JP2013143505A - 磁気素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 特に、従来に比べて簡単な構造で良好なインダクタンス値及びＱ値を得ることができる磁気素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 コイルと、前記コイルの上面に形成された第１の磁性体層１７と、前記コイルの下面に形成された第２の磁性体層３０と、を有し、コイルは、Ｘ方向からＹ方向に角部を介して折れ曲がりながら矩形状に巻回形成された平面コイルであり、第１の磁性体層における第１の磁化容易軸方向ｅ１と、第２の磁性体層における第２の磁化容易軸方向ｅ２は、夫々、コイル外形の対角線方向に略一致しているとともに、第１の磁化容易軸方向ｅ１及び前記第２の磁化容易軸方向ｅ２は互いに略平行とされている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、絶縁基材の表裏面にコイルと磁性体層とを備える磁気素子に関する。

下記特許文献１には、平面インダクタ等として用いられる薄膜磁気素子に関する発明が開示されている。

特許文献１には、スパイラル平面コイルの両面を、絶縁体層、第１層の磁性体層、絶縁体層及び第２層の磁性体層で順次挟んだ構造が開示されている（特許文献１の図３３や図３５）。

そして、第１層の磁性体層における一軸磁気異方性の方向と第２層の磁性体層における一軸磁気異方性の方向とを互いに直交させている。

また特許文献２や特許文献３には、磁気素子を構成する磁性体層を複数層、積層し、各磁性体層の磁化容易軸方向を異なる方向とした形態が開示されている。特許文献２や特許文献３では、磁性体層の磁化容易軸方向が斜めに傾いている。ただし磁化容易軸方向とコイルとの関係については定かでない。

特許文献３では良好なインダクタンス値とＱ値が得られるとしているが、コイル導体層の両面に複数の磁性体層を積層する構成となっており、薄型化ができないとともに製造コストが増大する問題があった。

特開平４−３６３００６号公報 特開平６−４５１４５号公報 特開平１０−２２３４３８号公報

上記特許文献２や特許文献３のように、異なる磁化容易軸を有する磁性体層を同じ薄膜形成プロセスで積層し成膜するためには磁場中成膜等の技術を用いて、付与する磁界の方向を異なる磁性体層ごとに変更して成膜することとなるが、最初に成膜した磁性体層の磁化容易軸の方向が、その上の磁性体層を成膜する時に変化したりすることが考えられ、磁化容易軸の制御が困難であり、製造コストの増大を招く恐れがあった。

そこで本発明は、上記の従来課題を解決するためのものであり、特に、従来に比べて簡単な構造で良好なインダクタンス値及びＱ値を得ることができる磁気素子を提供することを目的とする。

本発明における磁気素子は、
コイルと、前記コイルの上面に形成された第１の磁性体層と、前記コイルの下面に形成された第２の磁性体層と、を有し、
前記コイルは、平面視にて第１の方向から前記第１の方向に対して直交する第２の方向に角部を介して折れ曲がりながら矩形状に巻回形成された平面コイルであり、
前記第１の磁性体層における第１の磁化容易軸方向と、前記第２の磁性体層における第２の磁化容易軸方向は、夫々、コイル外形の異なる２つの前記角部間を直線状に引いた対角線方向に略一致しているとともに、前記第１の磁化容易軸方向及び前記第２の磁化容易軸方向は互いに略平行とされていることを特徴とするものである。このように本発明ではコイルの両面に配置する磁性体層を一層ずつで構成でき、磁気素子の薄型化を図ることができ且つ製造コストの低減を図ることができるとともに、良好なインダクタンス及びＱ値を得ることができる。特に後述する実験によれば、第１の磁化容易軸方向及び第２の磁化容易軸方向をコイルの巻回方向である第１の方向あるいは第２の方向に向けた場合や、第１の磁化容易軸方向を、コイル外形の一方の対角線方向に向け、第２の磁化容易軸方向を、コイル外形の他方の対角線方向に向けた場合（第１の磁化容易軸方向と前記第２の磁化容易軸方向とが非平行）に比べて、Ｑ値を効果的に向上させることができるとわかった。

