JP2013138115A - 支持体を有するパッケージ基板及びその製造方法、並びに支持体を有するパッケージ構造及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】支持体を有するパッケージ基板の製造方法、及び支持体を有するパッケージ構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持体と、支持体に設けられた第１の電気接触パッドと、支持体に設けられ、該第１の電気接触パッドが埋め込まれたコア層と、該コア層に設けられた回路層と、該コア層に設けられた複数の導電ビアと、該コア層に設けられた絶縁保護層とを備える。パッケージ基板の一方側に支持体が結合されることにより、運送又はパッケージング時に厚さが薄過ぎることによるクラックの発生が回避される。
【選択図】図２Ｆ

Description

本発明は、半導体パッケージ基板に関し、特に、支持体を有するパッケージ基板及びその製造方法、並びに支持体を有するパッケージ構造及びその製造方法に関する。

電子産業の盛んな発展に伴い、電子製品は、多機能化・高性能化の方向へ進んでいる。半導体パッケージの小型化（ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ）のパッケージ需要を満たすために、チップ搭載用のパッケージ基板の厚さの低減に向けた発展を見せている。現在、チップ搭載用のパッケージ基板には硬質材及び軟質材があり、一般に、ボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ、ＢＧＡ）に用いられるパッケージ基板においては、硬質材が選択されることが多い。

図１Ａ乃至図１Ｄは、従来の２層回路のパッケージ基板１ａの製造方法の断面模式図である。

図１Ａに示すように、まず、対向する第１の表面１３ａ及び第２の表面１３ｂを有するコア層１３を用意し、このコア層１３の第１及び第２の表面１３ａ、１３ｂに銅層１１ａ、１１ｂがそれぞれ設けられている。

図１Ｂに示すように、コア層１３の第２の表面１３ｂに複数の貫通孔１３０をレーザにより形成することにより、第１の表面１３ａの銅層１１ａがそれらの貫通孔１３０に露出される。

図１Ｃに示すように、銅層１１ａ、１１ｂをパターニングし、導電層１０として銅材を電気めっきすることにより、コア層１３の第１及び第２の表面１３ａ、１３ｂに第１及び第２の回路層１２、１４をそれぞれ形成する。前記複数の貫通孔１３０に、第１及び第２の回路層１２、１４を電気的に接続するための導電ビア１４０を形成する。第１及び第２の回路層１２、１４には、複数の第１及び第２の電気接触パッド１２０、１４１がそれぞれ設けられている。

図１Ｄに示すように、コア層１３の第１及び第２の表面１３ａ、１３ｂに絶縁保護層１５をそれぞれ形成し、この絶縁保護層１５の一部を導電ビア１４０に充填する。絶縁保護層１５は、複数の開口１５０を有し、これに対応して前記複数の第１及び第２の電気接触パッド１２０、１４１が露出される。これにより、パッケージ基板１ａが製造される。次に、それらの第１及び第２の電気接触パッド１２０、１４１の露出表面に表面処理層１５ａをそれぞれ形成する。

後続の製造工程において、図１Ｅに示すように、絶縁保護層１５にチップ１７を搭載し、導線１７０により第２の電気接触パッド１４１に電気的に接続させ、チップ１７を被覆する封止材１８を形成する。また、前記複数の第１の電気接触パッド１２０に半田ボール１９を結合する。これにより、パッケージ構造１が製造される。小型化及び信頼性の要求を満たすために、現在の製造工程技術において、コア層１３の厚さは、６０μｍに縮小することが可能である。

ただし、パッケージの小型化の要求が高まるにつれ、厚さが６０μｍであるコア層１３ではもはやパッケージの小型化の要求に応えることができない。一方、コア層１３の厚さを６０μｍよりも小さくすると、パッケージ基板１ａの総板厚Ｒは、１３０μｍよりも小さくなり、生産作業性が悪くなることがある。例えば、パッケージ基板１ａを各製造工程において移動させた場合に基板詰まりが発生しやすくなり、生産に不利となり、たとえ生産できるとしても、運送又はパッケージング時に厚さ不足によって撓み又はクラックを生じ、使用不能又は製品不良となることがあった。

