JP2013145870A - デバイス製造方法および基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】アライメントマークの位置計測精度およびスループットの点で有利な技術を提供する。
【解決手段】第1工程は、第1直線111aに沿った方向における第1要求アライメント精度および第2直線111cに沿った方向における第2要求アライメント精度に応じて、形成すべき第3線状パターン121a〜dおよび第4線状パターン121e〜hの合計数、ならびに、形成すべき前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの合計数を決定する決定工程を含む。第2工程は、前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの個々の位置に基づいて前記第1直線に沿った方向におけるアライメントマークの位置を求め、前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの個々の位置に基づいて前記第2直線に沿った方向における前記アライメントマークの位置を求める。
【選択図】図1
【解決手段】第1工程は、第1直線111aに沿った方向における第1要求アライメント精度および第2直線111cに沿った方向における第2要求アライメント精度に応じて、形成すべき第3線状パターン121a〜dおよび第4線状パターン121e〜hの合計数、ならびに、形成すべき前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの合計数を決定する決定工程を含む。第2工程は、前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの個々の位置に基づいて前記第1直線に沿った方向におけるアライメントマークの位置を求め、前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの個々の位置に基づいて前記第2直線に沿った方向における前記アライメントマークの位置を求める。
【選択図】図1
Description
本発明は、デバイス製造方法および基板に関する。
特許文献1には、第1計測マークX1、X2、X3、X4と第2計測マークY1、Y2とを有するアライメントマークが記載されている。第1計測マークX1、X2、X3、X4は、X方向におけるアライメントマークの位置を計測するためマークである。第2計測マークY1、Y2は、Y方向におけるアライメントマークの位置を計測するためのマークである。第2計測マークY1、Y2は、第1計測マークX1、X2、X3、X4が配置された領域の外側に、それぞれスクライブラインの延長方向に平行に配置されている。X方向におけるアライメントマークの位置は、第1計測マークX1、X2、X3、X4のそれぞれの位置の平均で与えられる。Y方向におけるアライメントマークの位置は、第2計測マークY1、Y2のそれぞれの位置の平均で与えられる。
特許文献1に記載されたアライメントマークでは、Y方向における位置計測用のマークである第2計測マークY1、Y2がそれぞれ配置された位置がX方向に隔てられている。したがって、基板が回転誤差を含んでいる場合において、第2計測マークY1、Y2のそれぞれの位置の平均で与えられるY方向におけるアライメントマークの位置は、当該回転誤差の影響を強く受ける。つまり、特許文献1に記載されたアライメントマークは、Y方向におけるアライメントマークの位置を高精度に決定するためには不利である。
特許文献2には、X方向に周期的なマークとY方向に周期的なマークとを有するアライメントマークが記載されている。
ところで、アライメントマークの位置を高精度に計測することが要求されるとしても、X方向とY方向との双方に関して最高精度が要求されるとは限らない。例えば、X方向とY方向とのうち一方については最高精度が要求されるが、他方については最高精度よりも低い精度で十分な場合において、X方向とY方向との双方について最高精度で計測を行うことはスループットの点で不利である。
本発明は、例えば、アライメントマークの位置計測精度およびスループットの点で有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、デバイスを製造するデバイス製造方法に係り、前記デバイス製造方法は、基板の上に回路パターンとアライメントマークとを形成する第1工程と、前記アライメントマークの位置を計測し、該位置に基づき前記基板をアライメントして前記基板の上に回路パターンを形成する第2工程と、を含み、前記アライメントマークは、第1直線の一方の側に前記第1直線に沿って配置された第1線状パターンと、前記第1直線の他方の側に前記第1直線に沿って配置された第2線状パターンと、前記第1直線とは方向の異なる第2直線の一方の側に前記第2直線に沿って配置された第3線状パターンと、前記第2直線の他方の側に前記第2直線に沿って配置された第4線状パターンと、を含み