JP2013142648A

JP2013142648A - センサ出力補正回路、センサ出力補正装置、シーケンス制御回路及びシーケンス制御方法

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Publication number: JP2013142648A
Application number: JP2012003765A
Authority: JP
Inventors: Konosuke Yamamoto; 康之介山元; Yoichi Kimura; 陽一木村
Original assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Current assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date: 2012-01-12
Filing date: 2012-01-12
Publication date: 2013-07-22
Anticipated expiration: 2032-01-12
Also published as: CN103206968B; US20130185012A1; CN103206968A; JP5915192B2

Abstract

【課題】ホストデバイスの負荷を軽減できる、センサ出力補正回路を提供すること。
【解決手段】センサ５０から供給されるセンサ出力を補正するセンサ出力補正回路であって、前記センサ出力の補正を行うためのコマンドを書き換え可能に記憶する記憶手段（不揮発性メモリ１）と、前記コマンドを読み込む読込手段（メモリコントローラ７３及びコマンドデコータ７１）と、前記コマンドに対応するシーケンス毎に設けられた複数のシーケンス実行手段と、前記読込手段によって読み込まれたコマンドに対応するシーケンスを実行する手段を、前記複数のシーケンス実行手段から選択する選択手段（コマンドデコーダ７１及びステートマシン７２）とを備え、前記読込手段のコマンド読み込み時のアクセス先が、前記選択手段により選択されたシーケンス実行手段によって実行されるシーケンスが終了すると移動する、センサ出力補正回路。
【選択図】図４

Description

本発明は、コマンドに対応するシーケンスを実行する、センサ出力補正回路、センサ出力補正装置、シーケンス制御回路及びシーケンス制御方法に関する。

図１は、従来のセンサ出力補正装置１６０の構成図である。センサ出力補正装置１６０は、圧力センサ１５０と、圧力センサ１５０からプレアンプ１２１を介して供給されるセンサ出力を補正するセンサ出力補正回路１３０とを備えている。センサ出力補正回路１３０は、圧力センサ１５０又は温度センサ１１７からマルチプレクサ１１６を介して供給されるセンサ出力に対応するアナログ値をデジタル値に変換するＡＤ変換部として、ΔΣ変調器１１５及びデジタルフィルタ１１３を有している。また、センサ出力補正回路１３０は、圧力センサ１５０のセンサ出力の個々の特性ばらつきを補正するためのキャリブレーションデータを格納する不揮発性メモリとして、ＥＥＰＲＯＭ１０１を有している。

ホストデバイス１４０は、ＥＥＰＲＯＭ１０１に格納されたキャリブレーションデータを、ＳＰＩ等の通信インターフェース回路１０２を介して読み出し、圧力センサ１５０のセンサ出力をＡＤ変換した値を、その読み出したキャリブレーションデータを用いて補正する演算を行っている。また、ホストデバイス１４０は、ＡＤ変換の開始／終了の動作や、圧力センサ１５０及び温度センサ１１７をイネーブル／ディスエーブルとするためのスイッチ１１８の動作をコントロールする。

なお、センサ出力補正回路の先行技術文献として、例えば特許文献１が挙げられる。

特開２００９−１５６６５８号公報

しかしながら、図１のような従来技術では、ホストデバイスが、センサ出力補正回路の全ての動作を制御しなければならないため、ホストデバイスの負荷が大きい。

そこで、本発明は、ホストデバイスの負荷を軽減できる、センサ出力補正回路、センサ出力補正装置、シーケンス制御回路及びシーケンス制御方法の提供を目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、
センサから供給されるセンサ出力を補正するセンサ出力補正回路であって、
前記センサ出力の補正を行うためのコマンドを書き換え可能に記憶する記憶手段と、
前記コマンドを読み込む読込手段と、
前記コマンドに対応するシーケンス毎に設けられた複数のシーケンス実行手段と、
前記読込手段によって読み込まれたコマンドに対応するシーケンスを実行する手段を、前記複数のシーケンス実行手段から選択する選択手段とを備え、
前記読込手段のコマンド読み込み時のアクセス先が、前記選択手段により選択されたシーケンス実行手段によって実行されるシーケンスが終了すると移動する、センサ出力補正回路及びそれを備えるセンサ出力補正装置を提供するものである。