さらに、微細ピッチ回路の製造に有利となるように、銅層１１ａ、１１ｂの厚さを３μｍにまで薄くすると、これではレーザによって容易に貫通される。レーザが第１の表面１３ａの銅層１１ａを貫通することを回避するためには、通常、レーザエネルギーを小さくしてレーザショット回数を増加させるが、これによってかえって製造工程の時間が長くなり、コストが増加することとなる。

また、従来のパッケージ基板１ａの製造方法においては、貫通孔１３０の深さが深すぎることによって、導電ビア１４０の製造時に銅電気めっき性が悪くなり、開口部が閉鎖される現象が生じるのみならず、絶縁保護層１５が導電ビア１４０に充填される際にボイド（ｖｏｉｄ）現象が生じやすくなることもあった。

従って、上述した従来の種々の問題を如何にして克服するかが、現在解決すべき重要な課題となっている。

上記の課題を解決するために、本発明は、一方の側に銅箔基板と強化板とを含む支持体が増設され、前記強化板が、前記銅箔基板の銅層に結合された誘電層と、前記誘電層上に設けられた第１の金属剥離層と、前記第１の金属剥離層上に設けられた第２の金属剥離層と、を含む、支持体を有するパッケージ基板を提供する。

また、本発明は、銅層が互いに重畳された２つの銅箔基板を用意する工程と、前記２つの銅箔基板に、前記２つの銅箔基板を被覆し固定する誘電層と、前記誘電層上に設けられた第１の金属剥離層と、前記第１の金属剥離層上に設けられた第２の金属剥離層と、を含む強化板を結合する工程と、前記第２の金属剥離層上に複数の第１の電気接触パッドを形成する工程と、前記第２の金属剥離層上及び前記複数の第１の電気接触パッド上に、対向する第１の表面及び第２の表面を有する、前記第１の表面下に前記複数の第１の電気接触パッドが埋め込まれたコア層を形成する工程と、前記コア層の第２の表面上に複数の第２の電気接触パッドを有する回路層を形成するとともに、前記コア層に前記複数の第１の電気接触パッドと回路層とを電気的に接続させる導電ビアを形成する工程と、前記コア層の第２の表面上及び回路層上に絶縁保護層を形成し、前記複数の第２の電気接触パッドが前記絶縁保護層の開口内に露出されるようにする工程と、前記２つの銅箔基板の側辺に沿って切断することにより、前記２つの銅箔基板の互いに重畳された銅層で、２つのパッケージ基板を分離する工程と、を備えることを特徴とする支持体を有するパッケージ基板の製造方法を提供する。

前述した支持体を有するパッケージ基板及びその製造方法において、前記第１の金属剥離層は、前記第２の金属剥離層に物理的に結合されてもよい。

前述した支持体を有するパッケージ基板及びその製造方法において、前記コア層は、誘電材であってもよい。

前述した支持体を有するパッケージ基板及びその製造方法において、前記第２の電気接触パッドの露出表面上に表面処理層を形成する工程を備えてもよい。

また、本発明は、前記パッケージ基板の絶縁保護層にチップを設けるとともに前記チップを被覆する封止材を形成する工程を備える、支持体を有するパッケージ構造及びその製造方法をさらに提供する。

前述した支持体を有するパッケージ構造及びその製造方法において、前記パッケージ基板は、単一化工程に用いられる複数のパッケージユニットを有し、前記第１の電気接触パッドの表面の高さは、前記コア層の第１の表面の高さよりも低くてもよい。

また、前述した支持体を有するパッケージ構造及びその製造方法において、前記チップは前記複数の第２の電気接触パッドに電気的に接続されてもよい。

上述のように、本発明に係る支持体を有するパッケージ基板及びその製造方法並びにパッケージ構造及びその製造方法によれば、パッケージ基板に例えば銅箔基板や強化板である支持体が結合されるため、コア層の厚さを１３０μｍよりも小さくすることができ、パッケージ基板の強度が増加され、運送時又はパッケージング時に厚さが薄過ぎることによるクラックの発生を回避することができる。