、前記第1工程は、前記第1直線に沿った方向における第1要求アライメント精度および前記第2直線に沿った方向における第2要求アライメント精度に応じて、形成すべき前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの合計数、ならびに、形成すべき前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの合計数を決定する決定工程を含み、前記第2工程は、前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの個々の位置に基づいて前記第1直線に沿った方向における前記アライメントマークの位置を求め、前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの個々の位置に基づいて前記第2直線に沿った方向における前記アライメントマークの位置を求める。
本発明によれば、例えば、アライメントマークの位置計測精度およびスループットの点で有利な技術が提供される。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。この実施形態は、デバイスを製造するデバイス製造方法に関する。デバイス製造方法は、ウエハ等の基板の上に回路パターンとともにアライメントマークを形成する第1工程と、該アライメントマークの位置を計測し、該位置に基づいて該基板をアライメントしながら該基板の上にパターンを形成する第2工程とを含む。
第1工程は、形成すべきアライメントマークの仕様を決定する工程と、回路パターンとともに当該仕様に従うアライメントマークを基板に形成するリソグラフィー工程とを含みうる。リソグラフィー工程は、例えば、塗布工程と、露光工程と、現像工程と、エッチング工程とを含みうる。塗布工程では、基板にレジストを塗布する。露光工程では、レジストに回路パターンおよびアライメントパターンの潜像を形成する。現像工程では、レジストを現像して、回路パターンおよびアライメントパターンに対応するレジストパターンを形成する。エッチング工程では、レジストパターンの開口に露出した層をエッチングする。露光工程では、レジストを光で露光する光露光装置、または、レジストに電子線等の荷電粒子線によってパターン(回路パターンおよびアライメントマーク)を描画する荷電粒子線露光装置(描画装置)が使われうる。また、本発明は、インプリント材のパターンを基板上に形成するインプリント装置など他のリソグラフィー装置を用いる場合にも適用可能である。
第2工程では、第1工程を経た基板に回路パターンとともに形成されているアライメントマークの位置を計測し、該位置に基づいて前記基板をアライメントしながら基板を露光する。この露光においても、レジストを光で露光する光露光装置、または、レジストに電子線等の荷電粒子線によってパターン(回路パターンおよびアライメントマーク)を描画する荷電粒子線露光装置(描画装置)が使われうる。
以下、図2を参照しながら露光装置の具体的な例として荷電粒子線露光装置について例示的に説明する。電子銃201のクロスオーバから放射された電子線202は、コンデンサレンズ203によって略平行の電子線になる。コンデンサレンズ203で略平行になった電子線202は、アパーチャーアレイ204により複数の電子線206に分割される。複数の電子線206は、フォーカス制御回路220によって駆動されるレンズアレイ205の作用により、ブランキング絞り208近傍に電子銃201のクロスオーバの複数の中間像209を形成する。これらの中間像209の軸方向における位置は、レンズアレイ205を構成する個々のレンズのパワーを制御することにより調整することができる。ブランキングアレイ207の各ブランカに電圧を印加することにより、中間像209の形成位置が軸方向と垂直な方向に移動する。これにより、電子線206がブランキング絞り208によって遮断される。一方、ブランカに電圧を印加しない場合には、中間像209の形成位置が変化せず、電子線206が基板217に照射される。このようにして、電子線206を基板217に入射させるかどうか、即ち電子線206をオンさせるかオフさせるかを制御することができる。
ブランキング絞り208の近傍に形成された中間像209が第1投影レンズ210および第2投影レンズ214を含む投影系250により基板ステージ218に搭載された基板217に投影される。投影系250は、第1投影レンズ210の後焦点位置と第2投影レンズ214の前焦点位置を共有するようにレンズ制御回路222によって駆動される。各中間像209を構成する複数の電子線206は、一括して主偏向器213および副偏向器215により偏向されて位置決めされる。例えば、主偏向器213の偏向幅を広くし、副偏向器215は偏向幅を狭く設定することができる。照射量制御回路221は、パターンデータに基づく制御部226による制御の下で、ブランキングアレイ207の各ブランカによる電子線206のオン・オフを制御する。偏向制御回路223は、パターンデータに基づく制御部226による制御の下で、主偏向器213および副偏向器215の偏向動作を制御する。ステージ制御回路225は、パターンデータに基づく制御部226による制御の下で、基板ステージ218の位置決め動作を制御する。ブランキングアレイ207の各ブランカによる電子線206のオン・オフの制御、主偏向器213および副偏向器215の偏向動作、ステージ制御回路225による基板ステージ218の位置決め動作の制御を通して基板217にパターンが描画される。制御部226には、制御部226に対して描画データを供給するコンピュータ200が接続されうる。