また、上記目的を達成するため、本発明は、
書き換え可能に記憶されたコマンドを読み込む読込手段と、
前記コマンドに対応するシーケンス毎に設けられた複数のシーケンス実行手段と、
前記読込手段によって読み込まれたコマンドに対応するシーケンスを実行する手段を、前記複数のシーケンス実行手段から選択する選択手段とを備え、
前記読込手段のコマンド読み込み時のアクセス先が、前記選択手段により選択されたシーケンス実行手段によって実行されるシーケンスが終了すると移動する、シーケンス制御回路を提供するものである。

また、上記目的を達成するため、本発明は、
書き換え可能に記憶されたコマンドを読み込む読込ステップと、
前記読込ステップによって読み込まれたコマンドに対応するシーケンスを実行する手段を、前記コマンドに対応するシーケンス毎に設けられた複数のシーケンス実行手段から選択する選択ステップと、
前記読込ステップでのコマンド読み込み時のアクセス先を、前記選択ステップにより選択されたシーケンス実行手段によって実行されるシーケンスが終了すると変更する変更ステップとを有する、シーケンス制御方法を提供するものである。

本発明によれば、ホストデバイスの負荷を軽減できる。

従来のセンサ信号処理装置の構成図である。本発明の一実施形態であるセンサ出力補正装置の構成図である。センサ出力補正装置の動作シーケンス図の一例である。シーケンサの構成図の一例である。シーケンサのステートチャートの一例である。

以下、本発明の実施形態を図面に従って説明する。

図２は、本発明の一実施形態であるセンサ出力補正装置６０の構成図である。図３は、センサ出力補正装置６０の動作シーケンス図の一例である。センサ出力補正装置６０は、図２に示されるように、センサ５０と、センサ５０から供給されるセンサ出力を補正するセンサ出力補正回路３０とを備えたセンサ補正システムである。センサ５０は、所定の物理量を検出し、その検出値に応じた検出信号をセンサ出力として出力する。センサ５０の具体例として、圧力センサ、温度センサ、電圧センサ、電流センサ、歪みセンサ、磁気センサ、流速センサなどの物理量を検出するセンサが挙げられる。図２には、一つのセンサ５０がセンサ出力補正回路３０に接続されている構成が例示されているが、センサ出力補正回路３０によってセンサ出力が補正されるセンサは一つでも複数でもよい。

センサ出力補正回路３０は、マイクロコンピュータが内蔵されていない半導体集積回路である。センサ出力補正回路３０は、アナログ回路ブロック部とデジタル回路ブロック部に分かれている。アナログ回路ブロック部は、バンドギャップ回路２０と、オシレータ（発振器）１９と、パワーオンリセット回路５と、レギュレータ４と、温度センサ１７と、スイッチ１８と、マルチプレクサ１６と、ΔΣ変調器１５とを含んでいる。デジタル回路ブロック部は、レギュレータコントローラ３と、コントロールレジスタ１１と、センサ出力のＡＤ変換値を補正した値が格納されるアクセス用メモリ１２と、ＣＩＣフィルタ（カスケード積分コムフィルタ）１３と、通信インターフェース回路（通信ＩＦ）２と、不揮発性メモリ１と、ブートローダ６と、シーケンス実行用メモリ９と、シーケンサ１０と、ＧＰＩＯ（汎用入出力）１４と、補正演算用メモリ７と、積和演算（ＭＡＣ）等を行う演算回路８とを含んでいる。

以下、センサ５０に圧力センサを用いた場合を例に挙げて、本発明の実施形態について説明する。

（ステップＳ１）
不揮発性メモリ１には、検査工程で測定したセンサ５０個々のセンサ特性に応じた補正係数とアナログトリミング値が保存されている。また、不揮発性メモリ１には、あらかじめ定めたシーケンサプログラムが保存されている。不揮発性メモリ１は、センサ出力補正回路３０の外部に設けられた書き換え装置によって記憶内容が書き換え可能な記憶手段である。書き換え装置は、例えば、ホストデバイス４０でもよいし、それ以外のデバイスでもよい。