また本発明では、前記コイルの外形形状は略正方形であり、前記第１の磁化容易軸方向及び前記第２の磁化容易軸方向は、前記第１の方向及び前記第２の方向から略４５°傾いた方向であることが好ましい。これにより、より効果的に、良好なインダクタンス及びＱ値を得ることができる。

また本発明では、前記第１の磁性体層及び前記第２の磁性体層の平面は矩形状で形成されることが好ましい。これにより第１の磁性体層及び第２の磁性体層を無駄なく容易に形成でき、製造コストの低減を図ることができる。

また本発明では、絶縁基材と、前記絶縁基材の上面に形成された第１のコイルと、前記絶縁基材の下面に形成され前記第１のコイルと電気的に接続された第２のコイルと、前記第１のコイルの上面に形成された前記第１の磁性体層と、前記第２のコイルの下面に形成された前記第２の磁性体層とを有し、
前記第１のコイルと前記第２のコイルは、夫々、前記矩形状に巻回形成された前記平面コイルであり、
前記第１の磁化容易軸方向と前記第２の磁化容易軸方向は夫々、前記第１のコイル及び前記第２のコイルの外形の前記対角線方向に略一致しているとともに、前記第１の磁化容易軸方向及び前記第２の磁化容易軸方向は互いに略平行とされていることが好ましい。このように絶縁基材の両面にコイルを設けたことで高いインダクタンスを得ることができる。また各コイルから取出電極層を簡単な構造で外側に引き出すことが出来る。

本発明の磁気素子によれば、薄型化を図ることができ且つ製造コストの低減を図ることができるとともに、良好なインダクタンス及びＱ値を得ることができる。

図１（ａ）は、本実施形態における薄型インダクタの平面図であり、特に第１のコイルを点線で示すとともに第１の磁化容易軸方向ｅ１を矢印で示した。また図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た本実施形態における薄型インダクタの縦断面図である。また、図１（ｃ）は、絶縁基材下に設けられる第２のコイル及び第２の磁性体層との平面図であり（取出電極部も図面に示した）、さらに第２の磁化容易軸方向ｅ２を矢印で示した。 図２は、比較例の薄型インダクタの平面図である。 図３は、図２とは別の比較例における薄型インダクタの平面図である。 図４は、実施例、及び比較例におけるインダクタンスＬｓとＱ値との関係を示すグラフである。

図１（ａ）は、本実施形態における薄型インダクタの平面図であり、特に第１のコイルを点線で示すとともに第１の磁化容易軸方向ｅ１を矢印で示した。また図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た本実施形態における薄型インダクタの縦断面図である。また、図１（ｃ）は、絶縁基材下に設けられる第２のコイル及び第２の磁性体層との平面図であり（取出電極部も図面に示した）、さらに第２の磁化容易軸方向ｅ２を矢印で示した。

図１（ｂ）に示すように薄型インダクタ（磁気素子）１０は、絶縁基材１１と、第１のコイル１２と、第２のコイル１３と、導通層１４と、第１の取出電極層１５と、第２の取出電極層１６と、第１の磁性体層（第１の磁性シート）１７と，第２の磁性体層（第２の磁性シート）３０と、を有して構成される。

絶縁基材１１の材質は特に限定しないが、例えば、ガラスエポキシ基板を用いることができる。

図１（ｂ）に示すように、第１のコイル１２は、絶縁基材１１の上面１１ａに形成される。また図１（ｂ）に示すように第２のコイル１３は、絶縁基材１１の下面１１ｂに形成される。

図１（ａ）（ｃ）に示すように、第１のコイル１２及び第２のコイル１３は夫々、内側の巻き始端１２ａ、１３ａからＸ１−Ｘ２方向（第１の方向）及びＸ１−ｘ２方向に対して直交するＹ１−Ｙ２方向（第２の方向）に角部を介して直角に折れ曲がりながら巻回された平面コイルである。なお角部が直角形状でなく、例えば湾曲した形状であってもよい。その場合は曲面中心を角部とみなす。