さらに、パッケージング後に銅箔基板や強化板が除去された場合のパッケージ基板の厚さが１３０μｍよりも小さくなるため、従来の技術と比較すると、パッケージ構造全体の厚さが低減され、製品の小型化及び信頼性の要求を同時に満たすことができる。

また、従来の技術と比較すると、本発明は、コア層に電気めっき導線を別途形成する必要がなく、第２の金属剥離層を導電経路として直接電気めっきすることができるため、全体の製造工程が簡素化される。

また、パッケージ基板に銅箔基板や強化板が結合されることにより、たとえコア層の２つの表面における銅箔の厚さが薄すぎても、レーザ工程において、底部に第１の金属剥離層及び第２の金属剥離層が設けられているため、レーザのエネルギーを効果的に分散させることができ、第１の電気接触パッドが貫通されることはない。従来の技術と比較すると、本発明では、比較的大きいレーザエネルギーによって製造を行うことができ、レーザショット回数が低減されるため、製造工程の時間が効果的に低減され、コストが低下する。

さらに、コア層の厚さが超薄でもよいため、導電ビアの孔深さが極めて浅く、銅電気めっき性の不良がなく、開口部が閉鎖される現象の発生を回避することができる。

従来のパッケージ基板及びパッケージ構造の製造方法の断面模式図である。 図１Ａに続く断面模式図である。 図１Ｂに続く断面模式図である。 図１Ｃに続く断面模式図である。 図１Ｄに続く断面模式図である。 本発明に係る支持体を有するパッケージ基板の製造方法の断面模式図である。 図２Ａに続く断面模式図である。 図２Ｂに続く断面模式図である。 図２Ｃに続く断面模式図である。 図２Ｄに続く断面模式図である。 図２Ｅに続く断面模式図である。 本発明に係る支持体を有するパッケージ構造の製造方法の断面模式図である。 図３Ａに続く断面模式図である。 図３Ｂに続く断面模式図である。 図３Ｃに続く断面模式図である。

以下、具体的な実施例を用いて本発明の実施形態を説明する。この技術分野に精通した者は、本明細書の記載内容によって簡単に本発明のその他の利点や効果を理解できる。

また、明細書に添付された図面に示す構造、比例、寸法等は、この技芸に精通する者が理解できるように明細書に記載の内容に合わせて開示するためのものに過ぎず、本発明の実施を制限するものではないため、技術上の実質的な意味を有せず、いかなる構造の修正、比例関係の変更又は寸法の調整も、本発明の効果及び目的に影響を及ぼすものでなければ、本発明に開示された技術内容の範囲内に含まれる。また、明細書に記載の例えば「上」、「下」、「側辺」、「一」等の用語は、説明の明瞭化のために用いられるものであり、本発明の実施可能な範囲を限定するものではなく、その相対関係の変更又は調整は、技術内容の実質的変更がなければ、本発明の実施可能の範囲と見なされる。

図２Ａ乃至図２Ｆは、本発明に係る支持体２ｂを有するパッケージ基板２の製造方法の断面模式図を示す。

図２Ａに示すように、まず、２つの銅箔基板（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ、ＣＣＬ）２０及び２つの強化板２１を用意する。それらの銅箔基板２０は、絶縁層２００と、絶縁層２００の対向する両側に設けられた銅層２０１、２０２と、を有する。前記銅箔基板２０は、一方の銅層２０１が互いに重畳される。それらの強化板２１は、誘電層２１０と、誘電層２１０上に設けられた第１の金属剥離層２１１と、第１の金属剥離層２１１上に設けられた第２の金属剥離層２１２と、を有する。

この実施例において、絶縁層２００の材質は、例えばビスマレイミドトリアジン（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ ｔｒｉａｚｉｎｅ、ＢＴ）であり、絶縁層２００の厚さは、例えば１００μｍであり、銅層２０１、２０２の厚さは、例えば１２μｍであってもよい。

次に、２つの銅箔基板２０に強化板２１の誘電層２１０をそれぞれ圧着し、それらの誘電層２１０を一体化させることで、それらの銅箔基板２０を被覆して固定し、支持体２ｂを形成する。