基板ステージ218には、位置計測用マーク227およびファラデーカップ219が配置されている。基板ステージ218の上方には、電子検出器216が配置されている。電子検出器216で検出された信号は、信号処理回路224によって処理され、これによって電子線量が検出される。
図3には、基板217上のショット領域配列とアライメントマーク25、26が例示されている。ここで、各ショット領域には、回路パターンが形成されている。図4には、図2に示す荷電粒子線露光装置における基板217の周辺部のより詳細な構成が例示されている。投影系250の近傍にはオフアクシスのアライメントスコープ22が配置されている。基板217上に形成されている複数のアライメントマークの画像をアライメントスコープ22によって検出し、信号処理部41においてその画像を処理することによってアライメントマーク25、26の位置を検出することができる。
以下、図5を参照しながら本実施形態のデバイス製造方法について具体的に説明する。デバイス製造方法は、基板上の回路パターンとともにアライメントマークを形成する第1工程S510と、アライメントマークの位置を計測し、該位置に基づいて基板217をアライメントしながら基板217を露光する第2工程S520とを含む。
第1工程S510は、形成すべきアライメントマーク25の仕様を決定する仕様決定工程S512と、回路パターンとともに当該仕様に従うアライメントマーク25を基板に形成するリソグラフィー工程S514とを含みうる。なお、仕様決定工程S512では、ラフアライメントマーク26の仕様も決定されうる。また、リソグラフィー工程S514では、ラフアライメントマーク26も形成されうる。リソグラフィー工程S514は、塗布工程と、露光工程と、現像工程と、エッチング工程とを含みうる。露光工程では、例えば、前述の荷電粒子線露光装置が使用されうる。露光工程において光露光装置を使用する場合には、仕様決定工程S512で決定された仕様に従うアライメントマーク25を形成するためのパターンを有するマスクを製造する必要がある。
ここで、図1(a)を参照しながらアライメントマーク25の仕様について説明する。アライメントマーク25は、少なくとも1つの第1線状パターン111a、111bと、少なくとも1つの第2線状パターン111c、111dとを含む。アライメントマーク25はまた、少なくとも1つの第3線状パターン121a〜121dと、少なくとも1つの第4線状パターン121e〜121hとを含む。第1線状パターン111a、111bは、第1直線110の一方の側に第1直線110に沿って配置されている。第2線状パターン111c、111dは、第1直線110の他方の側に第1直線110に沿って配置されている。第3線状パターン121a〜121dは、第1直線110に直交する第2直線120の一方の側に第2直線120に沿って配置されている。なお、第2直線120は、第1直線110に直交していなくてもよく、第1直線110とは方向が異なっていればよい。第4線状パターン121e〜121hは、第2直線120の他方の側に第2直線120に沿って配置されている。この例では、第1直線110は、X軸に平行な直線であり、第2直線120は、Y軸に平行な直線である。このようなアライメントマーク25は、(例えば特許文献1のアライメントマークとの比較において)基板217の回転誤差に鈍感であるので、基板217が回転誤差を含む場合においても高い精度でアライメントマーク25の位置を計測するために有利である。
第1線状パターン111a(これは、第1線状パターン111a、111bのうち第1直線110に最も近い第1線状パターンである。)と第2線状パターン111c(これは、第2線状パターン111c、111dのうち第1直線110に最も近い第2線状パターンである。)との距離は、第3線状パターン121a(これは、第3線状パターン121a〜121dのうち第2直線120に最も近い第3線状パターンである。)と第4線状パターン121e(これは、第4線状パターン121e〜121hのうち第2直線120に最も近い第4線状パターンである。)との距離と等しいことが好ましい。このような仕様において、アライメントマーク25の位置の検出条件を最適化しておけば、X方向における位置検出精度およびY方向における位置検出精度の双方を高くすることができる。これは、X方向における位置計測のための第3線状パターン121a〜121d、第4線状パターン121e〜121hとY方向における位置計測のための第1線状パターン111a、111b、第2線状パターン111c、111dとの類似性が高いからである。
