッティングして略半球状の樹脂層を形成し、加熱等により硬化させる。こうして、基体2の搭載面21に形成されたガラスからなる円環形の堰止め層7の内側領域に、略半球状のレンズ形の封止層8が形成される。
(G) Sealing Layer Forming Step In this manner, a substantially hemispherical resin layer is formed by potting a fluid curable silicone resin material so as to cover the light emitting element 9 mounted on the mounting portion 3 of the substrate 2. And cured by heating or the like. In this way, a substantially hemispherical lens-shaped sealing layer 8 is formed in the inner region of the annular damming layer 7 made of glass formed on the mounting surface 21 of the substrate 2.

以上の発光装置1の製造方法において、発光素子用基板の製造工程で用いられる基体用グリーンシートの枚数は、必ずしも3枚である必要はなく、2枚または4枚以上であってもよい。また、各部の形成順序等については、発光素子用基板の製造が可能な限度において適宜変更できる。さらに、発光素子用基板は、そのサイズにより、多数個取りの連結基板を作製し、これを分割する工程を得て個々の基板を作製する方法により作製されてもよい。その場合、分割のタイミングは、上記焼成後であれば、発光素子を搭載する前でもよいし、発光素子搭載後でもよい。   In the manufacturing method of the light emitting device 1 described above, the number of the green sheets for the base used in the manufacturing process of the light emitting element substrate is not necessarily three, and may be two or four or more. Further, the order of forming each part can be appropriately changed as long as the light emitting element substrate can be manufactured. Furthermore, the substrate for a light emitting element may be manufactured by a method in which a multi-piece connection substrate is manufactured according to its size, and a step of dividing the substrate is obtained to manufacture individual substrates. In that case, the division timing may be before the light emitting element is mounted or after the light emitting element is mounted as long as it is after the firing.

このような製造方法によれば、ガラスからなる堰止め層7により、封止層8を形成するための硬化性樹脂材料の流動が堰き止められ、樹脂材料が基体2の搭載面21上を堰止め層7の外側の領域まで濡れ拡がるのが抑えられるので、安定した半球レンズ形の樹脂封止層8が形成される。また、堰止め層7が透光性のガラスにより構成されており、堰止め層7が封止層8を透過する光を反射または吸収しないため、光の取り出し効率に優れ、発光輝度の高い発光装置が得られる。   According to such a manufacturing method, the flow of the curable resin material for forming the sealing layer 8 is blocked by the blocking layer 7 made of glass, and the resin material is blocked on the mounting surface 21 of the base 2. Since wetting and spreading to the region outside the stop layer 7 is suppressed, a stable hemispherical lens-shaped resin sealing layer 8 is formed. Further, since the damming layer 7 is made of translucent glass and the damming layer 7 does not reflect or absorb the light transmitted through the sealing layer 8, the light emission is excellent in light extraction efficiency and has high emission luminance. A device is obtained.

以下、本発明の実施例について記載する。なお、本発明は実施例に限定されない。   Examples of the present invention will be described below. In addition, this invention is not limited to an Example.

例1〜8
以下に示す方法で、図1に示す構造の発光装置を製造した。
Examples 1-8
The light emitting device having the structure shown in FIG. 1 was manufactured by the following method.

<堰止め用ガラスペーストの調製>
まず、堰止め層用のガラス粉末を製造した。すなわち、酸化物換算のモル%表示で、SiOが81.6%、Bが16.6%、KOが1.8%となるように、ガラス原料を調合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1500〜1600℃で60分間溶融させた後、溶融状態のガラスを流し出し冷却した。得られたガラスを、アルミナ製ボールミルにより20〜60時間粉砕して堰止め層用ガラス粉末を得た。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
<Preparation of glass paste for damming>
First, glass powder for a weir layer was manufactured. That is, the glass raw materials were prepared and mixed so that SiO 2 was 81.6%, B 2 O 3 was 16.6%, and K 2 O was 1.8% in terms of mol% in terms of oxide. This raw material mixture was put in a platinum crucible and melted at 1500 to 1600 ° C. for 60 minutes, and then the molten glass was poured out and cooled. The obtained glass was pulverized with an alumina ball mill for 20 to 60 hours to obtain a glass powder for a weir layer. In addition, ethyl alcohol was used as a solvent for pulverization.