（ステップＳ２）
ホストデバイス４０からＡＤ変換コマンドを通信ＩＦ２で受信すると、レギュレータコントローラ３により、レギュレータ４、パワーオンリセット回路５及びオシレータ１９がイネーブルとなる。

（ステップＳ３）
パワーオンリセット回路５により、リセットがブートローダ６に供給されると、ブートローダ６は不揮発性メモリ１からセンサ特性に応じた補正係数を読み込み、補正演算用メモリ７に保存する。次いで、ブートローダ６はシーケンサプログラムを不揮発性メモリ１から読み込み、シーケンス実行用メモリ９に保存する。さらに、ブートローダ６は、アナログトリミング値を不揮発性メモリ１から読み込み、コントロールレジスタ１１を通じて、各アナログ回路ブロック部をそのアナログトリミング値によって調整する。ブートローダ６は、不揮発性メモリ１から読み込んだ値が正常か否かについてＣＲＣ演算を行うことでチェックし、正常であれば、コントロールレジスタ１１にブートロードが終了したことを伝える。

（ステップＳ４）
コントロールレジスタ１１は、ブートロードが終了したことを受け、シーケンサ１０をイネーブルとする。イネーブルとなったシーケンサ１０は、シーケンス実行用メモリ９からシーケンスプログラムに含まれるコマンドを読み込み、その読み込んだコマンドに対応するシーケンスを実行する。

（ステップＳ５）
シーケンサ１０は、各ブロックの設定（ΔΣ変調器１５の動作モード、オーバーサンプリングレシオ、ＧＰＩＯ１４の設定など）を行う。

（ステップＳ６）
シーケンサ１０は、温度センサ１７をスイッチ１８によりイネーブルとし、マルチプレクサ１６のチャネルを温度センサ１７の入力に切り換える。

（ステップＳ７）
シーケンサ１０は、ΔΣ変調器１５及びＣＩＣフィルタ１３をイネーブルとする。

（ステップＳ８）
シーケンサ１０は、ＣＩＣフィルタ１３の出力を待ち、ＣＩＣフィルタ１３の出力を補正演算用メモリ７に保存する。

（ステップＳ９）
シーケンサ１０は、温度センサ１７、ΔΣ変調器１５、CICフィルタ１３をディスエーブルとする。

（ステップＳ１０）
シーケンサ１０は、補正演算用メモリ７から温度センサ１７の補正係数とＣＩＣフィルタ１３の出力を読み込み、演算回路８により、温度センサ１７の補正係数を使ってＣＩＣフィルタ１３の出力を補正することによって、温度値（例えば、単位が℃（セ氏）の物理量）を補正演算する。シーケンサ１０は、その温度値を、補正演算用メモリ７及びホスト４０のアクセス用メモリ１２に保存する。

（ステップＳ１１）
シーケンサ１０は、演算回路８により、センサ５０の温度補正係数と上記の温度値を補正演算用メモリ７から読み込んで、センサ５０のセンサ出力を補正するためのセンサ補正係数を算出し、補正演算用メモリ７に保存する。

（ステップＳ１２）
シーケンサ１０は、センサ接続ポートに接続されたセンサ５０をスイッチ１８によりイネーブルとし、マルチプレクサ１６のチャネルをセンサ５０の入力に切り換える。

（ステップＳ１３）
シーケンサ１０は、ΔΣ変調器１５及びＣＩＣフィルタ１３をイネーブルとする。

（ステップＳ１４）
シーケンサ１０は、ＣＩＣフィルタ１３の出力を待ち、ＣＩＣフィルタ１３の出力を補正演算用メモリ７に保存する。

（ステップＳ１５）
シーケンサ１０は、センサ５０、ΔΣ変調器１５、ＣＩＣフィルタ１３をディスエーブルとする。

（ステップＳ１６）
シーケンサ１０は、センサ５０についての上記のセンサ補正係数とＣＩＣフィルタ１３の出力値を補正演算用メモリ１７から読み込み、演算回路８により、そのセンサ補正係数を使ってＣＩＣフィルタ１３の出力値を補正することによって、圧力値（例えば、単位がＰａ（パスカル）の物理量）を補正演算する。シーケンサ１０は、その圧力値を、補正演算用メモリ７とアクセス用メモリ１２に保存する。