仕様決定工程S512では、アライメントマーク25の仕様として、第1直線110に沿った方向における第1要求アライメント精度および第2直線120に沿った方向における第2要求アライメント精度に応じて、
(1)少なくとも1つの第3線状パターン121a〜121dおよび少なくとも1つの第4線状パターン121e〜121hの合計数N34、および、
(2)少なくとも1つの第1線状パターン111a、111bおよび少なくとも1つの第2線状パターン111c、111dの合計数N12
を決定する。
(1)少なくとも1つの第3線状パターン121a〜121dおよび少なくとも1つの第4線状パターン121e〜121hの合計数N34、および、
(2)少なくとも1つの第1線状パターン111a、111bおよび少なくとも1つの第2線状パターン111c、111dの合計数N12
を決定する。
仕様決定工程S512は、例えば、コンピュータ200などのコンピュータによって実行されうる。以下、要求アライメント精度と線状パターンの個数との関係と、その関係に基づく合計数N34、N12の決定方法を具体的に説明する。図1(b)、(c)には、図1(a)のアライメントマーク25をアライメントスコープ22で観察したときに得られる検出信号、より具体的には、アライメントスコープ22に組み込まれている光電変換器の出力信号が例示されている。ここで、図1(b)は、X方向におけるアライメントマーク25の位置を計測するための第3線状パターン121a〜121dおよび第4線状パターン121e〜121hについての信号である。また、図1(c)は、Y方向におけるアライメントマーク25の位置を計測するための第1線状パターン111a、111bおよび第2線状パターン111c、111dについての信号である。アライメントマーク25は、その全体がアライメントスコープ22の視野内に収まるように構成されうる。
後述の工程S528において、信号処理部41は、アライメントスコープ22から提供される図1(b)に例示される信号における複数のピーク位置Px1、Px2、Px3、Px4、Px5、Px6、Px7、Px8を信号処理により決定する。これは、第3線状パターン121a〜121dおよび第4線状パターン121e〜121hの個々の位置を決定することを意味する。信号処理部41は、更に、決定したピーク位置Px1、Px2、Px3、Px4、Px5、Px6、Px7、Px8に基づいて、X方向におけるアライメントマーク25の位置を式(1)に従って計算する。
X_position = (Px1 + Px2 + Px3 + Px4 + Px5 + Px6 + Px7 + Px8) / 8 ・・・式(1)
同様に、後述の工程S528において、信号処理部41は、アライメントスコープ22から提供される図1(c)に例示される信号における複数のピーク位置Py1、Py2、Py3、Py4を信号処理により決定する。これは、第1線状パターン111a、111bおよび第2線状パターン111c、111dの位置を決定することを意味する。信号処理部41は、更に、決定したピーク位置Py1、Py2、Py3、Py4に基づいて、Y方向におけるアライメントマーク25の位置を式(2)に従って計算する。
同様に、後述の工程S528において、信号処理部41は、アライメントスコープ22から提供される図1(c)に例示される信号における複数のピーク位置Py1、Py2、Py3、Py4を信号処理により決定する。これは、第1線状パターン111a、111bおよび第2線状パターン111c、111dの位置を決定することを意味する。信号処理部41は、更に、決定したピーク位置Py1、Py2、Py3、Py4に基づいて、Y方向におけるアライメントマーク25の位置を式(2)に従って計算する。
Y_position = (Py1 + Py2 + Py3 + Py4) / 4 ・・・式(2)
式(1)および式(2)に従って計算されるX方向における位置およびY方向における位置の計測精度としての計測再現性精度は、位置計算のために使用するピーク位置の個数、即ち線状パターンの数の平方根に比例する。よって、図1(a)に例示されるアライメントマーク25の場合、X方向についての計測精度をAx、Y方向についての計測精度をAyとすると、その比は、式(3)で与えられる。この例では、計測再現精度および計測精度は、例えば、計測誤差の逆数であり、その数値が大きいほど精度が良いものとする。
式(1)および式(2)に従って計算されるX方向における位置およびY方向における位置の計測精度としての計測再現性精度は、位置計算のために使用するピーク位置の個数、即ち線状パターンの数の平方根に比例する。よって、図1(a)に例示されるアライメントマーク25の場合、X方向についての計測精度をAx、Y方向についての計測精度をAyとすると、その比は、式(3)で与えられる。この例では、計測再現精度および計測精度は、例えば、計測誤差の逆数であり、その数値が大きいほど精度が良いものとする。
