TWI449076B - 於一基板上製作圖案時之粒子束狀態調整方法及其系統 - Google Patents

Description

於一基板上製作圖案時之粒子束狀態調整方法及其系統

此申請專利主張2010年11月4日所申請之美國臨時專利申請案，申請案號61/410,295之效益與2011年1月10日所申請之美國臨時專利申請案，申請案號61/431,063之效益，其兩者內容在此也完全整合為參考文獻。

本發明是有關於一種於一基板上製作圖案時之調整一或多道粒子束狀態之系統以及於一基板上製作圖案時之調整一或多道粒子束狀態之方法。

微影製程是將所要的圖案資訊轉遞至晶圓的一種技術，它是積體電路製造中最具關鍵製程之一。現今積體電路的高容量製造的主流技術係為使用193奈米深紫外光雷射的光學投影微影技術及晶圓沈浸方法。它的解析度主要受限於光學繞射，並且已經推進至45奈米半間距以下。然而相關的光罩複雜度及費用無可避免地增加，部份原因是由於需要強大的解析度增進技術例如多重圖案轉遞技術以補償繞射效應。一些次世代微影技術已經在研究22奈米或以下半間距節點製程。電子束微影技術可提供高解析度的能力及無需光罩，使得它已成為取代光學投影微影技術的有前途候選者之一。

多重粒子束直寫微影技術(Multiple-Electron-Beam-Direct-Write，MEBDW)已經被提出並加以研究以增加產能。採用微機電系統(Micro-Electromechanical System，MEMS)製程製造電子光學系統，使得電子束微影系統的大小可以明顯縮小。理論上可以整合大量的電子束以同時曝照同一片晶圓。此種架構需要克服一些工程上的挑戰以達到與光學投影微影技術相當的產能。

電子束微影系統的電子束品質會隨著許多不確定效應例如電子充電(electron charging)及雜散場(stray field)而劣化。在多重電子束系統中，由於熱散逸及電子光學系統製造誤差使得電子束位置飄移問題變得相當嚴重。在單一電子束系統中已使用根據晶圓上參考標記進行週期性校正的方法以達到電子束位移的準確性。

然而，將週期性校正方法延伸至多重粒子束直寫微影技術是有困難的，這是因為涉及的複雜度會隨著電子束數目的增加而增加。因此，如何修改多重粒子束直寫微影技術中現今的系統及方法以使其可以監測多重粒子束並達到粒子束位移準確度已成為業界亟為迫切的任務。

本發明關於一種於一基板上製作圖案時之粒子束狀態調整方法及其系統。被反彈的一或多道粒子束係被複數個粒子感測器感測以產生多個感測器訊號，及一估測單元根據該些感測器信號執行一數值方法，以估測粒子束之狀態資訊；以及一控制器根據該估測狀態資訊修正該一或多道粒子束之狀態。

根據本發明之第一方面，本發明提供一種調整一或多道粒子束狀態之系統，該系統包含多個粒子感測器、一估測單元以及一控制器，其中一或多道粒子束撞擊至一基板。該多個粒子感測器偵測從該基板反彈之該一或多道粒子束，並對應產生一或多個感測器信號。該估測單元根據該一或多個感測器信號執行一數值方法，以估測該一或多道粒子束之狀態資訊。該控制器根據該一或多道粒子束之估測狀態資訊，調整或修正該一或多道粒子束之狀態。伴隨著該一或多道粒子束，且該基板根據一欲寫圖案逐步地依照一次序進行圖案製作。

根據本發明之第二方面，本發明提供一種調整一或多道粒子束狀態之方法。該方法包括以下步驟：一或多道粒子束撞擊至一基板；以多個粒子感測器偵測從該基板反彈之該一或多道粒子束，並對應產生一或多個感測器信號；由一估測單元根據該一或多個感測器信號執行一數值方法，以估測該一或多道粒子束之狀態資訊；以及利用一控制器根據該一或多道粒子束之估測狀態資訊，調整或修正該一或多道粒子束之狀態；其中該基板根據一欲寫圖案逐步地依照一次序進行圖案製作。