（ステップＳ１７）
シーケンサ１０は、演算回路８により、上記の圧力値を高度値（例えば、単位がｍ（メートル）の物理量）に変換し、補正演算用メモリ７及びアクセス用メモリ１２に保存する。

（ステップＳ１８）
シーケンサ１０は、ＡＤ変換及び補正演算が終了したことを、ＧＰＩＯ１４を介してホストデバイス４０に伝える。

（ステップＳ１９）
ホストデバイス４０は、通信ＩＦ２を介して、アクセス用メモリ１２に保存された温度値、圧力値、高度値を読み込む。

（ステップＳ２０）
ホストデバイス４０がアクセス用メモリ１２にアクセスしたことが検出されると、レギュレータコントロール３により、レギュレータ４、パワーオンリセット回路５、オシレータ１９、バンドギャップ回路２０がディスエーブルとされ、スタンバイ状態となる。

このようなステップを繰り返すことで、ホストデバイス４０は、温度値、圧力値、高度値を物理量（センサ５０及び温度センサ１７から供給されるセンサ出力が単位換算された値）として得ることができる。

次に、シーケンサ１０の構成について詳細に説明する。

図４は、シーケンサ１０の構成図である。シーケンサ１０は、ステートマシン７２を有するシーケンス制御回路である。ステートマシン７２は、ステートマシン７２に入力される信号と現在のステート（状態）によって、次のステート（状態）が決まる順序回路である。ステートマシン７２は、メモリコントローラ（ＲＡＭアクセスコントローラ）７３、コマンドデコーダ７１、ループコントローラ７４、インターラプトコントローラ７５、タイマー７６等のシーケンサ１０の他の構成回路に対して、ステートに応じた制御信号を出力する。また、シーケンサ１０は、コントロールレジスタ１１から供給されるイネーブル信号によって起動する。

不揮発性メモリ１は、センサ５０から供給されるセンサ出力を補正演算するために、複数のシーケンスの実行を指令するためのコマンドデータを書き換え可能に記憶する補助記憶装置である。不揮発性メモリ１に予め記憶されていたコマンドデータは、上述したように、不揮発性メモリ１からブート時に読み出されて、主記憶装置であるシーケンス実行用メモリ９に格納される。

メモリコントローラ７３及びコマンドデコータ７１は、作業メモリとして機能するシーケンス実行用メモリ９からコマンドデータをコマンドデータ単位で順次読み込む手段である。また、コマンドデコーダ７１及びステートマシン７２は、コマンド読込手段により読み込まれたコマンドを解析し、そのコマンドに対応するシーケンスを実行する手段を、シーケンス毎に設けられた複数のシーケンス実行手段の中から選択する手段である。ステートマシン７２は、図５の場合、ステートＳ３３で処理されるシーケンスを実行する手段と、ステートＳ３５，Ｓ３６で処理されるシーケンスを実行する手段と、ステートＳ３７で処理されるシーケンスを実行する手段と、ステートＳ３８，Ｓ３９で処理されるシーケンスを実行する手段とを有している。

図５は、シーケンサ１０のステートチャートの一例である。図４を参照して、図５に示した状態遷移について説明する。シーケンサ１０は、ステートマシン７２のステートに応じて動作し、図５では、そのステートがＳ＊（＊は整数）で示されている。

ステートマシン７２にイネーブル信号が入力されることによってシーケンサ１０がイネーブルとなると、リードメモリステートＳ３１で、メモリコントローラ７３は、シーケンス実行用メモリ９からコマンドデータをリードする。メモリコントローラ７３によってリードされるシーケンス実行用メモリ９の初期アドレスは、例えば０番地である。シーケンス実行用メモリ９に格納されているコマンドデータは、ブート時に不揮発性メモリ１から転送されている。

