JP2013146753A - 溶接方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る溶接方法は、溶接母材11上に形成した初層ビード13の上に残層ビード15を重ね溶接し、初層ビード13の形成時に溶接母材11に生じた熱影響部14を残層ビード15の溶接熱により焼き戻す場合において、残層ビード15の最初のパスと最後のパスの形成時に、溶接トーチ12を残層ビード15の幅方向内側に傾斜させながら走査することにより、残層ビード15の幅方向の一側と他側とで溶接母材11に対する溶接熱の加わり方に差を生じさせ、溶接熱の加わり方が大きい側を初層ビード13の幅方向外縁部の領域に重ねるようにして、その溶接熱を熱影響部14に掛けながら溶接を行い、熱影響部14を焼き戻すことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
即ち、本発明に係る溶接方法の第1の態様は、溶接母材上に形成した初層の溶接ビードの上に残層の溶接ビードを重ね溶接し、前記初層の溶接ビードを形成した時に前記溶接母材に生じた熱影響部を、前記残層の溶接ビードの重ね溶接時における溶接熱によって焼き戻すようにした溶接方法であって、前記残層の溶接ビードの重ね溶接時に、この残層の溶接ビードの幅方向の一側と他側とで前記溶接母材に対する溶接熱の加わり方に差を生じさせ、前記溶接熱の加わり方が大きい側を前記初層の溶接ビードの幅方向外縁部の領域に重ねるようにして前記外縁部の領域に熱を加えながら前記残層の溶接ビードを形成していくことを特徴とする。
αn+1<90°−θn・・・(1)
tanθn=Σhn/Σdn・・・(2)
但し、nは溶接ビードの層数、hは溶接ビードの積層高さ、dは溶接ビードの積層ピッチである。
まず、本発明の参考実施形態について、図1を参照しながら説明する。
図1(a)〜(c)は、本発明の参考実施形態を示す溶接部の縦断面図である。ここでは、例えばTIG溶接を行う場合を例示する。
次に、本発明の第1実施形態について、図2を参照しながら説明する。
図2(a)〜(c)は、本発明の第1実施形態を示すテンパービード溶接部の縦断面図である。ここでは、原子炉圧力容器等の鉄鋼構造体において、腐食や亀裂等の欠陥部をグラインダー等で抉り取った後に、TIG溶接により肉盛り溶接する場合について説明する。
次に、本発明の第2実施形態について、図3を参照しながら説明する。
図3(a)〜(c)は、本発明の第2実施形態を示すテンパービード溶接部の縦断面図である。ここで、図3(a)に示す初層ビード13の形成方法と、図3(b)に示す残層ビード15の第1層の形成方法は、図2(a),(b)に示す第1実施形態のものと同一であるため、説明を省略する。
次に、本発明の第3実施形態について、図4を参照しながら説明する。
図4(a)〜(c)は、本発明の第3実施形態を示すテンパービード溶接部の縦断面図である。ここで、図4(b)および(c)に示す残層ビード15の形成方法は、図3(b),(c)に示す第2実施形態のものと同一であるため、説明を省略する。
次に、本発明の第4実施形態について、図5を参照しながら説明する。
前記第1〜第3実施形態のように、初層ビード13の上に残層ビード15を重ねて溶接していく場合において、残層ビード15の各層の最初のパスと最後のパスを形成する時の溶接トーチ12の傾斜角度αn+1は、次式(1),(2)に基づいて設定する。
αn+1<90°−θn・・・(1)
tanθn=Σhn/Σdn・・・(2)
ここで、nは溶接ビードの層数、即ち初層ビード13と残層ビード15の合計層数であり、hは溶接ビードの積層高さ、dは溶接ビードの積層ピッチである。
次に、本発明の第5実施形態について、図6〜図8を参照しながら説明する。
図6に示すように、溶接トーチ12は溶接装置(溶接ロボット)のアーム19にAVC(アーク電圧制御)装置20を介して取り付けられる。AVC装置20は、溶接トーチ12を保持し、溶接トーチ12と溶接母材11との間に形成されるアーク長Dを一定に制御する装置である。溶接トーチ12は、このAVC装置20に対し、アーク長制御軸20aに沿って移動することができ、これによって溶接母材11との間隔、即ちアーク長Dが変更される。このようにアーク長Dが変更されても、溶接トーチ12による溶接母材11上の溶接位置Pは変更しない。
2,12 溶接トーチ
3 溶接ビード
4,14 熱影響部
13 初層ビード(初層の溶接ビード)
15 残層ビード(残層の溶接ビード)
19 アーム
20 AVC装置
20a アーク長制御軸
20b 傾斜角度調整軸
D アーク長
d 溶接ビードの積層ピッチ
h 溶接ビードの積層高さ
θ1,θa,θn 溶接トーチの傾斜角度
Claims (7)
- 溶接母材上に形成した初層の溶接ビードの上に残層の溶接ビードを重ね溶接し、前記初層の溶接ビードを形成した時に前記溶接母材に生じた熱影響部を、前記残層の溶接ビードの重ね溶接時における溶接熱によって焼き戻すようにした溶接方法であって、
前記残層の溶接ビードの重ね溶接時に、この残層の溶接ビードの幅方向の一側と他側とで前記溶接母材に対する溶接熱の加わり方に差を生じさせ、前記溶接熱の加わり方が大きい側を前記初層の溶接ビードの幅方向外縁部の領域に重ねるようにして前記外縁部の領域に熱を加えながら前記残層の溶接ビードを形成していくことを特徴とする溶接方法。 - 溶接トーチを、前記溶接ビードの幅方向の一側に傾斜させながら走査して前記溶接ビードを形成することにより、該溶接ビードの幅方向の一側と他側とで前記溶接母材に対する溶接熱の加わり方に差を生じさせることを特徴とする請求項1に記載の溶接方法。
- 請求項1に記載の溶接方法と、請求項2に記載の溶接方法とを組み合わせる場合において、
前記残層の溶接ビードの最初のパスと最後のパスの形成時に、前記溶接トーチを前記溶接ビードの幅方向内側に傾斜させながら走査することを特徴とする溶接方法。 - 前記残層の溶接ビードを複数層形成する場合において、上側の層に向かうにつれて、前記溶接トーチを前記溶接ビードの幅方向内側に傾斜させる角度を大きくすることを特徴とする請求項3に記載の溶接方法。
- 前記初層の溶接ビードの最初のパスと最後のパスの形成時に、前記溶接トーチを前記溶接ビードの幅方向外側に傾斜させながら走査することを特徴とする請求項3または4に記載の溶接方法。
- 前記残層の溶接ビードの形成時における前記溶接トーチの傾斜角度αn+1は次式(1),(2)より求めることを特徴とする請求項3〜5のいずれかに記載の溶接方法。
αn+1<90°−θn・・・(1)
tanθn=Σhn/Σdn・・・(2)
但し、nは溶接ビードの層数、hは溶接ビードの積層高さ、dは溶接ビードの積層ピッチである。 - 前記溶接トーチを保持してアーク長を制御するAVC装置のアーク長制御軸に対して、前記溶接トーチの傾斜角度調整軸を別軸にし、前記溶接トーチを傾斜させた状態で前記アーク長を変更しても溶接位置が変化しないようにすることを特徴とする請求項3〜6のいずれかに記載の溶接方法。
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