この実施例において、誘電層２１０の厚さは、例えば１００μｍであり、誘電層２１０の材質は、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ、ＰＰ）であってもよい。さらに、第１の金属剥離層２１１は、第２の金属剥離層２１２に物理的に結合される。その物理方法は、係合、静電、吸着又は接着であってもよく、即ち、第１の金属剥離層２１１と第２の金属剥離層２１２との間は、エッチングにより分離される必要がない。また、第１の金属剥離層２１１及び第２の金属剥離層２１２は、銅材であり、両者の厚さはそれぞれ１８μｍ及び３μｍである。また、銅箔基板は、多種多様であり、業界に周知されているため、ここでは詳しい説明を省略する。

図２Ｂに示すように、第２の金属剥離層２１２を導電経路として、第２の金属剥離層２１２上に複数の第１の電気接触パッド２２を形成する。

図２Ｃに示すように、第２の金属剥離層２１２上及び前記複数の第１の電気接触パッド２２上に、対向する第１の表面２３ａ及び第２の表面２３ｂを有する、第１の表面２３ａ下に前記複数の第１の電気接触パッド２２が埋め込まれたコア層２３を形成する。

次に、コア層２３の第２の表面２３ｂ上に複数の第２の電気接触パッド２４１を有する回路層２４を形成し、コア層２３に前記複数の第１の電気接触パッド２２と回路層２４と電気的に接続させる複数の導電ビア２４０を形成する。

この実施例において、コア層２３は、誘電材であり、回路製造工程は多種多様であり、特に制限されるものではないため、ここでは詳しい説明を省略する。

図２Ｄに示すように、コア層２３の第２の表面２３ｂ上及び回路層２４上に絶縁保護層２５を形成する。この絶縁保護層２５は、前記複数の第２の電気接触パッド２４１が露出される複数の開口２５０を有する。これにより回路構造２６が製造される。

次に、第２の金属剥離層２１２を導電経路として、開口２５０における第２の電気接触パッド２４１上に表面処理層２５ａを形成する。この実施例において、表面処理層２５ａを形成する材質は、ニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）、ニッケル／パラジウム／金（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ）又は金であり、化学めっき又は電気めっきにより形成される。化学めっきであれば、表面処理層２５ａの材質は、無電解ニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）、無電解ニッケル／パラジウム／金（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉｃｋｅｌ／Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｐａｌｌａｄｉｕｍ／Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ， ＥＮＥＰＩＧ）又は直接置換金（Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ、ＤＩＧ）であり、若しくは、化学めっきと電気めっきとを組み合わせ、即ち第２の金属剥離層２１２を導電経路として、例えば電気めっきニッケル／化学めっきパラジウム／電気めっき金である表面処理層２５ａを形成する。

図２Ｅ及び図２Ｆに示すように、２つの銅箔基板２０の側辺（例えば図２に示す切断ラインＬ）に沿って切断することにより、２つの銅箔基板２０の互いに重畳された銅層２０１で、上、下側のパッケージ基板２を分離する。

この実施例において、上、下側から複数のパッケージ基板２を得ることができ、それらのパッケージ基板２は、後続のパッケージング工程における大量生産に使用できるように複数のパッケージユニット２ａを有する。パッケージ基板２から銅箔基板２０の厚さｄ及び強化板２１の厚さｙを減じた厚さ（即ち回路構造２６の厚さｈ）は、１３０μｍよりも小さい。

さらに、２つの銅箔基板２０が重畳されることにより、２ロット分の基板量を同時に製造することができ、スループットが向上する。

また、本発明は、対向する両側に銅層２０１、２０２を有する銅箔基板２０と、銅箔基板２０の一方の銅層２０２上に設けられた強化板２１と、強化板２１上に設けられた第１の電気接触パッド２２と、強化板２１上及び第１の電気接触パッド２２上に設けられたコア層２３と、コア層２３上に設けられた回路層２４と、コア層２３上及び回路層２４上に設けられた絶縁保護層２５と、を備える、支持体２ｂを有するパッケージ基板２を提供する。

