JP2013141008A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上に化合物半導体層2、3を形成し、化合物半導体層2、3上に電極4sを形成し、化合物半導体層2、3に、少なくとも基板1の表面まで到達する開口部6、1aを形成し、開口部6、1a内に電極4sに接続される導電層8を形成し、導電層8をエッチングストッパとするドライエッチングを行うことにより、基板1に、その裏面側から導電層8まで到達するビアホール1sを形成し、ビアホール1s内から基板1の裏面にわたってビア配線16を形成する。開口部6、1aの最も深い部分の幅を、開口部6、1aの化合物半導体層2、3の表面における幅よりも小さくする。
【選択図】図3T
Description
先ず、参考例について説明する。図1A乃至図1Tは、参考例に係るGaN系HEMTを製造する方法を工程順に示す断面図である。
次に、本発明の第1の実施形態について説明する。図3A乃至図3Tは、本発明の第1の実施形態に係るGaN系HEMTを製造する方法を工程順に示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図5A乃至図5Eは、本発明の第2の実施形態に係るGaN系HEMTを製造する方法を工程順に示す断面図である。
1a:凹部
1s:ビアホール
2:GaN層
3:n型AlGaN層
4d:ドレイン電極
4g:ゲート電極
4s:ソース電極
6:開口部
7:シード層
8:Ni層
10:Au層
13:Ni層
14:シード層
15:Au層
16:ビア配線
19:化合物膜
21:シード層
26:開口部
Claims (3)
- 基板上に化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層上に電極を形成する工程と、
前記化合物半導体層に、少なくとも前記基板の表面まで到達する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に前記電極に接続される導電層を形成する工程と、
前記導電層をエッチングストッパとするドライエッチングを行うことにより、前記基板に、その裏面側から前記導電層まで到達するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内から前記基板の裏面にわたってビア配線を形成する工程と、
を有し、
前記開口部の最も深い部分の幅を、前記開口部の前記化合物半導体層の表面における幅よりも小さくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口部を前記基板の内部まで形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口部を前記基板の表面まで形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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