JP2013137897A

JP2013137897A - ケーブル

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Publication number: JP2013137897A
Application number: JP2011287495A
Authority: JP
Inventors: Katsuo Shimozawa; 勝雄下沢; Yutaka Matsubara; 裕松原; Kazutoshi KASHIRO; 和年嘉代
Original assignee: Junkosha Co Ltd
Current assignee: Junkosha Co Ltd
Priority date: 2011-12-28
Filing date: 2011-12-28
Publication date: 2013-07-11
Also published as: WO2013099783A1

Abstract

【課題】高速ケーブルでは、伝送特性のさらなる向上が求められている。
【解決手段】ケーブルは、内部導体１１及び２１と内部導体の外周上に配置される誘電体層１２及び２２とを有する信号線１０及び２０と、信号線の外周に少なくとも一部が接するように配置されるシールド層３０とを備え、シールド層は、絶縁体層３２と導電層３１とを有し、導電層の厚さは、２．０μｍ以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、シールド層を有するケーブルに関する。

高速ビットレートでデータ伝送が行われる場合に用いられる伝送線路として、高速差動ケーブルがある。高速差動ケーブルは、内部導体と、内部導体の外周に配置される絶縁体層とを有し且つ並列に配置される２つの信号線と、信号線に隣接して配置されるドレイン線と、信号線及びドレイン線を螺旋巻きするように形成されるシールド層とを有する。シールド層は、圧延処理で形成された金属薄板と絶縁樹脂部材とを接着して形成されるアルミポリエステルテープなどの部材が使用されている。圧延処理で形成される金属薄板は、安価且つ入手が容易である上に、５〜１０〔μｍ〕程度の板厚を有するのでドレイン線を介して接地されるときに接地抵抗の上昇を抑えることができる。このため、従来のケーブルでは、接地抵抗の上昇を抑えるためにシールドを形成する導電層の厚さは厚くすることが好ましいとされていた。

また、高速差動ケーブルなどの伝送路の損失特性はアイパターンを使用して評価されている。アイパターンは、伝送路を通過させた所定の周波数を有するパルス信号を同期して重ね合わせて表示することにより得られる。良好なアイパターンを示す損失特性を有する高速差動ケーブルを形成するために、パスル信号の低周波成分を減衰させるように形成される信号線を有する高速差動ケーブルが知られる（例えば、引用文献１を参照）。引用文献１に記載される高速差動ケーブルの信号線は、内部導体と内部導体の外周に配置される誘電体層とを有する。内部導体は、比較的固有抵抗が大きい磁性体で形成される芯材と、芯材の周囲に形成される良導電性の被覆層とを有する。

一般によく知られるように、信号線に高周波電流が流れるとき、低周波数では導体内を一様に流れていた電流が表皮効果により徐々に導体表面付近を流れるようになる。このため、パルス信号を伝送する場合、パスル信号の周波数が上昇するに従い、信号の高周波成分は内部導体の外側を流れ、信号の低周波成分は内部導体の内側を流れるようになる。

引用文献１に記載される高速差動ケーブルの信号線では、信号の高周波成分は良導電性の被覆層を流れ、信号の低周波成分は比較的固有抵抗が大きい芯材を流れるようになるので、信号の高周波成分と比較して信号の低周波成分の減衰量が大きくなる。この結果、引用文献１に記載される高速差動ケーブルは、良好なアイパターンを示し、高周波パルス信号を高品質で伝送することが可能になる。

特開第２０１０−７３４６３号公報

しかしながら、パルス信号などによりデータを高速伝送するために使用されるケーブルでは、伝送特性のさらなる向上が求められているという課題がある。そこで、本発明は、この課題を解決することが可能なケーブルを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、実施形態に開示されるケーブルは、内部導体と内部導体の外周上に配置される誘電体層とを有する信号線と、信号線の外周に少なくとも一部が接するように配置されるシールド層とを備え、シールド層は、絶縁体層と導電層とを有し、導電層の厚さは、２．０μｍ以下である。