支持体２ｂは、銅箔基板２０と強化板２１とを含む。

銅箔基板２０は多種多様であり、特に制限されるものではない。

強化板２１は、銅層２０２に結合された誘電層２１０と、誘電層２１０上に設けられた第１の金属剥離層２１１と、第１の金属剥離層２１１上に設けられた第２の金属剥離層２１２と、を有する。この実施例において、第１の金属剥離層２１１は、第２の金属剥離層２１２に物理的に結合される。

第１の電気接触パッド２２は、第２の金属剥離層２１２に設けられる。

コア層２３は、対向する第１の表面２３ａ及び第２の表面２３ｂを有し、第２の金属剥離層２１２に第１の表面２３ａが結合されるとともに、第１の電気接触パッド２２が埋め込まれる。この実施例において、コア層２３は、誘電材である。

回路層２４は、コア層２３の第２の表面２３ｂ上に設けられ、複数の第２の電気接触パッド２４１を有するとともに、コア層２３に設けられて第１の電気接触パッド２２に電気的に接続される導電ビア２４０を有する。

絶縁保護層２５は、コア層２３の第２の表面２３ｂ上及び回路層２４上に設けられ、前記複数の第２の電気接触パッド２４１が露出される複数の開口２５０を有する。表面処理層２５ａが、開口２５０における第２の電気接触パッド２４１上に形成される。

本発明に係る支持体２ｂを有するパッケージ基板２の製造方法によれば、一般に、厚さが１３０μｍよりも小さい基板を製造するには、製造設備を改めて配置する必要があるため、製造コストが増加する。本発明に係る回路構造２６の厚さｈは１３０μｍよりも小さいが、銅箔基板２０の厚さｄ及び強化板２１の厚さｙにより、パッケージ基板２を製造する際には、その全体の厚さが１３０μｍに等しく又はそれ以上であるため、本来パッケージ基板製造工程に用いられる設備をそのまま使用することができ、製造コストの増加はない。

さらに、パッケージング製造工程の前に、パッケージ基板２全体の強度を向上できるように、パッケージ基板２は銅箔基板２０及び強化板２１を有するため、従来の技術と比較すると、本発明に係るパッケージ基板２は、運送時にクラックが生じることはない。

また、本発明に係るコア層２３の厚さは超薄（例えば６０μｍよりも小さい）であるが、銅箔基板２０及び強化板２１の構成により、導電ビア２４０の形成前のレーザ工程において、第１の電気接触パッド２２が貫通されることはないため、比較的大きいレーザエネルギーを用いることができ、ショット回数が低減されるため、製造工程の時間が低減され、コストが低下する。

また、コア層２３の厚さが超薄であるため、導電ビア２４０の孔深さが極めて浅く、銅電気めっき性の不良がなく、開口部が閉鎖される現象の発生を回避することができ、また、導電ビア２４０の孔深さが極めて浅いため、電気めっきで銅を充填することができ、絶縁保護層２５を導電ビア２４０に充填することなく、ボイド（ｖｏｉｄ）現象を回避することができる。

図３Ａは、本発明に係る支持体２ｂを有するパッケージ構造３ａの製造方法の断面模式図を示す。

図３Ａに示すように、図２Ｆの製造工程に続いてパッケージング工程を行う。即ち、回路構造２６の絶縁保護層２５上にチップ２７を設け、前記複数の第２の電気接触パッド２４１が導線２７０によりチップ２７に電気的に接続される。次に、絶縁保護層２５に封止材２８を形成することにより、チップ２７及び導線２７０を被覆して支持体２ｂを有するパッケージ構造３ａを形成する。

図３Ｂ乃至３Ｄは、支持体２ｂを有するパッケージ構造３ａを必要に応じて応用することができる後続の製造方法の断面模式図を示す。

図３Ｂに示すように、第１の金属剥離層２１１及び第２の金属剥離層２１２を分離させることにより、銅箔基板２０、誘電層２１０及び第１の金属剥離層２１１を除去し、第２の金属剥離層２１２を露出させる。

この実施例において、第１の金属剥離層２１１が第２の金属剥離層２１２に物理的に結合されるため、第１の金属剥離層２１１及び第２の金属剥離層２１２を分離させる場合は、例えば剥離といった物理方法により分離させるだけでよい。