本發明前述各方面及其它方面依據下述的非限制性具體實施例詳細說明以及參照附隨的圖式將更趨於明瞭。

請參閱第一圖，係顯示本發明一種調整一或多道粒子束狀態之系統1000之示意圖，其中多道粒子束撞擊至一基板S，且該基板S根據一欲寫圖案逐步地依照一次序進行圖案製作。粒子束可以為光子束、電子束、離子束或其任意組合。該系統1000包含複數個粒子感測器1070、一估測單元1090以及一控制器1110。在一實施例中，該系統1000更包含一資料傳輸系統1010、一粒子發射源1020、一遮黑陣列1030、一聚焦透鏡系統1040、一聚焦透鏡系統位移感測器1050、一偏折陣列1060、一基板移動平台1080、一基板移動平台位移感測器1120、一基板聚焦整平感測器1130以及用來固定該基板之一夾具。

在一實施例中，資料傳輸系統1010包含一解碼器1011。為了降低傳輸頻寬的要求，佈局資訊是被壓縮的，例如將被製作在基板上之欲寫圖案。多種壓縮技術，如聯合二值圖像專家組(Joint Bi-level Image Experts Group，JBIG)或區塊C4(Block C4)，是可行的方法來實現超過10倍的壓縮比。也就是說，資料傳輸系統1010用於傳送資料且根據該欲寫圖案在基板上製作圖案，其藉由使用資料壓縮或資料解碼的技術來處理；以及壓縮光罩資料係被傳送至解碼器1011，接著解碼器1011將會對壓縮的資料解碼，以產生並傳送一欲寫圖案至該控制器1110。

粒子發射源1020是發射粒子束，如光子束、電子束，離子束或其等任意組合，提供一個或多個粒子束的裝置。粒子發射源1020可分為兩種類型：一種是單源的類型，另一種是多源的類型。單源的類型當故障發生時，係易於維修或更換的，但較難以達到高粒子流密度和亮度；此外，不必要的粒子流損失發生在分束單元。多源的類型較易達到高粒子流密度和亮度。粒子發射源1020可以接收一控制信號以提供撞擊至基板S之一或多道粒子束，其中粒子束係實質上垂直地撞擊至基板S。在一實施例中，各該粒子束可單獨由開/關信號控制，並鄰近的粒子束會實質上分離，使得粒子束之間的干擾實質上能被降低。

在一實施例中，該多道粒子束分佈範圍面積大於該待寫基板S面積之一萬分之一。在另一實施例中，該多道粒子束分佈於多個模組，該多個模組排列而成之範圍面積大於該待寫基板面積之一萬分之一。

粒子感測器1070，如電子感測器，可以偵測出從該基板S反彈之該一或多道粒子束，並對應產生一或多個信號。在一實施例中，粒子感測器1070可以放置在基板S上作為一個感測器陣列，例如一晶圓。在另一實施例中，粒子感測器1070可以是一個象限形式的二維感測器陣列。在一實施例中，一或各該多道粒子束的狀態係由該多個粒子感測器1070中至少兩個所偵測。在另一實施例中，該一或各該粒子束的狀態係由該多個粒子感測器1070中至少四個所偵測。

在一實施例中，請參閱第二A以及二B圖，其係分別顯示一個粒子感測器1070二維陣列之示意圖以及顯示由四個粒子感測器A-D組成的一感測器組1075之示意圖，其中每四個粒子感測器1070，如粒子感測器1070 A-D，以一象限形式成為一組以形成一或多個感測器組1075，並該一或各該粒子束係通過一或各該感測器組1075的中心部份撞擊該基板S，如此，當粒子束的位置從中央部分漂移時，感測器組1075的四個粒子感測器1070可以感測到背散射粒子的分佈不均。在另一實施例中，粒子感測器1070，少於四個或超過四個，皆可被組合以形成一或多個感測器組，且該一或各該粒子組係各別對應一或各該粒子束，其中估測單元1090根據該一或多個感測器組的輸出信號，估測該一或多個粒子束之狀態資訊。