コマンド決定ステートＳ３２で、コマンドデコーダ７１は、シーケンス実行用メモリ９からリードしたコマンドデータを予め用意されたコマンドテーブル７７と比較することで、そのコマンドデータの内容を解析する。コマンドテーブル７７は、例えば、論理回路で構成されている。コマンドテーブルを論理回路で構成することによって、コマンドデータの解析速度を上げることができる。コマンドテーブル７７は、ＲＯＭ等のメモリに予め記憶されていてもよい。ステートマシン７２は、コマンド決定ステートＳ３２でのコマンドデコーダ７１によるコマンド比較結果に基づいて、状態遷移先を変更（選択）する。

次に、状態遷移先の例を示す。表１は、コマンドの例を示している。

（コマンド例１）
コマンド決定ステートＳ３２でリードしたコマンドデータが、シーケンサ１０の外部回路のイネーブルや所定の設定を行うコマンドである場合（例えば、表１のコマンドｃｍｄ１）、ステートマシン７２のステートは、セッティングステートＳ３３に遷移する。セッティングステートＳ３３で、コマンドデコーダ７１は、各外部回路を起動させるイネーブル信号などを出力する。この外部回路として、例えば、図４に示されるように、スイッチ１８，ΔΣ変調器１５、ＣＩＣフィルタ１３、演算回路８及びマルチプレクサ１６などが挙げられる。

次いで、アドレスインクリメントステートＳ３４で、メモリコントローラ７３は、次のコマンドを実行するためにシーケンス実行用メモリ９にアクセスする時のシーケンス実行用メモリ９のメモリアドレスを、現在のメモリアドレスから所定のアドレス値だけインクリメントする。そして、リードメモリステートＳ３１に遷移し、シーケンサ１０の一連のコマンド実行動作が完了する。

（コマンド例２）
コマンド決定ステートＳ３２でリードしたコマンドデータが、所定の回路を設定するための設定値をシーケンス実行用メモリ９からリードしてその所定の回路に設定するコマンドである場合（例えば、表１のコマンドｃｍｄ２）、ステートマシン７２のステートは、設定値リードステートＳ３５に遷移する。設定値リードステートＳ３５で、メモリコントローラ７３は、シーケンス実行用メモリ９のメモリアドレスを現在のメモリアドレスから所定のアドレス値だけインクリメントし、シーケンス実行用メモリ９から設定値をリードする。設定値セットステートＳ３６で、コマンドデコーダ７１は、シーケンス実行用メモリ９からリードした設定値を所定の回路に設定する。

（コマンド例３）
コマンド決定ステートＳ３２でリードしたコマンドデータが、演算実行、時間待ち、割り込み待ち、ディジタルフィルタイネーブルを行うコマンドである場合（例えば、表１のコマンドｃｍｄ３）、ステートマシン７２のステートは、応答ウェイトステートＳ３７に遷移する。応答ウェイトステートＳ３７で、コマンドデコーダ７１は、所定の回路ブロックのそれぞれのイネーブル信号を出力し、各回路ブロックから終了信号やトリガ信号が返ってくるのを待機する。終了信号やトリガ信号が返ってくると、ステートマシン７２のステートは、アドレスインクリメントステートＳ３４に遷移する。

（コマンド例４）
コマンド決定ステートＳ３２でリードしたコマンドデータが、ループコマンドである場合（例えば、表１のコマンドｃｍｄ４）、ステートマシン７２のステートは、ループアドレスリードステートＳ３８に遷移する。ループアドレスリードステートＳ３８で、メモリコントローラ７３は、シーケンス実行用メモリ９のメモリアドレスを現在のメモリアドレスから所定のアドレス値だけインクリメントし、シーケンス実行用メモリ９からループ先アドレスをリードする。ループアドレス設定ステートＳ３９で、メモリコントローラ７３は、シーケンス実行用メモリ９のメモリアドレスを、ループアドレスリードステートＳ３８でリードしたループ先アドレスに変更する。そして、リードメモリステートＳ３１に遷移し、シーケンサ１０の一連のコマンド実行動作が完了する。