図３Ｃに示すように、第２の金属剥離層２１２をエッチングにより除去することにより、コア層２３の第１の表面２３ａを露出させる。

この実施例において、第１の電気接触パッド２２’の表面の一部を併せて除去することにより、第１の電気接触パッド２２’の表面の高さがコア層２３の第１の表面２３ａの高さよりも低くなるため、コア層２３をソルダーレジスト層とすることができ、コア層２３の第１の表面２３ａにさらに絶縁保護層を形成する必要がない。

図３Ｄに示すように、各パッケージユニット２ａ（例えば図３Ｃに示す切断ラインＳ）に沿って切断することにより、他の形態のパッケージ構造３を複数得ることができ、第１の電気接触パッド２２’に半田ボール２９を結合する。

支持体２ｂを有するパッケージ構造３ａが適用された後続の製造方法から分かるように、絶縁保護層２５にパッケージング工程を予め行い、次いで銅箔基板２０及び強化板２１を除去するため、回路構造２６の厚さｈを６０μｍよりも小さくすることで、他の形態のパッケージ構造３の全体厚さを効果的に低減することができる。従って、従来の技術と比較すると、本発明は、回路構造２６の厚さを必要に応じて６０μｍよりも小さくすることで、小型化の要求を満たすことができる。

さらに、パッケージ基板２に銅箔基板２０及び強化板２１が設けられることによりパッケージ基板２全体の強度が向上するため、従来の技術と比較すると、本発明に係るパッケージ基板２は、パッケージング時にクラックが生じることはない。

また、パッケージ基板２の厚さが超薄であることにより、電気信号の伝送経路が短く、配線密度が高く、ピン数が増加する等の利点を有する。

さらに、本発明は、対向する第１の表面２３ａ及び第２の表面２３ｂを有するコア層２３と、コア層２３の第１の表面２３ａ下に埋め込まれ露出された第１の電気接触パッド２２と、コア層２３の第１の表面２３ａ上に設けられた支持体２ｂと、コア層２３の第２の表面２３ｂ上に設けられた回路層２４と、コア層２３の第２の表面２３ｂ上及び回路層２４上に設けられた絶縁保護層２５と、絶縁保護層２５上に設けられたチップ２７と、絶縁保護層２５上に設けられた封止材２８と、を備える、支持体２ｂを有するパッケージ構造３ａを提供する。

コア層２３は、誘電材である。

支持体２ｂは、絶縁層２００と、絶縁層２００の対向する両側に設けられた銅層２０１、２０２と、一方の銅層２０２上に設けられた誘電層２１０と、誘電層２１０上に設けられた第１の金属剥離層２１１と、第１の金属剥離層２１１上に設けられた第２の金属剥離層２１２と、を備える。

さらに、第１の電気接触パッド２２が第２の金属剥離層２１２に結合され、支持体２ｂが除去された後、第１の電気接触パッド２２’に半田ボール２９を結合してもよい。

回路層２４は、コア層２３の第２の表面２３ｂ上に設けられた複数の第２の電気接触パッド２４１と、コア層２３に設けられ、第１の電気接触パッド２２に電気的に接続させる導電ビア２４０と、を備える。

絶縁保護層２５は、コア層２３の第２の表面２３ｂ上及び回路層２４上に設けられ、前記複数の第２の電気接触パッド２４１が露出される複数の開口２５０を有する。それらの開口２５０における第２の電気接触パッド２４１上に表面処理層２５ａが形成される。

チップ２７は、導線２７０により前記複数の第２の電気接触パッド２４１に電気的に接続される。

封止材２８は、チップ２７及び導線２７０を被覆する。

上述のように、本発明は、パッケージ基板に銅箔基板と強化板とを含む支持体を結合することにより、コア層の厚さを１３０μｍよりも小さくすることができるのみならず、パッケージ基板の強度が増加され、生産作業性の不良が回避される。