図１（ｂ）に示すように絶縁基材１１の略中央には、上面１１ａから下面１１ｂにかけて貫通するスルーホール１１ｃが形成されている。図１（ｂ）に示すようにスルーホール１１ｃ内には導通層１４が設けられている。そして導通層１４と第１のコイル１２の巻き始端１２ａとが電気的に接続され、導通層１４と第２のコイル１３の巻き始端１３ａとが電気的に接続されている。

図１（ｂ）に示すように、絶縁基材１１の第１の側面（Ｘ１側面）１１ｄ側に第１の取出電極層１５が形成されている。また図１（ｂ）に示すように、絶縁基材１１の第２の側面（Ｘ２側側面）１１ｅ側に第２の取出電極層１６が形成されている。

図１（ｂ）に示すように第１の取出電極層１５は、絶縁基材１１の第１の側面１１ｄに形成された第１の側面部１５ａと、第１の側面部１５ａから絶縁基材１１の上面１１ａに延出し、第１のコイル１２の巻き終端１２ｂに接続される第１の上面部１５ｂと、第１の側面部１５ａから絶縁基材１１の下面１１ｂに延出する第１の下面部１５ｃとを有して構成される。

図１（ｂ）に示すように第２の取出電極層１６は、絶縁基材１１の第２の側面１１ｅに形成された第２の側面部１６ａと、第２の側面部１６ａから絶縁基材１１の上面１１ａに延出する第２の上面部１６ｂと、第２の側面部１６ａから絶縁基材１１の下面１１ｂに延出し、第２のコイル１３の巻き終端１３ｂに接続される第２の下面部１６ｃとを有して構成される。

例えば、第１のコイル１２及び第２のコイル１３は夫々、箔体（銅箔）とめっき層（銅めっき等）との積層構造で形成される。

図１（ｂ）に示す第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６は箔体及びめっき層を有して構成される内層１８と、表面層１９とを有して構成される。表面層１９はめっき層で形成され例えば銅めっきで構成される。また第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６の最表面にはＮｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｓｎ層、Ｎｉ／はんだ層、Ｎｉ／Ａｇ層（いずれもＮｉが下地）等で形成された薄いはんだランド２３が形成されることが好適である。なお、はんだ層はＳｎ-Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｚｎ系の合金はんだめっき層が好ましく用いられる。

また図１（ｂ）に示すように、第１のコイル１２の上面には絶縁層（接着層）３１を介して第１の磁性体層１７が配置されている。また、図１（ｂ）に示すように、第２のコイル１３の下面には絶縁層（接着層）３２を介して第２の磁性体層３０が配置されている。このとき、図１（ｂ）に示すように、第１の磁性体層１７、第１の上面部１５ｂ及び第２の上面部１６ｂの各表面が略同一面となるように、第１の磁性体層１７を配置できる。また、第２の磁性体層３０、第１の下面部１５ｃ及び第２の下面部１６ｃの各表面が略同一面となるように、第２の磁性体層３０を配置できる。

あるいは、本実施形態では、第１の上面部１５ｂ及び第２の上面部１６ｂの各表面を第１の磁性体層１７の表面よりも絶縁基材１１から離れる方向（上方）に突出させる形態とすることもできる。また、第１の下面部１５ｃ及び第２の下面部１６ｃの各表面を第２の磁性体層３０の表面よりも絶縁基材１１から離れる方向（下方）に突出させる形態とすることもできる。

なお本実施形態では、磁性体層１７，３０の構成は特に限定されるものでない。ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド系等の絶縁シート表面にＦｅＡｌＮ、ＦｅＡｌＯやＦｅＮ等の磁性層が形成された構成、絶縁シートの表面に、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＡｌＯやＦｅＮ等の磁性層とＳｉＯ₂等の絶縁層とが交互に所定数、積層された構成、あるいは既存のフェライトシートやフェライト板、磁性合金薄帯、バインダー樹脂と複合化した磁性粉末を成形あるいは塗布した構造等を提示できる。