該基板聚焦水平偵測器1130偵測撞擊至該基板之一或多道表面量測粒子束，以量測該基板的表面輪廓，並確認該基板是否有妥善地聚焦與關於該一或多道用來製作圖案粒子束的平整度。該一或多道表面量測粒子束可以為光子束、電子束、離子束或其任意組合估測單元1090，例如一訊號處理器，能根據多個感測器信號執行一數值方法，例如一數值規劃方法，以估測該一或多道粒子束之狀態資訊。粒子束的狀態資訊，例如，可以是反射的粒子數、粒子能量、粒子流量、粒子束的大小、形狀、位置或姿態。在一實施例中，該估測單元也根據該基板聚焦水平偵測器1130測得的表面量測粒子束感測器信號估測該基板的表面輪廓。

控制器1110，如一線上回授補償器，在該一或多道粒子束於該基板製作圖案期間，根據該一或多道粒子束之估測狀態資訊，調整或修正該一或多道粒子束之狀態。

遮黑陣列1030根據一控制信號改變撞擊至該基板之該一或各該粒子束之粒子流量，其中該控制信號係根據該欲寫圖案由該控制器1110所決定。

由控制器1110控制的聚焦透鏡系統1040係根據一控制信號改變該一或多道粒子束之大小或形狀，其中該控制器1110根據該一或多道粒子束之估測狀態資訊，且藉由改變該控制信號，以調整或修正該一或多道粒子束之狀態。

由控制器1110控制的偏折陣列1060係根據一控制信號改變撞擊至該基板之該一或多道粒子束之位置，其中該控制器1110根據該一或多道粒子束之估測狀態資訊，且藉由改變該控制信號，以調整或修正該一或多道粒子束之狀態。

基板移動平台1080，如被設置基板S的下方，係由一或多個力致動器所驅動，如線性感應電動機或壓電馬達。在一實施例中，基板移動平台1080包含一第一次移動平台1081以及一第二次移動平台1082，該第一次移動平台1081對於該粒子發射源1020具有實質上較大地移動距離，該第二次移動平台1082對於該粒子發射源1020具有實質上較小地移動距離。

控制器1110至少控制粒子發射源1020、遮黑陣列1030、聚焦透鏡系統1040、偏折陣列1060以及基板移動平台1080使得該基板S根據一欲寫圖案，逐步地依照一次序進行圖案製作。在一實施例中，該欲寫圖案係被傳送至控制器1110，接著控制器1110控制粒子發射源1020根據該欲寫圖案提供一或多道粒子束撞擊該基板S，並控制器1110控制的遮黑陣列1030、聚焦透鏡系統1040以及偏折陣列1060使得該一或多道粒子束的狀態更適合該欲寫圖案；例如，根據該欲寫圖案，遮黑陣列1030係被控制以改變該一或多道粒子束之粒子流量，聚焦透鏡系統1040係被控制以改變該一或多道粒子束之大小或形狀，偏折陣列1060係被控制以改變該一或多道粒子束之位置，以及基板移動平台1080係被控制以調整該基板S的位置或更換一個新的基板。

聚焦透鏡系統位移感測器1050以及基板移動平台位移感測器1020係用來量測該基板移動平台1080與該聚焦透鏡系統1040之相對位移，其中該控制器1110可根據該量測的位移以及該欲寫圖案，藉由調整基板移動平台1080的位置、傳送至粒子發射源1020、遮黑陣列1030或偏折陣列1060的控制信號，以修正該位移，其中該基板S根據一欲寫圖案逐步地依照一次序進行圖案製作。

以下的描述是有關於當要在基板上製作不同於該欲寫圖案之圖案時，該如何去調整一或多個粒子束的狀態。

控制器1110控制粒子發射源1020、遮黑陣列1030、聚焦透鏡系統1040、偏折陣列1060以及基板移動平台1080，並根據從資料傳輸系統1010傳輸的欲寫圖案以在該基板S製作欲寫圖案。然而，有很多原因造成要製作在基板S上的圖案是不同於該欲寫圖案，因此粒子感測器1070用於偵測該一或多道粒子束的狀態改變，以確認該一或多道粒子束的狀態是否該被調整。

粒子感測器1070可根據從該基板反彈至該估測單元1090之該一或多道粒子束傳送產生的信號，並估測單元1090，根據多個感測器信號執行一數值方法，例如一數值規劃方法，以估測且傳送該狀態資訊至控制器1110。