得られたガラス粉末の50%粒径(μm)を、レーザ回折/散乱式粒度分布測定装置(島津製作所社製、商品名:SALD2100)を用いて測定したところ、2.3μmであった。また、ガラス粉末の軟化点を、示差熱分析装置(ブルカーAXS社製、商品名:TG−DTA2000)を用いて昇温速度10℃/分の条件で1000℃まで昇温して測定したところ、775℃であった。   The 50% particle size (μm) of the obtained glass powder was measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: SALD2100), and it was 2.3 μm. Moreover, when the softening point of the glass powder was measured by using a differential thermal analyzer (Bruker AXS, trade name: TG-DTA2000), the temperature was increased to 1000 ° C. at a temperature increase rate of 10 ° C./min. It was 775 ° C.

上記で得られたガラス粉末と樹脂成分とを60:40の質量比で配合し、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って、堰止め用ガラスペーストを得た。なお、樹脂成分は、エチルセルロースとαテレピネオールとを質量比85:15で調合し分散したものを使用した。   The glass powder obtained above and a resin component are blended at a mass ratio of 60:40, kneaded for 1 hour in a porcelain mortar, further dispersed three times with three rolls, and a glass paste for damming Got. In addition, the resin component used what prepared and disperse | distributed ethyl cellulose and alpha terpineol by mass ratio 85:15.

<発光素子搭載用の基板の作製>
発光装置1の基体2を作製するための上層用グリーンシート、内層用グリーンシートおよび下層用グリーンシートを作製した。
まず、酸化物換算のモル%表示で、SiOを60.4%、Bを15.6%、Alを6%、CaOを15%、KOを1%、NaOを2%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600℃で60分溶融させた後、溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕して基体用のガラス粉末を製造した。なお、粉砕の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
<Preparation of substrate for mounting light emitting element>
An upper layer green sheet, an inner layer green sheet, and a lower layer green sheet for manufacturing the substrate 2 of the light emitting device 1 were prepared.
First, in terms of oxide-based mol%, SiO 2 is 60.4%, B 2 O 3 is 15.6%, Al 2 O 3 is 6%, CaO is 15%, K 2 O is 1%, Na The raw materials were blended and mixed so that 2 O would be 2%. The raw material mixture was put in a platinum crucible and melted at 1600 ° C. for 60 minutes, and then the molten glass was poured out and cooled. This glass was pulverized with an alumina ball mill for 40 hours to produce a glass powder for a substrate. Note that ethyl alcohol was used as a solvent for grinding.

この基体用ガラス粉末が35質量%、アルミナ粉末(昭和電工社製、商品名:AL−45H)が40質量%、ジルコニア粉末(第一稀元素化学工業社製、商品名:HSY−3F−J)が25質量%となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤(トルエン、キシレン、2−プロパノール、2−ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの)15g、可塑剤(フタル酸ジ−2−エチルヘキシル)2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラール(デンカ社製、商品名:PVK#3000K)5g、さらに分散剤(ビックケミー社製、商品名:BYK180)0.5gを配合し、混合してスラリーを調製した。   35% by mass of the glass powder for the substrate, 40% by mass of alumina powder (manufactured by Showa Denko KK, trade name: AL-45H), zirconia powder (manufactured by Daiichi Rare Element Chemical Co., Ltd., trade name: HSY-3F-J) ) Was mixed so as to be 25% by mass, and mixed to produce a glass ceramic composition. 50 g of this glass ceramic composition, 15 g of an organic solvent (toluene, xylene, 2-propanol, 2-butanol mixed at a mass ratio of 4: 2: 2: 1), plasticizer (di-2-ethylhexyl phthalate) 2.5 g of polyvinyl butyral (trade name: PVK # 3000K, manufactured by Denka Co., Ltd.) as a binder, 5 g, and 0.5 g of a dispersant (trade name: BYK180, manufactured by Big Chemie) were blended and mixed to prepare a slurry. .

このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させたグリーンシートを積層して、平板状であって焼成後のサイズが30mm×30mmで厚さが0.35mmとなる上層用、内層用、下層用の各グリーンシートを製造した。そして、上層用、内層用、下層用の各グリーンシートにおいて、所定の位置に孔空け機を用いて直径0.3mmの接続ビア用の貫通孔を形成した。なお、本実施例においては、発光素子搭載用の基板を多数個取りの連結基板として製造し、後述の焼成後に、1個ずつに分割して、30mm×30mmの外寸の略正方形の発光素子搭載用基板(基体)1とした。以下の記載は、多数個取り連結基板のうちの、分割後、1個の発光素子搭載用基板となる一区画について説明する。   This slurry is applied on a PET film by a doctor blade method, dried green sheets are laminated, and the upper layer and the inner layer are flat and have a size after baking of 30 mm × 30 mm and a thickness of 0.35 mm. Green sheets for the lower layer and the lower layer were manufactured. Then, in each of the green sheets for the upper layer, the inner layer, and the lower layer, through holes for connecting vias having a diameter of 0.3 mm were formed at predetermined positions using a hole puncher. In this embodiment, a substrate for mounting light emitting elements is manufactured as a multi-piece connecting substrate, and is divided into one piece after firing, which will be described later, to form a substantially square light emitting element having an outer size of 30 mm × 30 mm. A mounting substrate (substrate) 1 was obtained. The following description will explain one section of the multi-piece connection board that becomes one light-emitting element mounting board after division.

一方、導電性粉末(大研化学工業社製、商品名:S550)、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比85:15の割合で配合し、固形分が85質量%となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練し、さらに三本ロールにて3回分散を行って導体用ペーストを製造した。   On the other hand, conductive powder (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: S550) and ethyl cellulose as a vehicle are blended at a mass ratio of 85:15, and α-terpineol as a solvent so that the solid content is 85 mass%. Then, the mixture was kneaded for 1 hour in a porcelain mortar, and further dispersed three times with three rolls to produce a conductor paste.

前記各グリーンシートに形成された接続ビア用の貫通孔に、上記で得られた導体用ペーストをスクリーン印刷法により充填して、接続ビア用ペースト層を形成した。その後、上層用グリーンシートの上側の面の接続ビア用ペースト層上に、前記導体用ペーストをスクリーン印刷することにより、素子接続端子用ペースト層を形成した。また、下層用グリーンシートの下側の面の接続ビア用ペースト層上に、前記導体用ペーストをスクリーン印刷することにより、外部接続端子用ペースト層を形成した。   The through-hole for connecting via formed in each of the green sheets was filled with the conductive paste obtained above by a screen printing method to form a connecting via paste layer. Thereafter, the element paste terminal paste layer was formed by screen printing the conductor paste on the connection via paste layer on the upper surface of the upper layer green sheet. Moreover, the paste layer for external connection terminals was formed by screen-printing the said paste for conductors on the connection via paste layer of the lower surface of the lower layer green sheet.

さらに、導体用ペースト層が形成された上層用グリーンシートの上側の面、すなわち搭載面において、素子接続端子用ペースト層の一部を含む搭載部を取り囲むように、前記した堰止め用ガラスペーストをスクリーン印刷し、平面視が円環形状(内周縁の直径は2.4mm)の堰止め用ガラスペースト層7を形成した。ここで、スクリーン印刷する際の印刷版のパターンの幅を変えて、焼成後の堰止め層7の幅wが、表1に記載された寸法となるようにした。また、スクリーン印刷の回数を変えることで、堰止め層7の高さhが表1に記載された寸法となるようにした。なお、堰止め層の幅wおよび高さhの測定は、接触式膜厚計(東京精密社製、商品名:サーフコム1400D)により行った。   Furthermore, the above-mentioned damming glass paste is formed so as to surround the mounting portion including a part of the element connection terminal paste layer on the upper surface of the upper green sheet on which the conductor paste layer is formed, that is, the mounting surface. Screen printing was performed to form a damming glass paste layer 7 having an annular shape in plan view (the diameter of the inner peripheral edge was 2.4 mm). Here, the width of the pattern of the printing plate at the time of screen printing was changed so that the width w of the damming layer 7 after firing had the dimensions described in Table 1. Further, the height h of the blocking layer 7 was set to the dimensions described in Table 1 by changing the number of times of screen printing. In addition, the width w and height h of the blocking layer were measured with a contact-type film thickness meter (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd., trade name: Surfcom 1400D).