また絶縁層（接着層）３１，３２には、エポキシ系低温硬化剤やアクリル系低温硬化剤を使用することができるが、上述したバインダー樹脂と磁性粉末を複合化した磁性体層１７、３０を塗布する場合、これら絶縁層３１、３２を省略することも可能である。

図１（ａ）（ｃ）には、第１の磁性体層１７及び第２の磁性体層３０の磁化容易軸方向ｅ１，ｅ２が矢印で示されている。磁化容易軸方向とは、磁化され易い結晶方位を指す。

図１（ａ）（ｃ）に示すように第１のコイル１２及び第２のコイル１３の外形は略矩形状とされている。また第１のコイル１２及び第２のコイル１３の外形形状は略同一となっている。なお本明細書において「矩形」には正方形及び長方形の双方が含まれる。

ここでコイルの外形とは、巻回部分にて最外周に位置するターンの外形を指す。図１（ａ）（ｃ）には巻回部分を斜線で示した。なお巻回部分から外れる巻き終端１２ｂ，１３ｂ付近は、最外周のターンとして含まない。また次に説明するように、磁化容易軸方向ｅ１，ｅ２を、コイル外形の対角線方向に基づいて規定するため、コイル外形と認定した最外周のターンに対角線を引くための角部（頂点）が存在しなければならない。このため図１（ｃ）では、巻き終端１３ｂに至るＸ１−Ｘ２方向に延びる延出部分１３ｃを最外周のターンとして含まず、その一つ内側のＸ１−Ｘ２方向に延びる延出部分１３ｄを最外周のターンの一部分とした。

そして図１（ａ）に示すように第１の磁性体層１７の第１の磁化容易軸方向ｅ１は、第１のコイル１２の外形を構成する、異なる二つの角部（頂点）Ｂ，Ｃ間を直線状に結んだ対角線方向に略一致している。ここで「略一致」とは、対角線方向から約１０°以内の傾きずれを許容する。また図１（ｃ）に示すように、第２の磁性体層３０の第２の磁化容易軸方向ｅ２は、第２のコイル１３の外形を構成する、異なる二つの角部（頂点）Ｄ，Ｅ間を直線状に結んだ対角線方向に略一致している。

第１の磁化容易軸方向ｅ１は、第２のコイル１３の外形に対する対角線方向とも略一致し、第２の磁化容易軸方向ｅ２は、第１のコイル１２の外形に対する対角線方向とも略一致している。

ここで、上記したように、第１のコイル１２と第２のコイル１３の外形は略同一である。略同一とは、第１のコイル１２の外形と、第２のコイル１３の外形とがほぼ相似形状で、一方のコイル外形に対し他方のコイル外形の面積比率が８０％〜１２０％程度の範囲内とされている。

このように、第１のコイル１２と第２のコイル１３の外形は略同一で、また、第１の磁化容易軸方向ｅ１と第２の磁化容易軸方向ｅ２はともにコイル外形の同じ対角線方向に略一致しているから、図１（ａ）に示す第１の磁化容易軸方向ｅ１と図１（ｃ）に示す第２の磁化容易軸方向ｅ２とは互いに略平行とされている。ここで略平行とは、第１の磁化容易軸方向ｅ１と第２の磁化容易軸方向ｅ２との間の角度ずれが１０°以内の状態を指す。

このように本実施形態では第１のコイル１２及び第２のコイル１３がＸ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に角部を介しながら折り曲がって巻回された平面コイルであり、各磁性体層１７，３０の各磁化容易軸方向ｅ１，ｅ２が各コイル１２，１３の外形の対角線方向に略一致している。すなわち各磁化容易軸方向ｅ１，ｅ２は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向の双方に対して斜めに傾くとともに各磁化容易軸方向ｅ１，ｅ２は略平行とされている。

これにより本実施形態では、各磁性体層１７，３０に、Ｘ１−Ｘ２方向の磁化容易軸成分とＹ１−Ｙ２の磁化容易軸成分とを生じさせることができる。これによりＸ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向への双方の透磁率を高くできると考えられ、良好なインダクタンス及びＱ値（性能係数）を得ることができる。