ただし、ループアドレスリードステートＳ３８で、ループコントローラ７４は、ループ回数が指定回数に達しているか否かを判断し、インターラプトコントローラ７５は、ループ終了割り込みが入力されているか否かを判断する。ループが終了する場合には、ループアドレスリードステートＳ３８からアドレスインクリメントステートＳ３４に遷移する。

このように、シーケンサ１０は、一つのコマンドに対して、一つもしくは複数のメモリアドレスのデータをシーケンス実行用メモリ９からリードすることによって、コマンドに対応するシーケンスを実行する。一つのコマンドに対応するシーケンスが終了した場合、ステートマシン７２は、シーケンサ１０を終了させるコマンド以外のコマンドでは、再びリードメモリステートＳ３１に遷移することにより初期化され、リードメモリステートＳ３１以降のコマンドが繰り返される。一つのコマンドに対応するシーケンスが終了するたびに、次回のコマンド読み込み時にアクセスされるシーケンス実行用メモリ９のメモリアドレスが所定のアドレス値だけ移動される。シーケンス実行用メモリ９に記憶したアドレス順序でコマンドに対応するシーケンスは実行されるため、ユーザは、予め用意されたコマンドをそれらのコマンドを動作させたい順序でシーケンス実行用メモリ９に記憶されるように不揮発性メモリ１に予め記憶させることによって、シーケンス１０をプログラマブルとすることができる。

例えば、センサ出力補正装置６０が、１回起動するたびに１回のＡＤ変換を行うモジュールである場合には、
（コマンドｃｍｄ１１）センサ５０のイネーブル
（コマンドｃｍｄ１２）ΔΣ変調器１５及びデジタルフィルタ１３のイネーブル
（コマンドｃｍｄ１３）デジタルフィルタ１３の出力待ち
（コマンドｃｍｄ１４）ΔΣ変調器１５及びデジタルフィルタ１３のディスエーブル
（コマンドｃｍｄ１５）センサ５０のディスエーブル
（コマンドｃｍｄ１６）演算回路８による補正演算
（コマンドｃｍｄ１７）演算結果をホスト４０に出力
という順序でシーケンス１０が動作するように各コマンドがシーケンス実行用メモリ９に記憶される。

また、例えば、センサ出力補正装置６０が、１回起動したら、割り込みが入るまでＡＤ変換を行い続けるモジュールである場合には、
（コマンドｃｍｄ２１）センサ５０のイネーブル
（コマンドｃｍｄ２２）ΔΣ変調器１５及びデジタルフィルタ１３のイネーブル
（コマンドｃｍｄ２３）ループ開始
（コマンドｃｍｄ２３−１）デジタルフィルタ１２の出力待ち
（コマンドｃｍｄ２３−２）演算回路８による補正演算
（コマンドｃｍｄ２３−３）演算結果をホスト４０に出力
（コマンドｃｍｄ２４）ループ終了可否判定
（コマンドｃｍｄ２５）ΔΣ変調器１５及びデジタルフィルタ１３のディスエーブル
（コマンドｃｍｄ２６）センサ５０のディスエーブル
という順序でシーケンス１０が動作するように各コマンドがシーケンス実行用メモリ９に記憶される。

このように、センサ５０の使用用途に応じて使用するコマンドとその順序を組み合わせることによって、複数のコマンドが含まれる任意のシーケンスプログラムをシーケンス実行用メモリ９に記憶させることができる。

したがって、上述の実施形態によれば、ＭＰＵを実装することなく、プログラマブルなシーケンサ１０を構成したことにより、ホストデバイス４０の処理能力に依存せずに、小規模かつ高速でセンサ出力値を物理量に変換することができる。また、ホストデバイス４０は、最小限のコマンドで、センサによって検出される物理量を取得できるため、ホストデバイス４０の処理能力を低減できる。また、ホストデバイス４０からのコントロール、ホストデバイス４０での複雑な演算処理を減らすことができるため、センサ補正システム全体の消費電力を削減できる。