Ax:Ay = √8:√4 = √2:1 ・・・式(3)
これをより一般的に表現すれば、式(4)のようになる。
これをより一般的に表現すれば、式(4)のようになる。
Ax:Ay = √N34:√N12 ・・・式(4)
よって、例えば、X方向およびY方向のうち要求アライメント精度が高い方向について必要な線状パターンの数が決定されれば、式(4)に従って他の方向について、それを満たすために必要な線状パターンの数を決定することができる。即ち、仕様決定工程S512では、合計数N34の平方根と合計数N12の平方根との比が第1要求アライメント精度と第2要求アライメント精度との比に等しくなるように、合計数N34および合計数N12を決定することができる。ここで、合計数N34は、X方向における計測精度(ひいてはアライメント精度)に影響を与え、合計数N12は、Y方向における計測精度(ひいてはアライメント精度)に影響を与える。また、第1要求アライメント精度は、X方向における要求アライメント精度であり、第2要求アライメント精度は、Y方向における要求アライメント精度である。
よって、例えば、X方向およびY方向のうち要求アライメント精度が高い方向について必要な線状パターンの数が決定されれば、式(4)に従って他の方向について、それを満たすために必要な線状パターンの数を決定することができる。即ち、仕様決定工程S512では、合計数N34の平方根と合計数N12の平方根との比が第1要求アライメント精度と第2要求アライメント精度との比に等しくなるように、合計数N34および合計数N12を決定することができる。ここで、合計数N34は、X方向における計測精度(ひいてはアライメント精度)に影響を与え、合計数N12は、Y方向における計測精度(ひいてはアライメント精度)に影響を与える。また、第1要求アライメント精度は、X方向における要求アライメント精度であり、第2要求アライメント精度は、Y方向における要求アライメント精度である。
以下、第2工程S520について説明する。第1工程S510において使用される露光装置と第2工程S520において使用される露光装置とは同じであってもよいし、互いに異なってもよい。ここでは、説明の便宜上、第1工程S510において使用される露光装置と第2工程S520において使用される露光装置とがいずれも図2に例示される荷電粒子線露光装置であるものとして説明するが、これは本発明を制限するものではない。
第2工程S520は、例えば、工程S522、S524,S526、S528、S530を含みうる。工程S522では、基板217が基板ステージ218上の基板チャック401上にローディングされる。工程S524では、基板217のメカアライメントがなされる。工程S526では、図3に例示されるラフアライメントマーク26を使用してラフアライメント計測が行われる。
工程(位置計測工程)S528では、図3および図1(a)に例示されるアライメントマーク25を使用してファインアライメント計測がなされる。具体的には、アライメントスコープ22によってアライメントマーク25が観察され、信号処理部41により前述の方法によって、X方向におけるアライメントマーク25の位置が決定されるとともにY方向におけるアライメントマーク25の位置が決定される。このような処理は、複数のアライメントマーク25について実施される。
工程S530では、ファインアライメント計測の結果(アライメントマーク25の位置)に基づいて基板217をアライメントしながら基板217が露光される。ここで、工程S528で得られた複数のウエハアライメントマーク25の位置の計測結果を統計処理することにより、基板217上に形成されている全ショット領域の平行偏心、回転、及び倍率が計算されうる。このような情報を計算してアライメントを行う方法は、グローバルアライメントと呼ばれる。ここで、各ショット領域に対して1または複数のアライメントマーク25がスクライブライン上に設けられうる。
以上のように、本実施形態では、X方向についての要求アライメント精度およびY方向についての要求アライメント精度に応じてX方向についての位置計測のための線状パターンの数およびY方向についての位置計測のための線状パターンの数を決定する。これにより、要求アライメント精度を満たしつつスループットを高めることができる。
ここで、X方向についての要求アライメント精度とY方向についての要求アライメント精度とが異なるプロセスとしては、例えば、カッティングリソグラフィーを掲げることができる。また、より一般的な例として、X方向についての要求アライメント精度およびY方向についての要求アライメント精度は、回路パターンの形状などによって定まるものであり、両者は一般的には異なる。
