JP2013136024A5 - - Google Patents

Description

実施形態に係る処理液生成装置は、液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、液体に対する二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部とを備え、溶解部は、液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、気泡発生部は、ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に気泡生成ガスを供給して複数の微小気泡を発生させることを特徴とする。
また、実施形態に係る処理液生成装置は、液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、液体に対する二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部と、を備え、溶解部は、液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、気泡発生部は、ガス量の二酸化炭素ガス及びガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする。

実施形態に係る処理液生成方法は、液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、液体に対する二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、を有し、溶解させる工程では、液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、発生させる工程では、ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に気泡生成ガスを供給して複数の微小気泡を発生させることを特徴とする。
また、実施形態に係る処理液生成方法は、液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、液体に対する二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、を有し、溶解させる工程では、液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、発生させる工程では、ガス量の二酸化炭素ガス及びガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする。

実施形態に係る基板処理装置は、液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、液体に対する二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部と、二酸化炭素ガスが溶解して複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する処理部と、を備え、溶解部は、液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、気泡発生部は、ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に気泡生成ガスを供給して複数の微小気泡を発生させることを特徴とする。
また、実施形態に係る基板処理装置は、液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、液体に対する二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部と、二酸化炭素ガスが溶解して複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する処理部と、を備え、溶解部は、液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、気泡発生部は、ガス量の二酸化炭素ガス及びガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする。

実施形態に係る基板処理方法は、液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、液体に対する二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、二酸化炭素ガスが溶解して複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する工程と、を有し、溶解させる工程では、液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、発生させる工程では、ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に気泡生成ガスを供給して複数の微小気泡を発生させることを特徴とする。
また、実施形態に係る基板処理方法は、液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、液体に対する二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、二酸化炭素ガスが溶解して複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する工程と、を有し、溶解させる工程では、液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、発生させる工程では、ガス量の二酸化炭素ガス及びガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする。

Claims (10)

1. 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、
   前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部と、を備え、
   前記溶解部は、前記液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、
   前記気泡発生部は、前記ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に前記気泡生成ガスを供給して前記複数の微小気泡を発生させることを特徴とする処理液生成装置。
2. 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、
   前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部と、を備え、
   前記溶解部は、前記液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、
   前記気泡発生部は、前記ガス量の二酸化炭素ガス及び前記ガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする処理液生成装置。
3. 前記液体が流れる配管を備え、
   前記溶解部及び前記気泡発生部は、前記液体が流れる流れ方向において前記溶解部が前記気泡発生部より下流側に位置付けられ、前記配管にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の処理液生成装置。
4. 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、
   前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、を有し、
   前記溶解させる工程では、前記液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、
   前記発生させる工程では、前記ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に前記気泡生成ガスを供給して前記複数の微小気泡を発生させることを特徴とする処理液生成方法。
5. 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、
   前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、を有し、
   前記溶解させる工程では、前記液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、
   前記発生させる工程では、前記ガス量の二酸化炭素ガス及び前記ガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする処理液生成方法。
6. 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、
   前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部と、
   前記二酸化炭素ガスが溶解して前記複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する処理部と、を備え、
   前記溶解部は、前記液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、
   前記気泡発生部は、前記ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に前記気泡生成ガスを供給して前記複数の微小気泡を発生させることを特徴とする基板処理装置。
7. 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる溶解部と、
   前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる気泡発生部と、
   前記二酸化炭素ガスが溶解して前記複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する処理部と、を備え、
   前記溶解部は、前記液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、
   前記気泡発生部は、前記ガス量の二酸化炭素ガス及び前記ガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする基板処理装置。
8. 前記液体が流れる配管を備え、
   前記溶解部及び前記気泡発生部は、前記液体が流れる流れ方向において前記溶解部が前記気泡発生部より下流側に位置付けられ、前記配管にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の基板処理装置。
9. 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、
   前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、
   前記二酸化炭素ガスが溶解して前記複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する工程と、を有し、
   前記溶解させる工程では、前記液体に大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させ、
   前記発生させる工程では、前記ガス量の二酸化炭素ガスが溶解した液体に前記気泡生成ガスを供給して前記複数の微小気泡を発生させることを特徴とする基板処理方法。
10. 液体に二酸化炭素ガスを溶解させる工程と、
    前記液体に対する前記二酸化炭素ガスの溶解量を維持しつつ、気泡生成ガスにより前記液体に複数の微小気泡を発生させる工程と、
    前記二酸化炭素ガスが溶解して前記複数の微小気泡を含む液体により基板を処理する工程と、を有し、
    前記溶解させる工程では、前記液体に、大気圧での飽和溶解量未満のガス量の二酸化炭素ガスを溶解させると共に、大気圧での飽和溶解量以上のガス量の気泡生成ガスを溶解させ、
    前記発生させる工程では、前記ガス量の二酸化炭素ガス及び前記ガス量の気泡生成ガスが溶解した液体を大気圧に開放することを特徴とする基板処理方法。