一方、図２は比較例であり、図１の実施例と異なる部分は、磁化容易軸方向ｅ３，ｅ４だけである。図２に示す第１の磁性体層の磁化容易軸方向ｅ３と、第２の磁性体層の磁化容易軸方向ｅ４とはＸ１−Ｘ２方向に平行となっている。図２の場合、コイルから生じたＸ１−Ｘ２方向への磁界成分が損失となり、特にＱ値を効果的に向上させることができない。なお図２において、磁化容易軸方向ｅ３，ｅ４がＹ１−Ｙ２方向であっても同様である。

また図３は図２とは別の比較例であり、図１の実施例と異なる部分は、磁化容易軸方向ｅ５，ｅ６だけである。図３に示す第１の磁性体層の磁化容易軸方向ｅ５は、図１（ａ）に示す磁化容易軸方向ｅ１と同方向であるが、図３に示す第２の磁性体層の磁化容易軸方向ｅ６は、コイル外形のもう一方の対角線方向に略平行とされ、図１（ｃ）に示す磁化容易軸方向ｅ１に対して略９０°異なる方向を向いている。よって図３に示す磁化容易軸方向ｅ５，ｅ６は、共に、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に対して斜めに傾いているものの、磁化容易軸方向ｅ５，ｅ６は互いに平行となっていない。図３の場合、磁化容易軸方向を斜めに向けたことによってＸ１−Ｘ２方向の磁化容易軸成分とＹ１−Ｙ２の磁化容易軸成分とを得ることができる効果が相殺されると考えられ、特にＱ値を効果的に向上させることができない。換言すると、ｅ５、ｅ６の磁化容易軸が略９０度ずれているため、ｅ５とｅ６の間で生じる静磁結合は、互いの磁気異方性の分散性を高めることになる。このため、損失が大きくなりＱ値が向上しなくなったと考えられる。

後述する実験に示すように、本実施形態によれば、図２及び図３に挙げた比較例よりも効果的にＱ値を高くできることがわかった。本実施形態によれば、１５以上、好ましくは１７以上、より好ましくは２０以上のＱ値を得ることができた。あるいは、図２に示す比較例の構成において１５程度のＱ値を得ることができても本実施形態の構成とすることでＱ値をさらに約１以上、好ましくは２程度上昇させることができた。なお、本実施形態におけるＱ値向上の効果は、もともと図２に示す比較例の構成において約１５以上のＱ値が得られる場合に好ましく発揮される。

また本実施形態では、このように良好なインダクタンス及びＱ値を得ることができる薄型インダクタ（磁気素子）１０を薄型で且つ低コストで実現できる。すなわち、従来では、例えばコイルの上下に形成した磁性体層を夫々複数層、積層して形成していたが本実施形態では、上下の磁性体層１７，３０を夫々１層ずつで構成でき、薄型化（低背化）とともに製造コストの低減を図ることができる。

また第１のコイル１２及び第２のコイル１３の外形形状は略正方形であり、第１の磁化容易軸方向ｅ１及び第２の磁化容易軸方向ｅ２がＸ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向から略４５°傾いた方向となっていることが好ましい。これにより、Ｘ１−Ｘ２方向の磁化容易軸成分とＹ１−Ｙ２の磁化容易軸成分とがほぼ同強さでバランスよく生じ、効果的にインダクタンス及びＱ値を向上させることができる。