當控制器1110接收到估測單元1090傳送的該一或多道粒子束之估測狀態資訊、基板移動平台位移感測器1120之量測位移信號以及聚焦透鏡系統位移感測器1050之量測位移信號，該控制器1110將分析所收集的數據以獲得分析結果，如該一或任一粒子束之漂移，該一或任一粒子束之大小、形狀、粒子流量或粒子能量產生變化，或是基板移動平台1080相對於聚焦透鏡系統1040產生預期外地移動。控制器1110使用該分析結果，以確定傳送至該粒子發射源1020、遮黑陣列1030、聚焦透鏡系統1040以及基板移動平台1080一或多個控制信號的調整，進而適當地調整或修正該一或多道粒子束的狀態。

請參閱第三圖，係顯示本發明調整一或多道粒子束狀態之方法之流程圖，其中該一或多道粒子束撞擊至一基板，並且該基板根據一欲寫圖案逐步地依照一次序進行圖案製作。

在步驟S310中，以多個粒子感測器1070偵測從該基板反彈之該一或多道粒子束，並對應產生一或多個感測器信號。

在步驟S320中，由一估測單元1090根據該一或多個感測器信號執行一數值方法，例如一數值規劃方法，以估測該一或多道粒子束之狀態資訊。

在步驟S330中，利用一控制器1110根據該一或多道粒子束之資訊，調整或修正該一或多道粒子束之狀態。

在步驟S330，存在幾種方法，以改變該一或多道粒子束之狀態，例如，在第一實施例中，根據該控制器1110所傳送之一控制信號，利用一遮黑陣列1030改變撞擊至該基板S之該一或各該多道粒子束之粒子流量。

在第二實施例中，根據一控制信號，以一偏折陣列1060改變撞擊至該基板S之該一或多道粒子束之位置，其中該控制器1110根據該些粒子束之估測位置偏移資訊，且藉由改變該控制信號，以調整或修正該一或多道粒子束之狀態。

在第三實施例中，利用一聚焦透鏡系統1040根據一控制信號改變該一或多道粒子束之大小或形狀；其中該控制器1110根據該些粒子束之資訊，且藉由改變該控制信號，以調整或修正該一或多道粒子束之狀態。

在第四實施例中，該控制器1110藉由調整該基板移動平台1080之第一次移動平台1081並/或第二次移動平台1082，以調整或修正該一或多道粒子束之狀態，進而改變撞擊至該基板S之該一或多道粒子束之位置。基板移動平台位移感測器1120之量測位移信號以及聚焦透鏡系統位移感測器1050量測該基板移動平台1080相對於聚焦透鏡系統1040之位移，其中該控制器1110根據量測的位移以及該欲寫圖案修正該一或多道粒子束之位置。

值得注意的是，雖然用於改變一或多道粒子束之狀態的方法在此以不同的實施方式所描述，然而，在不同的實施方式之方法是可以一起使用的。例如，在第一實施例中所描述之用來改變一或多道粒子束之狀態的方法係由遮黑陣列1030改變該一或多道粒子束之粒子流量，以及在第二實施例中所描述之用來改變該一或多道粒子束之狀態的方法係由偏折陣列1060改變該一或多道粒子束之位置，然而，該系統1000可同時控制該遮黑陣列1030以及該偏折陣列1060以改變該一或多道粒子束之狀態，如該一或多道粒子束之粒子流量以及位置。

很明白地，本發明所接露之於一基板上製作圖案時之粒子束狀態調整方法及其系統，在該基板製作圖案的期間，將調整該一或多道粒子束之狀態，如粒子能量、粒子流量、粒子束的大小、形狀、位置或姿態，使得欲寫圖案在基板上更為精確的被製作。

此外，粒子束分佈範圍面積係大於該欲寫圖案的面積，如此大於一個的欲寫圖案之副本將可以在同一時間製作，這將減少圖案資料傳輸的需求以及生產能力的提高。

雖然透過舉例以及示範實施例的方式已經描述了本發明，可以理解的是，本發明非因此限制。相反地，其包含了不同的修改以及相似排列和程序，添附的權利範圍應給予最廣泛的解釋，以便包含所有的修改以及相似排列和程序。