また、シーケンサプログラムは、ホストデバイス４０からのコマンドを順次記述するような形式のため、容易にプログラミングが可能である。また、センサ出力補正装置６０の動作シーケンスを定義するシーケンスプログラムを、不揮発性メモリ１に予め記憶させておくことで、一種のセンサ補正回路３０で、複数の種類のセンサの補正に対応可能である。また、センサ補正係数を不揮発性メモリ１に絶対値で保存することによって、複数の種類のセンサの補正に対応可能である。また、センサ補正係数を不揮発性メモリ１に絶対値で保存することによって、センサの個体ばらつきに対応可能である。

以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形、組み合わせ、改良、置換などを行うことができる。

例えば、不揮発性メモリ１にワンタイムロムを用いた場合、書き込みを制限する回路を用いることで、ユーザ（例えば、ホストデバイス４０側）が勝手に変更できないセンサモジュールを構成できる。また、不揮発性メモリ１が書き換え可能な場合は、不揮発性メモリ１に記憶させるシーケンサプログラムを変えることで、異なるシーケンサ動作を実行できる。

また、例えば、不揮発性メモリ１に複数のシーケンスプログラム及び複数の補正係数を予め保存しておくことによって、ホストデバイス４０からの制御信号に従って、異なるシーケンスプログラムを実行可能である。また、マルチプレクサ１６に複数のセンサを接続することで、ひとつのＩＣで複数の異なるセンサの制御及び補正が可能である。

また、センサは圧力センサに限らず、例えば加速度センサや温度センサなど、さまざまなセンサに対応可能である。また、ΔΣＡＤ変換器に限定することなく、他の形式のＡＤ変換器でもよい。

１不揮発性メモリ
９シーケンス実行用メモリ
１０プログラマブルシーケンサ
３０，１３０センサ出力補正回路
４０，１４０ホストデバイス
５０，１５０センサ
６０，１６０センサ出力補正装置
７１コマンドデコーダ
７２ステートマシン
７３メモリコントローラ
７７コマンドテーブル

Claims

センサから供給されるセンサ出力を補正するセンサ出力補正回路であって、
前記センサ出力の補正を行うためのコマンドを書き換え可能に記憶する記憶手段と、
前記コマンドを読み込む読込手段と、
前記コマンドに対応するシーケンス毎に設けられた複数のシーケンス実行手段と、
前記読込手段によって読み込まれたコマンドに対応するシーケンスを実行する手段を、前記複数のシーケンス実行手段から選択する選択手段とを備え、
前記読込手段のコマンド読み込み時のアクセス先が、前記選択手段により選択されたシーケンス実行手段によって実行されるシーケンスが終了すると移動する、センサ出力補正回路。
前記選択手段は、前記読込手段によって読み込まれたコマンドと、予め用意されたコマンドテーブルとの比較結果に応じて、該コマンドに対応するシーケンスを実行する手段を選択する、請求項１に記載のセンサ出力補正回路。
前記コマンドテーブルは、論理回路で構成された、請求項２に記載のセンサ出力補正回路。
請求項１から３のいずれか一項に記載のセンサ出力補正回路と、
前記センサとを備える、センサ出力補正装置。
書き換え可能に記憶されたコマンドを読み込む読込手段と、
前記コマンドに対応するシーケンス毎に設けられた複数のシーケンス実行手段と、
前記読込手段によって読み込まれたコマンドに対応するシーケンスを実行する手段を、前記複数のシーケンス実行手段から選択する選択手段とを備え、
前記読込手段のコマンド読み込み時のアクセス先が、前記選択手段により選択されたシーケンス実行手段によって実行されるシーケンスが終了すると移動する、シーケンス制御回路。
書き換え可能に記憶されたコマンドを読み込む読込ステップと、
前記読込ステップによって読み込まれたコマンドに対応するシーケンスを実行する手段を、前記コマンドに対応するシーケンス毎に設けられた複数のシーケンス実行手段から選択する選択ステップと、
前記読込ステップでのコマンド読み込み時のアクセス先を、前記選択ステップにより選択されたシーケンス実行手段によって実行されるシーケンスが終了すると変更する変更ステップとを有する、シーケンス制御方法。