さらに、パッケージ後に銅箔基板及び強化板が除去されるため、従来の技術と比較すると、本発明は、回路構造の厚さが１３０μｍよりも小さく、パッケージ構造全体の厚さが低減されるため、製品の小型化及び信頼性の要求を同時に満たすことができる。

また、従来の技術と比較すると、本発明は、コア層に電気めっき導線を別途形成する必要がなく、第２の金属剥離層を導電経路として直接電気めっきすることができるため、全体の製造工程が簡素化される。

上記のように、これらの実施形態は本発明の原理および効果・機能を例示的に説明するものに過ぎず、本発明は、これらによって限定されるものではない。本発明に係る実質的な技術内容は、特許請求の範囲に定義される。本発明は、この技術分野に精通した者により本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々に修正や変更されることが可能であり、そうした修正や変更は、本発明の特許請求の範囲に入るものである。

１，３，３ａ パッケージ構造、１ａ，２ パッケージ基板、１０ 導電層、１１ａ，１１ｂ，２０１，２０２ 銅層、１２ 第１の回路層、１２０，２２，２２’ 第１の電気接触パッド、１３，２３ コア層、１３ａ，２３ａ 第１の表面、１３ｂ，２３ｂ 第２の表面、１３０ 貫通孔、１４ 第２の回路層、１４０ 導電ビア、１４１，２４１ 第２の電気接触パッド、１５，２５ 絶縁保護層、１５０，２５０ 開口、１５ａ，２５ａ 表面処理層、１７，２７ チップ、１７０，２７０ 導線、１８，２８ 封止材、１９，２９ 半田ボール、２ａ パッケージユニット、２ｂ 支持体、２０ 銅箔基板、２００ 絶縁層、２１ 強化板、２１０ 誘電層、２１１ 第１の金属剥離層、２１２ 第２の金属剥離層、２４ 回路層、２４０ 導電ビア、２６ 回路構造、ｄ，ｙ，ｈ，Ｒ 厚さ、Ｌ，Ｓ 切断ライン。

Claims (11)