また、第１の磁性体層１７及び第２の磁性体層３０の平面は矩形状で形成されることが好ましい。例えば、第１の磁性体層１７及び第２の磁性体層３０は、予め所定方向に磁化容易軸が付与された、大きいシート状で形成され、前記シートを最終的に図１に示す大きさとなるように個々に切断する。このとき、第１の磁性体層１７及び第２の磁性体層３０を例えば丸形状などとすると、前記シートを丸く個片化しなければならずその際、シートから多数個取りが難しく捨てる部分が多くなる。よって、製造コストが嵩みやすい。これに対して、第１の磁性体層１７及び第２の磁性体層３０を矩形状で形成することで、前記シートから多数個取りができ製造コストの低減を図ることができる。なお第１の磁性体層１７及び第２の磁性体層３０の各辺に対して第１の磁化容易軸方向ｅ１及び第２の磁化容易軸方向ｅ２が斜めに向くように前記シートから個々の磁性体層を切断する。これにより、各磁性体層１７，３０の各辺をＸ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に平行にできるとともに、磁化容易軸方向ｅ１，ｅ２をＸ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に対して斜めに傾かせた状態であってコイル外形の対角線方向に略一致するように調整できる。

また図１に示す実施形態では、絶縁基材１１の上下にコイル１２，１３が形成されている。本実施形態では、コイルを１層としてもよいが、絶縁基材１１の上下に電気的に接続されたコイル１２，１３を設けることで、高いインダクタンスを得ることができる。またコイル１２，１３を絶縁基材１１の上下に形成したことで、各コイル１２、１３から取出電極層１５、１６を簡単な構造で引き出すことが出来る。

また本実施形態では、第１の取出電極層１５及び第２の取出電極層１６には、どちらにも上面部１５ｂ，１６ｂと下面部１５ｃ，１６ｃとが設けられている。このため、薄型インダクタ１０の上下面のどちらを、実装基板２５に向けても、実装基板（図示しない）に導通接続することができる。

ポリエチレンナフタレート絶縁シート表面に以下の表１に示す磁性膜をスパッタ成膜した。

表１に示すＮｏ．１〜Ｎｏ．５までの磁性膜を有する磁性体層（磁性シート）を作製した。

次に、これら磁性体層を用いて、表２に示す実施例１〜５、比較例１〜５、及び比較例６の薄型インダクタを作製した。

実施例１〜５の薄型インダクタは、図１に示す形態と同様である。すなわち第１の磁性体層の第１の磁化容易軸方向ｅ１と、第２の磁性体層の第２の磁化容易軸方向ｅ２とを夫々コイル外形の対角線方向（Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向の双方に対して斜め方向）に略一致させ、且つ第１の磁化容易軸方向ｅ１と第２の磁化容易軸方向ｅ２とを略平行とした。

また比較例１〜５の薄型インダクタは、図２に示す形態と同様である。すなわち第１の磁性体層の第１の磁化容易軸方向ｅ３と、第２の磁性体層の第２の磁化容易軸方向ｅ４とを夫々、Ｘ１−Ｘ２方向に平行とした。

また比較例６の薄型インダクタは、図３に示す形態と同様である。すなわち、第１の磁性体層の磁化容易軸方向ｅ５は、実施例１〜５と同じであるが、第２の磁性体層の磁化容易軸方向ｅ６を、コイル外形のもう一方の対角線方向に一致させ、第１の磁化容易軸方向ｅ５と第２の磁化容易軸方向ｅ６とを非平行とした。

実験ではインダクタンスＬｓ及びＱ値を測定した。インダクタンスＬｓの測定には、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｅ４９９１Ａ ＲＦネットワークアナライザーを用い、周波数１ＭＨｚ〜1ＧＨＺ、測定信号電流１ｍＡとして測定した。

またインダクタンスＬｓとＲｓ（薄型インダクタの等価回路におけるインピーダンスの抵抗成分）の周波数特性からＱ＝ωＬｓ／Ｒｓ（ω＝２πｆ）よりＱ値及びＱ値の周波数特性を算出した。なお以下の表２に示すＱ値は各試料における最大値であり、Ｑ値が最大値となる周波数をｆ_qmaxとした。また周波数ｆ_qmax時におけるインダクタンスＬｓも測定した。さらにＬｓ＿１ＭＨｚは１ＭＨｚの時のインダクタンスＬｓを示し、Ｌｓ＿ｆ_qmaxはｆ_qmaxの時のインダクタンスＬｓを示し、これらも測定した。
その実験結果を表２に示す。