図6Aには、アライメントマーク25の他の仕様が示されている。アライメントマーク25は、少なくとも1つの第1線状パターン611aと、少なくとも1つの第2線状パターン611bと、少なくとも1つの第3線状パターン621a、621bと、少なくとも1つの第4線状パターン621c、621dとを含む。第1線状パターン611aは、第1直線610の一方の側に第1直線610に沿って配置されている。第2線状パターン611bは、第1直線610の他方の側に第1直線610に沿って配置されている。第3線状パターン621a、621bは、第1直線610に直交する第2直線620の一方の側に第2直線620に沿って配置されている。第4線状パターン621c、621dは、第2直線120の他方の側に第2直線620に沿って配置されている。この例では、第1直線610は、X軸に平行な直線であり、第2直線620は、Y軸に平行な直線である。
図6(b)、(c)には、図6(a)のアライメントマーク2をアライメントスコープ22で観察したときに得られる信号、より具体的には、アライメントスコープ22に組み込まれている光電変換器の出力信号が例示されている。ここで、図6(b)は、X方向におけるアライメントマーク25の位置を計測するための第3線状パターン621a、621bおよび第4線状パターン621c、621dについての信号である。また、図6(c)は、Y方向におけるアライメントマーク25の位置を計測するための第1線状パターン611aおよび第2線状パターン611bについての信号である。アライメントマーク25は、その全体がアライメントスコープ22の視野内に収まるように構成されうる。
上記の第1線状パターンおよび第2線状パターンを第1方向線状パターンと考え、上記の第3線状パターンおよび第4線状パターンを第2方向線状パターンと考えることができる。この場合、アライメントマーク27は、第1直線110に沿って配置された第1方向線状パターン111a−111dと、第2直線120(第1直線110とは、直交する、又は、方向が異なる)に沿って配置された第2方向線状パターン121a−121hとを含む。第1工程S510は、第1直線110に沿った方向における第1要求アライメント精度と第2直線120に沿った方向における第2要求アライメント精度に応じて、形成すべき第1方向線状パターンおよび第2方向線状パターンの各数を決定する決定工程を含む。第2工程S520は、第2方向線状パターンの個々の位置に基いて第1直線110に沿った方向におけるアライメントマーク27の位置を求め、第1方向線状パターンの個々の位置に基いて第2直線120に沿った方向におけるアライメントマーク27の位置を求める。第1方向線状パターンおよび第2方向線状パターンは、いずれも、その個数(線状パターンの個数)を1個としうる。また、図7に例示されるように、第1方向線状パターンおよび第2方向線状パターンは、同じショット領域の周囲の互いに異なるスクライブラインにそれぞれ配置されうる。
Claims (8)
- デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
基板の上に回路パターンとアライメントマークとを形成する第1工程と、
前記アライメントマークの位置を計測し、該位置に基づき前記基板をアライメントして前記基板の上に回路パターンを形成する第2工程と、を含み、
前記アライメントマークは、第1直線の一方の側に前記第1直線に沿って配置された第1線状パターンと、前記第1直線の他方の側に前記第1直線に沿って配置された第2線状パターンと、前記第1直線とは方向の異なる第2直線の一方の側に前記第2直線に沿って配置された第3線状パターンと、前記第2直線の他方の側に前記第2直線に沿って配置された第4線状パターンと、を含み、
前記第1工程は、前記第1直線に沿った方向における第1要求アライメント精度および前記第2直線に沿った方向における第2要求アライメント精度に応じて、形成すべき前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの合計数、ならびに、形成すべき前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの合計数を決定する決定工程を含み、
前記第2工程は、前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの個々の位置に基づいて前記第1直線に沿った方向における前記アライメントマークの位置を求め、前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの個々の位置に基づいて前記第2直線に沿った方向における前記アライメントマークの位置を求める、
ことを特徴とするデバイス製造方法。 - 前記決定工程は、形成すべき前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの合計数の平方根と形成すべき前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの合計数の平方根との比が前記第1要求アライメント精度と前記第2要求アライメント精度との比に等しくなるように、形成すべき前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの合計数および形成すべき前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの合計数を決定する、
ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス製造方法。 - 形成すべき前記第1線状パターンのうち前記第1直線に最も近い第1線状パターンと形成すべき前記第2線状パターンのうち前記第1直線に最も近い第2線状パターンとの距離が、形成すべき前記第3線状パターンのうち前記第2直線に最も近い第3線状パターンと形成すべき前記第4線状パターンのうち前記第2直線に最も近い第4線状パターンとの距離と等しい、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のデバイス製造方法。 - デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
基板の上に回路パターンとアライメントマークとを形成する第1工程と、
前記アライメントマークの位置を計測し、該位置に基づき前記基板をアライメントして前記基板の上に回路パターンを形成する第2工程と、を含み、
前記アライメントマークは、第1直線の一方の側に前記第1直線に沿って配置された第1線状パターンと、前記第1直線の他方の側に前記第1直線に沿って配置された第2線状パターンと、前記第1直線とは方向の異なる第2直線の一方の側に前記第2直線に沿って配置された第3線状パターンと、前記第2直線の他方の側に前記第2直線に沿って配置された第4線状パターンと、を含み、
前記第1工程は、形成すべき前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの合計数の平方根と形成すべき前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの合計数の平方根との比が、前記第1直線に沿った方向における第1要求アライメント精度と前記第2直線に沿った方向における第2要求アライメント精度との比に等しくなるように、形成すべき前記第3線状パターンおよび前記第4線状パターンの合計数および形成すべき前記第1線状パターンおよび前記第2線状パターンの合計数を決定する、
ことを特徴とするデバイス製造方法。 - デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
基板の上に回路パターンとアライメントマークとを形成する第1工程と、
前記アライメントマークの位置を計測し、該位置に基づき前記基板をアライメントして前記基板の上に回路パターンを形成する第2工程と、を含み、
前記アライメントマークは、第1直線に沿って配置された第1方向線状パターンと、前記第1直線とは方向の異なる第2直線に沿って配置された第2方向線状パターンと、を含み、
前記第1工程は、前記第1直線に沿った方向における第1要求アライメント精度および前記第2直線に沿った方向における第2要求アライメント精度に応じて、形成すべき前記第1方向線状パターンの数、ならびに、形成すべき前記第2方向線状パターンの数を決定する決定工程を含み、
前記第2工程は、前記第2方向線状パターンの個々の位置に基づいて前記第1直線に沿った方向における前記アライメントマークの位置を求め、前記第1方向線状パターンの個々の位置に基づいて前記第2直線に沿った方向における前記アライメントマークの位置を求める、
ことを特徴とするデバイス製造方法。 - アライメントマークが形成された基板であって、
前記アライメントマークは、
第1直線の一方の側に前記第1直線に沿って配置された複数の第1線状パターンと、前記第1直線の他方の側に前記第1直線に沿って配置された複数の第2線状パターンと、前記第1直線とは方向の異なる第2直線の一方の側に前記第2直線に沿って配置された複数の第3線状パターンと、前記第2直線の他方の側に前記第2直線に沿って配置された複数の第4線状パターンと、を含み、
前記複数の第1線状パターンおよび前記複数の第2線状パターンの合計数が前記複数の第3線状パターンおよび前記複数の第4線状パターンの合計数と異なる、
ことを特徴とする基板。 - 前記複数の第1線状パターンのうち前記第1直線に最も近い第1線状パターンと前記複数の第2線状パターンのうち前記第1直線に最も近い第2線状パターンとの距離が、前記複数の第3線状パターンのうち前記第2直線に最も近い第3線状パターンと前記複数の第4線状パターンのうち前記第2直線に最も近い第4線状パターンとの距離と等しい、
ことを特徴とする請求項6に記載の基板。 - アライメントマークが形成された基板であって、
前記アライメントマークは、
第1直線に沿って配置された複数の第1方向線状パターンと、前記第1直線とは方向の異なる第2直線に沿って配置された複数の第2方向線状パターンと、を含み、
前記複数の第1方向線状パターンの数が前記複数の第2方向線状パターンの数と異なる、
ことを特徴とする基板。
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