開示されるケーブルによれば、シールド層の導電層の厚さは、２．０μｍ以下であるので、良好な伝送特性を有するケーブルを提供することが可能となった。

本発明に係る実施形態に従うケーブルの一例を示す図である。本発明に係る実施形態に従うケーブルの他の例を示す図である。図１に示すケーブル及び比較される他のケーブルの挿入損失特性を示す図である。本発明に係る実施形態に従うケーブル及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の一例を示す図である。本発明に係る実施形態に従うケーブル及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の他の例を示す図である。本発明に係る実施形態に従うケーブル及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の他の例を示す図である。本発明に係る実施形態に従うケーブル及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の他の例を示す図である。本発明に係る実施形態に従うケーブルの他の例を示す図である。

以下、本発明に係る実施形態に従うケーブルについて、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明の開示において提供される図は、本発明の説明を意図したものであり、構成素子の大きさの比率を示すことを意図したものではないことを理解されたい。また、それぞれの図面において、同一、又は類似する機能を有する構成要素には、同一、又は類似する符号が付される。したがって、先に説明した構成要素と同一、又は類似する機能を有する構成要素に関しては、改めて説明をしないことがある。

以下、図１を参照して、本発明に係る第１実施形態に従うケーブルについて説明する。図１（ａ）は、ケーブル１を示す断面図である。図１（ｂ）は、図１（a）に示すケーブル２の矢印Ａで示される破線で囲まれた部分の部分拡大図である。

ケーブル１は、第１信号線１０と、第２信号線２０と、シールド層３０と、ドレイン線４０と、ジャケット５０とを有する。第１信号線１０は、内部導体１１と、内部導体１１の外周に配置される誘電体層１２とを有する。内部導体１１は、鉄など固有抵抗が比較的大きい磁性体材料で形成される芯材と、銀、銅、金又はアルミニウムなど固有抵抗が比較的小さい良導電性金属で形成され且つ芯材の周囲に配置される被覆層とを有する。誘電体層１２は、多孔質ポリテトラフルオロエチレン（expanded polytetrafluoroethylene、ｅＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂で形成される。第２信号線２０は、第１信号線１０の内部導体１１及び誘電体層１２にそれぞれ対応する内部導体２１と、誘電体層２２とを有する。

シールド層３０は、第１信号線１０及び第２信号線２０の外周に少なくとも一部が接するように螺旋状に巻回される配置される。図１（ｂ）に示すように、シールド層３０は、導電層３１と導電層３１の内側に配置される絶縁体層３２とを有する。

導電層３１の厚さは、所定の周波数よりも低い周波数を有する信号成分を減衰させる厚さである。すなわち、導電層３１の厚さは、伝送される信号の周波数ｆと、導電層３１を形成する材料の固有抵抗ρとに基いて決定される表皮深さδに相当する厚さになるように形成される。

式（１）は、表皮深さδを示す式である。
ここで、ρは、導電層３１を形成する材料の固有抵抗〔Ω・ｃｍ〕であり、ｆは第１及び第２信号線１０及び２０により伝送される信号の周波数〔ＭＨｚ〕であり、μ₀は真空の透磁率、すなわち４π×１０^-7〔Ｈ／ｍ〕であり、μ_rは比透磁率である。表１に種々の金属の２０度の温度での固有抵抗、すなわち体積固有抵抗と、比透磁率μ_rと密度とを示す。

式（１）及び表１を参照することにより、伝送する信号の周波数ｆ及び導電層３１を形成する材料の固有抵抗ρと、表皮深さδに相当する導電層３１の厚さｄとの関係が演算される。例えば、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを１〔μｍ〕とする。この場合、式（１）及び表１から演算される周波数ｆは、基本周波数４．１〔ＧＨz〕となる。基本周波数が４．１〔ＧＨz〕である信号は、ビットレートが８．２〔Ｇｂｐｓ〕である信号に相当する。このため、８．２〔Ｇｂｐｓ〕以上の周波数を有する信号成分の減衰量は、１０〔μｍ〕程度の厚さを有する導電層を有する従来のケーブルとほぼ同等にできる一方、８．２〔Ｇｂｐｓ〕以下のビットレートを有する信号成分の減衰量は比較的大きくできる。これから、シールド層をこのような構成にすることにより、８．２〔Ｇｂｐｓ〕以下のビットレートを有する信号成分の減衰量は比較的大きくできるので、８．２〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性が改善されることになる。