図４は、表２に示す実施例１〜５及び比較例１〜５のインダクタンスＬｓ（周波数が１ＭＨｚ）とＱ値との関係を示す。

実施例１と比較例１、実施例２と比較例２、実施例３と比較例３、実施例４と比較例４、及び実施例５と比較例５には夫々、表１，表２に示すように同じ磁性体層を用いている。

そして表２及び図４に示すように、例えば実施例１と比較例１とを比較してみると、実施例１と比較例１とではほぼ同じインダクタンスＬｓを得ることができるが、実施例１のほうが比較例１よりも高いＱ値を得ることができるとわかった。実施例２と比較例２、実施例３と比較例３、実施例４と比較例４、及び実施例５と比較例５においても夫々、同様である。

また比較例６は、実施例１と同様にＮｏ．１の磁性体層を用いている。そして実施例１と比較例６とを対比してみると、実施例１と比較例６とではほぼ同じインダクタンスＬｓを得ることができるが、実施例１のほうが比較例６よりも高いＱ値を得ることができるとわかった。

このように実施例によれば、比較例とほぼ同等のインダクタンスＬｓが得られるとともに、比較例よりも高いＱ値を得ることができるとわかった。

特に実施例によれば、１５以上、好ましくは１７以上、より好ましくは２０以上のＱ値を得ることができるとわかった。

また実施例によれば、同じ磁性体層を用いた比較例と比較すると、Ｑ値を約１以上、好ましくは２以上、上昇させることができるとわかった。

さらに実施例によれば、比較例とほぼ同等のインダクタンスＬｓが得られるとともに、比較例よりも高く、好ましくは１０ＭＨｚ以上のｆ_qmax、を得ることができる。このようにｆ_qmaxをより高周波側にシフトさせることができるため、駆動周波数の高い電子回路での使用、用途で有利となる。

１０ 薄型インダクタ
１１ 絶縁基材
１２ 第１のコイル
１３ 第２のコイル
１４ 導通層
１５ 第１の取出電極層
１６ 第２の取出電極層
１７ 第１の磁性体層
１８ 第２の磁性体層
３１、３２ 絶縁層
ｅ１ 第１の磁化容易軸方向
ｅ２ 第２の磁化容易軸方向

Claims (4)

1. コイルと、前記コイルの上面に形成された第１の磁性体層と、前記コイルの下面に形成された第２の磁性体層と、を有し、
   前記コイルは、平面視にて第１の方向から前記第１の方向に対して直交する第２の方向に角部を介して折れ曲がりながら矩形状に巻回形成された平面コイルであり、
   前記第１の磁性体層における第１の磁化容易軸方向と、前記第２の磁性体層における第２の磁化容易軸方向は、夫々、コイル外形の異なる２つの前記角部間を直線状に引いた対角線方向に略一致しているとともに、前記第１の磁化容易軸方向及び前記第２の磁化容易軸方向は互いに略平行とされていることを特徴とする磁気素子。
2. 前記コイルの外形形状は略正方形であり、前記第１の磁化容易軸方向及び前記第２の磁化容易軸方向は、前記第１の方向及び前記第２の方向から略４５°傾いた方向である請求項１記載の磁気素子。
3. 前記第１の磁性体層及び前記第２の磁性体層の平面は矩形状で形成される請求項１又は２に記載の磁気素子。
4. 絶縁基材と、前記絶縁基材の上面に形成された第１のコイルと、前記絶縁基材の下面に形成され前記第１のコイルと電気的に接続された第２のコイルと、前記第１のコイルの上面に形成された前記第１の磁性体層と、前記第２のコイルの下面に形成された前記第２の磁性体層とを有し、
   前記第１のコイルと前記第２のコイルは、夫々、前記矩形状に巻回形成された前記平面コイルであり、
   前記第１の磁化容易軸方向と前記第２の磁化容易軸方向は夫々、前記第１のコイル及び前記第２のコイルの外形の前記対角線方向に略一致しているとともに、前記第１の磁化容易軸方向及び前記第２の磁化容易軸方向は互いに略平行とされている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気素子。

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