1000．．．調整一或多道粒子束狀態之系統

1010．．．資料傳輸系統

1011．．．解碼器

1020．．．粒子發射源

1030．．．遮黑陣列

1040．．．聚焦透鏡系統

1050．．．聚焦透鏡系統位移感測器

1060．．．偏折陣列

1070．．．粒子感測器

1075．．．感測器組

1080．．．基板移動平台

1081．．．第一次移動平台

1082．．．第二次移動平台

1090．．．一估測單元

1110．．．控制器

1120．．．基板移動平台位移感測器

1130．．．基板聚焦整平感測器

S310～S330．．．步驟流程

第一圖　係顯示本發明一種調整一或多道粒子束狀態之系統1000之示意圖。

第二A圖　係顯示一個粒子感測器1070二維陣列之示意圖。

第二B圖　係顯示由四個粒子感測器A-D組成的一感測器組1075之示意圖。

第三圖　係顯示本發明調整一或多道粒子束狀態之方法之流程圖。

S310～S330．．．步驟流程

Claims (31)

1. 一種調整多道粒子束狀態之系統，包含：多道粒子束，撞擊至一基板；多個粒子感測器，用於偵測從該基板反彈之該多道粒子束，並對應產生多個感測器信號；一估測單元，根據該多個感測器信號執行一數值方法，以估測該多道粒子束之狀態；以及一控制器，根據該多道粒子束之估測狀態，調整或修正該多道粒子束之狀態；其中該基板根據一欲寫圖案逐步地依照一次序進行圖案製作。
2. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該多道粒子束之狀態係各該多道粒子束之粒子能量或粒子流量。
3. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該多道粒子束之狀態係各該多道粒子束之大小、形狀、位置或姿態。
4. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該控制器係一即時線上(Real-Time On-line)回授補償器，該即時線上回授補償器於該多道粒子束在該基板上製作該欲寫圖案的期間，反覆調整該多道粒子束之狀態。
5. 如申請專利範圍第2項所述之調整多道粒子束狀 態之系統，更包含：一粒子發射源，提供多道粒子束，且根據一控制信號改變該粒子能量或該粒子流量；其中該控制器根據該多道粒子束之估測狀態，且藉由改變該控制信號，以調整或修正該多道粒子束之狀態。
6. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，更包含：一遮黑陣列，根據一控制信號改變撞擊至該基板之各該多道粒子束之粒子流量；其中該控制信號係根據該欲寫圖案來決定。
7. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，更包含：一偏折陣列，根據一控制信號改變撞擊至該基板之該多道粒子束之位置；其中該控制器根據該多道粒子束之估測狀態，且藉由改變該控制信號，以調整或修正該多道粒子束之狀態。
8. 如申請專利範圍第3項所述之調整多道粒子束狀態之系統，更包含：一聚焦透鏡系統，根據一控制信號改變該多道粒子束之該大小或該形狀；其中該控制器根據該多道粒子束之估測狀態，且藉由 改變該控制信號，以調整或修正該多道粒子束之狀態。
9. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，更包含：一基板移動平台，用來定位該基板；其中藉由調整該基板移動平台，該控制器調整或修正該多道粒子束之狀態。
10. 如申請專利範圍第9項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該基板移動平台係由一或多個力致動器所驅動。
11. 如申請專利範圍第9項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該基板移動平台具有一第一次移動平台以及一第二次移動平台，該第一次移動平台具有實質上較大地移動距離，該第二次移動平台具有實質上較小地移動距離。
12. 如申請專利範圍第9項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該多道粒子束之狀態係各該多道粒子束之大小、形狀、位置或姿態，該系統更包含：一聚焦透鏡系統，根據一控制信號改變該多道粒子束之大小或形狀；以及一聚焦透鏡系統位移感測器以及一基板移動平台位移感測器，用來量測該基板移動平台與該聚焦透鏡系統之相對位移； 其中根據該量測的位移以及該欲寫圖案，該控制器修正該位移。
13. 如申請專利範圍第12項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中藉由調整該基板移動平台之位置，該控制器修正該位移。