同様に、３．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを１．６５〔μｍ〕程度とする。また、導電層３１を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層３１の厚さｄを１．７０〔μｍ〕程度とする。さらに、導電層３１を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層３１の厚さｄを２．１３〔μｍ〕程度とする。

また、６．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを１．１７〔μｍ〕程度とする。また、導電層３１を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層３１の厚さｄを１．２０〔μｍ〕程度とする。さらに、導電層３１を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層３１の厚さｄを１．５０〔μｍ〕程度とする。

また、１０．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを０．９１〔μｍ〕程度とする。また、導電層３１を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層３１の厚さｄを０．９３〔μｍ〕程度とする。さらに、導電層３１を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層３１の厚さｄを１．１６〔μｍ〕程度とする。

また、２０．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを０．６４〔μｍ〕程度とする。また、導電層３１を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層３１の厚さｄを０．６６〔μｍ〕程度とする。さらに、導電層３１を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層３１の厚さｄを０．８２〔μｍ〕程度とする。

このように、導電層３１を形成する材料として銀、銅又はアルミニウムのいずれか１つの金属を使用して３．０〜２０．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１の厚さｄを２．００〔μｍ〕程度以下の厚さとすることが好ましい。しかしながら、一方で導電層３１の厚さｄを薄くすることにより導電層３１の電気抵抗が大きくなり、信号の伝送特性が悪化するおそれがある。そこで、０．５０〔μｍ〕以上とすることが望ましい。

絶縁体層３２は、信号線１０の誘電体層１２及び信号線２０の誘電体層２２の外周に少なくとも一部が接するように配置される。絶縁体層３２は、ポリエチレンテフタレート（Polyethylene terephthalate、ＰＥＴ）などにより形成される。

ドレイン線４０は、導電層３１の外周の一端が接するようにシールド層３０に並行して配置される。ドレイン線４０は、銀めっき軟銅線で形成される。ケーブル長に基いてドレイン線４０の口径を適切に選択することにより、導電層３１の厚さを薄い場合でもケーブル１は接地抵抗を低くすることができる。

ジャケット５０は、第１信号線１０及び第２信号線２０の外周に巻回されるシールド層３０と、ドレイン線４０との外側を被覆するように配置される。ジャケット５０は、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（Tetrafluoroetylene-Hexafluoropropylen Copolymer、ＦＥＰ）、エチレン−テトラフルオロエチレン（Ethylene tetrafluoroethylene、ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（Tetrafluoroetylene-Perfluoroalkylvinylether Copolymer、ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ポリエステル又はポリエステルテープ巻きで形成される。

次に、ケーブル１の製造方法について説明する。まず、第１信号線１０及び第２信号線２０の内部導体１１及び２１の製造方法について説明する。内部導体１１及び２１は、磁性体材料で形成される芯材の周囲に被覆層をメッキ処理等により形成することにより製造される。次いで、押出機（図示せず）において誘電体素材が押出されて、内部導体１１及び２１の外周に誘電体層１２及び２２がそれぞれ被覆されて、第１信号線１０及び第２信号線２０がそれぞれ形成される。

シールド層３０は、絶縁体層３２の一方の面に導電層３１を形成する金属を蒸着させることにより形成される。５〜１０〔μｍ〕程度の厚さを有する従来の導電層は、圧延処理により形成された導電層用金属素材が使用される。具体的には、従来のケーブルのシールド層では、圧延処理により形成されたアルミ箔とポリエチレンテフタレートとを、ポリ塩化ビニル（polyvinyl chloride、ＰＶＣ）を介して積層してテープ状に形成した金属化テープが使用される。この金属テープは、一般にアルペット（ＡＬＰＥＴ）とも称される。しかしながら、０．５０〜２．００〔μｍ〕程度の厚さを有する金属層を圧延処理で形成することは容易でないため、シールド層３０は、絶縁体層３２に金属を蒸着することにより形成される。