次いで、こうして得られた導電ペースト層およびガラスペースト層付き上層用グリーンシートと、導電ペースト層付き内層用グリーンシートおよび導電ペースト層付き下層用グリーンシートを積層して未焼結連結基板を得た。この未焼成連結基板に、各区画が焼成後に3mm×3mmの外寸となるような分割線(カットライン)を入れた後、550℃で5時間保持して脱脂を行い、さらに870℃で30分間保持して焼成を行って、多数個取り連結基板を製造した。得られた多数個取り連結基板を分割線に沿って分割して、発光素子搭載用の基板を製造した。   Next, the green sheet for the upper layer with the conductive paste layer and the glass paste layer, the green sheet for the inner layer with the conductive paste layer, and the green sheet for the lower layer with the conductive paste layer thus obtained were laminated to obtain an unsintered connection substrate. A dividing line (cut line) in which each section has an outer size of 3 mm × 3 mm after firing is put on this unfired connection substrate, and then degreased by holding at 550 ° C. for 5 hours, and further at 870 ° C. for 30 The substrate was fired by holding for a few minutes to produce a multi-piece connected substrate. The obtained multi-piece connection substrate was divided along a dividing line to manufacture a substrate for mounting a light emitting element.

<発光素子の搭載および封止>
次に、こうして得られた発光素子搭載用の基板の搭載部に、下面に1対の電極を有するLED素子(CREE社製、商品名:DA350)9を配置し、前記1対の電極を素子接続端子4に金錫半田接着により接続した。その後、前記焼成工程で搭載面21上に形成された堰止め層7の内側の領域に、硬化性のシリコーン樹脂材料(信越化学工業社製、商品名:KER−6075)を、ディスペンサ(武蔵エンジニアリング社製、商品名:ML−5000XII)を用いて注入し、LED素子を覆う被覆層を形成した。そして、こうして形成された被覆層を100℃で1時間加熱した後、150℃で3時間加熱して硬化させ、透光性の封止層8を形成した。
<Mounting and sealing of light emitting element>
Next, an LED element (product name: DA350, manufactured by CREE, Inc.) 9 having a pair of electrodes on the lower surface is arranged on the mounting portion of the substrate for mounting the light emitting element thus obtained, and the pair of electrodes is connected to the element. The connection terminal 4 was connected by gold tin solder bonding. Thereafter, a curable silicone resin material (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name: KER-6075) is dispensed to the inner region of the blocking layer 7 formed on the mounting surface 21 in the firing step. A coating layer covering the LED element was formed by injecting using a product name, ML-5000XII). The coating layer thus formed was heated at 100 ° C. for 1 hour and then cured by heating at 150 ° C. for 3 hours to form a translucent sealing layer 8.

<発光装置の各部の測定と評価>
こうして形成された封止層8の頂部までの高さHを、接触式膜厚計(東京精密社製、商品名:サーフコム1400D)を用いて測定し、底部の直径Dを、測長顕微鏡(オリンパス社製、商品名:STM6)を用いて測定した。測定結果を、堰止め層の幅wおよび高さhとともに表1に示す。

Figure 2013149637
<Measurement and evaluation of each part of light emitting device>
The height H to the top of the sealing layer 8 thus formed was measured using a contact-type film thickness meter (trade name: Surfcom 1400D, manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.), and the diameter D of the bottom was measured using a length measuring microscope ( It measured using the Olympus make, brand name: STM6). The measurement results are shown in Table 1 together with the width w and height h of the blocking layer.
Figure 2013149637

表1から明らかなように、高さhが10〜30μmで幅wが80〜200μmの堰止め層7を有する例2〜例8の発光装置では、硬化性のシリコーン樹脂材料が堰止め層7で囲まれた領域の外側まで濡れ拡がることがなく、封止層8の頂部までの高さHが底部の直径Dの1/2となっている。すなわち、半球レンズ形を有する封止層8が形成されたことがわかる。そして、このような半球レンズ形を有する封止層8の形成により、発光素子9から発せられた光が封止層8を透過する行路長が全方向で等しくなり、安定した良好な光学的特性を有する発光装置が得られる。   As is apparent from Table 1, in the light emitting devices of Examples 2 to 8 having the blocking layer 7 having a height h of 10 to 30 μm and a width w of 80 to 200 μm, the curable silicone resin material is the blocking layer 7. The height H to the top of the sealing layer 8 is ½ of the diameter D of the bottom. That is, it can be seen that the sealing layer 8 having a hemispherical lens shape is formed. By forming the sealing layer 8 having such a hemispherical lens shape, the path lengths through which the light emitted from the light emitting element 9 passes through the sealing layer 8 are equal in all directions, and stable and good optical characteristics are obtained. A light emitting device having the following can be obtained.

