JP2013140901A - ダイオードおよびそれを用いた電力変換システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の第1の半導体領域(101)と、第1の半導体領域(101)に設けられる第2導電型の第2の半導体領域(102)と、第1の半導体領域(101)に設けられ、第1の半導体領域(101)よりも不純物濃度が高い第1導電型の第3の半導体領域(105)と、第2の半導体領域(102)にオーミック接続する第1の主電極(106)と、第3の半導体領域(105)にオーミック接続する第2の主電極(107)とを有するダイオードにおいて、第1の半導体領域(101)と第2の半導体領域(102)との間において部分的に、第1の半導体領域(101)よりも不純物濃度が高い第1導電型の第4の半導体領域(104)が設けられる。
【選択図】 図1
Description
例えば、アノードp層102の幅WAPを15μm、アノードn層104の幅WANは5μmに設定する。アノードn層104のn型不純物濃度は、n-ドリフト層101のn型不純物濃度よりも高く、そのピーク濃度は例えば1×1015〜1×1017/cm3程度にする。これにより、ダイオードの耐圧を確保しながら、リカバリ特性をソフトにできる。なお、アノードn層104の不純物濃度や寸法は、ダイオードの耐圧、仕様により適宜設定される。
また、下アーム側のIGBT200d,e,fのエミッタは、共通接続され、整流回路のアース側と接続されている。整流回路203は、交流電源202の交流を直流に変換する。IGBT200a〜fは、オン・オフスイッチングすることにより、整流回路203から受電した直流を交流に変換してモータを駆動する。上下の駆動回路204,205は、IGBTのゲートに駆動信号を与え、IGBTをオン、オフさせる。
102、102A、102B アノードp層
103 アノードp-層
104 アノードn層
105 カソードn層
106 アノード電極
107 カソード電極
110 酸化膜領域
112 p型ウエル領域
113 フィールドプレート
114 n型ウエル領域
115 主接合p型ウエル領域
200 IGBT
201 ダイオード
202 交流電源
203 整流回路
204 上アーム駆動回路
205 下アーム駆動回路
206 モータ
Claims (13)
- 第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域に設けられる第2導電型の第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域に設けられ、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第3の半導体領域と、前記第2の半導体領域にオーミック接続する第1の主電極と、前記第3の半導体領域にオーミック接続する第2の主電極とを有するダイオードにおいて、
前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間において部分的に、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第4の半導体領域が設けられることを特徴とするダイオード。 - 請求項1に記載のダイオードにおいて、前記第4の半導体領域の面積は、前記第2の半導体領域の面積よりも小さいことを特徴とするダイオード。
- 請求項1または請求項2に記載のダイオードにおいて、前記第2の半導体領域は、互いに分離された複数個の領域から成り、前記複数個の領域には、前記第4の半導体領域と接する第1の領域と、前記第4の半導体領域と接しない第2の領域を含むことを特徴とするダイオード。
- 請求項1または請求項2に記載のダイオードにおいて、前記第2の半導体領域は複数個の領域から成り、前記複数個の領域には、前記ダイオードの一断面において、前記第4の半導体領域が設けられる第1の領域と、全体が前記第1の半導体領域と接合する第2の領域とを含むことを特徴とするダイオード。
- 請求項3または請求項4に記載のダイオードにおいて、前記第1の領域と前記第1の領域とが周期的に配置されていることを特徴とするダイオード。
- 請求項3または請求項4に記載のダイオードにおいて、互いに隣接する前記第1の領域と前記第2の領域との距離が、互いに隣接する前記第2領域間の距離よりも大であることを特徴とするダイオード。
- 請求項3または請求項4に記載のダイオードにおいて、前記第1の領域の前記第2導電型のピーク不純物濃度が、前記第2の領域の前記第2導電型のピーク不純物濃度よりも低いことを特徴とするダイオード。
- 請求項3または請求項4に記載のダイオードにおいて、前記第1の領域と前記第1の主電極との間に絶縁膜を有することを特徴とするダイオード。
- 請求項3または請求項4に記載のダイオードにおいて、前記絶縁膜が前記第4の半導体領域の直上に位置することを特徴とするダイオード。
- 請求項8に記載のダイオードにおいて、前記絶縁膜の端部は前記第1の領域に隣接する前記第2の領域上に位置することを特徴とするダイオード。
- 請求項1に記載のダイオードにおいて、前記第2の半導体領域はダイオードチップのターミネーション領域に設けられることを特徴とするダイオード。
- 第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域に設けられる第2導電型の複数の第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域に設けられ、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第3の半導体領域と、前記複数の第2の半導体領域の内、アクティブ領域に位置する第2の半導体領域にオーミック接続する第1の主電極と、前記第3の半導体領域にオーミック接続する第2の主電極とを有するダイオードにおいて、
前記第1の半導体領域と、前記複数の第2の半導体領域の内、ターミネーション領域に位置する第2の半導体領域との間において、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第4の半導体領域が設けられることを特徴とするダイオード。 - 直列接続された第1の半導体スイッチング素子及び第2の半導体スイッチング素子と、前記第1の半導体スイッチング素子に逆並列に接続される第1のダイオードと、前記第2の半導体スイッチング素子に逆並列に接続される第2のダイオードとを備えた電力変換システムにおいて、
前記第1及び第2のダイオードを、請求項1〜12のいずれか一項に記載のダイオードとすることを特徴とする電力変換システム。
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