1. 絶縁層と、前記絶縁層の対向する両側に設けられた銅層と、それらの銅層のいずれか一方上に設けられた誘電層と、前記誘電層上に設けられた第１の金属剥離層と、前記第１の金属剥離層上に設けられた第２の金属剥離層と、を含む支持体と、
   前記第２の金属剥離層上に設けられた第１の電気接触パッドと、
   前記第２の金属剥離層上及び前記第１の電気接触パッド上に設けられ、対向する第１の表面及び第２の表面を有し、前記第１の表面下に前記第１の電気接触パッドが埋め込まれたコア層と、
   前記コア層の前記第２の表面上に設けられた回路層であって、前記コア層下に設けられた前記第１の電気接触パッドに電気的に接続される導電ビアを有し、さらに複数の第２の電気接触パッドを有する回路層と、
   開口を有し、前記コア層の前記第２の表面上及び前記回路層上に設けられ、前記複数の第２の電気接触パッドが前記開口内に露出される絶縁保護層と、
   を備えることを特徴とする支持体を有するパッケージ基板。
2. 前記開口における前記第２の電気接触パッド上に形成される表面処理層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の支持体を有するパッケージ基板。
3. 絶縁層と、前記絶縁層の対向する両側に設けられた銅層と、それらの銅層のいずれか一方上に設けられた誘電層と、前記誘電層上に設けられた第１の金属剥離層と、前記第１の金属剥離層上に設けられた第２の金属剥離層と、を含む支持体と、
   前記第２の金属剥離層上に設けられた第１の電気接触パッドと、
   前記第２の金属剥離層上及び前記第１の電気接触パッド上に設けられ、対向する第１の表面及び第２の表面を有し、前記第１の表面下に前記第１の電気接触パッドが埋め込まれたコア層と、
   前記コア層の前記第２の表面上に設けられた回路層であって、前記コア層下に設けられた前記第１の電気接触パッドに電気的に接続される導電ビアを有し、さらに複数の第２の電気接触パッドを有する回路層と、
   開口を有し、前記コア層の前記第２の表面上及び前記回路層上に設けられ、前記複数の第２の電気接触パッドが前記開口内に露出される絶縁保護層と、
   前記絶縁保護層上に設けられ、前記複数の第２の電気接触パッドに導線により電気的に接続されるチップと、
   前記絶縁保護層上に設けられ、前記チップを被覆する封止材と、
   を備えることを特徴とする支持体を有するパッケージ構造。
4. 前記開口における前記第２の電気接触パッド上に形成される表面処理層をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の支持体を有するパッケージ構造。
5. 絶縁層と、前記絶縁層の対向する両側に設けられた銅層と、をそれぞれ有し、前記銅層が互いに重畳された２つの銅箔基板を用意する工程と、
   前記２つの銅箔基板を被覆し固定する誘電層と、前記誘電層上に設けられた第１の金属剥離層と、前記第１の金属剥離層上に設けられた第２の金属剥離層と、を含む強化板を前記２つの銅箔基板に結合することによって支持体を形成する工程と、
   前記第２の金属剥離層上に複数の第１の電気接触パッドを形成する工程と、
   前記第２の金属剥離層上及び前記複数の第１の電気接触パッド上に、対向する第１の表面及び第２の表面を有する、前記第１の表面下に前記複数の第１の電気接触パッドが埋め込まれたコア層を形成する工程と、
   前記コア層の前記第２の表面上に複数の第２の電気接触パッドを有する回路層を形成するとともに、前記コア層に、前記複数の第１の電気接触パッドと前記回路層とを電気的に接続させる導電ビアを形成する工程と、
   前記コア層の前記第２の表面上及び前記回路層上に絶縁保護層を形成し、前記絶縁保護層に開口を形成し、前記複数の第２の電気接触パッドが前記絶縁保護層の前記開口内に露出させる工程と、
   前記２つの銅箔基板の側辺に沿って切断することにより、前記２つの銅箔基板の互いに重畳された前記銅層で、２つの前記支持体を有するパッケージ基板を分離する工程と、
   を備えることを特徴とする支持体を有するパッケージ基板の製造方法。
6. 前記第１の金属剥離層は、前記第２の金属剥離層に物理的に結合されることを特徴とする請求項５に記載の支持体を有するパッケージ基板の製造方法。
7. 前記絶縁保護層の前記開口を形成した後、前記開口における前記第２の電気接触パッド上に表面処理層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の支持体を有するパッケージ基板の製造方法。
8. 絶縁層と、前記絶縁層の対向する両側に設けられた銅層と、それらの銅層のいずれか一方上に設けられた誘電層と、前記誘電層上に設けられた第１の金属剥離層と、前記第１の金属剥離層上に設けられた第２の金属剥離層と、を含む支持体と、前記支持体上に設けられ、前記第２の金属剥離層に結合される回路構造と、を備えるパッケージ基板を用意する工程と、
   前記回路構造上にチップを設ける工程と、
   前記回路構造上に、前記チップを被覆する封止材を形成する工程と、
   を備えることを特徴とする支持体を有するパッケージ構造の製造方法。
9. 前記回路構造は、
   前記第２の金属剥離層上に設けられた第１の電気接触パッドと、
   前記第２の金属剥離層上及び前記第１の電気接触パッド上に設けられ、対向する第１の表面及び第２の表面を有し、前記第１の表面下に前記第１の電気接触パッドが埋め込まれたコア層と、
   前記コア層の前記第２の表面上に設けられた回路層であって、前記コア層下に設けられた前記第１の電気接触パッドに電気的に接続される導電ビアを有し、さらに複数の第２の電気接触パッドを有する回路層と、
   開口を有し、前記コア層の前記第２の表面上及び前記回路層上に設けられ、前記複数の第２の電気接触パッドが前記開口内に露出されるとともに前記チップに電気的に接続される絶縁保護層と、
   を備えることを特徴とする請求項８に記載の支持体を有するパッケージ構造の製造方法。
10. 前記開口における前記第２の電気接触パッド上に表面処理層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の支持体を有するパッケージ構造の製造方法。
11. 前記パッケージ基板は、単一化工程に用いられる複数のパッケージユニットを備えることを特徴とする請求項８に記載の支持体を有するパッケージ構造の製造方法。

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