14. 如申請專利範圍第12項所述之調整多道粒子束狀態之系統，更包含：一偏折陣列，根據一控制信號調整撞擊至該基板之該多道粒子束之位置；其中藉由調整該控制信號，該控制器修正該位移。
15. 如申請專利範圍第12項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該控制器藉由重新排列該次序修正該位移。
16. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該多道粒子束之狀態係該多道粒子束之粒子流量；並且根據估測粒子流量，該控制器調整該多道粒子束之粒子流量。
17. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該粒子束為光子束、電子束、離子束或其任意組合。
18. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，更包含：多道表面高度粒子束，撞擊至該基板；以及 多個表面高度粒子束感測器(surface height particle beam detectors)，用來量測該基板之表面輪廓，並對應產生多個表面高度粒子束感測器信號；其中該多道表面高度粒子束為光子束、電子束、離子束或其任意組合，且根據該多個表面高度粒子束感測器信號，該估測單元估測該基板之表面輪廓。
19. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，更包含：一夾具，用來固定該基板。
20. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，更包含：一資料傳輸系統，根據該欲寫圖案，傳輸在該基板上製作圖案的資料，其中該資料傳輸系統使用資料壓縮或資料解壓縮技術處理該資料。
21. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該粒子感測器分成群組，致使形成多個感測器群組，各該多個感測器群組各別對應於各該多道粒子束，並且，該估測單元根據該多個感測器群組的輸出信號估測該多道粒子束之資訊。
22. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀態之系統，其中該多道粒子束分佈範圍面積大於該基板面積之一萬分之一。
23. 如申請專利範圍第1項所述之調整多道粒子束狀 態之系統，其中該多道粒子束分佈於多個模組，該多個模組排列而成之範圍面積大於該基板面積之一萬分之一。
24. 一種調整多道粒子束狀態之方法，包含：多道粒子束撞擊至一基板；以多個粒子感測器偵測從該基板反彈之該多道粒子束，並對應產生多個感測器信號；由一估測單元根據該多個感測器信號執行一數值方法，以估測該多道粒子束之狀態資訊；以及利用一控制器根據該多道粒子束之估測狀態資訊，調整或修正該多道粒子束之狀態；其中該基板根據一欲寫圖案逐步地依照一次序進行圖案製作。
25. 如申請專利範圍第24項所述之調整多道粒子束狀態之方法，更包含：根據該控制器所傳送以及該欲寫圖案所決定之一控制信號，利用一遮黑陣列改變撞擊至該基板之各該多道粒子束之粒子流量。
26. 如申請專利範圍第24項所述之調整多道粒子束狀態之方法，更包含：根據一控制信號，以一偏折陣列改變撞擊至該基板之該多道粒子束之位置；其中該控制器根據該多道粒子束之估測狀態資 訊，且藉由改變該控制信號，以調整或修正該多道粒子束之狀態。
27. 如申請專利範圍第24項所述之調整多道粒子束狀態之方法，更包含：利用一聚焦透鏡系統根據一控制信號改變該多道粒子束之大小或形狀；其中該控制器根據該多道粒子束之估測狀態資訊，且藉由改變該控制信號，以調整或修正該多道粒子束之狀態。
28. 如申請專利範圍第24項所述之調整多道粒子束狀態之方法，更包含：放置一基板在一基板移動平台上，其中藉由調整該基板移動平台，該控制器調整或修正該多道粒子束之狀態。
29. 如申請專利範圍第28項所述之調整多道粒子束狀態之方法，其中該基板移動平台具有一第一次移動平台以及一第二次移動平台，該第一次移動平台具有實質上較大地移動距離，該第二次移動平台具有實質上較小地移動距離。
30. 如申請專利範圍第28項所述之調整多道粒子束狀態之方法，其中該多道粒子束之狀態係各該多道粒子束之大小、形狀、位置或姿態，該方法更包含：以一聚焦透鏡系統根據一控制信號改變該多道 粒子束之大小或形狀；透過一或多個位移感測器量測該基板移動平台與該聚焦透鏡系統之相對位移；以及以該控制器根據該量測的位移以及該欲寫圖案修正該位移。
31. 如申請專利範圍第30項所述之調整多道粒子束狀態之方法，其中藉由調整該基板移動平台之位置或該次序，該控制器修正該位移。