シールド層３０は、導電層３１が絶縁体層３２の外側になるように第１信号線１０及び第２信号線２０の誘電体層１２及び２２の外周に螺旋状に巻回される。次いで、第１信号線１０及び第２信号線の中心軸と、ドレイン線４０の中心軸が同一平面上に位置するように、ジャケット５０がシールド層３０及びドレイン線４０の外側に被覆される。ジャケット５０の被覆には、押出機（図示せず）が使用される。

次に、図２を参照して、本発明に係る第２実施形態に従うケーブルについて説明する。図２（ａ）は、ケーブル２を示す断面図である。図２（ｂ）は、図２（a）に示すケーブル２の矢印Ａで示される破線で囲まれた部分の部分拡大図である。

ケーブル２は、第１信号線１０と、第２信号線２０と、シールド層３０と、ドレイン線４０とを有する。シールド層３０は、導電層３１と導電層３１の外側に配置される絶縁体層３２とを有する。導電層３１は、外周の一端がドレイン線４０に接するようにドレイン線４０と並列に配置される。導電層３１の厚さは、所定の周波数よりも低い周波数を有する信号成分を減衰させる厚さであり、表皮深さδに相当する厚さになるように形成される。絶縁体層３２は、信号線１０の誘電体層１２の外周に少なくとも一部が接するように配置される。

図２に示されるケーブル２は、ドレイン線４０が第１信号線１０及び第２信号線２０に隣接して配置されること、及び導電層３１が内側に配置されていることが、図１に示されるケーブル１と相違する。ケーブル２では、低周波の信号成分が流れやすいドレイン線４０が第１信号線１０及び第２信号線２０に隣接して配置されるため、ドレイン線４０を介して低周波の信号成分がケーブル４０を流れやすくなる。このため、ケーブル２では、低周波の信号成分の減衰量は、図１に示されるケーブル１における低周波の信号成分の減衰量よりも小さくなる。したがって、図１に示すケーブル１とケーブル２とを比較すると、図１に示されるケーブル１の方が好ましい高周波パルス信号伝送特性を得られやすい構成である。

次に、図３〜７を参照して、ケーブル１及び比較される他のケーブルのアイパターン特性試験の結果について説明する。図３は、ケーブル１及び比較される他のケーブルの挿入損失（Insertion Loss）特性を示す図である。図４〜７は、ケーブル１及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の他の例を示す図である。

この試験では、４つの試料１〜４が使用された。試料１〜４は全て口径が０．９８〔ｍｍ〕の２本の信号線を有する２芯ケーブルである。試料１〜４の信号線の内部導体の口径は全て０．４０４〔ｍｍ〕である。また、試料１〜４のドレイン線及びジャケットは全て同一口径を有する同一素材で形成された。具体的には、ドレイン線の口径は０．２５４〔ｍｍ〕であり、素材は銀めっき軟銅である。また、ジャケットの厚さは０．０８〔ｍｍ〕であり、素材はＦＥＰである。

表２に試験に使用された試料１〜４の内部導体及びシールド層の構成を示す。

試料１では、内部導体は銀めっき軟銅で形成され、シールド層は厚さが１０〔μｍ〕であるアルミニウムを含むアルミポリエステルで形成される。試料２では、内部導体は銀めっき軟銅で形成され、シールド層は厚さが１〔μｍ〕である銅を含む銅蒸着ポリエステルで形成される。試料３では、内部導体は厚さが１．５〔μｍ〕である銀でめっきされた銀めっき鉄線で形成され、シールド層は厚さが１０〔μｍ〕であるアルミニウムを含むアルミポリエステルで形成される。試料４では、内部導体は厚さが１．５〔μｍ〕である銀でめっきされた銀めっき鉄線で形成され、シールド層は厚さが１〔μｍ〕である銅を含む銅蒸着ポリエステルで形成される。試料１及び３のシールド層を形成するアルミニウム並びに試料２及び４のシールド層を形成する銅はそれぞれ絶縁体層の外側に配置される。

表２に示すように、試料１及び３は従来のシールド層が使用され、試料２及び４は銅を蒸着することにより形成されるシールド層が使用される。また、試料１と試料２とは同一構成の信号線が使用され、試料３と試料４とは同一構成の信号線が使用される。