これに対して、例1では、堰止め層7の高さhが10μm以下となっており、硬化性のシリコーン樹脂材料の外側への濡れ拡がりを、堰止め層7が十分に抑えることができない。そのため、封止層8の底部の直径Dが堰止め層7の内周縁の直径(24mm)より大きくなるばかりでなく、封止層8の高さHが底部の直径Dの1/2よりずっと小さくなっている。そのため、透過する光の行路長が全方向で等しくなるような、安定した半球レンズ形の封止層8は形成されていないことがわかる。   On the other hand, in Example 1, the height h of the blocking layer 7 is 10 μm or less, and the blocking layer 7 cannot sufficiently suppress wetting and spreading to the outside of the curable silicone resin material. . Therefore, not only the diameter D of the bottom of the sealing layer 8 is larger than the diameter (24 mm) of the inner peripheral edge of the blocking layer 7, but also the height H of the sealing layer 8 is much more than 1/2 of the diameter D of the bottom. It is getting smaller. Therefore, it can be seen that the stable hemispherical lens-shaped sealing layer 8 is not formed so that the path lengths of transmitted light are equal in all directions.

1…発光装置、2…基体、3…搭載部、4…素子接続端子、5…外部電極端子、6…接続ビア、7…堰止め層、8…封止層、9…発光素子、11…ボンディングワイヤ、21…搭載面、22…非搭載面。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light-emitting device, 2 ... Base | substrate, 3 ... Mounting part, 4 ... Element connection terminal, 5 ... External electrode terminal, 6 ... Connection via, 7 ... Damping layer, 8 ... Sealing layer, 9 ... Light-emitting element, 11 ... Bonding wire, 21... Mounting surface, 22.

Claims (6)

無機絶縁材料からなり、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する基体と、
前記基体の前記搭載面上に形成された素子接続端子と、
前記基体の前記搭載面上に前記搭載部を取り囲むように形成された、透光性のガラスからなる堰止め層と、
前記基体の前記搭載部に搭載され、前記素子接続端子と電気的に接続された発光素子と、
前記堰止め層の内側の領域に前記発光素子を覆うように設けられた樹脂からなる封止層と
を備えることを特徴とする発光装置。
A substrate made of an inorganic insulating material and having a mounting surface, a part of which is a mounting portion on which a light emitting element is mounted;
An element connection terminal formed on the mounting surface of the base;
A damming layer made of translucent glass formed on the mounting surface of the base so as to surround the mounting portion;
A light emitting element mounted on the mounting portion of the base body and electrically connected to the element connection terminal;
And a sealing layer made of a resin provided so as to cover the light emitting element in a region inside the damming layer.
前記堰止め層の熱膨張係数は、前記基体の熱膨張係数よりも小さい請求項1に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein a thermal expansion coefficient of the damming layer is smaller than a thermal expansion coefficient of the base. 前記堰止め層は、円環形の平面形状を有し、高さが10〜50μmで幅が80〜300μmである請求項1または2に記載の発光装置。   3. The light emitting device according to claim 1, wherein the damming layer has an annular planar shape, has a height of 10 to 50 μm, and a width of 80 to 300 μm. 前記封止層は、略半球状の立体形状を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the sealing layer has a substantially hemispherical three-dimensional shape. 前記封止層は、流動性を有する硬化性樹脂材料のポッティングにより形成された層である請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the sealing layer is a layer formed by potting a curable resin material having fluidity. 無機絶縁材料からなり、一部が発光素子の搭載される搭載部となる搭載面を有する基体と、前記基体の前記搭載面上に形成された素子接続端子と、前記基体の前記搭載面上に前記搭載部を取り囲むように形成された透光性のガラスからなる堰止め層を有する発光素子用基板を作製する工程と、
前記発光素子用基板の前記基体の前記搭載部に発光素子を搭載し、該発光素子を前記素子接続端子と電気的に接続する工程と、
前記基体の前記搭載面上で前記堰止め層の内側の領域に、流動性を有する硬化性樹脂材料をポッティングし硬化させて、前記発光素子を覆う樹脂からなる封止層を形成する工程と
を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
A base made of an inorganic insulating material, part of which has a mounting surface serving as a mounting portion on which a light emitting element is mounted, an element connection terminal formed on the mounting surface of the base, and a mounting surface of the base Producing a light emitting element substrate having a damming layer made of translucent glass formed so as to surround the mounting portion;
Mounting a light emitting element on the mounting portion of the base of the light emitting element substrate, and electrically connecting the light emitting element to the element connection terminal;
Forming a sealing layer made of a resin covering the light emitting element by potting and curing a curable resin material having fluidity in a region inside the blocking layer on the mounting surface of the base body; A method for manufacturing a light-emitting device.
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