表３において、ケーブル長が１０〔ｍ〕である試料１〜４の挿入損失特性を示す。表３の試料１〜４はそれぞれ、表２の試料１〜４に対応する。

図３に、表３に対応するグラフを示す。図３において、一点破線で示す曲線１０１が試料１の挿入損失特性を示し、破線で示す曲線１０２が試料２の挿入損失特性を示し、二点破線で示す曲線１０３が試料３の挿入損失特性を示し、実線で示す曲線１０４が試料１の挿入損失特性を示す。同一構成の信号線を有する試料１の挿入損失特性と試料２の挿入損失特性とを比較すると、試料２は、低周波数領域で試料１よりも挿入損失が大きくなっている。したがって、試料２は、試料１よりも信号の低周波成分が減衰されている。また、同一構成の信号線を有する試料３の挿入損失特性と試料４の挿入損失特性とを比較すると、試料４は、低周波数領域で試料３よりも挿入損失が大きくなっている。したがって、試料４は、試料３よりも信号の低周波成分が減衰されている。

表４及び５において試料１〜４のアイパターンのピークツーピークジッタ（Peak to Peak Jitter、ＰＰＪｉ）〔ｐｓ〕及びアイハイト（Eye Height、ＥｙｅＨ）〔ｍＶ〕をそれぞれ示す。ピークツーピークジッタは、アイパターンにおける交差点の時間軸方向の幅を示し、ピークツーピークジッタの値が小さいほど良好な損失特性を有することを示す。一方、アイハイトは、アイパターンの開口部の電圧軸方向の幅を示し、アイハイトの値が大きいほど良好な損失特性を有することを示す。表４は、ケーブル長が５〔ｍ〕であるケーブルを使用した実験結果であり、表５は、ケーブル長が１０〔ｍ〕であるケーブルを使用した実験結果である。表４及び５において、測定ができなかった項目は「−」で示される。

表４及び５に示すように、試料１と試料２を比較すると、測定周波数の大きさに関わらず、ピークツーピークジッタは試料１よりも試料２の方が小さく、アイハイトは試料１よりも試料２の方が大きい。また、試料３と試料４を比較すると、測定周波数の大きさに関わらず、ピークツーピークジッタは試料３よりも試料４の方が小さく、アイハイトは試料３よりも試料４の方が大きい。

図４〜７において、表４及び５にそれぞれ対応するアイパターンを示す。図４（Ａ）〜４（Ｃ）は、ケーブル長が５〔ｍ〕の試料１のパターンであり、図４（Ｄ）〜４（Ｆ）は、ケーブル長が５〔ｍ〕の試料２のパターンである。測定信号の周波数は、図４（Ａ）及び３（Ｄ）が３．１２５〔Ｇｂｐｓ〕であり、図４（Ｂ）及び３（Ｅ）が６．２５０〔Ｇｂｐｓ〕であり、図４（Ｃ）及び３（Ｆ）が１２．５００〔Ｇｂｐｓ〕である。

図５（Ａ）〜５（Ｃ）は、ケーブル長が５〔ｍ〕の試料３のパターンであり、図５（Ｄ）〜５（Ｆ）は、ケーブル長が５〔ｍ〕の試料４のパターンである。測定信号の周波数は、図５（Ａ）及び４（Ｄ）が３．１２５〔Ｇｂｐｓ〕であり、図５（Ｂ）及び４（Ｅ）が６．２５０〔Ｇｂｐｓ〕であり、図５（Ｃ）及び４（Ｆ）が１２．５００〔Ｇｂｐｓ〕である。

図６（Ａ）〜６（Ｃ）は、ケーブル長が１０〔ｍ〕の試料１のパターンであり、図６（Ｄ）〜６（Ｆ）は、ケーブル長が１０〔ｍ〕の試料２のパターンである。測定信号の周波数は、図６（Ａ）及び５（Ｄ）が３．１２５〔Ｇｂｐｓ〕であり、図６（Ｂ）及び５（Ｅ）が６．２５０〔Ｇｂｐｓ〕であり、図６（Ｃ）及び５（Ｆ）が１２．５００〔Ｇｂｐｓ〕である。

図７（Ａ）〜７（Ｃ）は、ケーブル長が１０〔ｍ〕の試料３のパターンであり、図７（Ｄ）〜７（Ｆ）は、ケーブル長が１０〔ｍ〕の試料４のパターンである。測定信号の周波数は、図７（Ａ）及び６（Ｄ）が３．１２５〔Ｇｂｐｓ〕であり、図７（Ｂ）及び６（Ｅ）が６．２５０〔Ｇｂｐｓ〕であり、図７（Ｃ）及び６（Ｆ）が１２．５００〔Ｇｂｐｓ〕である。

いずれのケーブルの長さ及び測定信号の周波数においても、試料２のアイパターンは、試料１のアイパターンよりもアイが開いており、試料４のアイパターンは、試料３のアイパターンよりもアイが開いている。

次に、図８を参照して、本発明に係る第３実施形態に従うケーブルについて説明する。図８は、ケーブル３を示す断面図である。

ケーブル３は、信号線１０と、シールド層３０と、ドレイン線４０と、ジャケット５０とを有する。シールド層３０は、導電層３１と導電層３１の内側に配置される絶縁体層３２とを有する。導電層３１は、外周の一端がドレイン線４０に接するようにドレイン線４０と並列に配置される。導電層３１の厚さは、所定の周波数よりも低い周波数を有する信号成分を減衰させる厚さであり、表皮深さδに相当する厚さになるように形成される。絶縁体層３２は、信号線１０の誘電体層１２の外周に少なくとも一部が接するように配置される。

以上、図１〜８を参照して、本発明に係る実施形態を説明してきた。しかしながら、本発明の精神、及び範囲を逸脱しない範囲内で、様々な変化及び変形を行うことができることが理解されるであろう。

例えば、図１に示されるケーブル１は２本の信号線１０及び１２を有するツインケーブルであり、図８に示されるケーブル１は１本の信号線１０及び１２を有する同軸ケーブルである。しかしながら、本発明は、４本の信号線を有するクワッドケーブルなど単数又は複数の信号線を有するケーブルにも適用可能である。また、第１信号線１０及び２０の内部導体１１及び１２はそれぞれ、磁性体材料で形成される芯材と、芯材の周囲に配置される被覆層とで形成されるが、銀めっき軟銅など他の導体で形成されてもよい。

また、図１、２及び８に示されるケーブル１〜３は、ドレイン線４０をそれぞれ有するが、ケーブル長が短いなど接地抵抗の上昇が考慮されない場合などでは、本発明に係るケーブルは、ドレイン線４０は有さなくてもよい。さらに、シールド層３０は、縦沿えに設けてもよい。

１、２、３ケーブル
１０、２０信号線
１１、２１内部導体
１２、２２誘電体層
３０シールド層
３１導電層
３２絶縁体層
４０ドレイン線
５０ジャケット

Claims

内部導体と該内部導体の外周上に配置される誘電体層とを有する信号線と、
前記信号線の外周に少なくとも一部が接するように配置されるシールド層と、
を備え、
前記シールド層は、絶縁体層と導電層とを有し、前記導電層の厚さは、２．０μｍ以下である、
ことを特徴とするケーブル。
前記導電層の厚さは、０．５μｍ以上である請求項１に記載のケーブル。
前記導電層は、前記絶縁体層に蒸着された金属層である請求項１又は２に記載のケーブル。
前記導電層は、
により演算される表皮深さδに相当する厚さを有し、ここで、ρは、前記導電層を形成する材料の固有抵抗〔Ω・ｃｍ〕であり、ｆは前記信号線により伝送される信号の周波数〔ＭＨｚ〕であり、μ₀は真空の透磁率であり、μ_rは比透磁率である請求項１〜３の何れか一項に記載のケーブル。
前記導電層は、前記絶縁体層の外側に配置され、
前記導電層に外周の一端が接するように並設されるドレイン線をさらに有する請求項１〜４の何れか一項に記載のケーブル。
前記導電層を形成する金属は、銀、銅又はアルミニウムである請求項１〜５の何れか一項に記載のケーブル。
内部導体は、磁性体材料で形成される芯材と該芯材の周囲に配置される被覆層とを有する請求項１〜６の何れか一項に記載のケーブル。